DE639615C

DE639615C - Verfahren zur Herstellung von Hochvakuumgefaessen

Info

Publication number: DE639615C
Application number: DE1930639615D
Authority: DE
Original assignee: CHF Mueller AG
Current assignee: CHF Mueller AG
Priority date: 1930-07-10
Filing date: 1930-07-10
Publication date: 1936-12-09

Description

Verfahren zur Herstellung von Hochvakuumgefäßen Beim Entlüften von Entladungsgefäßen, die mit mehr oder weniger hohem Vakuum arbeiten, wird gewöhnlich an die Elektroden betriebsmäßige Hochspannung gelegt. Auf diese Weise kann die jeweils als Anode dienende Elektrode durch Elektronenbombardement von der jeweils als Kathode dienenden Elektrode her erhitzt und so entgast werden. Diese Art der Entlüftung ist mit mancherlei Nachteilen verbunden.. Insbesondere ist die meistens aus einem dünnen Wolframdraht bestehende Glühkathode bei diesem Verfahren leicht der Zerstörung ausgesetzt. Man hat daher beispielsweise zur Entlüftung von mit Ionenentladung arbeitenden Röntgenröhren vorgeschlagen, die Elektroden mit Heizmitteln zu versehen, mit deren Hilfe die direkte Erhitzung 'der Elektroden ohne Anlegung von Hochspannung vorgenommen werden kann.
Dieses Verfahren hat beim Betrieb von mit reiner Elektronenentladung arbeitenden Entladungsgefäßen nicht zum gewünschten Erfolg geführt. Um das Verfahren des hochspannungslosen Pumpens mit Erfolg auch bei Elektronenröhren anwenden zu können, muß man sich erfindungsgemäß noch eines besonderen Hilfsmittels bedienen. Bei Entladungsgefäßen der letztgenannten Art hat man beobachtet, daß sich immer dann Aufladungen der Gefäßwand zeigten, wenn das Gefäß ohne Verwendung von Hochspannung entlüftet war. Diese Aufladungen hatten die unangenehme Folge, daß sie infolge ihrer regellosen Verteilung den Entladungsvorgang in unberechenbarer Weise beeinflussen und bei Röntgenröhren auch Anlaß zu Änderungen in der Größe und Lage des Brennflecks. auf der Anode geben, und daß sie an einzelnen Teilen der Glaswand Stellen bilden, die bevorzugt zu Durchschlägen neigen. Daß diese Übelstände bei den gleichen Röhren, die aber unter Verwendung von Hochspannung gepumpt wurden, nicht eintreten, hat seinen .Grund darin, daß beim Pumpen unter Verwendung von Hochspannung stets eine leichte kathodische Zerstäubung des Wolframdrahtes eintritt und sich infolgedessen ein gleich dünner Metallniederschlag auf der Gefäßwandung in Höhe der Entladung bildet. Die Leitfähigkeit dieses Überzugs ist gerade groß genug, die auf die Gefäßwandung auffallenden Elektronen sofort gleichmäßig zu verteilen bzw. über geerdete Metallteile, die an die Glaswand angrenzen, abzuleiten.
Erfindungsgemäß werden Hochspannungsvakuumgefäße, insbesondere Röntgenröhren und Hochspannungsventilröhren, bei denen die Innenseite der Gefäßwand leitend gemacht und dadurch Ableitung oder Verteilung der auffallenden Elektronen ermöglicht ist, in der Weise hergestellt, daß die Röhren bis zum Abschmelzen von der Pumpe nicht an eine solche Hochspannung gelegt werden, die eine praktisch merkliche Entgasung herbeiführt. Zu diesem Zweck kann die Gefäß=

auf der Innenseite der Gefäßwandung ein dünner Belag erzeugt werden, dessen Leitfähigkeit gerade genügt, eine gleichmäßige Verteilung oder schnelle Ableitung von auffallenden Elektronen zu erzielen. Trifft man diese Maßnahme, so kann man auch betriebssichere Hochvakuumentladungsgefäße, die also mit reiner Elektronenentladung arbeiten, dadurch entgasen, daß man ohne Anwendung von Hochspannung die Elektroden und die Gefäßwandung während der Entlüftung erhitzt.
Es ist an sich bekannt, in Entladungsgefäßen zur Bindung schädlicher Gase ein Metall zu verdampfen, welches sich gewöhnlich an einer Stelle oder der ganzen Gefäßwandung niederschlägt.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Hochspannungshochvakuumgefäßen, insbesondere Röntgenröhren und Hochspannungsventilröhren, bei denen die Innenseite der Gefäßwand leitend gemacht und dadurch Ableitung oder Verteilung der auffallenden Elektronen ermöglicht ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Röhren bis zum Abschmelzen von der Pumpe nicht an eine solche Hochspannung gelegt werden, die eine praktisch merkliche Entgasung herbeiführt.
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß auf den im Bereich der Entladung liegenden Glasteilen der Gefäßwand durch Verdampfen eines Metalls oder Halbleiters ein dünner Überzug geringer Leitfähigkeit hergestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Herstellung des überzuges durch das Verdampfen eines Metalls oder Halbleiters am Ende der Entlüftung vorgenommen wird.