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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf eine mehrstufige Verstärkerschaltung
und insbesondere auf eine mehrstufige Verstärkerschaltung mit einer Stromregelschaltung.
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Zweistufige Verstärkerschaltungen sind kleine
Signalverstärkerschaltungen,
die eine Spannung und einen Strom mit einer kleinen Amplitude verarbeiten.
Unter den zweistufigen Verstärkerschaltungen
wird in einer als "Stromwiederverwendungsschaltung" bezeichneten Schaltung
ein Strom von zwei Transistoren in der Verstärkerschaltung gemeinsam genutzt.
Dadurch erreicht die Stromwiederverwendungsschaltung eine hohe Verstärkung, während sie
mit einem geringen Stromverbrauch arbeitet.
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6 ist
ein Schaltbild einer rauscharmen CMOS Verstärkerschaltung für Funkkommunikation, die
als herkömmliche
Stromwiederverwendungsschaltung arbeitet.
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Wie in 6 dargestellt,
beinhaltet eine rauscharme CMOS-Verstärkerschaltung
n-Kanal-MOS-Transistoren QN1 und QN2, In duktivitäten L1 bis L4, die als Spiralinduktivitäten oder
dergleichen ausgebildet sind, Kondensatoren C1 bis C3 und Cd1
bis Cd4, Widerstandselemente Rd und Rg, einen Eingangsanschluss 1 und
einen Ausgangsanschluss 2.
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Die Induktivität L1 ist zwischen den Eingangsanschluss 1 und
das Gate des Transistors QN1 geschaltet. Ein Anschluss des Kondensators
C1 ist zwischen dem Eingangsanschluss 1 und der Induktivität 1 angeschlossen,
und der andere Anschluss ist mit einem Masseknoten 20 verbunden.
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Ein Anschluss des Widerstandselements
Rg ist mit dem Gate des Transistors QNl verbunden und der andere
Anschluss mit einem Knoten N1, an dem eine vorbestimmte Spannung
Vg1 anliegt. Der Kondensator Cd1 ist zwischen den Knoten N1 und
den Masseknoten 20 geschaltet.
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Die Source des Transistors QN1 ist
mit dem Masseknoten 20 verbunden. Die Drain des Transistors
QN1 ist über
die Induktivität
L2 mit der Source des Transistors QN2 verbunden und über den
Kondensator C2 mit dem Gate des Transistors QN2.
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Die Induktivität L3 ist zwischen einen Knoten N2,
an dem eine vorbestimmte Spannung Vg2 anliegt, und dem Gate des
Transistors QN2 geschaltet. Der Kondensator Cd3 ist zwischen den
Knoten N2 und den Masseknoten 20 geschaltet. Die Source
des Transistors QN2 ist über
den Kondensator Cd2 mit dem Masseknoten 20 verbunden.
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Ein Anschluss des Widerstandselements
Rd ist mit dem Drain des Transistors QN2 verbunden, und der andere
Anschluss ist über
den Kondensator C3 mit dem Ausgangsanschluss 2 verbunden.
Das Widerstandselement Rd dient hier als Drainwiderstandslast zum
Stabilisieren der Schaltung 10. Daher kann das Widerstandsele ment
Rd abhängig
von Schaltungskonstanten und der Betriebsfrequenz weggelassen werden.
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Ein Anschluss der Induktivität L4 ist
mit dem Knoten N4 verbunden, an dem eine vorbestimmte Spannung Vd
anliegt, und das andere Ende ist zwischen dem Widerstandselement
Rd und dem Kondensator C3 angeschlossen. Der Kondensator Cd4 ist
zwischen den Knoten N4 und den Masseknoten 20 geschaltet.
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Die vorbestimmte Spannung Vg1 ist
die Gatevorspannung des Transistors QN1, die vorbestimmte Spannung
Vg2 ist die Transistorvorspannung des Transistors QN2 und die vorbestimmte Spannung
Vdd ist die Drainspannung des Transistors QN2.
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In 6 bilden
die Induktivität
L1 und der Kondensator C1 eine Eingangsanpassschaltung. Die Induktivität L3 und
der Kondensator C2 bilden eine Zwischenstufenanpassungsschaltung.
Die Induktivität
L4 und der Kondensator C3 bilden eine Ausgangsanpassschaltung.
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In 6 wirken
die Kondensatoren Cd1 bis Cd4 als Endkoppelkondensatoren. Anders
ausgedrückt
verwenden die Kondensatoren Cd1 bis Cd4 ihre Lade- und Entladefunktion,
um Rauschen (Spannungsschwankungen) auf den Versorgungsleitungen zu
absorbieren. Die Kondensatoren Cd1 bis Cd4 haben bei der Betriebsfrequenz
eine hinreichend niedrige Impedanz.
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In der in 6 dargestellten rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung 10 ist
die Induktivität
L2 so eingestellt, dass sie bei der Betriebsfrequenz eine hinreichend
hohe Impedanz aufweist. Das Signal mit der Funkfrequenz (im folgenden
als "Hochfrequenzsignal" oder "HF-Signal" bezeichnet), das über den Eingangsanschluss 1 eingegeben
wird, wird von dem Transistor QN1 verstärkt und zu dem Gate des Transistors
QN2 übertragen.
Dabei nutzen die Transistoren QNl und QN2 den Drainstrom Id gemein sam.
Somit kann die rauscharme CMOS-Verstärkerschaltung 10 mit
einem geringen Stromverbrauch arbeiten, obwohl sie eine
zweistufige Verstärkerschaltung
mit geerdeter Source ist.
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Wenn die rauscharme CMOS-Verstärkerschaltung 10 dagegen
als Leistungsverstärkerschaltung
verwendet wird und nicht als Kleinsignalverstärkerschaltung, entsteht ein
Problem in ihrer Ausgangsleistungskennlinie.
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7 ist
eine schematische Darstellung der Eingangs/Ausgangs-Kennlinie der in 6 dargestellten rauscharmen
CMOS-Verstärkerschaltung 10. In 7 bezeichnet "Eingang" an der Abszisse
die Leistung des in 6 dargestellten
Signals IN (Einheit: dBm) und "Ausgang" an der Ordinate
bezeichnet die Leistung des in 6 dargestellten
Signals "OUT" (Einheit: dBm).
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Wenn der Eingangspegel der rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung 10 zunimmt,
steigt wie in 7 dargestellt
der Ausgangspegel proportional dazu an. Es ist zu beachten, dass
der Drainstrom Id von den Transistoren QN1 und QN2 in der rauscharmen
CMOS-Verstärkerschaltung 10 gemeinsam
genutzt wird. Wenn daher die Eingangsleistung größer ist als Pi0 und die Ausgangsleistung
des Transistors QN1 ansteigt, gerät der Verstärkerbetrieb des Transistors
QN2 in die Sättigung.
Demzufolge kann die Ausgangsleistung der rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung 10 nicht
proportional zu der Eingangsleistung ansteigen.
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Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung
besteht daher darin, eine mehrstufige Verstärkerschaltung bereitzustellen,
die mit geringem Strom arbeiten und die Ausgangsleistung verbessern
kann.
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Die Aufgabe wird gelöst durch
eine mehrstufige Verstärkerschaltung
gemäß Anspruch
1 bzw. 4. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
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Die mehrstufige Verstärkerschaltung
beinhaltet einen ersten Transistor, einen zweiten Transistor und
ein Widerstandselement. Der erste Transistor hat einen ersten und
einen zweiten Anschluss. Der erste Anschluss empfängt ein
Eingangssignal. Der zweite Anschluss gibt das Eingangssignal nach
der Verstärkung
aus.
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Der zweite Transistor beinhaltet
einen dritten, einen vierten und einen fünften Anschluss. Der dritte
Anschluss ist elektrisch mit dem zweiten Anschluss des ersten Transistors
verbunden. Der vierte Anschluss gibt das Signal, das an dem dritten
Anschluss empfangen wurde, verstärkt
aus. Der fünfte Anschluss
ist elektrisch mit dem zweiten Anschluss des ersten Transistors
verbunden.
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Das Widerstandselement hat zwei Anschlüsse, von
denen einer elektrisch mit dem fünften
Anschluss des zweiten Transistors verbunden ist, zum Hindurchführen eines
Stromes.
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Somit kann die mehrstufige Verstärkerschaltung
nach der vorliegenden Erfindung eine Sättigung des Verstärkerbetriebs
des zweiten Transistors auch dann unterdrücken, wenn die Ausgangsspannung des
ersten Transistors erhöht
wird.
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Eine weitere mehrstufige Verstärkerschaltung
beinhaltet einen ersten, einen zweiten und einen dritten Transistor.
Der erste Transistor hat einen ersten und einen zweiten Anschluss.
Der erste Anschluss empfängt
ein Eingangssignal. Der zweite Anschluss gibt das Eingangssignal
nach der Verstärkung
aus.
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Der zweite Transistor beinhaltet
einen dritten, einen vierten und einen fünften Anschluss. Der dritte
Anschluss ist elektrisch mit dem zweiten Anschluss des ersten Transistors
verbunden. Der vierte Anschluss gibt das Signal, das an dem dritten
Anschluss empfangen wurde, verstärkt
aus. Der fünfte Anschluss ist
elektrisch mit dem zweiten Anschluss des ersten Transistors verbunden.
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Der dritte Transistor hat zwei Anschlüsse, von
denen einer elektrisch mit dem fünften
Anschluss des zweiten Transistors verbunden ist, zum Hindurchführen eines
Stromes.
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Somit kann die mehrstufige Verstärkerschaltung
nach der vorliegenden Erfindung eine Sättigung des Verstärkerbetriebs
des zweiten Transistors auch dann unterdrücken, wenn die Ausgangsspannung des
ersten Transistors erhöht
wird.
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Weitere Merkmale und
Zweckmäßigkeiten der
Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen
anhand der beigefügten Zeichnungen.
Von den Figuren zeigen:
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1 ein
Schaltbild eines Aufbaus einer mehrstufigen Verstärkerschaltung
nach einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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2 eine
schematische Darstellung einer Eingangs/Ausgangskennlinie nach der
ersten Ausführungsform;
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3 ein
Schaltbild eines Aufbaus einer mehrstufigen Verstärkerschaltung
nach einer zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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4 ein
Schaltbild eines anderen Aufbaus einer mehrstufigen Verstärkerschaltung
nach der zweiten Ausführungsformaler vorliegenden Erfindung;
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5 ein
Schaltbild, das sich auf einen Betrieb bezieht, in dem der in 1 dargestellte mehrstufige
Verstärker
als Multiplizierer verwendet wird;
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6 ein
Schaltbild eines Aufbaus einer rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung für Funkkommunikation,
die als herkömmliche
Stromwiederverwendungsschaltung arbeitet;
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7 eine
schematische Darstellung einer Eingangs/Ausgangskennlinie der in 6 dargestellten rauscharmen
CMOS-Verstärkerschaltung.
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Im folgenden werden mit bezug auf
die Figuren Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben. Ähnliche
oder entsprechende Elemente erhalten in den Figuren gleiche Bezugszeichen,
und ihre Beschreibung wird nicht wiederholt.
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1 ist
ein Schaltbild eines Aufbaus einer mehrstufigen Verstärkerschaltung
nach einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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Wie in 1 dargestellt,
ist im Vergleich zu der in 6 dargestellten
rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung 10 für die mehrstufige
Verstärkerschaltung 50 zusätzlich eine
Stromregelschaltung 60 bereitgestellt.
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Die Stromregelschaltung 60 ist
zwischen die Source des Transistors QN2 und den Masseknoten 20 geschaltet.
Die Stromregelschaltung 60 beinhaltet ein Widerstandselement
Rs0. Ein Anschluss des Widerstandselements Rs0 ist mit der Source
des Transistors QN2 verbunden und der andere Anschluss mit dem Masseknoten 20.
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Der restliche Schaltungsaufbau ist ähnlich wie
bei der in 6 dargestellten
rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung 10,
und somit wird die Beschreibung nicht wiederholt.
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Im folgenden wird der Betrieb der
mehrstufigen Verstärkerschaltung 50 mit
dem obigen Aufbau beschrieben.
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Die Ströme Is0, Id1 und Id2 in der
Stromregelschaltung 60 sind Gleichströme. Anders ausgedrückt sind
die Ströme
Is0, Id1 und Id2 zeitlich Bemittelte Ströme, d.h. Durchschnittsströme, die
dadurch ermittelt werden, dass der Strom in einer Zeitspanne von
einem bestimmten Zeitpunkt t1 bis zu einem anderen Zeitpunkt t2
integriert wird und der integrierte Wert dann durch den Zeitabstand
(t2-t1) geteilt wird. Dasselbe gilt im folgenden.
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Die Ströme Is0, Id1 und Id2 erfüllen dabei
die folgende Beziehung: Id2 = Id1 + Is0.
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Insbesondere steuert das Widerstandselement
Rs0 die Stromverteilung in den Transistoren QN1 und QN2. Somit können die
Ströme,
die jeweils durch die Transistoren QN1 und QN2 fließen, voneinander
verschieden gemacht werden. Dadurch kann eine Sättigung des Verstärkungsbetriebs
des Transistors QN2 auch dann verhindert werden, wenn die Ausgangsspannung
des Transistors QN1 erhöht wird.
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2 ist
eine schematische Darstellung einer Eingangs/Ausgangskennlinie nach
der ersten Ausführungsform.
In 2 bezeichnet "Eingang" an der Abszisse
die Leistung des in 1 dargestellten Signals
IN (Einheit: dBm), während "Ausgang" an der Ordinate
die Leistung des in 1 dargestellten
Signals OUT bezeichnet (Einheit: dBm).
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In 2 ist
die Eingangs/Ausgangskennlinie der herkömmlichen rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung 10 durch
die Kurve SO dargestellt, während
die Eingangs/Ausgangskennlinie der mehrstufigen Verstärkerschaltung 50 nach
der ersten Ausführungsform
durch die Kurve S1 dargestellt ist.
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wenn die Eingangsleistung Pi1 beträgt, steigt die
Ausgangsleistung des Transistors QN1 in der herkömmlichen rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung 10 an,
und die durch die Transistoren QN1 und QN2 fließenden Ströme sind gleich. Daher gerät der Verstärkerbetrieb
des Transistors QN2 in die Sättigung.
Demzufolge kann die Ausgangsleistung der rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung 10 nicht proportional
zu ihrer Eingangsleistung erhöht
werden.
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Wenn die Eingangsleistung Pi1 ist,
wird der Drainstrom Id1, der in der mehrstufigen Verstärkerschaltung 50 durch
den Transistor QN1 fließt,
durch die Stromregelschaltung 60 kleiner gemacht als der Drainstrom
Id2, der durch den Transistor QN2 fließt. Daher ist es möglich, dass
der Verstärkerbetrieb
des Transistors QN2 auch dann nicht in die Sättigung gerät, wenn die Ausgangsleistung
des Transistors QN1 erhöht
wird. Demzufolge wird die Ausgangsleistung der mehrstufigen Verstärkerschaltung 50 größer als die
der rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung 10.
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Die mehrstufige Verstärkerschaltung
nach der ersten Ausführungsform
mit Transistoren, die einander benachbart sind, kann durch den obigen
Betrieb so eingestellt werden, dass der Verstärkerbetrieb des Transistors
der hinteren Stufe auch dann nicht in die Sättigung gerät, wenn die Ausgangsleistung
des Transistors der vorderen Stufe ansteigt. Dadurch kann ihre Ausgangsleistungskennlinie
verbessert werden. Außerdem
steigt die Chipgröße der mehrstufigen
Verstärkerschaltung
kaum an, da die Stromregelschaltung durch das Widerstandselement verwirklicht
werden kann.
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In der mehrstufigen Verstärkerschaltung 50 nach
der ersten Ausführungsform
werden n-Kanal-MOS-Transistoren verwendet. Es können alternativ jedoch auch
Bipolartransistoren verwendet wer den. Ebenso können auch GaAs-MESFET-Transistoren
(Metal Semiconductor Field-Effect-Transistor) alternativ verwendet
werden.
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3 ist
ein Schaltbild eines Aufbaus einer mehrstufigen Verstärkerschaltung
nach einer zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Verglichen mit 1 ist für die mehrstufige Verstärkerschaltung 51 anstelle
der Stromregelschaltung 60 eine Stromregelschaltung 61 bereitgestellt.
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Die Stromregelschaltung 61 beinhaltet
ein n-Kanal-MOS-Transistor
QN3 und ein Widerstandselement Rg2.
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Der Transistor QN3 ist zwischen die
Source des Transistors QN2 und den Masseknoten 20 geschaltet.
Das Widerstandselement Rg2 ist zwischen das Gate des Transistors
QN3 und einen Knoten N5 geschaltet. Dem Knoten N5 wird eine Gatesteuerspannung
Vcnt zugeführt.
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Da der restliche Schaltungsaufbau ähnlich ist
wie in 1 dargestellt,
wird seine Beschreibung nicht wiederholt.
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Im folgenden wird der Betrieb der
mehrstufigen Verstärkerschaltung 51 mit
dem obigen Aufbau beschrieben.
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Da die Stromregelschaltung 61 den
Transistor QN3 beinhaltet, wirkt sie als veränderlicher Widerstand. Genauer
gesagt: Der Drainstrom Is0, der durch den Transistor QN3 fließt, kann über die
an den Knoten N5 angelegte Gatesteuerspannung Vcnt gesteuert werden.
Daher kann die Verteilung des Drainstroms Id1, der durch den Transistor
QN1 fließt,
und des Drainstroms Id2, der durch den Transistor QN2 fließt, in dem
folgenden Bereich eingestellt werden: 0 ≤ Id1 ≤ Id2.
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Somit kann ein Betrieb ähnlich wie
bei der mehrstufigen Verstärkerschaltung 50 nach
der ersten Ausführungsform
verwirklicht werden.
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Weiterhin kann die Gatesteuerspannung Vcnt
so eingestellt werden, dass das Potential des Transistors QN2 annähernd 0V
wird. Dabei fließt
kein Drainstrom Id1 durch den Transistor QN1. Somit kann die mehrstufige
Verstärkerschaltung 51 auch den
Verstärkungsbetrieb
des Transistors QN1 beenden.
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Die mehrstufige Verstärkerschaltung 51 nach
der zweiten Ausführungsform
kann einfach dadurch verwirklicht werden, dass zu der herkömmlichen
rauscharmen CMOS-Verstärkerschaltung 10 der
Transistor und das Widerstandselement hinzugefügt werden. Dementsprechend
steigt die Chipgröße kaum
an.
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In der mehrstufigen Verstärkerschaltung 51 nach
der zweiten Ausführungsform
werden n-Kanal-MOS-Transistoren verwendet. Es können alternativ jedoch auch
Bipolartransistoren verwendet werden. Ebenso können auch GaAs-MESFET-Transistoren
alternativ verwendet werden.
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wie in 4 dargestellt,
kann eine mehrstufige Verstärkerschaltung 52,
für die
anstelle der Stromregelschaltung 61 eine Stromregelschaltung 62 bereitgestellt
ist, die ein veränderliches
Widerstandselement Rv enthält,
durch Einstellen des veränderlichen
Widerstandselements Rv einen ähnlichen
Betrieb verwirklichen wie die mehrstufige Verstärkerschaltung 51.
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Die in 1 dargestellte
mehrstufige Verstärkerschaltung 50 kann
auch als Multiplizierer verwendet werden.
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5 ist
ein Schaltbild, das sich auf einen Betrieb bezieht, in dem der mehrstufige
Verstärker als
Multiplizierer verwendet wird. Wie in 5 dargestellt,
ist der Schaltungsaufbau ähn- 1ich wie der in 1 dargestellte, und daher
wird seine Beschreibung nicht wiederholt.
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Eine Frequenzübertragungsschaltung 70 beinhaltet
die Induktivität
L3 und den Kondensator C2. Eine Frequenzkurzschließschaltung 80 beinhaltet
die Induktivität
L2 und den Kondensator Cd2. Die Frequenzübertragungsschaltung 70 überträgt ein Signal mit
einer bestimmten Frequenz aus all den Signalen, die von dem Transistor
QN1 an das Gate des Transistors QN2 ausgegeben werden. Anders ausgedrückt wirkt
die Frequenzübertragungsschaltung 70 als
Bandpassfilter. Die Frequenzkurzschließschaltung 80 wird
verwendet, um ein Signal eines vorbestimmten Frequenzbandes zu dem
Masseknoten 20 kurzzuschließen.
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Für
die mehrstufige Verstärkerschaltung 50 mit
dem obigen Aufbau wird ein Betrieb beschrieben, bei dem ein HF-Signal
mit einer Frequenz f0 eingegeben und verstärkt mit einer Frequenz 2f0 ausgegeben
wird.
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Das HF-Signal wird über den
Eingangsanschluss 1 eingegeben. Dabei sind die Induktivität L1 und
der Kondensator C1, die als Eingangsanpassschaltung dienen, auf
die Frequenz f0 angepasst. Somit wird das HF-Signal bei der Frequenz
f0 dem Gate des Transistors QNl zugeführt.
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Dabei ist die Gatevorspannung Vgl
eine Schwellenspannung (Abschnürspannung).
Dadurch wird die Eingangsleistung des Transistors QN1 durch den
nichtlinearen Effekt verzerrt. Demzufolge gibt der Transistor QN1
ein HF-Signal mit einer Frequenz f0 aus und zusätzlich eine Mehrzahl von Oberwellen, die
Signale z.B. mit einer Frequenz f2 sind.
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Die Induktivität L2 und der Kondensator Cd2 sind
so eingestellt, dass die Frequenzkurzschließschaltung 80 zwischen
der Drain des Transistors QN1 und dem Masseknoten 20 für das HF- Signal bei einer
Frequenz f0 eine kleinere Impedanz aufweist als für das HF-Signal
bei einer Frequenz 2f0. Wenn, die Frequenzübertragungsschaltung 70 das
von dem Transistor QN1 ausgegeben HF-Signal zu dem Gate des Transistors
QN2 überträgt, sind
weiterhin die Induktivität
L3 und der Kondensator C2 so eingestellt, dass die Leistung des
HF-Signals bei der Frequenz f0 bei der Übertragung stärker verringert
wird als bei der Frequenz 2f0.
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Demzufolge wird aus einer Mehrzahl
von Signalen, die von dem Transistor QN1 ausgegeben werden, nur
das HF-Signal bei der Frequenz 2f0 dem Gate des`Transistors QN2 zugeführt. Daher verstärkt der
Transistor QN2 nur das HF-Signal bei der Frequenz 2f0.
Somit wirkt die mehrstufige Verstärkerschaltung 50 auch
als Multiplizierer.
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Wenn für die mehrstufige Verstärkerschaltung 50 keine
Stromregelschaltung 60 bereitgestellt ist, haben der Drainstrom
Id2, der durch den Transistor QN2 fließt, und der Drainstrom Id1,
der durch den Transistor QN1 fließt, denselben Wert. Wenn die mehrstufige
Verstärkerschaltung 50 ohne
Stromregelschaltung 60 als Multiplizierer betrieben wird,
wird dem Gate des Transistors QN1 die Schwellenspannung zugeführt, und
der Drainstrom Id1 wird somit kaum durchgelassen und wird sehr klein.
Dementsprechend wird der Drainstrom Id2, der durch den Transistor
QN2 fließt,
ebenfalls sehr schwach. Dementsprechend wird der Verstärkerbetrieb
des Transistors QN2 behindert.
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Mit der Stromregelschaltung 60 können die Drainströme Id1 und
Id2 jedoch voneinander verschiedene Werte haben. Somit kann der
Transistor QN2 auch dann einen Verstärkerbetrieb durchführen, wenn
die mehrstufige Verstärkerschaltung 50 als Multiplizierer
arbeitet. Durch Einstellen der Stromregelschaltung 60 kann
weiterhin ein Teil des Drainstroms Id2 des Transistors QN2 als Drainstrom
Id1 des Transistors QN1 wiederverwendet werden, und somit wird der
Strom Is0 verkleinert. Demzufolge arbeitet die mehrstufige Verstärkerschaltung 50 als Multiplizierer,
der mit einem geringen Stromverbrauch arbeitet.
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In der mehrstufigen Verstärkerschaltung 51 nach
der dritten Ausführungsform
werden n-Kanal-MOS-Transistoren verwendet. Es können alternativ jedoch auch
Bipolartransistoren verwendet werden. Ebenso können auch GaAs-MESFET-Transistoren
alternativ verwendet werden.