CN108102554A - 一种去除二氧化硅颗粒的抛光液 - Google Patents

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杨三贵
刘治州
康徐芳
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    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/06—Other polishing compositions
    • C09G1/14—Other polishing compositions based on non-waxy substances
    • C09G1/18—Other polishing compositions based on non-waxy substances on other substances

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开了一种去除二氧化硅颗粒的抛光液，通过该抛光可以达到清洗去除碳化硅衬底表面颗粒的目的。所述抛光液包括两种成分，其中，成分一为异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的混合液；成分二为去离子水。本发明的抛光液不降低碳化硅衬底的厚度、不改变衬底表面的粗糙度，同时不产生任何划痕。通过它不仅能去除衬底表面的二氧化硅颗粒，同时也能去除其他顽固残留的颗粒。加工后的衬底表面，经原子力显微镜检测，粗糙度可稳定达到＜0.1nm；经光学表面分析仪检测，衬底有效面积在99％以上。

Description

一种去除二氧化硅颗粒的抛光液
技术领域
本发明涉及碳化硅衬底化学机械抛光后、衬底清洗之前的抛光领域，具体涉及一种去除二氧化硅颗粒的抛光液。
背景技术
SiC衬底是非常重要的第三代半导体材料，由于SiC晶体硬度较大，在后期加工过程中，为达到较高的表面水平，常使用二氧化硅作作为精抛抛光液，然后进行RCA清洗和HF清洗。
半导体衬底表面的洁净度对于获得高成品率的外延产品至关重要，由于精抛使用二氧化硅作为抛光液，其衬底表面主要是二氧化硅颗粒，以及及少量的其他金属粒子和有机成分的残留。
由于二氧化硅材料的特性，即便使用RCA或超声来清洗，也很难将其彻底去除，清洗后是仍有大量的二氧化硅颗粒聚集在衬底表面，从而降低衬底的有效使用面积，导致衬底清洗失败。提高衬底有效面积，是衬底外延必须解决的棘手环节。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种去除二氧化硅颗粒的抛光液，该抛光液的特点是一种抛光液通过化学机械作用将衬底表面的SiO2颗粒去除。它不降低碳化硅衬底的厚度、不改变衬底表面的粗糙度，同时不产生任何划痕。它不仅能去除衬底表面的二氧化硅颗粒，同时对于精抛所引入的顽固颗粒，去除效果更加明显。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种去除二氧化硅颗粒的抛光液，所述抛光液包括两种成分，其中，成分一为异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的混合液；成分二为去离子水。
进一步，所述抛光液中所述成分一的体积比为8～25％；成分二75～92％。
进一步，所述成分一中所述异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的体积比分别为2～5％、5～10％、5～10％、15～20％、>58％和3～5％。
进一步，所述成分一的PH值为13.0～14.0。
本发明具有以下有益技术效果：
本发明的抛光液的特点是一种抛光液，在化学机械作用下将衬底表面的SiO2颗粒去除，同时不会引入其他成分，以达到良好的衬底表面。它不降低碳化硅衬底的厚度、不改变衬底表面的粗糙度，同时不产生任何划痕；通过它能去除衬底表面的二氧化硅颗粒，尤其是其他顽固残留的颗粒。加工后的衬底表面，粗糙度可稳定达到＜0.1nm；经光学表面分析仪检测，衬底有效面积在99％以上。
附图说明
图1为实施例1中使用本发明的清洗液清洗后的Candela及AFM测试结果；
图2为实施例2中使用本发明的清洗液清洗后的Candela及AFM测试结果。
具体实施方式
下面，参考实施例，对本发明进行更全面的说明，实施例中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是，提供这些实施例，从而使本发明全面和完整，并将本发明的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。
本发明提供了一种去除二氧化硅颗粒的抛光液，该抛光液包括两种成分，其中，成分一为异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的混合液；成分二为去离子水。
抛光液中成分一的体积比为8～25％；成分二75～92％。
成分一中异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的体积比分别为2～5％、5～10％、5～10％、15～20％、>58％和3～5％。成分一的PH值为13.0～14.0。
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明：
实施例1：
抛光液中成分一的体积比为10％；成分二90％。
成分一中异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的体积比分别为2％、5％、5％、20％、63％和5％。混合后，成分一的PH值为13.5。
使用P810抛光机，抛光盘转速为：上盘15～35rmp；下盘15～35rmp；抛光布选用质地柔软的黑色聚氨酯阻尼抛光布；抛光时间：30～150秒。抛光结束之后，转入清洗工序，正常处理。
清洗后，Candela及AFM测试结果如图1所示：衬底有效面积99.19％、Ra为0.0877nm。
实施例2：
抛光液中成分一的体积比为20％；成分二80％。
成分一中异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的体积比分别为5％、8％、4％、15％、59％和3％。混合后，成分一的PH值为14。
使用P810抛光机，抛光盘转速为：上盘15～35rmp；下盘15～35rmp；抛光布选用质地柔软的黑色聚氨酯阻尼抛光布；抛光时间：30～150秒。抛光结束之后，转入清洗工序，正常处理。
清洗后，Candela及AFM测试结果如图2所示：衬底有效面积99.54％、Ra为0.0709nm。
实施例3：
抛光液中成分一的体积比为20％；成分二80％。
成分一中异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的体积比分别为3％、7％、7％、18％、61％和4％。混合后，成分一的PH值为13.6。
使用P810抛光机，抛光盘转速为：上盘15～35rmp；下盘15～35rmp；抛光布选用质地柔软的黑色聚氨酯阻尼抛光布；抛光时间：30～150秒。抛光结束之后，转入清洗工序，正常处理。
清洗后，Candela及AFM测试结果,衬底有效面积99.28％、Ra为0.0651nm。
上面所述只是为了说明本发明，应该理解为本发明并不局限于以上实施例，符合本发明思想的各种变通形式均在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种去除二氧化硅颗粒的抛光液，其特征在于，所述抛光液包括两种成分，其中，成分一为异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的混合液；成分二为去离子水。
2.根据权利要求1所述的去除二氧化硅颗粒的抛光液，其特征在于，所述抛光液中所述成分一的体积比为8～25％；成分二75～92％。
3.根据权利要求1所述的去除二氧化硅颗粒的抛光液，其特征在于，所述成分一中所述异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的体积比分别为2～5％、5～10％、5～10％、15～20％、>58％和3～5％。
4.根据权利要求1所述的去除二氧化硅颗粒的抛光液，其特征在于，所述成分一的PH值为13.0～14.0。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6169034B1 (en) * 1998-11-25 2001-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Chemically removable Cu CMP slurry abrasive
CN1449437A (zh) * 2000-08-07 2003-10-15 Ekc科技公司 用于清洗化学机械平面化设备的成分
CN101066583A (zh) * 2006-05-01 2007-11-07 住友电气工业株式会社 处理ⅲ族氮化物晶体表面的方法和ⅲ族氮化物晶体衬底
CN101096573A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 天津晶岭电子材料科技有限公司 一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法
JP4268402B2 (ja) * 2002-12-02 2009-05-27 花王株式会社 メモリーハードディスク基板の製造方法
CN102770524A (zh) * 2010-01-29 2012-11-07 高级技术材料公司 附有金属布线的半导体用清洗剂
CN103871871A (zh) * 2014-02-21 2014-06-18 上海华力微电子有限公司 一种去除硅片金属杂质的方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6169034B1 (en) * 1998-11-25 2001-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Chemically removable Cu CMP slurry abrasive
CN1449437A (zh) * 2000-08-07 2003-10-15 Ekc科技公司 用于清洗化学机械平面化设备的成分
JP4268402B2 (ja) * 2002-12-02 2009-05-27 花王株式会社 メモリーハードディスク基板の製造方法
CN101066583A (zh) * 2006-05-01 2007-11-07 住友电气工业株式会社 处理ⅲ族氮化物晶体表面的方法和ⅲ族氮化物晶体衬底
CN101096573A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 天津晶岭电子材料科技有限公司 一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法
CN102770524A (zh) * 2010-01-29 2012-11-07 高级技术材料公司 附有金属布线的半导体用清洗剂
CN103871871A (zh) * 2014-02-21 2014-06-18 上海华力微电子有限公司 一种去除硅片金属杂质的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孔建军: ""晶片化学机械抛光中的质量问题的研究及解决"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库（信息科技辑）》 *
申言 等: ""新型碱性清洗液对铝栅ＣＭＰ后硅溶胶的去除"", 《微纳电子技术》 *

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