DE60208622T2 - Siliciumoxidpulver und dessen Herstellung - Google Patents

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Description

  • HINTERGRUND
  • Durch SiO dargestelltes Siliciumoxid ist ein allgemein bekanntes Material. Indem dessen chemische Aktivität vorteilhaft angewandt wird, wird es beispielsweise zur Synthese von gewerblich geeigneten Alkylhalogensilanen (Gary N. Bokerman et al., US-Patent 5.051.247) und zur direkten Synthese von Siloxanen (Peter L. Timms und William N. Rowlands, EPA 0406000A2, "Polysiloxane oils and process for their preparation") verwendet. Es wurde auch berichtet, dass Magnesiumsilicid durch Umsetzung von Siliciumoxid mit Magnesium bei niedrigen Temperaturen (E. Fuglein und U. Schubert, Chem. Mater. 11, 865–866 (1999)) hergestellt wird.
  • Die der EP-840386A entsprechende JP-A 9-7638 offenbart indessen, dass die Verwendung von SiOx als aktives Material der negativen Elektrode in Lithiumionen-Sekundärzellen den Einschluss und die Freisetzung von Lithiumionen vereinfacht. Es wird folglich erwartet, dass Siliciumoxid als zusätzliche Anwendung als aktives Material der negativen Elektrode in Lithiumionen-Sekundärbatterien Gebrauch findet.
  • Die Verwendung von Siliciumoxid- (SiOx-) Pulver als negatives Elektrodenmaterial in Lithiumionen-Sekundärzellen führt zu einer stark erhöhten Anfangskapazität wie auch einer schwachen Zyklusleistung.
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Siliciumoxidpulvers, das als negatives Elektrodenmaterial für eine Lithiumionen-Sekundärzelle verwendet werden kann, die fähig ist, eine hohe Kapazität mit zufrieden stellender Zyklusleistung aufrechtzuerhalten. Andere Ziele beinhalten die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung des Siliciumoxidpulvers sowie die Verwendung wie beschrieben.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben herausgefunden, dass, wenn ein Siliciumoxidpulver der Formel SiOx, worin x einen Wert innerhalb eines bestimmten Bereichs aufweist, mit einer bestimmten spezifischen Oberfläche als das negative Elektrodenmaterial in einer Lithiumionen-Sekundärzelle verwendet wird, die Zelle hohe Kapazität und ausgezeichnete Zyklusleistung aufweist. Die Bedingungen, unter denen ein Siliciumoxidpulver einer spezifischen Zusammensetzung mit physikalischen Eigenschaften im gewünschten Bereich hergestellt werden kann, sind empirisch ermittelt worden.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Siliciumoxidpulver bereit, das durch die Formel SiOx, worin x = 1,05 bis 1,5 ist, dargestellt ist und eine spezifische Oberfläche nach dem BET-Verfahren von 5 bis 300 m2/g aufweist.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird das Siliciumoxidpulver folgendermaßen hergestellt: durch Erhitzen eines Rohmaterial-Pulvergemischs, das zumindest ein Siliciumdioxidpulver umfasst, in einer Inertgasatmosphäre oder im Vakuum bei einer Temperatur von 1.100 bis 1.600 °C, um SiO-Gas zu erzeugen, durch kontinuierliches oder diskontinuierliches Zuführen von Sauerstoffgas zum SiO-Gas, um ein Gasgemisch zu bilden, und durch Kontaktieren des Gasgemischs mit einer Oberfläche eines gekühlten Substrats, um Siliciumoxidpulver abzuscheiden.
  • Ein weiterer Aspekt umfasst die Verwendung in einer Lithiumionen-Sekundärzelle eines solchen Siliciumoxidpulvers als negatives Elektrodenmaterial.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Die einzige Zeichnung 1 stellt einen schematischen Querschnitt einer Vorrichtung zur Herstellung von Siliciumoxid gemäß einer Ausführungsform der Erfindung dar.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Das Siliciumoxidpulver der vorliegenden Erfindung wird durch die Formel SiOx dargestellt, worin x eine Zahl von 1,05 bis 1,5 ist (d.h. 1,05 ≤ x ≤ 1,5), und weist eine mittels BET-Adsorptionsverfahren gemessene spezifische Oberfläche von 5 bis 300 m2/g auf.
  • Wenn ein Siliciumoxidpulver der Formel SiOx, worin x weniger als 1,05 ist, als negatives Elektrodenmaterial in einer Lithiumionen-Sekundärzelle verwendet wird, erhöht sich die Anfangskapazität der Zelle zum Nachteil der Zyklusleistung. Wenn x mehr als 1,5 ist, verbessert sich die Zyklusleistung, was sich nachteilig auf die Lade/Entlade-Kapazität auswirkt. Vorzugsweise liegt x in einem Bereich zwischen 1,1 und 1,3.
  • Es ist nicht gänzlich klar, warum sich die Leistung einer Lithiumionen-Sekundärzelle mit dem Wert von x in der Formel SiOx, die das Siliciumoxidpulver darstellt, ändert. Es wird angenommen, dass mit der Zunahme des x-Werts, der die Menge atomar dispergierten Sauerstoffs darstellt, das Siliciumoxid hinsichtlich Volumenausdehnungsprozent bei Einschluss von Lithiumionen reduziert wird. Dies schränkt den Zerfall und das Verpulvern des negativen Elektrodenmaterials durch Wiederholung der Lade/Entlade-Zyklen ein. Dadurch wird die Zyklusleistung verbessert.
  • Eine spezifische Oberfläche nach dem BET-Verfahren von weniger als 5 m2/g deutet darauf hin, dass Siliciumoxidteilchen eine geringerer Oberflächenaktivität aufweisen. Wenn dieses Siliciumoxidpulver als negatives Elektrodenmaterial in einer Lithiumionen-Sekundärzelle verwendet wird, wird die Menge an Lithiumionen, die in das sowie aus dem Siliciumoxidpulver wandert, reduziert und in der Folge die Lade/Entlade-Kapazität verringert. Wenn die BET-Oberfläche mehr als 300 m2/g beträgt, sind die Siliciumoxidteilchen so empfänglich gegenüber Oberflächenoxidation, dass der SiO2-Anteil und folglich der x-Wert zunimmt, was zu einer Verminderung der Lade/Entlade-Kapazität führt. Der bevorzugte Bereich der spezifischen Oberfläche nach dem BET-Verfahren beträgt 10 bis 200 m2/g.
  • Das oben definierte Siliciumoxidpulver wird folgendermaßen hergestellt: durch Erhitzen eines Rohmaterial-Pulvergemischs, das zumindest Siliciumdioxidpulver umfasst, in einer Inertgasatmosphäre oder im Vakuum bei einer Temperatur von 1.100 bis 1.600 °C, um SiO-Gas zu erzeugen, durch kontinuierliches oder diskontinuierliches Zuführen von Sauerstoffgas zum SiO-Gas, um ein Gasgemisch zu bilden, und durch Kontaktieren des Gasgemischs mit einer Oberfläche eines gekühlten Substrats, um Siliciumoxidteilchen abzuscheiden.
  • Das ein Siliciumdioxidpulver enthaltende Rohmaterial-Pulvergemisch ist üblicherweise ein Gemisch aus Siliciumdioxid und einem Pulver, das fähig ist, das Siliciumdioxid zu reduzieren. Veranschaulichende Beispiele für das reduzierende Pulver umfassen metallische Siliciumpulver sowie kohlenstoffhältige Pulver. Davon wird metallisches Silicium aufgrund der erhöhten Reaktivität und Ausbeuten bevorzugt. Das hierin verwendete metallische Silicium ist nicht entscheidend, wobei metallische Siliciumspezies mit hoher Reinheit, wie z.B. von Halbleiterreinheit, Si von Keramikreinheit oder chemischer Reinheit, aufgrund der erhöhten Reinheit des resultierenden Siliciumoxidpulver bevorzugt werden. Die Mischungsverhältnisse von Siliciumdioxid und eines reduzierenden Pulvers werden entsprechend ermittelt, solange eine vollständige Reduktion gewährleistet ist.
  • In einem Ofen wird das Gemisch aus Siliciumdioxid und einem reduzierenden Pulver erhitzt und bei einer Temperatur von 1.100 bis 1.600 °C, vorzugsweise 1.200 bis 1.500 °C, gehalten, wodurch SiO-Gas erzeugt wird. Eine Erhitzungstemperatur von weniger als 1.100 °C erschwert den Reaktionsablauf und führt zu einer geringeren Produktivität. Wenn das Rohmaterial-Pulvergemisch auf über 1.600 °C erhitzt wird, schmilzt das Gemisch und verliert an Reaktivität, und die Wahl der Ofenmaterials wird zum Problem. Die Atmosphäre im Inneren des Ofens kann entweder Inertgas oder Vakuum sein, wobei die Reaktion im Vakuum von Vorteil ist, da die Reaktivität aufgrund der Thermodynamik höher ausfällt, sodass die Reaktion bei geringeren Temperaturen erfolgen kann.
  • Das durch Erhitzen des Rohmaterial-Pulvergemischs erzeugte SiO-Gas wird anschließend zur Abscheidung des Siliciumoxidpulvers über eine Zufuhrleitung in eine Abscheidungskammer geleitet. Die Zufuhrleitung wird vorzugsweise erhitzt und bei einer Temperatur von 1.000 bis 1.300 °C, noch bevorzugter 1.100 bis 1.200 °C, gehalten. Wenn die Temperatur der Zufuhrleitung unter 1.000 °C liegt, kann sich das SiO-Gas abscheiden und auf der Innenwand der Zufuhrleitung ansammeln, was eine Betriebsbehinderung darstellt, die schließlich den stabilen kontinuierlichen Betrieb verlangsamt. Das Erhitzen der Zufuhrleitung über 1.300 °C führt zu keinen zusätzlichen Wirkungen und kann den Energieverbrauch erhöhen.
  • Während das SiO-Gas zur Abscheidungskammer geleitet wird, wird Sauerstoffgas dazu zugeführt. Das Sauerstoffgas kann als solches zugeführt werden, oder es kann ein Sauerstoffgas enthaltendes Inertgas zugeführt werden. Durch Regelung des Strömungsgeschwindigkeit und der Zufuhrzeit des Sauerstoffgases kann der x-Wert im resultierenden Siliciumoxidpulver (SiOx) eingestellt werden. Es ist nicht entscheidend, wie das Sauerstoffgas zugeführt wird, und das Sauerstoffgas kann kontinuierlich oder diskontinuierlich oder andersartig zugeleitet werden. Es kann jedes beliebige geeignete Verfahren zur Sauerstoffgaszufuhr gemäß dem jeweiligen Zweck ausgewählt werden. Wenn Sauerstoffgas SiO-Gas zugeführt und damit vermischt wird, beträgt die Temperatur vorzugsweise 800 bis 1.200 °C, insbesondere 900 bis 1.100 °C.
  • Ein Gasgemisch, das durch Zufuhr von Sauerstoffgas zu SiO-Gas erhalten wird, wird mit einer Oberfläche eines Substrats kontaktiert, das im Inneren der Abscheidungskammer angeordnet ist und mit einem Kühlmittel gekühlt ist, wodurch ein Siliciumoxidpulver (SiOx) mit einem vorgegebenen x-Wert auf dem Substrat abgeschieden wird. Die Temperatur des Substrats an der Oberfläche beträgt, jedoch nicht entscheidend, vorzugsweise 200 bis 400 °C. Bei einer Substratoberflächentemperatur unter 200 °C kann das resultierende Siliciumoxidpulver eine spezifische Oberfläche nach dem BET-Verfahren von mehr als 300 m2/g und eine geringere Reinheit aufweisen. Bei einer Substratoberflächentemperatur von über 400 °C kann das resultie rende Siliciumoxidpulver hingegen eine spezifische Oberfläche nach dem BET-Verfahren von weniger als 5 m2/g und eine geringere Aktivität aufweisen.
  • Das Kühlmittel zum Kühlen des Substrats wird, jedoch nicht entscheidend, aus Flüssigkeiten, wie z.B. Wasser, sowie Wärmeübertragungsmedien und Gasen, wie z.B. Luft und Stickstoffgas, ausgewählt. Der Substrattyp ist nicht entscheidend, wobei die Verwendung hochschmelzender Metalle, wie z.B. Edelstahl, Molybdän und Wolfram, aufgrund der einfachen Verarbeitung bevorzugt wird.
  • Es ist nicht gänzlich klar, warum sich die spezifische BET-Oberfläche des Siliciumoxidpulvers mit der Substratoberflächentemperatur ändert. Mit steigender Substratoberflächentemperatur werden die Oberflächen der Abscheidungen ausreichend aktiv, damit diese zur Konsolidierung miteinander verschmolzen werden, was zu einer Verringerung der spezifischen Oberfläche nach dem BET-Verfahren führt.
  • Das so auf dem Substrat abgeschiedene Siliciumoxidpulver wird durch geeignete Mittel, wie z.B. mittels Schaber, gewonnen. Nach der Gewinnung wird das Siliciumoxidpulver bei Bedarf in einer geeigneten Vorrichtung, wie z.B. einer Kugelmühle, auf eine gewünschte Teilchengröße pulverisiert.
  • Im Folgenden wird eine Vorrichtung zur Verwendung in der Praxis des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Siliciumoxidpulvers beschrieben. Bezugnehmend auf 1 wird eine Vorrichtung, die allgemein als 1 bezeichnet wird, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung veranschaulicht. Die Vorrichtung 1 umfasst einen Reaktionsofen 10 und eine Abscheidungskammer 20, die über eine Überführungsleitung 30, die über ein darin eingebautes Heizelement 31 verfügt, verbunden sind. Im Reaktionsofen 10 ist eine Muffel 11 angeordnet, die von einem Heizelement 12 umgeben ist. Ein Wärmeisolator 13 ist um das Heizelement 12 angeordnet.
  • Die Muffel 11 definiert eine darin vorliegende Reaktionskammer 14. Im Inneren der Reaktionskammer 14 ist ein Behälter 16 zur Aufnahme eines Rohmaterial-Pulver gemischs 15 angeordnet, das ein Siliciumdioxidpulver enthält. Das Heizelement 12 dient dazu, das Rohmaterial-Pulvergemisch 15 im Behälter 16 auf eine vorgegebene Temperatur zu erhitzen, wodurch ein Siliciumoxidgas erzeugt wird, das anschließend in die Abscheidungskammer 20 über eine mit der Muffe 11 verbundene Überführungsleitung 30 zugeführt wird.
  • In der Abscheidungskammer 20 sind ein Substrat 21 und ein Heizelement 22 zum Erhitzen des Inneren der Kammer 20 angeordnet. An die Abscheidungskammer 20 sind ein Gaseinlassrohr 23 zum Zuführen von Sauerstoffgas in die Kammer 20 und eine Vakuumpumpe 24 zur Evakuierung und Aufrechterhaltung des Vakuums im Inneren des Geräts angeschlossen.
  • Das Substrat 21 ist in seinem Inneren mit Kühlungskanälen (nicht angeführt) bereitgestellt, woran ein Kühlmitteleinlassrohr 25 und ein Kühlmittelauslassrohr 26 angeschlossen sind.
  • Das über eine Zufuhrleitung 30 in die Abscheidungskammer 20 zugeführte Siliciumoxidgas wird mit Sauerstoffgas aus dem Einlassrohr 23 vermischt und mit der Oberfläche des gekühlten Substrats 21 kontaktiert, wodurch es gekühlt und als Siliciumoxidteilchen abgeschieden wird.
  • BEISPIELE
  • Im Folgenden sind Beispiele der Erfindung zur Veranschaulichung und nicht als Einschränkung angeführt.
  • Beispiel 1
  • Unter Verwendung der in 1 angeführten Vorrichtung 1 wurde ein Siliciumoxid(SiOx-) Pulver hergestellt. Das verwendete Rohmaterial-Pulvergemisch 15 war ein äquimolares Gemisch aus einem Siliciumdioxidpulver (BET-Oberfläche 200 m2/g) und einem metallischen Siliciumpulver von keramischer Reinheit (BET-Oberfläche 4 m2/g).
  • Zuerst wurden 200 g des Rohmaterial-Pulvergemischs 15 in den Reaktionsofen 10 platziert, dessen Muffel 11 ein Volumen von 6.000 cm3 aufwies. Die Vakuumpumpe 24 wurde betrieben, um den Reaktionsofen 10 auf ein Vakuum von 0,1 Torr oder darunter zu evakuieren. Das Heizelement 12 wurde in Betrieb gesetzt, um den Behälter auf eine Temperatur von 1.350 °C zu erhitzen und dabei zu halten. Mit eingeschaltetem Heizelement 31 wurde die Zufuhrleitung 30 auf eine Temperatur von 1.100 °C erhitzt und dabei gehalten. Das Heizelement 22 in der Abscheidungskammer 20 wurde sodann betrieben, um die Kammer 20 auf eine Temperatur von 900 °C zu erhitzen. Gleichzeitig wurde Wasser mit einer Geschwindigkeit von 5,0 NL/min durch die Kanäle im Edelstahlsubstrat 21 mit einer Oberfläche von 200 cm2 fließen gelassen, um die Substratoberfläche bei einer Temperatur von etwa 280 °C zu halten. Ein 20 % Sauerstoffgas enthaltendes Argongas wurde mit einer Geschwindigkeit von 50 cm3/min aus dem Gaseinlassrohr 23 kontinuierlich in die Abscheidungskammer 20 zugeführt.
  • Unter diesen Bedingungen wurde der Betrieb 5 Stunden lang fortgesetzt, wonach 160 g SiOx in Form einer schwarzen Masse auf die Oberfläche des Substrats 21 abgeschieden wurden. Die abgeschiedene Masse wurde gewonnen und 5 Stunden lang in einer Kugelmühle pulverisiert, um ein Siliciumoxidpulver zu erhalten. Dieses Siliciumoxidpulver war ein amorphes Pulver mit einer spezifischen Oberfläche nach dem BET-Verfahren von 210 m2/g und wurde durch die Formel SiOx dargestellt, worin x 1,22 ist.
  • Als Nächstes wurden 100 Gewichtsteile des so erhaltenen Siliciumoxidpulvers, 90 Gewichtsteile Graphit als Leitmittel und 20 Gewichtsteile Polyvinylidenfluorid als Bindemittel zusammengeknetet (in N-Methylpyrrolidon als Lösungsmittel). Ein Teil dieser Verbindung wurde auf ein Edelstahlnetz aufgebracht, unter Druck daran gebunden und bei 120 °C über Nacht in einem Vakuumtrockner getrocknet, wodurch eine Elekt rode, die Siliciumoxid enthielt, erhalten wurde. Die Herstellungsbedingungen und die physikalischen Eigenschaften des Siliciumoxids sind in Tabelle 1 angeführt.
  • Die Lade/Entlade-Leistung der Elektrode wurde untersucht. Eine Lithiumionen-Sekundärzelle zur Bewertung der Elektrode wurde unter Verwendung einer Lithiumfolie als Gegenelektrode gebaut. Der verwendete nichtwässrige Elektrolyt war eine nichtwässrige Elektrolytlösung von Lithiumphosphorhexafluorid in einem 1:1-Gemisch aus Ethylencarbonat und 1,2-Dimethoxyethan in einer Konzentration von 1 mol/l. Der verwendete Separator war ein 30 μm dicker mikroporöser Polyethylenfilm.
  • Die so aufgebaute Lithiumionen-Sekundärzelle wurde über Nacht bei Raumtemperatur stehen gelassen. Mit einem Sekundärzellen-Lade/Entlade-Tester (Nagano K.K.) wurde in 10 Zyklen ein Lade/Entlade-Test auf der Zelle durchgeführt, wobei die Bedingungen folgende waren: konstante Stromdichte 0,5 mA/cm2, Entladeendspannung 0,003V und Ladeendspannung 1,800V. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 angeführt.
  • Beispiele 2 bis 4
  • Siliciumoxidpulver der Formel SiOx wurden wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Temperatur im Inneren der Abscheidungskammer 20, die Strömungsgeschwindigkeit von Wasser durch das Substrat 21 und die Strömungsgeschwindigkeit von 20 % Sauerstoff enthaltendem Argongas wie in Tabelle 1 verändert wurden.
  • Unter Verwendung der so erhaltenen Siliciumoxidpulver wurde ein Lade/Entlade-Test wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die Ergebnisse des Lade/Entlade-Tests sind in Tabelle 2 angeführt.
  • Vergleichsbeispiele 1 bis 4
  • Siliciumoxidpulver der Formel SiOx wurden wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Temperatur im Inneren der Abscheidungskammer 20, die Strö mungsgeschwindigkeit von Wasser durch das Substrat 21 und die Strömungsgeschwindigkeit von 20 % Sauerstoff enthaltendem Argongas wie in Tabelle 1 verändert wurden.
  • Unter Verwendung der so erhaltenen Siliciumoxidpulver wurde ein Lade/Entlade-Test wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die Ergebnisse des Lade/Entlade-Tests sind in Tabelle 2 angeführt.
  • Tabelle 1
    Figure 00100001
  • Tabelle 2
    Figure 00100002
  • Es ist ein Siliciumoxidpulver mit der Formel SiOx, worin x in einem spezifischen Bereich gehalten wird, beschrieben worden, das als negatives Elektrodenmaterial ver wendet wird, um eine Lithiumionen-Sekundärzelle mit hoher Kapazität und verbesserter Zyklusleistung zu konstruieren. Das Siliciumoxidpulver kann in industriell akzeptablem Maßstab hergestellt werden.
  • Die japanische Patentanmeldung 2001-053903 ist hierin durch Verweis aufgenommen.
  • Obwohl einige bevorzugte Ausführungsformen beschrieben wurden, sind viele Modifizierungen und Variationen im Lichte der obigen Lehren möglich. Es versteht sich daher, dass die Erfindung auch anders als spezifisch in den Beispielen beschrieben in die Praxis umgesetzt werden kann.

Claims (10)

  1. Siliciumoxidpulver, das durch die Formel SiOx, worin x = 1,05 bis 1,5 ist, dargestellt ist und eine spezifische Oberfläche nach dem BET-Verfahren von 5 bis 300 m2/g aufweist.
  2. Siliciumoxidpulver nach Anspruch 1, worin x zwischen 1,1 und 1,3 beträgt.
  3. Siliciumoxidpulver nach Anspruch 1 oder 2, mit einer spezifischen Oberfläche nach dem BET-Verfahren von 10 bis 200 m2/g.
  4. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumoxidpulvers nach einem der Ansprüche 1 bis 3, folgende Schritte umfassend: Erhitzen eines Rohmaterial-Pulvergemischs (15), das zumindest Siliciumdioxidpulver umfasst, in einer Inertgasatmosphäre oder im Vakuum auf eine Temperatur von 1.100 bis 1.600 °C, um SiO-Gas zu erzeugen, kontinuierliches oder diskontinuierliches Zuführen von Sauerstoffgas zum SiO-Gas, um ein Gasgemisch zu bilden, und Kontaktieren des Gasgemischs mit einer Oberfläche eines gekühlten Substrats (21), um Siliciumoxidpulver abzuscheiden.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, worin die Substratoberfläche so gekühlt wird, dass ihre Temperatur im Bereich von 200 bis 400 °C gehalten wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, worin das Rohmaterial-Pulvergemisch ein Gemisch des Siliciumdioxidpulvers mit metallischem Siliciumpulver ist.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, worin das SiO-Gas über eine Zufuhrleitung (31), die erhitzt wird, um sie auf einer Temperatur von 1.000 bis 1.300 °C zu halten, in eine Abscheidungskammer (20) geleitet wird, um dort mit dem gekühlten Substrat (21) in Kontakt zu kommen.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, worin die Temperatur, bei der das Sauerstoffgas dem SiO-Gas zugeführt und damit vermischt wird, 800 bis 1.200 °C beträgt.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 8, worin das abgeschiedene Siliciumoxid gewonnen und bis zur gewünschten Teilchengröße pulverisiert wird.
  10. Verwendung von in einem der Ansprüche 1, 2 oder 3 definiertem Siliciumoxidpulver als aktives Material der negativen Elektrode in einer Lithiumionen-Sekundärzelle.
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