DE60117809T2 - Reinigungsmittelzusammensetzung zum chemisch-mechanischen planarisieren - Google Patents
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Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG Technisches Gebiet
- Die vorliegende Erfindung betrifft die Reinigung von Apparaturen, mit welchen eine chemisch-mechanische Planarisierung ("CMP") durchgeführt wird. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung chemische Zusammensetzungen zur Reinigung von CMP-Apparaturen, worin die Zusammensetzungen eine verbesserte Reinigungsleistung und/oder verringerte Gefährdungen für die Apparaturen, für menschliches Personal und für die Umwelt aufweisen.
- Beschreibung des verwandten Standes der Technik
- Die Planarisierung ist ein notwendiger Schritt bei der Fabrikation von mehrschichtigen integrierten Schaltungen ("ICs", "integrated circuits"), wobei eine flache glatte Oberfläche bereitgestellt wird, welche mit der für moderne IC-Bestandteile erforderlichen Genauigkeit mit einem Muster versehen und geätzt werden kann. Das konventionelle Planarisierungsverfahren ist die CMP (chemisch-mechanische Planarisierung oder Polierung), welche im Fachgebiet bekannt ist und Lehrbüchern beschrieben wird (beispielsweise "Chemical Mechanical Planarization of Microelectronic Materials" von Joseph M. Steigerwald, Shyam P. Murarka und Ronald J. Gutman, 1997). Die CMP macht normalerweise von einem Polierschwamm Gebrauch, welcher mit dem Wafer, welcher planarisiert werden soll, in Kontakt gebracht wird, wobei zwischen den Polierschwamm und den Wafer ein Poliermittel/eine reaktionsfähige Aufschlämmung eingefügt wird. Typische CMP-Aufschlämmungen enthalten Bestandteile, welche chemisch mit dem Substrat reagieren, welches planarisiert werden soll, ebenso wie Bestandteile, welche durch mechanischen Abrieb eine Planarisierung verursachen. Die relative Bewegung des Polier schwamms im Hinblick auf den Wafer führt durch mechanischen Abrieb und chemisches Ätzen zum Polieren des Wafers.
- Die abreibenden polierenden Aufschlämmungsmaterialien, welche bei der CMP verwendet werden, umfassen normalerweise ein Poliermittel wie etwa Siliciumdioxid, Aluminiumoxid oder Ceroxid und chemisch reaktionsfähige Bestandteile. In einer praktischen Produktionsumgebung können dieses Aufschlämmungsmaterialien normalerweise nicht vollständig auf den Polierschwamm begrenzt werden und spritzen oft auf verschiedene Teile der CMP-Apparatur und trocknen an dieser Stelle, was zu verstärkten Ablagerungen von CMP-Aufschlämmungsmaterialien an verschiedenen Stellen innerhalb und auf der CMP-Apparatur selbst führt. Die Ablagerungen neigen auch dazu, sich an den inneren Flächen von Zuleitungsröhren und anderen Mitteln, welche zum Leiten der CMP-Aufschlämmung an die notwendigen Stellen verwendet werden, anzulagern. Da sich solche Ablagerungen mit der Zeit bilden, ist es ein häufiges Problem, dass Teile von solchen Ablagerungen der Aufschlämmungen in der typischen Form von Poliermittelpartikeln wegbrechen, welche auf die Polierschwämme, Wafer und/oder Walzen zurückfallen können. Diese unerwünschten Poliermittelpartikel, welche sich von den Aufschlämmungsablagerungen auf der CMP-Apparatur entfernt haben, sind deshalb für den CMP-Ingenieur eine Sorgenquelle, da sie unter anderem ein nicht kontrollierbares Verkratzen der Wafer verursachen können. Außerdem verursachen einige Aufschlämmungspoliermaterialien wie etwa Eisennitrataufschlämmungen, welche normalerweise für die CMP von Wolframschichten verwendet werden, unansehnliche Flecken auf der CMP-Apparatur. Folglich müssen Aufschlämmungsmaterialien und andere Substanzen regelmäßig von der CMP-Apparatur entfernt werden, auf welcher sie sich abgelagert haben. Ob die Entfernung nach jedem Wechsel des Schwamms, einmal pro Woche, einmal pro Monat oder entsprechend einem beliebigen anderen Instandhaltungsplan stattfindet, negiert nicht die Tatsache, dass die Apparatur schließlich sorgfältig gereinigt werden muss, so dass die Aufschlämmung und andere unerwünschte fremde Materialien von dieser entfernt werden.
- Polieraufschlämmungen, welche Eisennitrat Fe(NO3)3 enthalten, neigen zur Bildung von Eisenhydroxid (Fe(OH)3)- und Eisenoxid (Fe2O3)-Resten, welche zur Präzipitation innerhalb der Leitungen der Aufschlämmungsverteilungssysteme neigen, welche die Aufschlämmung zu einer einzelnen CMP-Apparatur und zu speziellen Orten innerhalb der CMP-Ausrüstung leiten. Diese flockenartigen Präzipitate können wegbrechen, das Aufschlämmungsverteilungssystem durchqueren und mit den Wafern in Kontakt kommen. Eine unerwünschte Verkratzung der Wafer kann die Folge sein. Folglich besteht ein Bedarf für eine Reinigungszusammensetzung, welche bei der Entfernung von Ablagerungen von den inneren Regionen eines eine Aufschlämmung leitenden Verteilungssystems, welches mit einer CMP-Apparatur verbunden ist, wirksam ist.
- In der derzeitigen Praxis werden zur Reinigung einer CMP-Apparatur Tensidlösungen verwendet. Diese Lösungen sind normalerweise chemisch nicht so gestaltet, dass sie typische CMP-Rückstände wegbrechen oder auflösen. Somit müssen die Rückstände beispielsweise mit Teflonschabern abgeschabt werden. Dieses Abschabungsverfahren ist sowohl mühsam als auch zeitaufwändig und resultiert in der Erzeugung von losen Partikeln, welche auf die Apparatur und schließlich auf die Polierschwämme, Wafer und/oder Walzen zurückfallen können. Die typischen Ergebnisse sind nicht kontrollierbares Verkratzen der Wafer und verringerte Produktausbeuten. Beispiele für CMP-Reinigungssysteme einschließlich Wischarbeiten umfassen diejenigen, welche erhältlich sind von "The Texwipe Company LLC" in Upper Saddle River, NJ zur Verwendung bei der Reinigung von Wolfram-CMP-Aufschlämmungen (TX8606 SCS) und von Oxid-CMP-Aufschlämmungen (TX8065 SCS).
- Außerdem werden bei derzeitigen Verfahren zur Reinigung einer CMP-Apparatur Fluorwasserstoff (HF)-Lösungen und/oder Kaliumhydroxid (KOH)-Lösungen verwendet. Normalerweise wird konzentrierter HF (49%), verdünnter HF (1%–10%) oder eine verdünnte KOH-Lösung (z.B. eine 5% bis 10%-ige Lösung) verwendet. Die HF-Lösung oder KOH-Lösung wird normalerweise auf die verschiedenen Flächen der CMP-Apparatur aufgesprüht, welche eine Reinigung erfordern, und nachfolgend mit entionisiertem ("DI") Wasser gespült.
- Die Verwendung von Fluorwasserstoff (HF) zur Reinigung einer CMP-Apparatur besitzt gravierende Nachteile dadurch, dass diese Substanz für die menschliche Knochenstruktur außerordentlich schädlich ist, wenn sie durch die Haut absorbiert wird und aufgrund dessen bei Inhalation ebenso schädlich ist. HF erfordert auch spezielle Entsorgungsverfahren. Somit müssen strikte Schutzmaßnahmen bei der Arbeit mit und der Entsorgung von HF aufrechterhalten werden. Außerdem kann HF einige chemische Flecken wie etwa Eisennitrat nicht erfolgreich entfernen. Weiterhin kann HF auch die Platten bzw. Walzen der CMP-Apparatur schädigen.
- Auch mit der Verwendung von Kaliumhydroxid (KOH) bei der Reinigung einer CMP-Apparatur ist eine Vielzahl von Nachteilen verbunden. Zum einen kann KOH einige chemische Flecken wie etwa Eisennitrat nicht erfolgreich entfernen. Außerdem hinterlässt KOH oft eine restliche Zusammensetzung von Kalium, einem mobilen Ion, auf der Apparatur und dem Polierschwamm, welche die Halbleiterwafer kontaminieren kann, wodurch sich abträgliche Wirkungen auf die elektrische Leistung der Vorrichtung und eine Verringerung der Ausbeute ergeben. Weiterhin kann KOH auch die Platten bzw. Walzen und einen Teil des Materials schädigen, welches zur Bildung der Abschirmung der CMP-Apparatur verwendet wird (normalerweise Lexan). Obwohl es für Menschen weniger gefährlich ist als HF, ist KOH nichtsdestotrotz ätzend und erfordert Achtsamkeit in der Handhabung und Entsorgung.
- Somit besteht ein Bedarf für eine Reinigungszusammensetzung zur Entfernung von unerwünschten Ablagerungen von einer CMP-Apparatur, welche einen oder mehrere der Defizite des Standes der Technik verbessert oder überwindet. Die Reinigungszusammensetzung der vorliegenden Erfindung ist im Wesentlichen frei von HF, KOH. Weiterhin wird bei der vorliegenden Erfindung kein HCl verwendet, im Gegensatz zu der Arbeit von Thurman-Gonzalez et al. (WO 99/23688).
US 5,855,811 betrifft eine Reinigungszusammensetzung für die Verwendung bei der Halbleiterfabrikation.US 4,507,219 betrifft strapazierfähige flüssige Detergenzzusammensetzungen. - Die vorliegende Erfindung betrifft chemische Zusammensetzungen und Verfahren für die Verwendung zur Reinigung einer CMP-Apparatur, einschließlich des Innenbereichs von Zufuhrleitungen zum Transport einer CMP-Aufschlämmung an die notwendigen Stellen. Die chemischen Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung sind auch nützlich für das Reinigen des Wafers selbst nach der CMP.
- Entsprechend stellt die vorliegende Erfindung eine Zusammensetzung zum Entfernen eines Rückstands einer chemisch-mechanischen Planarisierung bereit, wobei die Zusammensetzung eine wässrige Lösung umfasst, welche mindestens einen nicht ionischen oberflächenaktiven Stoff, mindestens ein einfaches Amin, mindestens ein Klebemittel, ausgewählt aus Ethylenglykol, Propylenglykol, Polyethylenoxid, Polypropylenoxid und Gemischen davon, und mindestens ein quaternäres Amin umfasst, und worin die Zusammensetzung im Wesentlichen frei ist von Verbindungen, welche Kaliumionen freisetzen können, worin die Lösung einen pH von etwa 10 bis etwa 12,5 aufweist.
- Bevorzugt beträgt der pH-Bereich von etwa 11 bis etwa 12.
- HF und KOH fehlen im Wesentlichen in den bevorzugten erfindungsgemäßen Zusammensetzungen.
- Einige der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen haben sich als vorteilhaft erwiesen bei der Reinigung des Aufschlämmungsverteilungssystems einer CMP-Apparatur.
- Zu den Vorteilen der vorliegenden Reinigungszusammensetzungen zählen die folgenden:
Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Reinigungszusammensetzungen ist der, dass sie besser reinigen als die Reinigungszusammensetzungen, welche auf HF oder auf KOH basieren. - Ein anderer Vorteil der erfindungsgemäßen Reinigungszusammensetzung ist der, dass sie mit den typischen Kunststoff- und Metallteilen der CMP-Apparatur kompatibel sind und folglich nicht so aggressiv sind wie HF und KOH beim Angreifen der Materialien der CMP-Apparatur.
- Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Reinigungszusammensetzungen ist der, dass sie weit weniger ätzend sind als HF.
- Ein anderer Vorteil der erfindungsgemäßen Reinigungszusammensetzungen ist der, dass sie eine Verbesserung darstellen im Hinblick auf umweltbezogene Entsorgungsbeschränkungen, welche mit HF verbunden sind.
- Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Reinigungszusammensetzungen ist der, dass keine Verbindungen vorhanden sind, welche Kaliumionen freisetzen, sie lassen keine verbleibende Zusammensetzung von Kaliummaterial auf der Apparatur zurück, wie dies bei der Verwendung von KOH auftritt.
- Noch ein anderer Vorteil der erfindungsgemäßen Reinigungszusammensetzungen ist der, dass sie dazu neigen, Rückstände zu lösen, wobei die erforderliche Handarbeit verringert wird. In einigen Fällen wird das Erfordernis beseitigt, ein Werkzeug wie etwa einen Spatel zum Abkratzen der Rückstände von der CMP-Apparatur zu verwenden.
- Ein anderer Vorteil der erfindungsgemäßen Reinigungszusammensetzungen ist der, dass zum Entfernen der Rückstände normalerweise lediglich die Verwendung eines Schwamms erforderlich ist, welcher kein Scotch-Bright-Schwamm oder dergleichen sein muss. Dies zielt darauf, Kratzer auf der CMP-Apparatur zu vermeiden, welche durch einen Reinigung mit viel härteren und kiesigeren Schwämmen verursacht werden, welche normalerweise hierfür verwendet werden.
- Noch ein anderer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist die Fähigkeit, die inneren Flächen des CMP-Aufschlämmungsverteilungssystems von Rückständen zu reinigen.
- Ein anderer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist die Abwesenheit von Poliermitteln.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Diese Anmeldung besitzt keine Zeichnungen.
- AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Es haben sich mehrere Zusammensetzungen in der Praxis der vorliegenden Erfindung als Reinigungsmittel für eine CMP-Apparatur als nützlich erwiesen. Diese Zusammensetzungen können einzeln oder in Kombination verwendet werden, und auf verschiedene Regionen der CMP-Apparatur angewandt werden, welche eine Reinigung benötigen, wie hierin beschrieben oder bestimmt durch routinemäßige Experimente mit speziellen Ablagerungen.
- ZUSAMMENSETZUNG A
- Eine erfindungsgemäße Zusammensetzung ("Zusammensetzung A") umfasst eine Lösung von einem oder mehreren nicht ionischen oberflächenaktiven Stoffen, einem oder mehreren einfachen Aminen, einer oder mehreren löslichen organischen Dialkoholverbindungen (oder eine andere Substanz, welche mit der Zusammensetzung kompatibel ist und als ein oberflächenaktiver Stoff oder als ein Klebemittel fungiert) und ein oder mehrere quaternäre Amine, in einer wässrigen Lösung, normalerweise in entionisiertem ("DI") Wasser.
- Der nicht ionische oberflächenaktive Stoff sollte in der Zusammensetzung löslich sein und mit den pH-Bereichen der Zusammensetzung kompatibel sein. Außerdem ist es wichtig, dass der Trübungspunkt des oberflächenaktiven Stoffs so ist, dass der oberflächenaktive Stoff nicht instabil wird, wenn er in der Reinigungszusammensetzung verwendet wird. Ein nicht ionischer oberflächenaktiver Stoff, welcher in der vorliegenden Erfindung nützlich ist, ist 3,5-Dimethyl-1-hexyn-3-ol, dessen Struktur wie folgt Struktur dargestellt wird:
- 3,5-Dimethyl-1-hexyn-3-ol
- Eine nützliche kommerzielle Form des obigen nicht ionischen oberflächenaktiven Stoffs wird von Air Products and Chemicals, Inc. unter dem Handelsbezeichnung Surfynol® 61 verkauft. Andere oberflächenaktive Stoffe, welche unter den Handelsbezeichnungen Surfynol® verkauft werden, umfassen Mono- und Di-Hydroxy-Verbindungen wie etwa 3,6-Dimethyl-4-octyn-3,6-diol (Surfynol® 82), 3,6-Dimethyl-4-octyn-3,6-diol auf einem amorphen Silicaträger (Surfynol® 82S) und Tetramethyldecynediol (Surfynol® 104).
- Monoethanolamin (MEA) oder verwandte primäre Amine sind in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendbar, solange wie die bestimmte Aminverbindung in der Reinigungszusammensetzung ausreichend löslich ist. An dem Aminende des Moleküls können andere funktionale Gruppen vorliegen. Beispiele für solche zusätzliche funktionelle Gruppen umfassen eine Hydroxyl-, Säure- oder Esterfunktionalität und andere Amingruppen (Diamin etc.), solange die primäre Aminnatur des Moleküls bewahrt wird. Amine mit 1 bis etwa 8 Kohlenstoffen sind in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendbar, obwohl die Flüchtigkeit von typischen C1-Aminen möglicherweise ein Nachteil ist. Der bevorzugte Bereich beträgt C2-C6, welcher dazu neigt, ein gutes Gleichgewicht von Nichtflüchtigkeit und Löslichkeit in der Zusammensetzung zu bieten. Eine Hydroxylfunktionalität an dem Molekül ist vorteilhaft.
- Propylenglykol kann als ein oberflächenaktiver Stoff oder Klebemittel in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Andere solche Mittel umfassen organische Dialkoholverbindungen wie etwa Ethylenglykol und dergleichen, solange eine ausreichend Löslichkeit in der Zusammensetzung besteht. Polymere Spezies wie etwa Polyethylenoxid oder Polypropylenoxid können verwendet werden, solange wie diese polymere Spezies in der Zusammensetzung ausreichend löslich sind und in der Zusammensetzung keine Präzipitationsprobleme vorliegen (was die normale Situation ist, welche auftritt bei vernünftigen Spezies mit niedrigem Molekulargewicht).
- Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) wird normalerweise verwendet, um den pH der Zusammensetzung einzustellen. Die vorliegende Reinigungszusammensetzung kann einen pH im Bereich von etwa 10 bis etwa 12,5 aufweisen, wenngleich der Bereich von etwa 11 bis etwa 12 bevorzugt ist.
- Variationen der vorliegenden Zusammensetzung, welche größere oder geringere Mengen von MEA enthalten, können ebenso verwendet werden. Ein typisches Gemisch für die Zusammensetzung A folgt:
- Anteile einer typischen Zusammensetzung A
- Die Zusammensetzung A ist besonders nützlich für Aufschlämmungssysteme, welche auf Silica basieren, worin die CMP-Apparatur Siliciumdioxid, Wasser und möglicherweise Rückständen des Hydrogenperoxidtyps ausgesetzt ist.
- Außerdem und überraschend wurde gefunden, dass die Zusammensetzung A bei einer großen Vielfalt von Rückständen funktioniert, einschließlich Eisennitrat-, Aluminiumoxid- und Siliciumdioxidrückstände, und unabhängig davon funktionierte, ob ein Polieren von Kupfer, Wolfram oder Siliciumdioxid durchgeführt worden ist.
- Weiterhin kann die Zusammensetzung A bis zu einem gewissen Ausmaß und unter bestimmten Umständen auch zur Reinigung von Halbleiterwafern verwendet werden. Beispielsweise kann die Zusammensetzung A verwendet werden, um Halbleiterwafer nach deren Politur zu reinigen. Normalerweise ist ein Wafer, welcher aus einer Polierapparatur herauskommt, noch immer nass und die darauf abgelagerten Partikel sind nicht trocken, so dass die Zusammensetzung A verwendet werden kann, um diese zu entfernen. Folglich kann die Zusammensetzung A sowohl in einem nassen als auch einem trockenen Umfeld verwendet werden.
- Herstellung
- Normalerweise wird die Zusammensetzung A hergestellt zuerst durch Präparation eines Containers mit DI-Wasser, zu welchem der nicht ionische oberflächenaktive Stoff (normalerweise Surfynol® 61) zugegeben wird. Dann wird MEA zugegeben, gefolgt von der Zugabe von Propylenglykol. Dies sind alles Flüssigkeiten, welche sich alle lösen sich und sich ziemlich gut durch einfaches Rühren mischen. Dann wird der pH mit einer pH-Sonde gemessen und es wird TMAH stufenweise zugegeben, um einen End-pH zu erhalten, welcher bevorzugt oberhalb von etwa 11 aber unterhalb von etwa 12 ist. Diese Flüssigkeiten werden bevorzugt kontinuierlich innerhalb des Behälters gerührt, zumindest während des Zeitraums, während dessen die Zusammensetzung hergestellt wird.
- Der Behälter ist normalerweise ein oben offener Behälter wie etwa ein Becher oder Eimer und ist normalerweise aus einem kunststoffartigen Material hergestellt, wie etwa einem Polypropylen, Polyethylen oder dergleichen. Edelstahlbehälter, Behälter aus schwarzem Eisen und Glas sollten vermieden werden. Es ist bekannt, dass Glasbehälter in einigen Fällen Natrium in die darin enthaltene Lösung abgeben, was in der Praxis der vorliegenden Erfindung nachteilig ist.
- TYPISCHE VERWENDUNG VON REINIGUNGSZUSAMMENSETZUNGEN
- Wenn ein Anwender die tatsächliche Waferpolierarbeit für eine Anzahl von Halbleiterwafern (CMP) beendet hat, oder wenn sich der Verwender möglicherweise anschickt, den Polierschwamm auszuwechseln oder zu ersetzen, werden die erfindungsgemäßen Reinigungszusammensetzungen bevorzugt auf die verschiedenen Flächen der CMP-Apparatur gesprüht, welche gereinigt werden sollen. Die so besprühten Flächen werden dann für einen Zeitraum (z.B. von etwa 10 bis etwa 30 min) stehen gelassen, um die darauf abgelagerten Rückstände zu lösen. Die verschiedenen Flächen der CMP-Apparatur werden dann beispielsweise mit einem Polyurethan (oder PVA)-Kissen oder -Schwamm abgewischt, welcher bevorzugt eine Menge der erfindungsgemäßen Zusammensetzung darauf verteilt enthält. Die verschiedenen Flächen werden dann sorgfältig abgespült, normalerweise mit DI-Wasser.
Claims (11)
- Zusammensetzung zum Entfernen eines Rückstands einer chemischmechanischen Planarisierung, wobei die Zusammensetzung eine wässrige Lösung umfasst, welche mindestens einen nicht-ionischen oberflächenaktiven Stoff, mindestens ein einfaches Amin, mindestens ein Klebemittel, ausgewählt aus Ethylenglykol, Propylenglykol, Polyethylenoxid, Polypropylenoxid und Gemischen davon, und mindestens ein quaternäres Amin enthält, und worin die Zusammensetzung im Wesentlichen frei ist von Verbindungen, welche Kaliumionen freisetzen können, worin die Lösung einen pH von etwa 10 bis etwa 12,5 aufweist.
- Zusammensetzung nach Anspruch 1, worin der pH etwa 11 bis etwa 12 beträgt.
- Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin HF und KOH im Wesentlichen fehlen.
- Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, worin der mindestens eine nicht-ionische oberflächenaktive Stoff ausgewählt ist aus Monohydroxylverbindungen, einer Dihydroxylverbindung und Gemischen davon.
- Zusammensetzung nach Anspruch 4, worin der mindestens eine nichtionische oberflächenaktive Stoff 3,5-Dimethyl-1-hexyn-3-o1 ist.
- Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin das mindestens eine einfache Amin 1 bis 8 Kohlenstoffatome aufweist.
- Zusammensetzung nach Anspruch 6, worin das mindestens eine einfache Amin 1 bis 6 Kohlenstoffatome aufweist.
- Zusammensetzung nach Anspruch 7, worin das mindestens eine einfache Amin eine Hydroxylfunktionalität aufweist.
- Zusammensetzung nach Anspruch 8, worin das mindestens eine einfache Amin Monoethanolamin ist.
- Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin das mindestens eine Klebemittel eine organische Dialkoholverbindung ist.
- Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin das mindestens eine quaternäre Amin Tetramethylammoniumhydroxid ist.
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Families Citing this family (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2249925T3 (es) * | 1998-12-04 | 2006-04-01 | The Farrow System Limited | Procedimiento para eliminar un revestimiento de una superficie. |
| US7208049B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment |
| US20040029395A1 (en) * | 2002-08-12 | 2004-02-12 | Peng Zhang | Process solutions containing acetylenic diol surfactants |
| US6498131B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-12-24 | Ekc Technology, Inc. | Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus |
| US7220322B1 (en) * | 2000-08-24 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Cu CMP polishing pad cleaning |
| US7077880B2 (en) * | 2004-01-16 | 2006-07-18 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Surface modified colloidal abrasives, including stable bimetallic surface coated silica sols for chemical mechanical planarization |
| US6943142B2 (en) * | 2002-01-09 | 2005-09-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous stripping and cleaning composition |
| US20030162398A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-28 | Small Robert J. | Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same |
| US7513920B2 (en) * | 2002-02-11 | 2009-04-07 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations |
| TWI339680B (en) * | 2002-02-19 | 2011-04-01 | Kanto Kagaku | Washing liquid composition for semiconductor substrate |
| JP3799026B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2006-07-19 | 三洋化成工業株式会社 | アルカリ洗浄剤 |
| KR100997180B1 (ko) | 2002-04-25 | 2010-11-29 | 아치 스페셜티 케미칼즈, 인코포레이티드 | 에치 잔여물질을 제거하기 위한 비-부식성 세척 조성물 |
| KR20030089361A (ko) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 다결정 실리콘용 ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 형성 방법 |
| WO2003101197A1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Cjb Industries, Inc. | Adjuvant for pesticides |
| US20040138176A1 (en) * | 2002-05-31 | 2004-07-15 | Cjb Industries, Inc. | Adjuvant for pesticides |
| KR100500517B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-07-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼용 ｃｍｐ 설비 |
| US20040217006A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-11-04 | Small Robert J. | Residue removers for electrohydrodynamic cleaning of semiconductors |
| US6930017B2 (en) * | 2003-08-21 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Wafer Cleaning method and resulting wafer |
| JP2005075924A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Neos Co Ltd | シリカスケール除去剤 |
| US20050126588A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-06-16 | Carter Melvin K. | Chemical mechanical polishing slurries and cleaners containing salicylic acid as a corrosion inhibitor |
| WO2005066325A2 (en) * | 2003-12-31 | 2005-07-21 | Ekc Technology, Inc. | Cleaner compositions containing free radical quenchers |
| WO2005076332A1 (ja) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法 |
| US7435712B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
| JP4632290B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2011-02-16 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 |
| KR100630737B1 (ko) * | 2005-02-04 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 금속 ｃｍｐ 후 세정액 및 이를 이용한 반도체 소자의금속 배선 형성 방법 |
| US7674725B2 (en) * | 2005-05-25 | 2010-03-09 | Freescale Semiconductor, Inc. | Treatment solution and method of applying a passivating layer |
| KR20080059442A (ko) * | 2005-10-13 | 2008-06-27 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 금속 상용성 포토레지스트 및/또는 희생 반사방지 코팅제거 조성물 |
| US20070225186A1 (en) * | 2006-03-27 | 2007-09-27 | Matthew Fisher | Alkaline solutions for post CMP cleaning processes |
| JP4804986B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-11-02 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイス用基板の洗浄液及びそれを用いた洗浄方法 |
| US7939941B2 (en) * | 2007-06-27 | 2011-05-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Formation of through via before contact processing |
| TWI437093B (zh) * | 2007-08-03 | 2014-05-11 | Epoch Material Co Ltd | 半導體銅製程用水相清洗組合物 |
| US8853830B2 (en) | 2008-05-14 | 2014-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System, structure, and method of manufacturing a semiconductor substrate stack |
| US20100062164A1 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Lam Research | Methods and Solutions for Preventing the Formation of Metal Particulate Defect Matter Upon a Substrate After a Plating Process |
| US7700535B1 (en) * | 2009-01-12 | 2010-04-20 | Ppt Research | Wafer/Ingot cleaning in wire saw cutting comprising an ethoxylated alcohol/polyalkylsiloxane mixture |
| US8691664B2 (en) * | 2009-04-20 | 2014-04-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside process for a substrate |
| TWI447224B (zh) * | 2009-12-25 | 2014-08-01 | Uwiz Technology Co Ltd | 使用於半導體晶圓製造之清洗組成物 |
| US20140318584A1 (en) * | 2011-01-13 | 2014-10-30 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for the removal of particles generated by cerium-containing solutions |
| JP5767898B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2015-08-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US9201559B2 (en) * | 2011-11-14 | 2015-12-01 | Logitech Europe S.A. | Method of operating a multi-zone input device |
| TWI572711B (zh) | 2012-10-16 | 2017-03-01 | 盟智科技股份有限公司 | 半導體製程用的清洗組成物及清洗方法 |
| US8647445B1 (en) * | 2012-11-06 | 2014-02-11 | International Business Machines Corporation | Process for cleaning semiconductor devices and/or tooling during manufacturing thereof |
| US9058976B2 (en) | 2012-11-06 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Cleaning composition and process for cleaning semiconductor devices and/or tooling during manufacturing thereof |
| US9576789B2 (en) | 2013-01-29 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus, method, and composition for far edge wafer cleaning |
| EP2983195A1 (de) | 2014-08-04 | 2016-02-10 | EpiGan NV | Halbleiterstruktur mit einer aktiven Halbleiterschicht der iii-v-Art auf einem Pufferschichtstapel und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur |
| US10109523B2 (en) | 2016-11-29 | 2018-10-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of cleaning wafer after CMP |
| CN108102554A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-01 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种去除二氧化硅颗粒的抛光液 |
| EP3572493A1 (de) | 2018-05-24 | 2019-11-27 | The Procter & Gamble Company | Sprühbehälter mit einer waschmittelzusammensetzung |
| EP3572491A1 (de) | 2018-05-24 | 2019-11-27 | The Procter & Gamble Company | Sprühbehälter mit einer waschmittelzusammensetzung |
| EP3572489A1 (de) | 2018-05-24 | 2019-11-27 | The Procter & Gamble Company | Sprühbehälter mit einer waschmittelzusammensetzung |
| EP3572490A1 (de) | 2018-05-24 | 2019-11-27 | The Procter & Gamble Company | Sprühbehälter mit einer waschmittelzusammensetzung |
| EP3572492A1 (de) | 2018-05-24 | 2019-11-27 | The Procter & Gamble Company | Feinnebelreinigungsspray für harte oberflächen |
| CN110900455A (zh) * | 2018-09-17 | 2020-03-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆清洗液、化学机械研磨后清洗方法及晶圆 |
| US20240026246A1 (en) * | 2020-08-28 | 2024-01-25 | Versum Materials Us, Llc | Post Chemical Mechanical Planarization (CMP) Cleaning |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3721629A (en) | 1969-05-21 | 1973-03-20 | Dow Chemical Co | Method and composition for removing iron stains from porcelain |
| US4507219A (en) * | 1983-08-12 | 1985-03-26 | The Proctor & Gamble Company | Stable liquid detergent compositions |
| US5981454A (en) | 1993-06-21 | 1999-11-09 | Ekc Technology, Inc. | Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine |
| JP2847610B2 (ja) * | 1993-03-19 | 1999-01-20 | ライオン株式会社 | 電子部品洗浄用キャリア及び該キャリアを用いた洗浄方法 |
| US5466389A (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-14 | J. T. Baker Inc. | PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates |
| US5855844A (en) * | 1995-09-25 | 1999-01-05 | Crs Holdings, Inc. | High-strength, notch-ductile precipitation-hardening stainless steel alloy and method of making |
| JP2950407B2 (ja) * | 1996-01-29 | 1999-09-20 | 東京応化工業株式会社 | 電子部品製造用基材の製造方法 |
| WO1998000676A1 (en) | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Intelligent Enclosures Corporation | Environmentally enhanced enclosure for managing cmp contamination |
| JPH1055993A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| US5780406A (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-14 | Honda; Kenji | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US5855811A (en) | 1996-10-03 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication |
| US6268323B1 (en) * | 1997-05-05 | 2001-07-31 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| US5977041A (en) * | 1997-09-23 | 1999-11-02 | Olin Microelectronic Chemicals | Aqueous rinsing composition |
| JP3377938B2 (ja) * | 1997-10-21 | 2003-02-17 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 |
| WO1999023688A1 (en) | 1997-10-30 | 1999-05-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Cleaning dried residue of a chemical-mechanical polishing slurry |
| AU4189599A (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-06 | Mallinckrodt, Inc. | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| US6447563B1 (en) * | 1998-10-23 | 2002-09-10 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Chemical mechanical polishing slurry system having an activator solution |
| US6413923B2 (en) * | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
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