DE69017409D1 - Verfahren zur Herstellung einer aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid zusammengesetzten Membran für Röntgen-Lithographie. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid zusammengesetzten Membran für Röntgen-Lithographie.Info
- Publication number
- DE69017409D1 DE69017409D1 DE69017409T DE69017409T DE69017409D1 DE 69017409 D1 DE69017409 D1 DE 69017409D1 DE 69017409 T DE69017409 T DE 69017409T DE 69017409 T DE69017409 T DE 69017409T DE 69017409 D1 DE69017409 D1 DE 69017409D1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- producing
- ray lithography
- membrane composed
- silicon nitride
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33909489A JPH0712017B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | X線リソグラフィー用SiC/Si▲下3▼N▲下4▼膜の成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69017409D1 true DE69017409D1 (de) | 1995-04-06 |
DE69017409T2 DE69017409T2 (de) | 1995-07-27 |
Family
ID=18324205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69017409T Expired - Fee Related DE69017409T2 (de) | 1989-12-26 | 1990-12-19 | Verfahren zur Herstellung einer aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid zusammengesetzten Membran für Röntgen-Lithographie. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5098515A (de) |
EP (1) | EP0435746B1 (de) |
JP (1) | JPH0712017B2 (de) |
DE (1) | DE69017409T2 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5209996A (en) * | 1989-07-26 | 1993-05-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Membrane consisting of silicon carbide and silicon nitride, method for the preparation thereof and mask for X-ray lithography utilizing the same |
JPH0828324B2 (ja) * | 1990-11-06 | 1996-03-21 | 信越化学工業株式会社 | X線リソグラフィー用マスクに用いるx線透過膜 |
KR100470833B1 (ko) * | 2002-08-24 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본나이트라이드(SiCN) 박막 제조방법 |
JP2005340835A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Hoya Corp | 電子線露光用マスクブランクおよびマスク |
US7772635B2 (en) * | 2005-10-27 | 2010-08-10 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory device with tensile strained silicon layer |
CN105727755B (zh) * | 2014-12-09 | 2018-08-28 | 中国科学院金属研究所 | 一种梯度孔隙氮化硅结合碳化硅膜管及其制备方法 |
CN112820439B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-01-06 | 苏州闻道电子科技有限公司 | 一种用于x射线与软x射线波段的滤片及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3841352A1 (de) * | 1988-12-08 | 1990-06-21 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung eines maskentraegers aus sic fuer strahlungslithographie-masken |
JPH0762231B2 (ja) * | 1989-07-26 | 1995-07-05 | 信越化学工業株式会社 | SiCとSi▲下3▼N▲下4▼よりなる薄膜、その製造方法およびX線リソグラフィー用マスク |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP33909489A patent/JPH0712017B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-12-14 US US07/627,270 patent/US5098515A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-19 EP EP90403674A patent/EP0435746B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-19 DE DE69017409T patent/DE69017409T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0712017B2 (ja) | 1995-02-08 |
DE69017409T2 (de) | 1995-07-27 |
EP0435746A3 (en) | 1991-11-06 |
US5098515A (en) | 1992-03-24 |
EP0435746A2 (de) | 1991-07-03 |
JPH03196149A (ja) | 1991-08-27 |
EP0435746B1 (de) | 1995-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69019694D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen porösen Membran aus Polytetrafluoräthylen. | |
DE69704638T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Sinterkörpers aus Siliciumcarbid | |
DE3681302D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer hydrophilen poroesen membran. | |
DE69501638T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Keramikteils aus Siliciumnitrid | |
DE59706114D1 (de) | Verfahren zur herstellung von 1,4-butandiol durch katalytische hydrierung von 1,4-butindiol | |
DE69114957D1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines dünnen Membrans oder Balkens aus Silicium. | |
AT380468B (de) | Verfahren zur herstellung eines mischsinterkoerpers aus siliziumnitrid/bornitrid | |
DE69728516D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer dünnschicht aus titanoxid und katalysator für photodekomposition | |
DE69736900D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer epitaxialscheibe aus silizium | |
DE3482704D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer integralasymmetrischen membran. | |
DE3854884D1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Maskenträgers aus SIC für Röntgenstrahllithographie-Masken | |
ATE55920T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer komposit-membran. | |
DE3784123D1 (de) | Verfahren zur herstellung keramischer verbundwerkstoffe. | |
DE3577544D1 (de) | Verfahren zur herstellung von kohlenwasserstoffen. | |
DE69006681D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer dichten Betonschicht. | |
DE69017409D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer aus Siliziumcarbid und Siliziumnitrid zusammengesetzten Membran für Röntgen-Lithographie. | |
DE69707359D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Membranstruktur | |
DE68907158D1 (de) | Verfahren zur herstellung eines zusammengesetzten koerpers aus gesintertem siliciumcarbid. | |
DE68904582D1 (de) | Elektroakoustische membran und verfahren zur herstellung. | |
DE3680755D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer poroesen membran. | |
DE58909366D1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Maskenträgers aus SiC für Strahlungslithographie-Masken. | |
DE3779802D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung. | |
DE3886695D1 (de) | Polysilazane, Verfahren zu ihrer Herstellung, sowie die Herstellung Siliziumnitrid enthaltender keramischer Materialen. | |
DE3879858D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer duennschicht-verbundmembran durch absetzen aus einer loesung und verwendung der membran. | |
DE69022890D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer heteroepitaxialen Struktur. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |