DE602005003095T2

DE602005003095T2 - Verstärkerschaltung mit verbesserter Linearität und breitem Frequenzband mittels eines MGTR

Info

Publication number: DE602005003095T2
Application number: DE602005003095T
Authority: DE
Inventors: Tae Wook Kim; Bonkee Kim; Kwyro LG Elite Lee (LG Electronic Inst.
Original assignee: Integrant Technologies Inc
Current assignee: Integrant Technologies Inc
Priority date: 2004-12-20
Filing date: 2005-11-16
Publication date: 2008-08-21
Anticipated expiration: 2025-11-17
Also published as: JP2006180492A; CN100481714C; EP1672782A1; DE602005003095D1; CN1794568A; US7319364B2; KR100680302B1; KR20060069915A; ATE377288T1; EP1672782B1; US20060091962A1

Description

Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Verstärkerschaltung unter Verwendung eines Multiple-Gated-Transistors (MGTR) und insbesondere auf eine Verstärkerschaltung mit einer verbesserten Linearität und einem verbesserten Frequenzband unter Verwendung eines MGTR.
Hintergrund des verwandten Standes der Technik
1 ist ein Schaltbild einer herkömmlichen Verstärkerschaltung, die einen Multiple-Gated-Transistor (MGTR) verwendet. Eine derartige Verstärkerschaltung ist beispielsweise bekannt aus Aparin V. et al. "Modified derivate superposition method for linearizing FET low noise amplifiers" Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, 2004. Digest of papers. 2004 IEEE Fort Worth, TX, USA 6. bis 8. Juni 2004, Piscataway, NJ, USA, IEEE &. Juni 2004 (2004-06-06), Seiten 105-108, XP010714259 ISBN: 0-7803-8333-8.
Unter Bezugnahme auf 1 enthält die herkömmliche Verstärkerschaltung einen Transistor MN11, einen MGTR, der aus einem Haupttransistor MN12 und einem Hilfstransistor MN13 besteht, einen Widerstand R11 und eine Induktivität L11.
Das Gate, die Drain und die Source des Haupttransistors MN12 sind jeweils mit dem Gate, der Drain bzw. der Source des Hilfstransistors MN13 verbunden, um eine Verstärkungseinheit zu bilden.
Die Sources des Haupttransistors MN12 und des Hilfstransistors MN13 sind mit der Induktivität L11 verbunden, um eine Abschwächungseinheit zu bilden. Die Gates des Haupttransistors MN12 und des Hilfstransistors MN13 sind gemeinsam mit einem Eingangsanschluss verbunden.
Die Source des Transistors MN11 ist mit den Drains der Transistoren MN12 und MN13 der Verstärkungseinheit verbunden. Die Drain des Transistors MN11 ist mit dem Widerstand R11 und dem Ausgangsanschluss einer Ausgangseinheit verbunden.
Es wird nun der Betrieb der herkömmlichen Verstärkerschaltung unter Verwendung eines MGTR beschrieben.
Ein zu verstärkendes Eingangssignal wird an die Gates des Haupttransistors MN12 und des Hilfstransistors MN13 angelegt. Hierbei werden die Betriebseigenschaften des Hilfstransistors MN13 kontrolliert, um die Intermodulationsverzerrungen IMD3 der dritten Ordnung zu entfernen, wenn der Haupttransistor MN12 das Eingangssignal verstärkt.
Die Betriebseigenschaften des Transistors MN12 unterscheiden sich von denjenigen des Transistors MN13, so dass die Linearität des Verstärkers verbessert wird. Wenn jedoch eine Induktivität an die Sources der Transistoren MN12 und MN13 angeschlossen wird, wird die Linearitätsverbesserung insbesondere bei einer hohen Frequenz abgeschwächt.
Die Induktivität wird der Verstärkerschaltung unvermeidbar hinzugefügt zur Integration auf einem Chip einer integrierten Schaltung (IC) oder zur Verbindung mit der Schaltung für eine Eingangsimpedanzanpassung.
Insbesondere bei dem Entwurf eines Verstärkers mit niedrigem Rauschen wird zur Eingangsimpedanzanpassung eine Induktivität zu der Verstärkerschaltung hinzugefügt. Wenn in diesem Fall ein induktives Bauteil mit der Source eines Transistors zur seriellen negativen Rückkopplung verbunden wird, entspricht das induktive Bauteil dem Realteil der Eingangsimpedanz von dem Gate des Transistors und so erscheint das induktive Bauteil als Widerstand.
Hierbei ist der Widerstandswert des Widerstands gm·Ls/(Cgs), wobei gm die Transkonduktanz des Transistors, Ls die Induktivität des induktiven Bauteils und Cgs die Gate-Source-Kapazität des Transistors ist.
Dieses Verfahren wird angewendet, um gleichzeitig eine Rauschzahloptimierungsanpassung und eine Eingangsleistungsanpassung im Fall eines Verstärkers mit niedrigem Rauschen zu erreichen.
Gemäß diesem Verfahren erscheint ein Offset-Effekt von gm'' jedoch im Falle eines MGTR nicht bei einer hohen Frequenz. Wenn eine Induktivität an die Source eines Transistors angeschlossen ist, wird ein Imaginärteil der Impedanz gm'' erzeugt und wird ein Bauteil, das die Nicht-Linearität bestimmt. Dies bedeutet, dass ein Realteil von gm'' effektiv durch einen MGTR ausgelöscht wird, jedoch wird der Imaginärteil von gm'' neu erzeugt, da die Induktivität an die Source des Transistors angeschlossen ist. Auf diese Weise wird der Linearitätsverbesserungseffekt des MGTR beseitigt (es wird Bezug genommen auf IEEE RFIC Symposium 2004 Fort Worth, TX USA, 6. bis 8. Juni 2004).
2 ist ein Schaltbild einer herkömmlichen Verstärkerschaltung unter Verwendung eines MGTR, um die Nachteile der in 1 gezeigten Verstärkerschaltung zu vermeiden. Die Verstärkerschaltung aus 2 ist offenbart in "IEEE RFIC Symposium 2004 Fort Worth, TX, USB, 6. bis 8. Juni 2004" und wird von Qualcomm vorgeschlagen.
Unter Bezugnahme auf 2 enthält die Verstärkerschaltung Transistoren MN21 bis MN25, Kondensatoren C21, C22 und C23, Induktivitäten L21, L22, L23 und L24, Stromquellen IS21 und IS22 sowie Widerstände R21 und R22.
Die Drain des Haupttransistors MN21 ist mit der Drain des Hilfstransistors MN22 verbunden. Die Source des Haupttransistors MN21 ist mit der Induktivität L21 verbunden und die Source des Hilfstransistors MN21 ist mit der Induktivität L22 verbunden, um eine Verstärkungseinheit zu bilden. Hierbei haben die Induktivitäten L21 und L22 verschiedene Charakteristiken.
Ein Eingangsanschluss IN ist seriell mit dem Kondensator C21 und der Induktivität L23 verbunden, die seriell miteinander verbunden sind, und mit dem Gate des Haupttransistors MN21 verbunden, so dass ein Eingangssignal verstärkt wird. Der Kondensator C22 ist zwischen das Gate des Haupttransistors MN21 und das Gate des Hilfstransistors MN22 eingesetzt, um das Eingangssignal unter Verwendung des Hilfstransistors M22 zu verstärken.
Der Ausgang der Stromquelle IS21 wird zur Vorspannung an die Drain und das Gate des Transistors MN23 angelegt. Der Ausgang der Stromquelle IS22 wird zur Vorspannung an die Drain und das Gate des Transistors MN24 angelegt und die Stromquellen IS21 und IS22 empfangen eine Stromversorgungsspannung Vdd.
Der Widerstand R21 ist in Reihe zwischen das Gate des Transistors MN23 und das Gate des Haupttransistors MN21 geschaltet und der Widerstand R22 ist in Reihe zwischen das Gate des Transistors MN24 und das Gate des Hilfstransistors MN22 geschaltet, um die Transistoren MN21 und MN22 vorzuspannen. Die Drain des Transistors M25 ist mit dem Kondensator C23 verbunden, um einen Ausgangsanschluss zu bilden und die Source des Transistors MN25 ist mit den Drains der Transistoren MN21 und MN22 verbunden, um ein Signal auszugeben.
In der Verstärkerschaltung aus 2 sind die Induktivitäten L21 und L2, die verschiedene Charakteristiken haben, mit dem Haupttransistor MN21 bzw. mit dem Hilfstransistor MN22 verbunden, um die Linearität zu verbessern. In diesem Fall erfordert die Verstärkerschaltung jedoch eine Induktivität mehr als die Verstärkerschaltung aus 1. Zusätzlich ist es schwierig, den Induktivitätswert der Induktivität L22 des Hilfstransistors MN22 zu bestimmen und die Verstärkungsschaltung wird nur bei einem Schmalband angewendet. Weiterhin gibt es kein Verfahren zur Verarbeitung induzierten Gate-Rauschens (es wird Bezug genommen auf IEEE RFIC Symposium 2004 Fort Worth, TX, USA, 6. bis 8. Juni 2004), das in dem Hilfstransistor erzeugt wird.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Demgemäß wurde die vorliegende Erfindung gemacht, um die vorstehend erwähnten Probleme zu lösen und es ist ein Ziel der Erfindung, eine Verstärkerschaltung bereitzustellen zur Verbesserung eines Frequenzbandes, während die Linearität verbessert wird.
Ein anderes Ziel der Erfindung ist es, eine Verstärkerschaltung bereitzustellen, die in der Lage ist, den Einfluss einer Degenerationsinduktivität eines MGTR zu verringern und den Einfluss von induziertem Gate-Rauschen, das in einem Hilfstransistor erzeugt wird, zu mindern, um eine Rauschzahl zu verbessern.
Zur Erreichung der vorstehenden Ziele wird entsprechend einem Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Verstärkerschaltung mit einer verbesserten Linearität und einem verbesserten Frequenzband unter Verwendung eines MGTR bereitgestellt, die aufweist: eine Verstärkungseinheit enthaltend einen Haupttransistor und einen Hilfstransistor; eine Abschwächungseinheit, enthaltend eine Induktivität, die mit der Source des Haupttransistors und der Source des Hilfstransistors verbunden ist; eine Kapazität, die an einem Ende davon mit den Sources des Haupttransistors und des Hilfstransistors verbunden ist und die mit ihrem anderen Ende mit den Gates des Haupttransistors und des Hilfstransistors verbunden ist; und eine Ausgangseinheit, die mit den Drains des Haupttransistors und des Hilfstransistors verbunden ist.
Vorzugsweise haben der Haupttransistors und der Hilfstransistor unterschiedliche Charakteristiken. Die Ausgangseinheit kann einen Transistor enthalten.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist auch ein Rückkopplungsverstärker vorgesehen, der zwischen ein Gate und eine Source des Transistors der Ausgangseinheit geschaltet ist.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die obigen und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden ersichtlich aus der folgenden detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen, wobei
1 ein Schaltbild einer herkömmlichen Verstärkerschaltung ist, die einen MGTR verwendet,
2 ein Schaltbild einer herkömmlichen Verstärkerschaltung ist, die in "IEEE RFIC Symposium 2004 Fort Worth, TX, USA, 6. bis 8. Juni 2004" offenbart ist und die von Qualcomm vorgeschlagen wird,
3 ein Schaltbild einer Common-Source-Verstärkerschaltung ist mit einer verbesserten Linearität und einem verbesserten Frequenzband unter Verwendung eines MGTR gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
4 ein Schaltbild ist einer Kaskode-Verstärkerschaltung mit verbesserter Linearität und verbessertem Frequenzband unter Verwendung eines MGTR entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
5 ein Schaltbild einer Verstärkerschaltung ist mit verbesserter Linearität und einem verbesserten Frequenzband unter Verwendung eines MGTR entsprechend einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
6 eine Verstärkungskurve ist, die ein Simulationsergebnis einer Verstärkerschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt,
7 ein IIP3-Graf ist, der ein Simulationsergebnis einer Verstärkerschaltung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt,
8 eine Rauschzahlkurve ist, die ein Simulationsergebnis gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, und
9 ein Smith-Chart ist, das ein Simulationsergebnis gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DES BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELS
Es wird nun im Detail Bezug genommen auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung, von denen Beispiele in den beiliegenden Zeichnungen illustriert sind.
3 ist ein Schaltbild einer Common-Source-Verstärkerschaltung mit verbesserter Linearität und einem verbesserten Frequenzband unter Verwendung eines MGTR entsprechend einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und 4 ist ein Schaltbild einer Kaskode-Verstärkerschaltung mit verbesserter Linearität und verbessertem Frequenzband unter Verwendung eines MGTR entsprechend einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Da die Verstärkereinheiten der Verstärkerschaltung aus den 3 und 4 denselben Aufbau haben, wird nun nur die Kaskode-Verstärkerschaltung aus 4 erklärt.
Unter Bezugnahme auf 4 enthält die Verstärkerschaltung einen MGTR, der aus einem Haupttransistor MN41 und einem Hilfstransistor MN42 besteht, einen Transistor MN43, eine In duktivität L41, eine Kapazität C41 und einen Widerstand R41. Das Gate, das Drain und die Source des Haupttransistors MN41 sind mit dem Gate, dem Drain bzw. der Source des Hilfstransistors MN42 verbunden. Die Sources des Haupttransistors MN41 und des Hilfstransistors MN42 sind miteinander verbunden, so dass der Haupttransistor MN41 und der Hilfstransistors MN42 miteinander verbunden sind, um eine Verstärkungseinheit zu bilden.
Die Source des Haupttransistors MN41, die Source des Hilfstransistors MN42 und ein Ende der Induktivität L41 sind gemeinsam angeschlossen, um eine Abschwächungseinheit zu bilden. Die Kapazität C41 ist an einem Ende davon mit den Gates des Haupttransistors MN41 und des Hilfstransistors MN42 verbunden und sie ist mit dem anderen Ende davon mit den Sources des Haupttransistors Mn41 und des Hilfstransistors MN42 verbunden.
Die Drain des Transistors MN43 ist mit einem Ende des Widerstands R41 und einem Ausgangsanschluss OUT verbunden, um eine Ausgangseinheit zu bilden, und die Source des Transistors MN43 ist mit den Drains des Haupttransistors MN41 und des Hilfstransistors MN42 verbunden. Hier wird die Charakteristik des Hilfstransistors MN42 bestimmt zur Reduzierung von IMD3, das erzeugt wird, wenn der Haupttransistors MN41 ein Signal verstärkt. Wenn jedoch eine Induktivität unvermeidbar mit der Source eines Transistors verbunden ist aufgrund einer Integration oder wenn eine Induktivität zur Eingangsanpassung zu der Verstärkerschaltung zugefügt wird, wird zwischen dem Gate und der Source des Transistors über die Induktivität eine Rückkopplung von zweiten harmonischen Komponenten 2f1, 2f2 und f1 + f2 erzeugt. Durch diese Rückkopplung werden Imaginärteile von gm'' erzeugt und so wird bei einer hohen Frequenz keine Linearitätsverbesserung entsprechend einem MGTR erreicht.
Dementsprechend verbindet die vorliegende Erfindung ein Ende der Kapazität C41 mit dem Eingangsanschluss IN und den Gates der Transistoren MN41 und MN42 und verbindet das andere Ende der Kapazität C41 mit den Sources der Transistoren MN41 und MN42, um die Größe der Verstärkung der zweiten harmonischen Komponenten zu verringern und dadurch den Einfluss der Rückkopplung zu verringern. Auf diese Weise kann selbst bei einer hohen Frequenz eine Lineraritätsverbesserung entsprechend einem MGTR erhalten werden.
Insbesondere kann die Verstärkerschaltung aus 1 für ein Schmalband verwendet werden, wenn sie an das Schmalband angepasst wird, weil dort keine Frequenzresonanz ist, wenn die Verstärkerschaltung ein Signal verstärkt.
5 ist ein Schaltbild einer Verstärkerschaltung mit verbesserter Linearität und verbessertem Frequenzband unter Verwendung eines MGTR entsprechend einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Unter Bezugnahme auf 5 enthält die Verstärkerschaltung Transistoren MN51, MN52, MN53, eine Induktivität L51, eine Kapazität C51, einen Widerstand R51 und einen Rückkopplungsverstärker 501. Da der grundlegende Aufbau der Verstärkerschaltung aus 4 ähnlich demjenigen der Verstärkerschaltung aus 3 ist und nur der Rückkopplungsverstärkerteil sich von der Verstärkerschaltung aus 3 unterscheidet, wird nun nur der Rückkopplungsverstärker 501 beschrieben.
Der Ausgangsanschluss des Rückkopplungsverstärkers 501 ist mit dem Gate des Transistors MN53 verbunden und der Eingangsanschluss des Rückkopplungsverstärkers 501 ist mit einem Kno tenpunkt verbunden, der mit der Source des Transistors MN53 und den Drains des MGTR MN51 und MN52 verbunden ist. Dies bedeutet, dass der Rückkopplungsverstärker 501 zwischen dem Gate und der Source des Transistors MN53 hinzugefügt ist, um die Impedanz des Common-Gate-Eingangs (Eingang des Transistors MN53) durch eine Rückkopplungsschleifenverstärkung in der Kaskodeschaltung zu erhöhen. In diesem Fall wird die Common-Gate-Eingangsimpedanz verringert und auf diese Weise kann die allgemein als Miller-Effekt bezeichnete Rückkopplung zwischen dem Gate und der Drain verringert werden. Dies bedeutet, dass ein an den Drains des MGTR MN51 und MN52 erzeugter harmonischer Rückkopplungseffekt verringert wird, um die Linearität um ungefähr 2 bis 3 dB zu verbessern.
6 ist eine Verstärkungskurve, die ein Simulationsergebnis einer Verstärkerschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Unter Bezugnahme auf 6 erhält man die maximale Verstärkung bei einer Eingangsfrequenz von 906,1 MHz. Hierbei ist dB (S(2,1)) eines Verstärkungspunktes m 14,222 dB, das ist die maximale Verstärkung.
7 ist ein IIP3-Graf, der ein Simulationsergebnis einer Verstärkerschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Unter Bezugnahme auf 7 ist IIP3 8,240 dBm, wenn indep (m1) 0,166 ist, IIP3 ist 7,449 dBm, wenn indep (m2) 0,193 ist, IIP3 ist 7,470 dBm, wenn indep (m3) 0,221 ist und IIP3 ist –2,286 dBm, wenn indep (m4) 0,000 ist. Hierbei ist indep (m4) im Falle einer herkömmlichen Kaskodenschaltung ohne die Verwendung eines MGTR 0,00. Dies bedeutet, dass das maximale IIP3 8,2409 dBm ist und so wird IIP3 um ungefähr 10 dB gemäß dem MGTR verbessert.
8 ist ein Rauschzahl-(NF)-Graf, der ein Simulationsergebnis gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er findung zeigt. Wie in 8 gezeigt ist, ist die Rauschzahl 0,983 dB, wenn die Frequenz 906,1 MHz beträgt.
9 ist ein Smith-Diagramm, das ein Simulationsergebnis gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Unter Bezugnahme auf 9 ist S(1,1) 0,054/68,915 und die Impedanz ist Zo·(1,034 + j0,104), wenn die Eingangsfrequenz 906,1 MHz ist. Wenn die Eingangsfrequenz 886,9 MHz beträgt, ist S(2,2) 0,216/81,239 und die Impedanz ist Zo·(0,972 + j0,435). Tabelle 1 gibt die Simulationsergebnisse der Fig. 6, 7, 8 und 9 wieder.

Freq. (GHZ) S21(dB) NF(dB) IIP3 (dBm) Pdc(mA@V) FOM

Vorliegende Erfindung 0,9 14,2 0,98 +8,0 1,6@1,8 230,0

Qualcomm 0,9 15,5 1,60 +17,2 9,0@2,6 179,0
In Tabelle 1 ist FOM (Figure of Merit) ein Index zum charakteristischen Vergleich und er wird gemäß [0IF3/[Noise Factor-1]·Pdc] berechnet, was die Berechnungsmethode des Referenzpapiers (IEE RFIC Symposium 2004 Fort Worth, TX USA 6. bis 8. Juni 2004) ist.
Die vorliegende Erfindung verringert signifikant den Einfluss einer Degenerationsinduktanz der Verstärkerschaltung unter Verwendung eines MGTR und verringert den Einfluss von induziertem Gate-Rauschen, das in dem Hilfstransistor erzeugt wird. Zusätzlich verbessert die vorliegende Erfindung eine Rauschzahl und die Kennlinie nach einer Anpassung. Weiterhin können die Verstärkerschaltungen entsprechend der vorliegenden Erfindung auf ein Breitband angewendet werden. Ferner kann die vorliegende Erfindung in einfacher Weise die Kapazität des Kondensators C31 der Verstärkerschaltung bestimmen und unter Verwendung einer geringen Anzahl von Elementen eine Verstärkerschaltung bilden, um den Stromverbrauch zu verringern. Dementsprechend können die Verstärkerschaltungen der vorliegenden Erfindung bei einer Schaltung angewendet werden, die einen geringeren Stromverbrauch fordern.
Die vorliegende Erfindung führt eine Kapazität in eine Verstärkerschaltung ein, um den Einfluss einer Degenerationsinduktivität zu verringern und um induziertes Gate-Rauschen zu verringern, das in einem Hilfstransistor der Verstärkerschaltung erzeugt wird, und sie verbessert die Linearität der Verstärkerschaltung, um eine Rauschzahl zu verbessern und sie erlaubt die Anwendung der Verstärkerschaltung auf ein Breitband. Weiterhin minimiert die vorliegende Erfindung die Anzahl von Elementen, die der Verstärkerschaltung zur Verbesserung der Linearität hinzugefügt werden, indem eine Kapazität in die Verstärkerschaltung eingeführt wird. Dementsprechend wird der Stromverbrauch der Verstärkerschaltung verringert, so dass verschiedene Schaltungen in einfacher Weise konstruiert werden können, welche die Verstärkerschaltung verwenden.
Obwohl die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die besonderen erläuternden Ausführungsbeispiele beschrieben worden ist, wird sie durch die Ausführungsbeispiele nicht beschränkt, sondern nur durch die beiliegenden Ansprüche. Es ist verständlich, dass der Fachmann die Ausführungsbeispiele ändern oder modifizieren kann, ohne vom Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen.

Claims

Verstärkerschaltung mit verbesserter Linearität und Frequenzbandbreite unter Verwendung eines Multiple Gated Transistor (MGTR), umfassend: eine Verstärkungseinheit enthaltend einen Haupttransistor (MN31, MN41, MN51) und einen Hilfstransistor (MN32, MN42, MN52); eine Abschwächungseinheit enthaltend eine separate Induktivität (L31, L41, L51), die mit der Source des Haupttransistors (MN31, MN41, MN51) und der Source des Hilfstransistors (MN32, MN42, MN52) verbunden ist; und eine Ausgangseinheit (OUT), die mit den Drains des Haupttransistors (MN31, MN41, MN51) und des Hilfstransistors (MN32, MN42, MN52) verbunden ist, gekennzeichnet durch eine separate Kapazität (C31, C41, C51) die an einem Ende davon mit den Sources des Haupttransistors (MN31, MN41, MN51) und des Hilfstransistors (MN32, MN42, MN52) verbunden ist und an dem anderen Ende davon mit den Gates des Haupttransistors (MN31, MN41, MN51) und des Hilfstransistors (MN32, MN42, MN52) verbunden ist.
Verstärkerschaltung gemäß Anspruch 1, wobei die Ausgangseinheit (OUT) einen Transistor (MN43, MN53) enthält.
Verstärkerschaltung gemäß Anspruch 2, weiterhin umfassend einen Rückkopplungsverstärker (501), der zwischen einem Gate und einer Source des Transistors (MN53) der Ausgangseinheit (OUT) geschaltet ist.
Verstärkerschaltung gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 4, wobei der Haupttransistor (MN31, MN41, MN51) und der Hilfstransistor (MN32, MN42, MN52) unterschiedliche Charakteristiken haben.