AT137092B - Verfahren zur Herstellung von Hochvakuumgefäßen. - Google Patents

Description

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  Verfahren zur Herstellung von   Hochvakuumgefâssen.   



   Beim Entlüften von Entladungsgefässen, die mit mehr oder weniger hohem Vakuum arbeiten, wird gewöhnlich an die Elektroden betriebsmässige Hochspannung gelegt. Auf diese Weise kann die jeweils als Anode dienende Elektrode durch Elektronenbombardement von der jeweils als Kathode dienenden Elektrode her erhitzt und so entgast werden. Diese Art der Entlüftung ist mit mancherlei Nachteilen verbunden. Insbesondere ist die meistens aus einem dünnen Wolframdraht bestehende Glühkathode bei diesem Verfahren leicht der Zerstörung ausgesetzt. Man hat daher beispielsweise zur Entlüftung von mit Ionenentladung arbeitenden Röntgenröhren vorgeschlagen, die Elektroden mit Heizmitteln zu versehen, mit deren Hilfe die direkte Erhitzung der Elektroden ohne Anlegung von Hochspannung vorgenommen werden kann. 



   Dieses Verfahren hat beim Betrieb von mit reiner Elektronenentladung arbeitenden Entladungs- 
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 dass sich immer dann Aufladungen der Gefässwand beim normalen Betriebe zeigten, wenn das Gefäss ohne Verwendung von Hochspannung entlüftet war. Diese Aufladungen hatten die unangenehme Folge, dass sie infolge ihrer regellosen Verteilung den Entladungsvorgang in unberechenbare Weise beeinflussten und bei Röntgenröhren auch Anlass zu Änderungen in der Grösse und Lage des Brennflecks auf der Anode gaben und an einzelnen Teilen der Glaswand Stellen bildeten, die bevorzugt zu Durchschlägen neigten. 



  Dass diese Übelstände bei den gleichen Röhren, die aber unter Verwendung von Hochspannung gepumpt wurden, nicht eintreten, hat seinen Grund darin, dass beim Pumpen unter Verwendung von Hochspannung stets eine leichte kathodische Zerstäubung des Wolframdrahtes eintritt und sich infolgedessen ein gleich- 
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 mässig zu verteilen bzw. über geerdete Metallteile, die an die Glaswand angrenzen, abzuleiten. 



   Erfindungsgemäss lassen sich Elektronenröhren ohne die genannten Störungen bei Anwendung des   hoehspannungslosen   Pumpverfahrens in der Weise herstellen, dass man auch hier den die Entladung umgebenden Teil der Gefässwandung leitend macht, so dass Elektronen, die während des Betriebes auf die Gefässwandung auffallen, dort sofort gleichmässig verteilt oder abgeleitet werden.

   Zu diesem Zweck kann auf der Gefässwandung an jenen Stellen, auf welche noch Elektronen auftreffen können, sofern die Gefässwand dort nicht selbst aus Metall besteht, durch Verdampfung einer kleinen Menge eines Metalls oder Halbleiters-gegebenenfalls am Ende der   Entlüftung-auf   der Innenseite der Gefässwandung ein dünner Belag erzeugt werden, dessen   Leitfähigkeit   gerade genügt, eine gleichmässige Verteilung oder schnelle Ableitung von auffallenden Elektronen zu erzielen.

   Trifft man diese Massnahme, so kann man auch betriebssichere   Hochvakuumentladungsgefässe, die   also mit reiner Elektronenentladung arbeiten, dadurch entgasen, dass man ohne Anwendung von Hochspannung die Elektroden und die Gefässwandung während der Entlüftung erhitzt. 
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 dampfen, welches sieh gewöhnlich an einer Stelle oder an der ganzen Gefässwandung niederschlägt. 



   PATENT-ANSPRÜCHE : 
1. Verfahren zur Herstellung von Hochvakuumgefässen, insbesondere Röntgenröhren und Hochspannungsventilröhren, dadurch gekennzeichnet, dass die Innenwand von Röhren, die ohne Anwendung von Hochspannung entlüftet werden, an jenen nicht schon aus Metall bestehenden Stellen, auf die beim Betrieb Elektronen auftreffen können, leitend gemacht wird. 

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Claims (1)

1. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf den im Bereich der Entladung liegenden Glasteilen der Gefässwand durch Verdampfen eines Metalls oder Halbleiters ein dünner Überzug geringer Leitfähigkeit hergestellt wird.

   3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung des Überzuges durch das Verdampfen eines Metalls oder Halbleiters am Ende der Entlüftung vorgenommen wird. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.