DE668274C - Verfahren zur elektrolytischen Herstellung von Metallueberzuegen auf Gegenstaenden mit nicht leitender Oberflaeche - Google Patents
Verfahren zur elektrolytischen Herstellung von Metallueberzuegen auf Gegenstaenden mit nicht leitender OberflaecheInfo
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/188—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by direct electroplating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
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Description
- Verfahren zur elektrolytischen Herstellung von Metallüberzügen auf Gegenständen mit nicht leitender Oberfläche Es sind verschiedene Verfahren bekannt, um auf elektrolytischem Wege Metallüberzüge auf Gegenständen aus Isolierstoff bzw. mit nicht leitender Oberfläche zu erzeugen. Für die Durchführung solcher Verfahren muß zuerst die Oberfläche des Gegenstandes leitend gemacht werden, z. B. durch Graphitierung, durch Abscheidung eines Metallspiegels aus einer reduzierenden Lösung usw. Auf diesen ersten leitenden Oberflächenbelag wird dann gewöhnlich zunächst eine Kupferschicht auf elektrolytischem Wege aus cyankalischen oder aus sauren Kupferbädern niedergeschlagen und schließlich ein weiterer elektrolytischer Niederschlag eines anderen Metalls er-zeugt.
- Die vorliegende, Erfindung bezieht sich insbesondere auf solche Verfahren, bei denen der erste leitende Oberflächenbelag des Gegenstandes aus einem hauchdürren Metallbelag, z. B. einem' Silberspiegel oder einem Kupferspiegel, besteht, der durch chemische Reduktion aus einer entsprechenden Metallsalzlösung abgeschieden ist. Es hat sich gezeigt, äaß .ein solcher hauchdünner Metallbelag beim Einhängen des Gegenstandes in diejenigen galvanischen Bäder, welche gewöhnlich - zur -elektrolytischen. Abscheidung von Kupfer dienen, nämlich saure galvanoplastische Kupferbäder oder auch cyankalische Kupferbäder, von diesen Bädern lösend angegriffen wird, so daß ein erheblicher Teil Ausschuß entsteht, weil die galvanoplastischen Kupferniederschläge dann unregelmäßig bzw. lückenhaft ausfallen.
- Die Erfindung bezweckt, diese Übelstände zu beheben. Dies wird gemäß.der Erfindung dadurch erreicht, daß der z. B. .mit einem Silberspiegel versehene Gegenstand vor dem Einhängen in eines der üblichen galvanischen Verkupferungsbäder einige Zeit kathodisch in einer Kupfersulfatlösung behandelt wird, deren pri-Zahl etwa 3,q. ,bis z,8 beträgt. Dies entspricht wäßrigen Lösungen von Kupfersulfat; welche bis -zu etwa-x5;.g'freie Schwefelsäure im Liter enthalten. ..1,?ie . Konzentration -des Kupfersulfats beträgt la@ei" weckmäßig nur etwa 4o bis i oo g im Liter. In solchen Bädern wird eine einwandfreie elektrolytische Verkupferung des hauchdünnen Metallspiegels erzielt, ohne dessen teilweise Lösung oder sonstige Beschädigung beim Einhängen befürchten. zu müssen. Man kann Gegenstände mit einem Silberspiegel sogar mehrere Stunden ohne Strom in der Kupfersulfatlösung hängenlassen.
- An sich sind Kupfergalvanoplastikbäder bekannt, die bei einem verhältnismäßig hohen Gehalt an: Kupfersulfat von mehr als 300 g nur 2 g Schwefelsäure im Liter enthalten. Es war jedoch nicht erkannt worden, daß diese bisher für graphische Zwecke angewandten Kupferbäder für die erste Verkupferung hauchdünner Metallspiegel auf nicht leitenden Stoffen besondere Vorteile bieten.
- Nachdem der Metallspiegel in den gemäß der Erfindung ausgebildeten galvanischen Kupferbade gut mit Kupfer gedeckt ist, lmm die weitere Verstärkung des Kupferniederschlages in einem der üblichen galvanischen Verkupferungsbäder erfolgen, beispielsweise in einem in der Galvanoplastik üblichen Kupferbade, welches etwa Zoo bis 300 g Kupfersulfat und etwa 15 bis 40 g freie Schwefelsäure im Liter enthält und dessen pH-Zahl etwa i, i bis o,9 beträgt.
Claims (2)
- PATENTANSPRÜcHL: i. Verfahren zur elektrolytischen. Herstellung von Metallüberzügen auf Gegenständen aus Isolierstoffen bzw. finit nicht leitender Oberfläche, die zunächst eine leitende Oberfläche. in Form einer hauchdünnen Metallabscheidung, z. B. eines durch Reduktion gewonnenen Silberspiegels, erhalten, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand mit dem hauchdünnen Metallbelag katholisch in einer Kupfersulfatlösung mit einer pH-Zahl von etwa. 3,4 bis 1,8 behandelt und der Kupferniederschlag dann in einem der üblichen galvanischen Verkupferungshäder verstärkt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupfersulfatlösung neben einem Gehalt an freier Schwefelsäure bis zu etwa 2,5 g nur etwa 4o bis i oo g Kupfersulfat im Liter enthält.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL91820D DE668274C (de) | 1937-01-13 | 1937-01-14 | Verfahren zur elektrolytischen Herstellung von Metallueberzuegen auf Gegenstaenden mit nicht leitender Oberflaeche |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE493485X | 1937-01-13 | ||
DEL91820D DE668274C (de) | 1937-01-13 | 1937-01-14 | Verfahren zur elektrolytischen Herstellung von Metallueberzuegen auf Gegenstaenden mit nicht leitender Oberflaeche |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE668274C true DE668274C (de) | 1938-11-30 |
Family
ID=25944636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEL91820D Expired DE668274C (de) | 1937-01-13 | 1937-01-14 | Verfahren zur elektrolytischen Herstellung von Metallueberzuegen auf Gegenstaenden mit nicht leitender Oberflaeche |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE668274C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1274648B (de) * | 1963-11-07 | 1968-08-08 | Ibm | Verfahren zur Herstellung eines Duennfilmspeicherelements und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens |
-
1937
- 1937-01-14 DE DEL91820D patent/DE668274C/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1274648B (de) * | 1963-11-07 | 1968-08-08 | Ibm | Verfahren zur Herstellung eines Duennfilmspeicherelements und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens |
DE1274648C2 (de) * | 1963-11-07 | 1969-03-27 | Ibm | Verfahren zur Herstellung eines Duennfilmspeicherelements und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens |
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