DE2010982C3 - Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Zinküberzügen - Google Patents

Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Zinküberzügen

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DE2010982C3
DE2010982C3 DE19702010982 DE2010982A DE2010982C3 DE 2010982 C3 DE2010982 C3 DE 2010982C3 DE 19702010982 DE19702010982 DE 19702010982 DE 2010982 A DE2010982 A DE 2010982A DE 2010982 C3 DE2010982 C3 DE 2010982C3
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saccharin
coatings
zinc coatings
thiourea
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DE2010982A1 (de
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Simeon Dipl.-Ing. 4801 Babenhausen Acimovic
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Dr Hesse & Cie 4800 Bielefeld
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Dr Hesse & Cie 4800 Bielefeld
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Description

35
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Zinküberzügen aus einem sauren, »uf 50 bis 700C erwärmten zinksalzhaltigen Bad mit einem Zinkgehalt von 120 bis 200 g/l zusammen mit »nderen Leitsalzen und Glanzbildnern, wie Saccharin, bei Stromdichten bis zu 100 A/dm2 für das elektrolytilche Verzinken von Röhren, Drähten und Bändern.
Dar, elektrolytische Verzinken von Röhren, Drähten lind Bändern ist bekannt. Die dafür verwendeten galvanischen Bäder enthalten neben üblichen Zinksalten, wie Zinkchlorid und Zinksulfat, in einer Menge von 120 bis 200 g/l noch andere Leitsalze und Glanzbildner, wie Saccharin, und sie werden bei Temperaturen von 50 bis 700C und bei Stromdichten bis zu 100 A/dm2 betrieben (vgl. z. B. die DDR-Patentschrift 49 748 sowie die deutsche Patentschrift 9 57 615 und die US-Patentschrift 3183 067 in Verbindung mit Dettner El ze »Handbuch der Galvanotechnik«, Band 11,1966, S. 886). Es ist auch bekannt, solchen Zinksalzbädern Thioharnstoff als Zusatz zuzugeben (vgl. Machu »Moderne Galvanotechnik«, 1954, S. 385).
Diese bekannten Zinksalzbäder haben jedoch den Nachteil, daß die damit hergestellten Überzüge nicht ausreichend fest auf dem Substrat haften und ihre Dichte und damit ihre Korrosionsbeständigkeit unzureichend sind. In der Galvanotechnik ist man nämlich bestrebt, innerhalb möglichst kurzer Zeiträume 12 bis 30 Mikron dicke Zinküberzüge abzuscheiden, die an dem Substrat gut haften, duktil, dicht und korrosionsbeständig sein sollen. Eine schnelle Zinkabscheidung kann zwar durch Erhöhung der Stromdichte erzielt werden (in der Regel arbeitete man bisher bei Stromdichten innerhalb des Bereiches von 20 bis 60 A/dm2), eine weitere Steigerung der Stromdichte war bisher jedoch nicht empfehlenswert, weil die abgeschiedenen Zinkkristalle dann zu groß sind und unerwünschte Einschlüsse aufweisen, was zu inneren Spannungen und einer geringeren Korrosionsbeständigkeit führt. Das auf diese Weise abgeschiedene Zink kann unter Umständen so spröde sein, daß es von dem Substrat abplatzt. Man ging daher bisher davon aus. daß es zur Erzielung besserer Eigenschaften der elektrolytisch aufgebrachten Zinküberzüge besser sei, bei niedrigen als bei zu hohen Stromdichten zu arbeiten. Die dabei erzielten Ergebnisse werden jedoch den heutigen erhöhten Anforderungen an Zinküberzügen nicht gerecht
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein verbessertes Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Zinküberzügen anzugeben, bei dem eine Verzinkung durch Anwendung verhältnismäßig hoher Stromdichten innerhalb einer möglichst kurzen Zeit möglich ist unter Ausbildung von gut haftenden, duktilen, dichten. korrosionsbeständigen und glänzenden Überzügen.
Es wurde nun gefunden, daß diese Aufgabe dadurch gelöst werden kann, daß man die galvanische Abscheidung von Zinküberzügen in zwei Stufen durchführt, wobei in beiden Stufen Zinksalzbäder mit einer verschiedenen Zusammensetzung verwendet werden, so daß in der ersten Stufe ein erster, feinkrisialliner Zinküberzug auf dem Substrat erhalten wird, auf dem die in der nachfolgenden Stufe aufgebrachte Glanzzinkschicht gut haftet.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Zinküberzügen aus einem sauren, auf 50 bis 700C erwärmten zinksalzhaltigen Bad mit einem Zinkgehalt von 120 bis 200 g/l zusammen mit anderen Leitsalzen und Glanzbildern, wie Saccharin, bei Stromdichten bis zu 100 A/dm2, das dadurch gekennzeichnet ist, daß zunächst nur in Anwesenheit von Saccharin in Mengen von 0,05 bis 2,0 g/l sowie Thioharnstoff und/oder Derivaten davon in Mengen von 0,02 bis 5,0 g/l gearbeitet und anschließend in einem Bad, das noch zusätzliche Glanzbildner in Mengen von 0,02 bis 2,0 g/l enthält, zu Ende galvanisiert wird.
Nach dem erfindungsgemäßen 2-Stufen-Galvanisierungsverfahren werden gegenüber den bekannten Galvanisierungsverfahren dieser Art verschiedene Vorteile erzielt, die insbesondere darin bestehen, daß in dem ersten galvanischen Bad wegen der Anwesenheit von speziellen Feinkristallbildnern mit einer verhältnismäßig hohen Stromdichte gearbeitet werden kann, während in dem zweiten Bad in Gegenwart von speziellen Glanzbildnern eine außerordentlich widerstandsfähige Glanz- oder Deckschicht erzeugt wird. In der ersten Verfahrensstufe werden trotz der angewendeten hohen Stromdichte, die normalerweise die Abscheidung großer Kristalle begünstigt, durch den Einfluß der Feinkristallbildner kleine Kristalle auf dem Substrat abgeschieden, die ausgezeichnet an diesem haften und eine sogenannte Haftschicht bilden. Auf diese in der ersten Stufe erzeugte, feinkristalline Zwischenschicht mit den erwähnten guten Hafteigenschaften folgt dann in der zweiten Stufe die Aufbringung einer duktilen, dichten und äußerst widerstandsfähigen, weil besonders glatten Glanzschicht.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren können wegen der Anwendbarkeit von verhältnismäßig hohen Stromdichten von bis zu 100 A/dm2 fest haftende
Zinkübeizüge schneller als nach den bisher bekannten Verfahren hergestellt werden, wobei die erste, feinkrisialline Zinkschicht mit dem Substrat eine feste, spannungsfreie Bindung eingeht, die als Unterlage für eine oder mehrere darauf aufgebrachte Glanzzinkschichten dient, die daran gut haften, sehr dicht, duktil und glänzend sind. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kann somit innerhalb wesentlich kürzerer Galvanisierungszeiten eine wesentlich bessere Verzinkung als bei den bekannten Verfahren erhielt werden, bei denen in aller Regel schwammige Zinküberzüge mit einer verhältnismäßig geringen Haftfestigkeit und einer geringen Korrosionsbeständigkeit erhalten werden.
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung werden als Thioharnstoffderivate, Dimethylthioharnstoff, Acetylthioharnstoff oder N-Propionylthioharnstoff verwendet, während als zusätzliche Glanzbildner vorzugsweise hochmolekulare Imine, insbesondere Polyäthylenimin und/oder Polypropylenimin, verwendet werden.
Beispiel 1
Badl:
In 1 Liter sind enthalten:
ZnSCM-7 H2O 850 g
H3BO3 6 g
A12(SCm)3 26 g
ZnCb 4 g
Thioharnstoff 0,25 g
Sacccharin 0,25 g
Bad 2:
In 1 Liter sind enthalten:
ZnSOi-7H2O
H3BO3
AL2(SO4)3
ZnCb
Thioharnstoff
Saccharin
Polyäthylenimin
Beispiel 2 Badl:
In 1 Liter sind enthalten:
ZnSCM 7H2O
H3BO3
Ah(SCM)3
ZnCb
Dimethylthioharnstoff
Saccharin
Bad 2:
InI Liter sind enthalten:
ZnSCU-7H2O
H3BO3
ZnCb
Dimethylthioharnstoff
Saccharin
Polypropylenimin
850 g 6g 26 g 4g 0,45 g 0,25 g 0,75 g
850 g
6g 26 g
4g 0.4 g 0,25 g
850 g
6g
26 g
4g 0.6 g 0,25 g 0,5 g

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Zinküberzügen aus einem sauren, auf 50 bis 700C erwärmten zinksalzhalttgen Bad mit einem Zinkgehalt von 120 bis 200 g/l zusammen mit anderen Leitsalzen und Glanzbi'dnern. wie Saccharin, bei Stromdichten bis zu 100A/dm2, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst nur in Anwesenheit von Saccharin in Mengen von 0,05 bis 2,0 g/l sowie Thioharnstoff und/oder Derivaten davon in Mengen von 0,02 bis 5,0 g/l gearbeitet und anschließend in einem Bad, das noch zusätzliche Glanzbildner in Mengen von 0,02 bis 2,0 g/l enthält, zu Ende galvanisiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß als Thioharnstoffderivate Dimethylthioharnstoff, Acetylthioharnstoff oder N-Propionylthioharnstoff und als zusätzliche Glanzbildner hochmolekulare Imine, insbesondere Polyäthylenimin und/oder Polypropylenimin, verwendet werden.
DE19702010982 1970-03-09 1970-03-09 Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Zinküberzügen Expired DE2010982C3 (de)

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FR7115596A FR2134294B1 (de) 1970-03-09 1971-04-30
GB1314158D GB1314158A (en) 1970-03-09 1971-05-06 Method for electrolytic zinc plating

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DE2010982A1 DE2010982A1 (de) 1971-09-23
DE2010982B2 DE2010982B2 (de) 1976-03-18
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