KR20030046404A - 화학 기계적 평탄화 장치용 세정 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학적 조성물들 및 필요 부위들에 CMP 슬러리를 전달하는 전달관의 내부들을 포함하여, CMP 장비를 세정하기 위한 조성물들의 사용 방법들에 관한 것이다. 본 발명의 화학적 조성물들은 웨이퍼 자체의 후-CMP 세정에 역시 유용하다. 세 가지 등급의 세정 조성물들이 개시되어 있으며, 이들 모두는 수용액이다. 제1 등급은 약 11 내지 약 12의 바람직한 pH 범위에서 작용하고, 바람직하게는 1개 이상의 비이온성 계면활성제들, 1개 이상의 단순 아민류, 1개 이상의 가용성 디알콜 유기 화합물들 및 1개 이상의 4급 아민류 등의 계면활성제 또는 점착제를 포함한다. 제2 등급의 세정 조성물은 약 8.5의 바람직한 pH 범위에서 작용하고 시트르산 및 옥살산을 함유한다. 제3 등급의 조성물들은 산성이고, 약 1.5 내지 약 3의 바람직한 pH 범위에서 작용하고, 바람직하게는 적어도 하나의 산화 산, 적어도 하나의 킬레이트제, 적어도 하나의 점착제 및 적어도 하나의 음이온성 계면활성제를 함유한다. HF 및 KOH는 실질적으로 본 발명의 바람직한 조성물들에는 없다. 본 발명의 일부 조성물들은 CMP 장치의 슬러리 분배 시스템을 세정하기 위해 유리하게 사용되는 것으로 나타났다.

Description

화학 기계적 평탄화 장치용 세정 조성물{COMPOSITION FOR CLEANING CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION APPARATUS}
평탄화는 다중층 집적 회로들("IC들")의 제조에 있어서 필수적인 단계로, 현대의 IC 부품들에 필요한 정확도로 패턴화 및 에칭될 수 있는 편평하고 평활한 표면을 제공한다. 종래의 평탄화 기술은 당업계에 공지된 CMP(화학 기계적 평탄화 또는 연마)이며, 교과서들(예를 들면, "Chemical Mechanical Planarization of Microelectronic Materials," Joseph M. Steiger wald, Shyam P. Murarka 및 Ronald J. Gutman 공저, 1997년 참조)에 개시되어 있다. CMP는 전형적으로 연마 패드와 웨이퍼 사이에 개재된 연마성/반응성 슬러리에 의해 평탄화될 웨이퍼와 기계적 접촉하는 연마 패드를 사용한다. 전형적인 CMP 슬러리들은 평탄화될 기판과 화학적으로 반응하는 성분들 뿐만 아니라 기계적 연마에 의한 평탄화를 유발시키는 성분들을 함유한다. 웨이퍼에 관한 연마 패드의 상대적인 움직임은 기계적 연마및 화학적 에칭을 통해 웨이퍼의 연마를 유도한다.
CMP에 사용된 연마성 슬러리 연마 물질들은 전형적으로 실리카, 알루미나, 또는 산화세륨(ceria) 및 화학적 반응 성분들을 포함한다. 전형적으로, 실제 생산 환경에서, 이들 슬러리 물질들은 전체적으로 연마 패드로 한정될 수 없고, 종종 CMP 장치의 여러 부분들 상으로 흩뿌려지고, 그대로 건조되어 CMP 장치 내부의 여러 위치들 및 그 장치 자체 상에 CMP 슬러리 물질들의 침착물들의 증가를 유도한다. 또한, 침착물들은 전달 튜브들 및 필요 부위들로 CMP 슬러리를 지향시키기 위해 사용된 기타 수단의 내부 표면들 상에 누적되는 경향이 있다. 그러한 침착물들은 시간이 경과함에 따라 증진되므로, 그것은 그러한 슬러리 침착물들의 일부들이 연마 패드들, 웨이퍼들 및(또는) 압반들(platens) 상으로 다시 떨어질 수 있는 연마 입자들의 전형적인 형태로 파쇄된다는 일반적인 문제점이다. CMP 장치 상의 슬러리 침착물들로부터 CMP 장치 상의 슬러리 침착물들로부터 축출되는 이들 목적하지 않는 연마 입자들은 이것들이 무엇보다도 제어할 수 없는 웨이퍼 스크래칭을 야기할 수 있다는 점에서 CMP 엔지니어들의 하나의 근본적인 걱정거리이다. 또한, 텅스텐 층들의 CMP에 전형적으로 사용된 질산철 슬러리들 등의 일부 슬러리 연마 물질들은 CMP 장치 상에 보기 흉한 얼룩들을 야기한다. 따라서, 슬러리 물질들 및 기타 기질들은 이들이 침착되는 CMP 장치로부터 주기적으로 제거되어야 한다. 각각의 패드가 변화한 후 그러한 제거가 일주일에 1회, 한달에 1회 발생하거나 또는 임의의 다른 보수 계획에 따르는지 여부는 그 장치가 결과적으로 철저히 세정되어야 함으로써 슬러리 및 기타 목적하지 않는 외부 물질들이 그로부터 제거된다는 사실을 부인하지 않는다.
질산철(Fe(NO3)3)을 함유하는 연마 슬러리들은 슬러리를 개개의 CMP 장치로 및 CMP 장치 내의 특정 위치들로 전달하는 슬러리 분배 시스템들의 도관들 내에 침적되는 경향이 있는 수산화철(Fe(OH)3) 및 산화철(Fe2O3) 잔류물들을 형성하는 경향이 있다. 이들 엉김제 침적물들을 슬러리 분배 시스템 전반을 가로질러 자유롭게 파쇄되고 웨이퍼와 접촉할 수 있다. 목적하지 않는 웨이퍼 스크래칭을 가져올 수 있다. 따라서, CMP 장치와 연관된 슬러리-전달 분배 시스템들의 내부 영역들로부터 침적물들을 제거하는 데 효율적인 세정 조성물들에 대한 필요성이 존재한다.
현행되는 실시법은 CMP 세정 장치용 계면활성제 용액들을 사용한다. 이들 용액들은 전형적인 CMP 잔류물들을 완전히 파쇄하거나 또는 용해시키도록 전형적으로 화학적으로 고안되지는 않았다. 따라서, 이 잔류물들을 예를 들면 테플론 스크래퍼들에 의해 완전히 스크래핑되어야 한다. 이러한 스크래핑 기술은 노동력과 시간 소비 모두를 필요로 하고, 장치 상으로 다시 떨어지고, 결국은 연마 패드들, 웨이퍼들 및(또는) 압반 상으로 다시 떨어지는 상실 입자들의 발생을 초래한다. 제어할 수 없는 웨이퍼 스크래칭 및 감소된 수율들이 전형적으로 초래된다. 와이핑 오퍼레이션들을 포함하는 CMP 세정 시스템들의 예로는 텅스텐 CMP 슬러리들(TX8606 SCS) 및 산화물 CMP 슬러리들(TX8065 SCS)을 세정하는 데 사용하기 위해 뉴저지주(NJ) 어퍼 새들 리버 소재 The Texwipe Company LLC사로부터 입수할 수 있는 것들을 들 수 있다.
또한, CMP 장치를 세정하기 위한 현행 방법들은 불화수소(HF) 용액들 및(또는) 수산화칼륨(KOH) 용액들을 사용한다. 전형적으로, 진한 HF(49%), 묽은 HF(1% 내지 10%) 또는 묽은 KOH 용액(예, 5% 내지 10% 용액)이 사용된다. HF 용액 또는 KOH 용액은 전형적으로 세정을 요하는 CMP 장치의 여러 표면들 상으로 분무되고, 순차로 탈이온("DI")수로 헹구어진다. CMP 장치를 세정하기 위해 불화수소(HF)를 사용하는 것은 이러한 기질의 결과물로서 만일 피부를 통해 흡수된다면 인체 골격 구조에 극도로 유해하고, 그의 결과물로서 만일 흡입된다면 유해하다는 심각한 단점을 갖는다. HF는 특정한 폐기 방법들을 필요로 하기도 한다. 따라서, HF를 가지고 작업하고 그것을 폐기할 때 엄중한 주의가 지속되어야 한다. 또한, HF는 질산철 등의 일부 화학적 얼룩들을 성공적으로 제거하는 데 실패한다. 더욱이, HF는 CMP 장치의 압반 플레이트들에 해를 입힐 수도 있다.
CMP 장치를 세정하기 위해 수산화칼륨(KOH)을 사용하는 것과 연관된 무수한 단점들이 역시 존재한다. 그 한가지로, KOH는 질산철 등의 일부 화학적 얼룩들을 성공적으로 제거하는 데 실패한다. 또한, KOH는 종종 반도체 웨이퍼들을 오염시킴으로써 디바이스의 전기적 성능에 유해 효과들을 초래하고 생산 수율의 감소를 초래하는 칼륨의 잔류 조성물, 유동 이온을 장치 및 연마 패드 상에 남긴다. 더욱이, KOH는 압반 플레이트들 및 CMP 장치(전형적으로 Lexan)의 쉴드들을 형성하기 위해 사용된 물질의 일부를 손상시킬 수도 있다. HF보다 인체에 덜 해롭더라도, KOH는 그럼에도 불구하고 조심해야 하고, 조작 및 폐기에 주의를 요한다.
따라서, 선행 기술의 1개 이상의 결점들을 개선시키거나 극복하는 CMP 장치로부터 목적하지 않는 침적물들을 제거하기 위한 세정 조성물에 대한 필요성이 존재한다. 본 발명의 세정 조성물은 실질적으로 HF, KOH가 없다. 더욱이, 본 발명은 Thurman-Gonzalez 등의 연구물(WO 99/23688)과는 대조적으로 HCl을 사용하지 않는다.
본 발명은 화학 기계적 평탄화("CMP")가 수행되는 세정 장비에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 CMP 장비를 세정하기 위한 화학적 조성물들에 관한 것으로, 상기 조성물들은 세정 성능을 개선시키고 및/또는 장비, 인체 및 환경에 대한 많은 위험을 감소시킨다.
본 출원은 도면을 첨부하지 않음.
본 발명은 화학적 조성물들 및 필요 부위들에 CMP 슬러리를 전달하는 전달관의 내부들을 포함하여, CMP 장비를 세정하기 위한 조성물들의 사용 방법들에 관한 것이다. 본 발명의 화학적 조성물들은 웨이퍼 자체의 후-CMP 세정에 역시 유용하다.
세 가지 등급의 세정 조성물들이 개시되어 있으며, 이들 모두는 수용액이다. 제1 등급은 약 11 내지 약 12의 바람직한 pH 범위에서 작용하고, 바람직하게는 1개 이상의 비이온성 계면활성제들, 1개 이상의 단순 아민류, 1개 이상의 가용성 디알콜 유기 화합물들 및 1개 이상의 4급 아민류 등의 계면활성제 또는 점착제를 포함한다. 제2 등급의 세정 조성물은 약 8.5의 바람직한 pH 범위에서 작용하고 1개 이상의 젖산, 시트르산 및 옥살산을 함유한다. 제3 등급의 조성물들은 산성이고, 약 1.5 내지 약 3의 바람직한 pH 범위에서 작용하고, 바람직하게는 적어도 하나의 산화 산, 적어도 하나의 킬레이트제, 적어도 하나의 점착제 및 적어도 하나의 음이온성 계면활성제를 함유한다. HF 및 KOH는 실질적으로 본 발명의 바람직한 조성물들에는 없다.
본 발명의 일부 조성물들은 CMP 장치의 슬러리 분배 시스템을 세정하기 위해유리하게 사용되는 것으로 나타났다.
본 발명의 장점들은 다음과 같다:
본 발명에 따른 세정 조성물들의 한가지 장점은 이들이 HF 및 KOH 모두에 기초한 세정 조성물들보다 더 잘 세정한다는 것이다.
본 발명에 따른 세정 조성물들의 다른 장점은 이들이 CMP 장치의 전형적인 플라스틱 부분들 및 금속 부분들에 적합하고, 따라서 CMP 장치의 물질들을 공격하는 데 있어서 HF 및 KOH 만큼 공격적이지 않다는 것이다.
본 발명에 따른 세정 조성물들의 또 다른 장점은 이들이 HF보다 조심하지 않아도 된다는 것이다.
본 발명에 따른 세정 조성물들의 또 다른 장점은 이들이 HF에 관련된 환경 폐기 제한 문제들을 개선시킨다는 것이다.
본 발명에 따른 세정 조성물들의 또 다른 장점은 이들이 칼륨 이온들을 방출시킬 수 있는 화합물들이 결여됨으로써, KOH의 사용에 의해 발생되는 바의 칼륨 물질의 잔류 조성물을 장치 상에 남기지 않는다는 것이다.
본 발명에 따른 세정 조성물들의 또 다른 장점은 이들이 잔류물들을 완화시킴으로써 필요한 수고를 감소시킨다는 것이다. 일부 경우들에 있어서, CMP 장치로부터 잔류물들을 완전히 스크래핑하기 위한 스패튤러 등의 도구를 사용할 필요성이 없어진다.
본 발명에 따른 세정 조성물들의 또 다른 장점은 이들이 잔류물들을 제거하기 위해 스카치(SCOTCH) 브라이트 스폰지 등이어야 할 필요는 없는 스폰지를 단순히 사용할 필요성이 있다는 것이다. 이는 전형적으로 사용된 훨씬 강하고 꺼칠한 스폰지에 의한 세정으로 유발되는 CMP 장치에 대한 스크래치들을 제거하는 경향이 있다.
본 발명의 또 다른 장점은 CMP 분배 시스템의 내부 표면들로부터 잔류물을 세정하는 능력이다.
본 발명의 또 다른 장점은 연마제들의 부재이다.
여러 가지 조성물들이 CMP 장비용 세정제들로서 본 발명을 실시하는 데 유용한 것으로서 나타나 있다. 이들 조성물은 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있고, 본 명세서에 규정되거나 또는 특정 침착물들에 대한 통상의 실험에 의해 결정되는 바의 세정을 요하는 CMP 장치의 여러 영역들에 도포될 수 있다.
조성물 A
본 발명에 따른 하나의 조성물("조성물 A")은 수용액 중의, 전형적으로 탈이온("DI")수 중의 1개 이상의 비이온성 계면활성제들, 1개 이상의 단순 아민류, 1개 이상의 가용성 디알콜 유기 화합물들(또는 조성물과 조화될 수 있고 계면활성제 또는 점착제로서 기능하는 기타 기질) 및 1개 이상의 4급 아민류의 용액을 포함한다.
비이온성 계면활성제는 조성물 중에 용해되어야 하고, 조성물의 pH 범위들에 적합해야 한다. 또한, 계면활성제의 흐림점(cloud point)은 세정 조성물 중에 사용될 때 계면활성제를 불안정화시키지 않아야 한다는 것이 중요하다. 본 발명에 유용한 것으로 밝혀진 하나의 비이온성 계면활성제는 3,5-디메틸 1-헥신-3-올이며, 그의 구조는 다음 화학식으로 주어진다:
3,5-디메틸 1-헥신-3-올
상기 비이온성 계면활성제의 한가지 유용한 시판형은 Surfynol?61이라는 상표명으로 Air Products and Chemicals, Inc.가 시판하고 있다. Surfynol?이라는 상표명으로 시판중인 다른 계면활성제들로는 3,6-디메틸-4-옥틴-3,6-디올(Surfynol?82), 비정질 실리카 캐리어 상의 3,6-디메틸-4-옥틴-3,6-디올(Surfynol?82S) 및 테트라메틸 데신디올(Surfynol?104) 등의 모노- 및 디-히드록시 화합물들을 들 수 있다.
모노에탄올아민(MEA), 또는 관련된 1급 아민류는 특정 아민 화합물이 세정 조성물에 충분히 가용성인 한 본 발명을 실시하는 데 유용하다. 다른 기능 그룹들이 분자의 아민 단부에 존재할 수 있다. 그러한 추가의 기능 그룹들의 예로는 히드록실, 산 또는 에스테르 관능기 및 분자의 1급 아민 특성이 보존되는 한 기타 아민 그룹들(디아민, 등)을 들 수 있다. C1아민류의 휘발성이 단점이 될 가능성이있더라도 1 내지 약 8개의 탄소를 갖는 아민류가 본 발명을 실시하는 데 유용하다. 바람직한 범위는 조성물에서 비휘발성 및 용해성의 양호한 밸런스를 제공하는 경향이 있는 C2-C6이다. 분자 상의 히드록실 관능기는 유리하다.
프로필렌 글리콜은 본 발명을 실시하는 데 있어서 계면활성제 또는 점착제로서 사용될 수 있다. 그러한 기타 시약들은 조성물의 적절한 용해도가 제공되는 한 에틸렌 글리콜 등의 디알콜 유지 화합물들을 포함한다. 폴리에틸렌 산화물 또는 폴리프로필렌 산화물 등의 중합체 종들은 이들 중합체 종들이 조성물에 적절히 용해되고 조성물 중에 침전되는 문제점들(이는 상당히 낮은 분자량 종들에 의해 발생되는 전형적인 상황)이 없는 한 사용될 수 있다.
테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH)는 조성물의 pH를 조절하기 위해 전형적으로 사용된다. 본 세정 조성물은 약 11 내지 약 12의 pH 범위가 바람직하더라도 약 10 내지 약 12.5 범위의 pH를 가질 수 있다. 다소 량의 MEA를 함유하는 본 조성물의 변화물들 역시 사용될 수 있다. 조성물 A의 전형적인 혼합물을 다음과 같다:
조성물 A의 전형적인 비율
용액 그램
DI수 4700
Surfynol?61 60
모노에탄올아민(MEA) 300(@100% 용액)
필렌 글리콜프로 900
테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 4
조성물 A는 CMP 장치가 실리카, 물 및 아마도 잔류물들의 과산화수소 형태에 노출된 경우에 실리카 기재 슬러리 시스템들에 특히 유용하다.
더욱이, 놀랍게도, 조성물 A는 질산철, 알루미나 및 실리카 잔류물들을 포함하는 광범위한 잔류물들 상에서 작용하고, 구리 연마, 텅스텐 연마 또는 실리카 연마가 수행되는지 여부와 무관하게 작용하는 것으로 밝혀졌다.
게다가, 조성물 A는 또한 반도체 웨이퍼들을 세정하기 위한 특정 조건들 하에 어느 정도까지 사용될 수 있다. 예를 들면, 조성물 A는 이들이 연마된 후 반도체 웨이퍼들을 세정하기 위해 사용될 수 있다. 보편적으로, 연마 장치로부터 나오는 웨이퍼는 여전히 젖어 있고, 그 위에 침착된 입자들은 건조되지 않음으로써, 조성물 A는 이들을 제거하기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 조성물 A는 습식 및 건식 환경 모두에 사용될 수 있다.
제법
통상적으로, 조성물 A는 먼저 비이온성 계면활성제(전형적으로, Surfynol?61)가 부가되는 DI수의 용기를 준비함으로써 제조된다. 이어서, 프로필렌 글리콜의 부가에 이어 MEA가 부가된다. 이들은 모두 액체로 모두 간단한 스터링에 의해 상당히 잘 용해되고 혼합된다. 이어서, pH 프로브에 의해 pH가 측정되고, 약 11 내지 약 12가 바람직한 최종 pH를 얻기 위해 TMAH가 점진적으로 부가된다. 이들 액체는 조성물이 제조되는 동안 마지막 시간까지 용기 내에서 연속적으로 스터링되는 것이 바람직하다.
용기는 전형적으로 비이커 또는 버킷 등의 상부 개방형 용기이고, 전형적으로 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 전형적인 플라스틱 물질로부터 제조된다. 스테인레스강 용기, 흑철(black iron) 및 유리 용기들은 피해야 한다. 유리 용기들은 일부 경우 내부에 함유된 용액들 중으로 나트륨을 누출시키는 것으로 공지되어 있으므로, 본 발명을 실시하는 데 불리하다.
조성물 B
입자들 및 금속 이온 오염물을 제거하는 것으로 밝혀진 다른 조성물은 DI수, 옥살산, 시트르산, 젖산 및 1개 이상의 4급 아민류, 콜린 히드록사이드, 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 등으로 구성되어 있다. 이 조성물은 CMP 장치로부터 입자들, 금속 산화물 및 기타 금속염 오염물을 제거하기 위해 사용될 수 있고, CMP 슬러리들로 연마된 웨이퍼들로부터 이들과 동일한 오염물들을 제거하기 위해 사용될 수도 있다. 연마된 웨이퍼들은 구리 및 텅스텐을 포함할 수 있다.
또한, 조성물 B는 철, 구리, 아연, 칼륨 및 칼슘 오염물들을 제거하는 데 특히 효과적인 것으로 밝혀졌다.
조성물 B의 전형적인 비율(I)
용액 그램
DI수 658
시트르산 28
젖산 15.4(@91% 용액)
테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 206.2(@25% 수용액)
전형적으로, 테트라메틸암모늄 히드록사이드는 조성물 B(I)의 pH를 목적하는 최종 값까지 조절하기 위해 사용된다. 조성물 B(I)는 바람직하게는 약 8.5의 pH를 갖는다.
조성물 B의 전형적인 비율(II)
용액 그램
DI수 2,657.90
시트르산 115.15
젖산 63.35
콜린(2단계 부가, 618그램 + 45.6 그램) 663.60
전형적으로, 콜린은 조성물 B(II)의 pH를 목적하는 최종 값까지 조절하기 위해 사용된다. 조성물 B(II)는 바람직하게는 약 9.0의 pH를 갖고, 저장 중에 안정하다.
제법
조성물 B(II)는 전형적으로 본 명세서에 개시된 바와 같이 제조되고, 단 당업계의 통상의 기술을 가진 자들에게 명백한 변형들이 있을 수 있다. 조성물 B(I)의 제법은 유사하다.
전형적으로, DI수의 중량 및 pH가 주시되면서 필요량의 DI수가 용기에 부가된다. 이어서, 전형적으로 콜린의 최초 부가가 바람직하게는 일정한 시간 동안, 전형적으로 약 10분 동안 스터링과 동시에 수행된다. 용액의 pH 및 온도가 전형적으로 주시되고 기록된다. pH는 콜린의 최초 부가 후 약 13 이상이고, 용액의 온도는 콜린의 부가 전보다 약간 낮아질 것으로 기대된다. 다음으로, 약 10분의 기간에 걸쳐 스터링과 동시에 젖산이 전형적으로 부가된다(예를 들면, 약 1.8중량%). pH는 약 13을 여전히 초과하고 온도는 약간 증가할 것으로 예상된다. 스터링하는 동안, 전형적으로 약 3.29중량%의 시트르산이 용액에 부가된다. 약 10분 스터링한 후, 온도 상승이 예상되고, pH는 전형적으로 약 6.5로 하강할 것이다. 콜린의 제2 부가는 목적하는 pH를 얻기 위해 충분한 양만큼 수행되고, 8.5의 pH가 본 조성물들의 생산에 사용될 수도 있더라도 전형적으로 9.0의 pH가 요구된다. 부가된 콜린이pH를 상당히 많이 감소시킨다면 pH를 증가시키기 위해 소량의 시트르산이 용액에 부가될 수 있으므로, 목적하는 pH의 알칼린 측에 놓이게 된다.
조성물 C
전형적으로 다소 산성인 다른 조성물(조성물 C)은 DI수, 히드록실아민 나이트레이트(HAN), 질산이나 옥살산에 비해 약한 산화산(CMP 장치 상에서 발견될 수 있는 철 잔류물들을 킬레이트화시키는 시약으로서), 및 비이온성 계면활성제, 전형적으로 DOWFAX 8292 계면활성제, 및 점착제로서 작용함으로써 장치를 완전히 배수시키기 전에 효율적인 시간 동안 세정 조성물을 그대로 머무를 수 있게 하는 프로필렌 글리콜을 포함한다. 또한, 일반적으로 DOWFAX 8292 계면활성제는 페놀계의 술폰산이다. 더욱이, 조성물 C는 특히 CMP 장치로부터 철 잔류물을 제거하도록 설계되었고, 따라서, HAN 및 옥살산이 그의 성분들로서 사용된다.
더욱이, 조성물 C는 특정 조건들 하에 어느 정도까지 반도체 웨이퍼들을 세정하는 용도를 갖기도 한다. 예를 들면, 조성물 C는 이들이 연마된 후 반도체 웨이퍼들을 세정하기 위해 사용될 수 있다. 보편적으로, 연마 장치로부터 나오는 웨이퍼는 여전히 젖어 있고, 그 위에 침착된 입자들은 건조되지 않음으로써, 조성물 C는 이들을 제거하기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 조성물 C는 습식 및 건식 환경 모두에 사용될 수 있다.
조성물 C의 전형적인 비율
용액 그램
DI수 3,436.11
히드록실아민 나이트레이트(HAN) 178(@82% 용액)
옥살산 130
DOWFAX 8292 계면활성제 0.89
프로필렌 글리콜 660
조성물 C는 약 1 내지 약 4의 일반적인 pH 범위를 갖고, 약 1.5 내지 약 3의 바람직한 범위를 갖는다.
제법
통상적으로, 조성물 C는 먼저 DI수를 용기에 부가함으로써 제조된다. 이어서, HAN이 DI수에 부가된다. 다음으로, 옥살산이 부가되고, 이어서 DOWFAX 8292 계면활성제의 부가가 이루어진다. 최종적으로, 프로필렌 글리콜이 부가된다. 이들 액체들은 최종 조성물 제조 중에 용기 내에서 연속적으로 스터링되는 것이 바람직하다.
용기는 전형적으로 비이커 또는 버킷 등의 상부 개방형 용기이고, 전형적으로 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 플라스틱 물질로 제조된다. 스테인레스강 용기, 흑철 및 유리 용기들은 피해야 한다. 유리 용기들은 조성물 중으로 나트륨을 누출시키는 것으로 공지되어 있다.
HAN은 상당히 안정한 물질이고, 따라서, 과산화수소 등의 덜 안정한 물질의 치환이 불리할 수 있다. 질산이 사용될 수 있지만, HAN만큼 효율적인 것으로 기대되지 않는다. 염화수소산이 사용될 수 있지만, 이것은 CMP 장치의 일부분들을 부식시키는 단점이 있다. 황산 또는 인산 역시 아마도 사용될 수 있을 것이다. 그러나, 이들 산은 HAN과 같이 묽은 용액 내의 산화제만큼 양호하지 못하다. 더욱이, 약한 산화 산(HAN) 이 본 발명에 따라 바람직하다.
옥살산은 킬레이트제이며, 그와 같이 철을 효율적으로 결합시키는 임의의 킬레이트 물질(또는 구리, 텅스텐, 및 이리듐 또는 연마될지도 모르는 기타 금속 등의 CMP 공정의 산물들에 의한 기타 물질)이 옥살산 대신에 (또는 그에 부가하여) 본 제형에 사용될 수 있었다. 예를 들면, 시트르산은 킬레이트제로서 옥살산을 대체하거나 또는 보충할 수 있다.
DOWFAX는 비이온성 계면활성제이며, 이러한 pH에서 및 본 제형에 있어서 적절한 용해도를 갖는 임의의 계면활성제가 본 발명에 사용하기 적절해야 한다.
에틸렌 글리콜 또는 기타 디알콜 유기 화합물은 이들 화합물이 본 킬레이트 용액에 적절히 용해되는 한 프로필렌 글리콜에 부가하여(또는 대신에) 사용될 수 있다. 또한, 중합체 형들이 사용될 수 있다. 예를 들면, 폴리에틸렌 산화물 또는 폴리프로필렌 산화물은 분자량이 제형에서 발생하는 어떠한 침전 문제점들도 일어나지 않기에 충분히 낮은 한 사용될 수 있다.
세정 조성물들의 전형적인 용도
사용자가 수많은 반도체 웨이퍼들(CMP)의 실질적인 웨이퍼 연마를 완료하였을 때, 또는 아마도 그 사용자가 연마 패드를 변경시키거나 또는 대체할 준비가 되어 있을 때, 본 발명에 따른 세정 조성물들은 세정될 필요가 있는 CMP 장치의 여러 표면들 상으로 분무되는 것이 바람직하다. 이어서, 이와 같이 분무된 표면들은 그 위에 침착된 잔류물들을 완화시키기 위해 일정 시간 동안 (예를 들면, 약 10 내지 약 30분) 정치되게 된다. 이어서, CMP 장치의 여러 표면들은 예를 들면 폴리우레탄(또는 PVA) 패드 또는 그 위에 침착된 일정량의 본 발명에 따른 세정 조성물을 포함하는 것이 바람직한 스폰지로 하향으로 닦여진다. 이어서, 여러 표면들은 전형적으로 DI수로 하향으로 철저히 헹구어진다.
또한, 산성인 조성물 C는 슬러리 분배 시스템들로부터 침착물들을 세정하고 제거하기 위해 사용될 수 있다. 보다 상세하게는, 조성물 C는 전형적으로 적어도 하나의 슬러리 지탱 수단을 포함하고 개개의 CMP 장치로 통하는 관련 분배 도관들을 포함하는 분배 시스템들로부터 질산철(Fe(NO3)3)의 침착물들을 세정하고 제거하기 위해 사용될 수 있다.
사용 중에, 조성물 C는 적어도 최소 펌프 체적을 제공하기 위해 분배 시스템을 통해 일정량으로 펌핑된다. 조성물 C는 전형적으로 일정 시간 동안, 아마도 1시간 이상 동안 슬러리 분배 시스템 전반에 펌핑되고, 여기서, 모든 도관들 또는 라인들은 반드시 완전히 씻겨내진다. 다음으로, 조성물 C를 씻어내기 위해 분배 시스템 전반에 증류수가 펌핑될 수 있다. 그러나, 증류 단계는 산성이고 어떠한 pH를 갖는 조성물 C와 질산철(Fe(NO3)3) 슬러리가 적합한 산화제 시스템의 결과로서 필수적인 것은 아님에 주의해야 한다. 즉, 질산철(Fe(NO3)3) 슬러리는 전형적으로 DI 헹굼이 부재인 경우조차, 세정후 잔류량의 조성물 C와 접촉할 때 산화된 형태로 남겨질 것이다. 그럼에도 불구하고, 본 발명을 실시하는 데 있어서 분배 시스템의 최종 증류수 세척액을 사용하는 것이 바람직한 것으로 생각된다.
본 발명을 상세히 기재하였으므로, 당업계의 숙련자들은 주어진 본 발명의개시 내용에 의해, 변형들이 본 명세서에 개시된 진보적인 개념의 정신에서 벗어남이 없이 본 발명에 따라 이루어질 수 있음을 인식할 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 예시되고 개시된 특정한 바람직한 실시예들로 제한되지 않아야 한다.

Claims (23)

  1. 적어도 하나의 비이온성 계면활성제, 적어도 하나의 단순 아민, 적어도 하나의 점착제, 적어도 하나의 4급 아민을 함유하고, 약 10 내지 약 12.5의 pH를 갖는 수용액을 포함하는, 화학 기계적 평탄화 잔류물 제거용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, HF 및 KOH가 실질적으로 부재인 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 비이온성 계면활성제는 모노히드록실 화합물들, 디히드록실 화합물 및 이들의 혼합물들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나의 비이온성 계면활성제는 3,5-디메틸 1-헥신-3-올인 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 단순 아민은 1내지 약 8개의 탄소 원자들을 갖는 것인 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 적어도 하나의 단순 아민은 1 내지 6개의 탄소 원자들을 갖는 것인 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 상기 적어도 하나의 단순 아민은 히드록실 관능기를 갖는 것인 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 단순 아민은 모노에탄올아민인 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 점착제는 디알콜 유기 화합물인 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 점착제는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌 옥사이드 및 이들의 혼합물들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 4급 아민은 테트라메틸암모늄 히드록사이드인 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 상기 pH는 약 11 내지 약 12인 조성물.
  13. 시트르산, 젖산 및 적어도 하나의 4급 아민을 함유하고, 약 8.5의 pH를 갖는 수용액을 포함하는, 화학 기계적 평탄화 잔류물 제거용 조성물.
  14. 제13항에 있어서, HF 및 KOH가 실질적으로 부재인 조성물.
  15. 제13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 4급 아민은 테트라에틸암모늄 히드록사이드인 조성물.
  16. 제13항에 있어서, 상기 시트르산은 상기 젖산의 중량의 약 2배의 양으로 상기 조성물 내에 존재하는 것인 조성물.
  17. 적어도 하나의 산화 산, 적어도 하나의 킬레이트제, 적어도 하나의 점착제, 적어도 하나의 음이온성 계면활성제를 함유하고, 약 1 내지 약 4의 pH를 갖는 수용액을 포함하는, 화학 기계적 평탄화 잔류물 제거용 조성물.
  18. 제17항에 있어서, HF 및 KOH가 실질적으로 부재인 조성물.
  19. 제17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 산화 산은 질산, 황산, 인산, 질산 히드록실아민 및 이들의 혼합물들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  20. 제17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 킬레이트제는 옥살산, 시트르산 및 이들의 혼합물을 포함하는 것인 조성물.
  21. 제17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 점착제는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌 옥사이드 및 이들의 혼합물들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  22. a) 펌핑 시스템에 필요한 최소 체적과 거의 동일한 양으로 상기 슬러리 분배 시스템을 통해 특허 청구의 범위 제17항의 조성물을 유동시키는 단계; 및
    b) 상기 슬러리 분배 시스템으로부터 잔류물을 제거하기에 충분한 시간 동안 상기 슬러리 유동을 지속시키는 단계를 포함하는, 화학 기계적 평탄화 슬러리 분배 시스템으로부터 잔류물 세정 방법.
  23. 제22항에 있어서, (b) 단계 직후에,
    c) 탈이온수로 상기 슬러리 분배 시스템을 씻어내는 단계를 추가로 포함하는 방법.
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2353609A1 (en) * 1998-12-04 2000-06-15 Marine Ultra Clean Limited Method for removing surface coatings
US20040029395A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Peng Zhang Process solutions containing acetylenic diol surfactants
US7208049B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment
US6498131B1 (en) * 2000-08-07 2002-12-24 Ekc Technology, Inc. Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus
US7220322B1 (en) * 2000-08-24 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Cu CMP polishing pad cleaning
US7077880B2 (en) * 2004-01-16 2006-07-18 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Surface modified colloidal abrasives, including stable bimetallic surface coated silica sols for chemical mechanical planarization
US6943142B2 (en) * 2002-01-09 2005-09-13 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous stripping and cleaning composition
US7513920B2 (en) * 2002-02-11 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations
US20030162398A1 (en) 2002-02-11 2003-08-28 Small Robert J. Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same
TWI339680B (en) * 2002-02-19 2011-04-01 Kanto Kagaku Washing liquid composition for semiconductor substrate
JP3799026B2 (ja) * 2002-03-29 2006-07-19 三洋化成工業株式会社 アルカリ洗浄剤
WO2003091377A1 (en) * 2002-04-25 2003-11-06 Arch Speciality Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues
KR20030089361A (ko) * 2002-05-17 2003-11-21 주식회사 하이닉스반도체 다결정 실리콘용 ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 형성 방법
US20040138176A1 (en) * 2002-05-31 2004-07-15 Cjb Industries, Inc. Adjuvant for pesticides
US20030224939A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-04 David Miles Adjuvant for pesticides
KR100500517B1 (ko) * 2002-10-22 2005-07-12 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼용 ｃｍｐ 설비
US20040217006A1 (en) * 2003-03-18 2004-11-04 Small Robert J. Residue removers for electrohydrodynamic cleaning of semiconductors
US6930017B2 (en) * 2003-08-21 2005-08-16 Micron Technology, Inc. Wafer Cleaning method and resulting wafer
JP2005075924A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Neos Co Ltd シリカスケール除去剤
US20050126588A1 (en) * 2003-11-04 2005-06-16 Carter Melvin K. Chemical mechanical polishing slurries and cleaners containing salicylic acid as a corrosion inhibitor
WO2005066325A2 (en) * 2003-12-31 2005-07-21 Ekc Technology, Inc. Cleaner compositions containing free radical quenchers
KR101166002B1 (ko) * 2004-02-09 2012-07-18 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 디바이스용 기판 세정액 및 세정방법
US7435712B2 (en) * 2004-02-12 2008-10-14 Air Liquide America, L.P. Alkaline chemistry for post-CMP cleaning
JP4632290B2 (ja) * 2004-03-23 2011-02-16 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法
KR100630737B1 (ko) * 2005-02-04 2006-10-02 삼성전자주식회사 금속 ｃｍｐ 후 세정액 및 이를 이용한 반도체 소자의금속 배선 형성 방법
WO2006125461A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Freescale Semiconductor, Inc Treatment solution and method of applying a passivating layer
KR20080059442A (ko) * 2005-10-13 2008-06-27 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 금속 상용성 포토레지스트 및/또는 희생 반사방지 코팅제거 조성물
US20070225186A1 (en) * 2006-03-27 2007-09-27 Matthew Fisher Alkaline solutions for post CMP cleaning processes
JP4804986B2 (ja) * 2006-03-30 2011-11-02 富士フイルム株式会社 半導体デバイス用基板の洗浄液及びそれを用いた洗浄方法
US7939941B2 (en) 2007-06-27 2011-05-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Formation of through via before contact processing
TWI437093B (zh) * 2007-08-03 2014-05-11 Epoch Material Co Ltd 半導體銅製程用水相清洗組合物
US8853830B2 (en) 2008-05-14 2014-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System, structure, and method of manufacturing a semiconductor substrate stack
US20100062164A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Lam Research Methods and Solutions for Preventing the Formation of Metal Particulate Defect Matter Upon a Substrate After a Plating Process
US7700535B1 (en) * 2009-01-12 2010-04-20 Ppt Research Wafer/Ingot cleaning in wire saw cutting comprising an ethoxylated alcohol/polyalkylsiloxane mixture
US8691664B2 (en) * 2009-04-20 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside process for a substrate
TWI447224B (zh) * 2009-12-25 2014-08-01 Uwiz Technology Co Ltd 使用於半導體晶圓製造之清洗組成物
KR102064487B1 (ko) * 2011-01-13 2020-01-10 엔테그리스, 아이엔씨. 세륨-함유 용액에 의해 발생된 입자의 제거를 위한 배합물
JP5767898B2 (ja) * 2011-08-12 2015-08-26 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US9201559B2 (en) * 2011-11-14 2015-12-01 Logitech Europe S.A. Method of operating a multi-zone input device
TWI572711B (zh) 2012-10-16 2017-03-01 盟智科技股份有限公司 半導體製程用的清洗組成物及清洗方法
US8647445B1 (en) * 2012-11-06 2014-02-11 International Business Machines Corporation Process for cleaning semiconductor devices and/or tooling during manufacturing thereof
US9058976B2 (en) 2012-11-06 2015-06-16 International Business Machines Corporation Cleaning composition and process for cleaning semiconductor devices and/or tooling during manufacturing thereof
US9576789B2 (en) 2013-01-29 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus, method, and composition for far edge wafer cleaning
EP2983195A1 (en) 2014-08-04 2016-02-10 EpiGan NV Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the iii-v type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure
US10109523B2 (en) * 2016-11-29 2018-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of cleaning wafer after CMP
CN108102554A (zh) * 2017-12-21 2018-06-01 北京世纪金光半导体有限公司 一种去除二氧化硅颗粒的抛光液
EP3572492A1 (en) 2018-05-24 2019-11-27 The Procter & Gamble Company Fine mist hard surface cleaning spray
EP3572491A1 (en) 2018-05-24 2019-11-27 The Procter & Gamble Company Spray container comprising a detergent composition
EP3572490A1 (en) 2018-05-24 2019-11-27 The Procter & Gamble Company Spray container comprising a detergent composition
EP3572493A1 (en) 2018-05-24 2019-11-27 The Procter & Gamble Company Spray container comprising a detergent composition
EP3572489A1 (en) 2018-05-24 2019-11-27 The Procter & Gamble Company Spray container comprising a detergent composition
CN110900455A (zh) * 2018-09-17 2020-03-24 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗液、化学机械研磨后清洗方法及晶圆
JP2023539624A (ja) * 2020-08-28 2023-09-15 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ポスト化学機械平坦化（ｃｍｐ）洗浄

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3721629A (en) 1969-05-21 1973-03-20 Dow Chemical Co Method and composition for removing iron stains from porcelain
US4507219A (en) * 1983-08-12 1985-03-26 The Proctor & Gamble Company Stable liquid detergent compositions
US5981454A (en) 1993-06-21 1999-11-09 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine
JP2847610B2 (ja) * 1993-03-19 1999-01-20 ライオン株式会社 電子部品洗浄用キャリア及び該キャリアを用いた洗浄方法
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5855844A (en) * 1995-09-25 1999-01-05 Crs Holdings, Inc. High-strength, notch-ductile precipitation-hardening stainless steel alloy and method of making
JP2950407B2 (ja) * 1996-01-29 1999-09-20 東京応化工業株式会社 電子部品製造用基材の製造方法
WO1998000676A1 (en) 1996-06-28 1998-01-08 Intelligent Enclosures Corporation Environmentally enhanced enclosure for managing cmp contamination
JPH1055993A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
US5780406A (en) * 1996-09-06 1998-07-14 Honda; Kenji Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
US5855811A (en) * 1996-10-03 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication
US6268323B1 (en) * 1997-05-05 2001-07-31 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
US5977041A (en) * 1997-09-23 1999-11-02 Olin Microelectronic Chemicals Aqueous rinsing composition
JP3377938B2 (ja) * 1997-10-21 2003-02-17 花王株式会社 洗浄剤組成物及び洗浄方法
WO1999023688A1 (en) 1997-10-30 1999-05-14 Advanced Micro Devices, Inc. Cleaning dried residue of a chemical-mechanical polishing slurry
DE69941088D1 (de) * 1998-05-18 2009-08-20 Mallinckrodt Baker Inc Alkalische, silikat enthaltende reinigungslösungen für mikroelektronische substrate
WO2000024842A1 (en) * 1998-10-23 2000-05-04 Arch Specialty Chemicals, Inc. A chemical mechanical polishing slurry system having an activator solution
US6413923B2 (en) * 1999-11-15 2002-07-02 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
US6194366B1 (en) * 1999-11-16 2001-02-27 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6498131B1 (en) * 2000-08-07 2002-12-24 Ekc Technology, Inc. Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus

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