TWI447224B - 使用於半導體晶圓製造之清洗組成物 - Google Patents

使用於半導體晶圓製造之清洗組成物 Download PDF

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Description

使用於半導體晶圓製造之清洗組成物
本發明是有關於一種半導體製程用的組成物，且特別是有關於一種用化學機械研磨製程後的清洗組成物。
在超大型積體電路(VLSI)製程中，化學機械研磨製程(chemical mechanical polishing，CMP)可提供晶圓表面全面性之平坦化(global planarization)，尤其當半導體製程進入次微米(sub-micron)領域後，化學機械研磨法更是一項不可或缺的製程技術。
在衡量化學機械研磨製程之表現的所有項目中，缺陷的存在與否為重要項目之一。化學機械研磨製程中所產生的缺陷包括有機殘留物、小顆粒、微刮痕及腐蝕等。其中，有機殘留物的起因為研漿的化學組成之作用。研漿的成分有時會與金屬層交互作用而在研磨墊或工具表面留下殘留物或污痕等汙染物。若這些污染物沒有清洗乾淨，將會使得研磨墊的效能降低，而降低膜層移除率，進而影響到膜層移除率的均一性，更甚者會縮短研磨墊的壽命。
舉例來說，在研磨銅金屬或阻障層的步驟之後，常會在晶圓及研磨墊上留下苯駢三氮唑(BTA，benzotriazole)殘留物。此殘留物很難移除，其會影響元件的電性效能且會縮短研磨墊的壽命。
因此，為去除進行化學機械研磨製程後產生之污染 物，於化學機械研磨後必須加入一清洗步驟。目前，積體電路製造工廠中是使用酸性或中性的清洗液，並利用刷洗、噴洗或超音波清洗等方式，以達到去除晶圓表面之污染物之效果。然而，酸性或中性的清洗液會過度移除晶圓上的金屬導線，而造成晶圓表面的粗糙度增加。此外，上述清洗液會使得研磨墊的再利用性降低。
由於上述習知之清洗方式並無法有效地移除污染物，且不能有效地改良經化學機械研磨後之晶圓表面的性質。因此，業界仍積極尋求一種可有效清除晶圓表面經化學機械研磨後殘留污染物的清洗方法，且能維持晶圓表面之平坦度，同時更具經濟效益之化學機械研磨後的清洗。
本發明提供一種清洗組成物，能有效地移除進行化學機械研磨製程後所產生的殘留物。
本發明提出一種清洗組成物，包括多胺基羧酸鹽(polyamino carboxylic salt)、酸及水。多胺基羧酸鹽的含量為0.01重量%至0.5重量%。酸的含量為0.01重量%至0.5重量%。其中，清洗組成物的剩餘部份為水。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，多胺基羧酸鹽為選自乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid)、二乙烯三胺五乙酸(diethylenetriaminepentatacetic acid)、三甘胺酸nitrilotriacetic acid、N-羥乙基乙二胺三乙酸 (N-(hydroxyethyl)-ethylenediaminetriacetic acid)、羥乙基亞胺基二乙酸(hydroxyethyliminodiacetic acid)的鹼金屬鹽及銨鹽(ammonium salt)中的至少一者。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，酸為膦羧酸(phosphonic carboxylic acid)及羧酸(carboxylic acid)中的至少一者。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，膦羧酸為選自2-胺基乙基膦酸(2-aminoethylphosphonic acid，AEPN)、甲基膦酸二甲酯(Dimethyl methylphosphonate，DMMP)、羥基乙叉二膦酸(1-Hydroxy Ethylidene-1,1-Diphosphonic Acid，HEDP)、胺基三甲叉膦酸(Amino tris(methylene phosphonic acid)，ATMP)、乙二胺四甲叉膦酸(Ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)，EDTMP)、四亞甲基乙二胺四甲叉膦酸(Tetramethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)，TDTMP)、己二胺四甲叉膦酸(Hexamethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)，HDTMP)、二亞乙基三胺五甲叉膦酸(Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid)，DTPMP)、2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸(2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxlic acid，PBTC)、N-(膦羧甲基)亞胺基二乙酸(N-(phosphonomethyl)iminodiacetic acid，PMIDA)、2-羧乙基膦酸(2-carboxyethyl phosphonic acid，CEPA)及2-羥基膦醯基乙酸(2-Hydroxyphosphonocarboxylic acid，HPAA)中的至少一 者。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，羧酸為選自甲酸(formic acid)、乙酸(acetic acid)、丙酸(propionic acid)、草酸(oxalic acid)、丙烯酸(acrylic acid)、苯甲酸(benzoic acid)、順丁烯二酸(maleic acid)、蘋果酸(malic acid)、戊二酸(glutaric acid)、丙二酸(malonic acid)、已二酸(adipic acid)、檸檬酸(citric acid)、鳥頭酸(aconitic acid)中的至少一者。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，清洗組成物更包括界面活性劑。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，界面活性劑為非離子界面活性劑(nonionic surfactant)、陰離子界面活性劑(anionic surfactant)或其組合。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，非離子界面活性劑為選自烷基聚乙烯氧化物(alkyl poly(ethylene oxide))、烷基酚聚乙烯氧化物(alkylphenol poly(ethylene oxide))及烷基聚葡萄糖苷(alkyl polyglucosides)中的至少一者。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，陰離子界面活性劑為選自烷基硫酸鹽(alkyl sulfate salt)及烷基苯磺酸鹽(alkyl benzene sulfonate)中的至少一者。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，烷基硫酸鹽為選自十二硫酸鈉(sodium dodecyl sulfate)、十二烷基硫酸銨(ammonium lauryl sulfate)及十二 烷基醚硫酸鈉(sodium laureth sulfate)中的至少一者。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，烷基苯磺酸鹽包括十二烷基苯磺酸(dodecylbenzene sulfonic acid)。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，清洗組成物包括離子增強劑，其含量為0.01重量%至0.5重量%。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，離子增強劑為選自甲酸、乙酸、丙酸、草酸、丙烯酸、苯甲酸、順丁烯二酸、蘋果酸、戊二酸、丙二酸、已二酸、檸檬酸、，鳥頭酸、水楊酸(salicylic acid)、酒石酸(tartaric acid)、乙醇酸(glycolic acid)及磺酸(sulfonic acid)的胺鹽、鉀鹽、鈉鹽及鋰鹽中的至少一者。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，清洗組成物可濃縮為高濃縮清洗組成物。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，高濃縮清洗組成物的濃縮倍數為20倍至60倍。
依照本發明的一實施例所述，在上述之清洗組成物中，清洗組成物的酸鹼值為8至12。
基於上述，由於本發明所提出之清洗組成物具有多胺基羧酸鹽，使得清洗組成物成鹼性，因此能在進行化學機械研磨製程之後有效地對晶圓及研磨墊等進行清洗，且不會對其造成傷害。
此外，由於化學機械研磨製程中所使用的研漿與本發 明所提出之清洗組成物同為鹼性，可避免產生酸鹼衝擊(pH shock)。另一方面，在此鹼性環境下，可使得研磨粒具有較佳的動電位(zeta potential)，而能增進清洗組成物的清洗能力。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
首先，說明本發明之清洗組成物，其適用於進行化學機械研磨製程後，對於晶圓以及研磨墊等的清洗製程中。
本發明的一實施例之清洗組成物包括多胺基羧酸鹽、酸及水。
多胺基羧酸鹽的含量為0.01重量%至0.5重量%，可以使得清洗組成物呈鹼性。清洗組成物的酸鹼值例如是8至12。多胺基羧酸鹽例如是選自乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、三甘胺酸、N-羥乙基乙二胺三乙酸、羥乙基亞胺基二乙酸的鹼金屬鹽及銨鹽中的至少一者。
酸的含量為0.01重量%至0.5重量%。酸例如是膦羧酸及羧酸(carboxylic acid)中的至少一者。
羧酸例如是選自甲酸、乙酸、丙酸、草酸、丙烯酸、苯甲酸、順丁烯二酸、蘋果酸、戊二酸、丙二酸、已二酸、檸檬酸、鳥頭酸中的至少一者。
膦羧酸例如是選自2-胺基乙基膦酸、甲基膦酸二甲酯、羥基乙叉二膦酸、胺基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦 酸、四亞甲基乙二胺四甲叉膦酸、己二胺四甲叉膦酸、二亞乙基三胺五甲叉膦酸、2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸、N-(膦羧甲基)亞胺基二乙酸、2-羧乙基膦酸及2-羥基膦醯基乙酸中的至少一者。
此外，清洗組成物更可包括界面活性劑，以增加清洗組成物的親水性。界面活性劑例如是非離子界面活性劑、陰離子界面活性劑或其組合。其中，非離子界面活性劑例如是選自烷基聚乙烯氧化物、烷基酚聚乙烯氧化物及烷基聚葡萄糖苷中的至少一者。陰離子界面活性劑例如是選自烷基硫酸鹽及烷基苯磺酸鹽中的至少一者。烷基硫酸鹽例如是選自十二硫酸鈉、十二烷基硫酸銨及十二烷基醚硫酸鈉中的至少一者。烷基苯磺酸鹽例如是十二烷基苯磺酸。
另外，清洗組成物更可包括離子增強劑，其含量為0.01重量%至0.5重量%，可以改善清洗組成物的蝕刻能力。離子增強劑例如是選自甲酸、乙酸、丙酸、草酸、丙烯酸、苯甲酸、順丁烯二酸、蘋果酸、戊二酸、丙二酸、已二酸、檸檬酸、鳥頭酸、水楊酸、酒石酸、乙醇酸及磺酸的胺鹽、鉀鹽、鈉鹽及鋰鹽中的至少一者。
除此之外，清洗組成物的剩餘部份為水。水例如是去離子水。
值得注意的是，基於商業因素考量，可將清洗組成物濃縮為高濃縮清洗組成物，能減少清洗組成物的重量及體積，以大幅地降低清洗組成物的運送成本及所需的囤貨空間。高濃縮清洗組成物的濃縮倍數例如是20倍至60倍。
基於上述，由於本實施例所提出之清洗組成物具有多胺基羧酸鹽，使得清洗組成物成鹼性，所以在進行化學機械研磨製程之後，能夠有效地對晶圓及研磨墊等進行清洗，且不會對晶圓及研磨墊造成傷害。
此外，由於化學機械研磨製程中所使用的研漿與本實施例所提出之清洗組成物同為鹼性，因此並不存在酸鹼衝擊(pH shock)。另一方面，在此鹼性環境下，可使得研磨粒具有較佳的動電位(zeta potential)而能防止研磨粒聚集，且能增進對於小顆粒的清洗能力，還對如苯駢三氮唑等有機殘留物具有較佳的溶解度。
以下，進行實際的實驗測試。其中，配方1至配方10為濃縮後的產品，在各實驗例中用以清洗的清洗液樣品為經稀釋的樣品，稱之為「使用時的樣品(point-of-use(POU)sample，以下簡稱POU樣品)」。
【實驗例一】
配方1至配方6之清洗組成物的組成成分、比例及酸鹼值如下表1所示。其中，配方1至配方6之清洗組成物的剩餘部份為水。在實驗例一中，配方1至配方6之POU樣品為以去離子水稀釋40倍後的樣品。
註：KDTPA：二乙烯三胺五乙酸五鉀鹽(potassium diethylenetriaminepentaacetate)PBTC：2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸(2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxlic acid)
(一)靜態蝕刻率測試
1. 所使用的晶圓、量測儀器及實驗方法如下：晶圓：200毫米的銅覆蓋晶圓，其中銅厚度為2000埃
量測儀器：X-光螢光分析儀(X-ray Fluorescence Spectrometer，XRF)
實驗方法：首先，以40倍的去離子水對配方1至配方6之清洗組成物進行稀釋。接著，將銅覆蓋晶圓浸泡於配方1至配方6之清洗組成物的稀釋溶液中240分鐘。然後，利用XRF量測經蝕刻前後銅的厚度，以計算出平均的靜態蝕刻率(static etching rate，SER)。
2. 靜態蝕刻率測試的結果：如下表2所示。
請參照表2，配方1至配方6之POU樣品對於晶圓上之銅金屬的SER都很低，均小於5埃/分。由此可知，配方1至配方6之POU樣品並不會對銅金屬造成過度蝕刻的侵蝕現象，且不會有底切現象(under cut)產生。因此，配方1至配方6之POU樣品適用於現行半導體製程中。
(二)濕潤測試(wetting test)
1. 所使用的晶圓、量測儀器及實驗方法如下：晶圓：200毫米的銅覆蓋晶圓及MIT 854圖案化晶圓
研漿：SuperNova SN2000銅研漿及SuperNova 4500阻障層研漿
量測儀器：接觸角量測儀(contact angle meter)
實驗方法：首先，以40倍的去離子水對配方1至配方6之清洗組成物進行稀釋。接著，利用接觸角量測儀量測配方1至配方6的POU樣品於銅覆蓋晶圓上的接觸角。
此外，關於MIT 854圖案化晶圓，先利用Applied Marterials Mirra研磨機台以SuperNova SN2000銅研漿及SuperNova 4500阻障層研漿對MIT 854圖案化晶圓進行研磨。接著，利用配方1至配方6的POU樣品以15毫升/分的流率對MIT 854圖案化晶圓進行清洗。在對MIT 854圖案化晶圓進行清洗之後，利用接觸角量測儀量測去離子水於MIT 854圖案化晶圓上的接觸角。
2. 濕潤測試的結果：如下表3所示。
表3
請參照表3，配方1至配方6之POU樣品於晶圓上的接觸角都很小，故對於晶圓有較佳的溼潤能力。此外，去離子水在經配方1至配方6之POU樣品清洗後的晶圓上的接觸角也都很小，故去離子水對於經配方1至配方6之POU樣品清洗後的晶圓具有較佳的溼潤能力。
由上述可知，當使用配方1至配方6之POU樣品對晶圓進行清洗時，配方1至配方6之POU樣品及去離子水對於晶圓均具有較佳的溼潤能力，因此可有效地對晶圓進行清洗。
(三)清洗後的粗糙度測試
1. 所使用的晶圓、量測儀器及實驗方法如下：晶圓：MIT 854圖案化晶圓
研漿：SuperNova SN2000銅研漿及SuperNova 4500阻障層研漿
量測儀器：原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope,AFM)
實驗方法：首先利用Applied Marterials Mirra研磨機台，以SuperNova SN2000銅研漿及SuperNova 4500阻障 層研漿對MIT 854圖案化晶圓進行研磨。接著，利用配方1至配方6的POU樣品以15毫升/分的流率對MIT 854圖案化晶圓進行清洗。在對MIT 854圖案化晶圓進行清洗之後，利用AFM量測經蝕刻前後晶圓表面的粗糙度。
2. 粗糙度測試的結果：如下表4所示。
請參照表4，配方1至配方6之POU樣品對於晶圓上之銅金屬的粗糙度都很低，Ra均小於規格所要求的7埃。由此可知，利用配方1至配方6之POU樣品對晶圓進行清洗能具有較佳的表面粗糙度。
【實驗例二】
配方7至配方10之清洗組成物的組成成分、比例及酸鹼值如下表5所示。其中，配方7至配方10之清洗組成物的剩餘部份為水。配方7至配方10為濃縮後的產品，在實驗例二中，配方7至配方10之POU樣品為以去離子水稀釋40倍後的樣品。
表5
以下，利用配方7至配方10之POU樣品進行SER測試、粗糙度測試、濕潤測試、BTA溶解度測試及動電位測試，其測試的結果如下表6所示。
1. SER測試的結果：請參照表6，配方7至配方10之POU樣品對於晶圓上之銅金屬的SER都很低，均小於3埃/分。由此可知，配方7至配方10之POU樣品並不會對銅金屬造成過度蝕刻。
2. 粗糙度測試的結果：請參照表6，配方7至配方10之POU樣品對於晶圓上之銅金屬的粗糙度都很低，均小於規格所要求的7埃。
3. 濕潤測試的結果：請參照表6，由配方7及配方8之POU樣品的實驗結果可知，由於在配方8中添加陰離子界面活性劑，因此配方8相較於配方7具有較佳的溼潤特性。
4. BTA溶解度測試：請參照表6，配方7至配方10之POU樣品相較於去離子具有較佳的BTA溶解度。此外，添加草酸銨的配方9與添加檸檬酸銨的配方10具有較佳的BTA溶解度。由此可知，在清洗組成物中添加如草酸銨及檸檬酸銨等的離子增強劑，有助於溶解BTA等有機殘留物，且SER、粗糙度與濕潤特性仍可維持在很好的水準。
5. 動電位測試：請參照表6，在以配方7至配方10之POU樣品進行清洗的SiO2 研磨粒具有相當高的負動電位，能使得研磨粒與晶圓之間存在相當大的排斥力，所以可防止研磨粒黏附於晶圓上，進而具有較佳的清洗能力。
【實驗例三】
實驗方法：提供兩片MIT 854圖案化晶圓，先利用Mirra研磨機台以SuperNova SN2000銅研漿及SuperNova 4500阻障層研漿對MIT 854圖案化晶圓進行研磨。接著，分別利用去離子水以及配方7之POU樣品對晶圓進行清洗。在實驗例三中，配方7之POU樣品為以去離子水稀釋40倍後的樣品。
圖1A及圖1B為本發明之一實驗例之在化學機械研磨製程後以去離子水對晶圓進行清洗後的照片圖。
圖2A及圖2B為本發明之一實驗例之在化學機械研磨製程後以配方7之POU樣品對晶圓進行清洗後的照片圖。
請同時參照圖1A及圖1B，在利用去離子水進行清洗的晶圓上，在圖1A的銅金屬線區域內以及圖1B的銅金屬線與氧化矽介電層的交界處均出現有機殘留物。由此可知，單以去離子水進行清洗並無法有效地移除晶圓上的有機殘留物。
請同時參照圖2A及圖2B，在利用配方7之POU樣品進行清洗的晶圓上，在圖2A的銅金屬線區域內以及圖2B的銅金屬線與氧化矽介電層的交界處均沒有發現有機殘留物。由此可知，利用配方7之POU樣品進行清洗可以有效地移除晶圓上的有機殘留物。
【實驗例四】
金屬離子殘留測試：
1. 實驗方法：提供三片MIT 854圖案化晶圓，先利用Mirra(產品名)研磨機台以SuperNova SN2000銅研漿及SuperNova 4500阻障層研漿對MIT 854圖案化晶圓進行研磨。接著，其中一片晶圓不使用清洗液進行清洗，另外兩片晶圓分別利用配方5及配方7之POU樣品對晶圓進行清洗。之後，利用全反射X光螢光光譜法(total reflection X-ray fluorescence(TXRF)spectroscopy)進行金屬殘留物的量 測。在實驗例四中，配方5及配方7之POU樣品為以去離子水稀釋40倍後的樣品。
2. 金屬離子殘留測試的結果：如下表7所示。
請參照表7，在不使用清洗液進行清洗的晶圓上，會留下大量金屬離子殘留物。然而，利用配方5及配方7之POU樣品進行清洗的晶圓上，僅留下微量的金屬離子殘留物。由此可知，利用配方5及配方7之POU樣品對晶圓進 行清洗可有效地移除晶圓上的金屬離子殘留物。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
圖1A及圖1B為本發明之一實驗例之在化學機械研磨製程後以去離子水對晶圓進行清洗後的照片圖。
圖2A及圖2B為本發明之一實驗例之在化學機械研磨製程後以配方7之POU樣品對晶圓進行清洗後的照片圖。

Claims (14)

  1. 一種使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，包括：多胺基羧酸鹽(polyamino carboxylic salt)，其含量為0.01重量%至0.5重量%，其中所述多胺基羧酸鹽為選自乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid)、二乙烯三胺五乙酸(diethylenetriaminepentatacetic acid)、三甘胺酸(nitrilotriacetic acid)、N-羥乙基乙二胺三乙酸(N-(hydroxyethyl)-ethylenediaminetriacetic acid)、羥乙基亞胺基二乙酸(hydroxyethyliminodiacetic acid)的鹼金屬鹽及銨鹽(ammonium salt)中的至少一者；酸，其含量為0.01重量%至0.5重量%，其中所述酸為膦羧酸(phosphonic carboxylic acid)及羧酸(carboxylic acid)中的至少一者；以及水，其中前述清洗組成物的剩餘部份為前述水。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，其中所述膦羧酸為選自2-胺基乙基膦酸(2-aminoethylphosphonic acid，AEPN)、甲基膦酸二甲酯(Dimethyl methylphosphonate，DMMP)、羥基乙叉二膦酸(1-Hydroxy Ethylidene-1,1-Diphosphonic Acid，HEDP)、胺基三甲叉膦酸(Amino tris(methylene phosphonic acid)，ATMP)、乙二胺四甲叉膦酸(Ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)，EDTMP)、四亞甲基乙二胺四甲叉膦酸(Tetramethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)，TDTMP)、己二胺四甲叉膦酸 (Hexamethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)，HDTMP)、二亞乙基三胺五甲叉膦酸(Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid)，DTPMP)、2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸(2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxlic acid，PBTC)、N-(膦羧甲基)亞胺基二乙酸(N-(phosphonomethyl)iminodiacetic acid，PMIDA)、2-羧乙基膦酸(2-carboxyethyl phosphonic acid，CEPA)及2-羥基膦醯基乙酸(2-Hydroxyphosphonocarboxylic acid，HPAA)中的至少一者。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，其中所述羧酸為選自甲酸(formic acid)、乙酸(acetic acid)、丙酸(propionic acid)、草酸(oxalic acid)、丙烯酸(acrylic acid)、苯甲酸(benzoic acid)、順丁烯二酸(maleic acid)、蘋果酸(malic acid)、戊二酸(glutaric acid)、丙二酸(malonic acid)、已二酸(adipic acid)、檸檬酸(citric acid)、鳥頭酸(aconitic acid)中的至少一者。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，更包括界面活性劑。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，其中所述界面活性劑為非離子界面活性劑(nonionic surfactant)、陰離子界面活性劑(anionic surfactant)或其組合。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，其中所述非離子界面活性劑為選自烷 基聚乙烯氧化物(alkyl poly(ethylene oxide))、烷基酚聚乙烯氧化物(alkylphenol poly(ethylene oxide))及烷基聚葡萄糖苷(alkyl polyglucosides)中的至少一者。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，其中所述陰離子界面活性劑為選自烷基硫酸鹽(alkyl sulfate salt)及烷基苯磺酸鹽(alkyl benzene sulfonate)中的至少一者。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，其中所述烷基硫酸鹽為選自十二硫酸鈉(sodium dodecyl sulfate)、十二烷基硫酸銨(ammonium lauryl sulfate)及十二烷基醚硫酸鈉(sodium laureth sulfate)中的至少一者。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，其中所述烷基苯磺酸鹽包括十二烷基苯磺酸(dodecylbenzene sulfonic acid)。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，更包括離子增強劑，其含量為0.01重量%至0.5重量%。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，所述離子增強劑為選自甲酸、乙酸、丙酸、草酸、丙烯酸、苯甲酸、順丁烯二酸、蘋果酸、戊二酸、丙二酸、已二酸、檸檬酸、鳥頭酸、水楊酸(salicylic acid)、酒石酸(tartaric acid)、乙醇酸(glycolic acid)及磺酸(sulfonic acid)的胺鹽、鉀鹽、鈉鹽及鋰鹽中的至少一者。
  12. 如申請專利範圍第1項至第11項中任何一項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，其可濃縮為高濃縮清洗組成物。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，其中所述高濃縮清洗組成物的濃縮倍數為20倍至60倍。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之使用於半導體晶圓製造之清洗組成物，其中所述清洗組成物的酸鹼值為8至12。
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