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Die
vorliegende Erfindung betrifft allgemein organische lichtemittierende
Vorrichtungen und insbesondere eine Verbesserung bei phosphoreszierenden
organischen lichtemittierenden Vorrichtungen.
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Organische
lichtemittierende Vorrichtungen haben bezüglich einer Verwendung in der
nächsten
Generation von Flachbildschirmen Aufmerksamkeit erlangt. Die Verwendung
organischer lichtemittierender Vorrichtungen ermöglicht die Realisierung einer
hochauflösenden
Farbanzeige bzw. eines hochauflösenden
Farbbildschirms mit Eigenschaften wie z.B. einer Ansteuerung mit
einer niedrigen Gleichspannung, einem breiten Betrachtungswinkel,
Eigenemission und dergleichen. Zu diesem Zweck ist es erforderlich,
die Effizienz der Emission organischer lichtemittierender Vorrichtungen
weiter zu verbessern.
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Herkömmliche
organische lichtemittierende Vorrichtungen emittieren Licht vorwiegend
durch Fluoreszenz. In solchen Vorrichtungen werden Elektronen und
Löcher
von Elektroden injiziert, diese wandern in Richtung der ihnen gegenüber liegenden
Elektrode und rekombinieren dann in einem bestimmten Verhältnis in
einer Emissionsschicht, so dass Exzitonen erzeugt werden. Wenn der
angeregte Zustand des Excitons in den Grundzustand zurückkehrt,
wird Licht erzeugt. Während
es zwei angeregte Zustände
gibt, nämlich
einen angeregten Singulett-zustand, bei dem die Spinrichtungen eines
Elektronenpaars entgegengesetzt sind, und einen angeregten Triplettzustand,
bei dem Gruppen von zwei Elektronen die gleiche Elektronenspinrichtung
aufweisen, trägt
nur der angeregte Singulettzustand zu der vorstehend beschriebenen
Fluoreszenzemission bei. Da das Erzeugungsverhältnis des angeregten Singulettzustands
zu dem angeregten Triplettzustand auf der Basis der Interferenz
durch einfache Quantenmechanik 1 zu 3 betragen kann, beträgt der Maximalwert
der internen Quanteneffizienz für
die organische lichtemittierende Vorrichtung unter Nutzung von Fluoreszenz
25 %. D.h., 75 % der Energie des angeregten Zustands tragen nicht
zur Lichtemission bei. Ferner beträgt der Brechungsindex (n) eines
für die
organische lichtemittierende Vorrichtung verwendeten organischen
Materials etwa 1,6 bis 1,7 und die externe Emissionseffizienz (ηext) beträgt
1/(2n2), was etwa 0,2 entspricht, d.h. ein
Maximum von etwa 20 % auf der Basis des Brechungs- und Reflexionsgesetzes
der klassischen Optik. Demgemäß beträgt die externe
Quanteneffizienz für
die organische lichtemittierende Vorrichtung, bei der eine Fluoreszenz
genutzt wird, 25 % × 20
%, und es wird geschätzt,
dass sie höchstens
etwa 5 % beträgt.
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Es
ist daher bevorzugt, die Lichtemission von dem angeregten Triplettzustand
zu nutzen, die in einem Ausmaß von
75 % zu der Phosphoreszenz des angeregten Zustands beiträgt, um die
externe Quanteneffizienz zu erhöhen.
Wenn eine solche Nutzung ermöglicht
wird, kann die externe Quanteneffizienz auf bis zu 20 % erhöht werden.
Zu diesem Zweck wurde eine organische lichtemittierende Vorrichtung
vorgeschlagen, welche die Phosphoreszenz unter Nutzung eines Iridiumkomplexes
als Dotierungssubstanz ausnutzt und die z.B. in M.A. Baldo, S. Lamansky,
P.E. Burrows, M.E. Thompson, S.R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 75
(1999) 4., „Very high-efficiency
green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence" beschrieben ist.
Gemäß der Struktur
einer solchen organischen lichtemittierenden Vorrichtung wurde ein
Ergebnis erhalten, bei dem die externe Quanteneffizienz 5 % übersteigt.
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Die 1 ist
ein Diagramm, das bei der Erläuterung
des Prinzips der Lichtemission der vorstehend beschriebenen organischen
lichtemittierenden Vorrichtung, bei der eine Phosphoreszenz unter
Nutzung eines Iridiumkomplexes als Dotierungssubstanz ausgenutzt
wird, nützlich
ist. Gemäß der 1 wird
ein Wirtsmaterial, das mit einem Iridiumkomplex dotiert ist, zuerst
durch eine Rekombination eines Elektrons mit einem Loch angeregt.
In diesem Fall liegt der angeregte Singulettzustand zu 25 % und
der angeregte Triplettzustand zu 75 % vor, wie es vorstehend beschrieben
worden ist. Als nächstes
wird der angeregte Zustand des Wirtsmaterials auf den Iridiumkomplex
als Dotierungssubstanz übertragen
und der angeregte Singulettzustand bzw. der angeregte Triplettzustand
werden erzeugt. Der angeregte Singulettzustand des Iridiumkomplexes
wird ferner auf den angeregten Triplettzustand übertragen und schließlich ist
die gesamte Lichtemission eine Phosphoreszenzemission von dem angeregten
Triplettzustand. Dadurch kann die gesamte Energie des erzeugten
angeregten Zustands als Energie für die Lichtemission verwendet
werden.
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Da
jedoch die Lichtemissionseffizienz der vorstehend beschriebenen
herkömmlichen
organischen lichtemittierenden Vorrichtung, bei der eine Phosphoreszenz
genutzt wird, noch keine 20 % erreicht hat, wobei es sich um die
theoretische Grenze der Lichtemissionseffizienz handelt, ist es
erforderlich, die Lichtemissionseffizienz weiter zu verbessern.
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Ferner
wurde als Wirtsmaterial, das mit dem vorstehend beschriebenen Iridiumkomplex
dotiert worden ist, z.B. 4,4'-N,N'-Dicarbazolbiphenyl,
CBP, verwendet. Da dieses Wirtsmaterial jedoch eine schlechte Wärmebeständigkeit
aufweist, bestand ein Problem dahingehend, dass es nicht in Hochtemperaturbereichen,
wie z.B. innerhalb eines Kraftfahrzeugs, verwendet werden kann.
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Y.T.
Tao et al., „Dipyrazolopyridine
derivatives as bright blue electroluminescent materials", Applied Physics
Letters, Band 77, Nr. 7, 14. August 2000, Seiten 933–935, XP002254933,
beschreiben eine organische lichtemittierende Vorrichtung, die Fluoreszenz
emittiert, wobei die Vorrichtung PAP-X als eine fluoreszierende
Verbindung umfasst, die in einer Elektronentransportschicht aus
TPBI (eine Imidazolverbindung) dotiert ist, und wobei NPB und CBP
als Löchertransportschichten
verwendet werden.
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Die
vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf das vorstehend genannte
Problem des Standes der Technik gemacht und eine Aufgabe der vorliegenden
Erfindung ist die Bereitstellung einer organischen lichtemittierenden
Vorrichtung mit einer hohen Lichtemissionseffizienz und einer hohen
Wärmebeständigkeit.
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Die
vorstehend genannte Aufgabe wird durch eine organische lichtemittierende
Vorrichtung gemäß Anspruch
1 gelöst.
Weiterentwicklungen der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
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Erfindungsgemäß ist es
möglich,
die Wärmebeständigkeit
der organischen lichtemittierenden Vorrichtung zu erhöhen, da
die Glasübergangstemperatur
des organischen Materials 100°C
und mehr beträgt.
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Erfindungsgemäß ist es
möglich,
die Absorption eines Exzitons, das in der lichtemittierenden Schicht erzeugt
worden ist, in der Anode zu verhindern, und da das Ionisierungspotenzial
der Elektronentransportschicht hoch ist, kann ein Loch blockiert
werden, so dass die Lichtemissionseffizienz der organischen lichtemittierenden
Vorrichtung erhöht
wird.
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Der
angeregte Zustand kann erfindungsgemäß durch die Überlappung
der Spektren leicht von dem Wirtsmaterial auf das Gastmaterial übertragen
werden, so dass die Lichtemissionseffizienz der organischen lichtemittierenden
Vorrichtungen erhöht
wird.
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Ferner
ist es erfindungsgemäß möglich, eine
Absorption des Exzitons in der Metallelektrode der lichtemittierenden
Schicht und ein Diffundieren des Lochs, das in die lichtemittierende
Schicht injiziert worden ist, zu der Elektronentransportschicht
zu verhindern.
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1 ist
ein Diagramm zur Erläuterung
des Mechanismus einer Phosphoreszenzemission, wenn ein phosphoreszierendes
Molekül
eines Iridiumkomplexes als Dotierungssubstanz verwendet wird.
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2 ist
eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform 1 einer erfindungsgemäßen organischen lichtemittierenden
Vorrichtung.
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3 ist
das Energieniveaudiagramm der in der 2 gezeigten
organischen lichtemittierenden Vorrichtung.
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4 ist
eine Querschnittsansicht einer Modifizierung von Ausführungsform
1.
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5 ist
ein Energieniveaudiagramm der in der 4 gezeigten
organischen lichtemittierenden Vorrichtung.
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6 ist
eine Querschnittsansicht einer Struktur einer Ausführungsform
2 der erfindungsgemäßen organischen
lichtemittierenden Vorrichtung.
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7 ist
ein Energieniveaudiagramm der in der 6 gezeigten
organischen lichtemittierenden Vorrichtung.
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8 ist
eine Querschnittsansicht einer Modifizierung von Ausführungsform
2.
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9 ist
ein Energieniveaudiagramm der in der 8 gezeigten
organischen lichtemittierenden Vorrichtung.
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10 ist
eine Querschnittsansicht eines Arbeitsbeispiels der organischen
lichtemittierenden Vorrichtung gemäß 4.
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11 ist
eine Querschnittsansicht eines Arbeitsbeispiels der organischen
lichtemittierenden Vorrichtung gemäß 4.
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12 ist
eine Querschnittsansicht eines Vergleichsbeispiels gemäß den 10 und 11.
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13 ist
ein Diagramm, das das Verhältnis
der externen Quanteneffizienz zur Stromdichte für die in den 10 und 12 gezeigten
organischen lichtemittierenden Vorrichtungen zeigt.
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14 ist
ein Diagramm, das das Verhältnis
der externen Quanteneffizienz zur Stromdichte für die in den 11 und 12 gezeigten
organischen lichtemittierenden Vorrichtungen zeigt.
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15 ist
ein Diagramm, das das Verhältnis
der externen Quanteneffizienz zur Temperatur der Vorrichtung zeigt.
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16 ist
ein Diagramm, das ein Arbeitsbeispiel der in der 6 gezeigten
Ausführungsform
2 zeigt.
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17 ist
ein Diagramm, das eine Struktur eines Dünnfilms zum Vergleich der Wärmebeständigkeit eines
organischen Dünnfilms
zeigt.
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18 ist
ein Diagramm, das die Ergebnisse von Wärmebeständigkeitstests der in den 17(a) und (b) gezeigten Dünnfilme
zeigt.
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19 ist
ein Diagramm, das die Ergebnisse eines Wärmebeständigkeitstests des in der 17(c) gezeigten Dünnfilms zeigt.
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20 ist
ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Stromdichte und der
externen Quanteneffizienz für
die organischen lichtemittierenden Vorrichtungen von Beispiel 7
zeigt.
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21 ist
ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der elektrischen Stromdichte
und der externen Quanteneffizienz in einer Atmosphäre mit Raumtemperatur
und 85°C
für die
organischen lichtemittierenden Vorrichtungen von Beispiel 7 zeigt.
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Unter
Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen werden nachstehend die Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung (nachstehend als „Ausführungsformen" bezeichnet) beschrieben.
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Ausführungsform 1
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Die 2 zeigt
eine Querschnittsansicht der Struktur der erfindungsgemäßen organischen
lichtemittierenden Vorrichtung. Gemäß der 2 ist eine
Löchertransportschicht 12 auf
einer aus ITO oder dergleichen ausgebildeten Anode 10 ausgebildet,
eine Elektronentransportschicht 14 ist auf der Löchertransportschicht 12 ausgebildet
und eine Kathode 16 ist auf der Elektronentransportschicht 14 ausgebildet.
Die Löchertransportschicht 12 und
die Elektronentransportschicht 14 sind aus einer organischen
Verbindung ausgebildet und die organische lichtemittierende Vorrichtung
umfasst eine Mehrzahl von organischen Schichten.
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In
dieser Ausführungsform
ist die Löchertransportschicht
12 mit
einem phosphoreszierenden Molekül dotiert
und wird als lichtemittierende Schicht verwendet. Ein organisches
Material, welches das nachstehend veranschaulichte Grundgerüst aufweist,
wird als Wirtsmaterial in der organischen Schicht verwendet, welche die
Löchertransportschicht
12 bildet,
die für
die lichtemittierende Schicht verwendet wird:
worin zwischen R
1 und
R
2 und/oder zwischen R
3 und
R
4 und/oder zwischen R
2 und
R
3 Ringstrukturen ausgebildet sein können, oder
mindestens einer der Reste R
1, R
4 und R
5 ein Stickstoffatom
oder ein aromatischer Ring ist und es sich um eine Verbindung handelt,
die durch dieses mindestens vorliegende Stickstoffatom oder den
mindestens vorliegenden aromatischen Ring mit mindestens einem weiteren
Grundgerüst
verbunden ist, oder wobei mindestens einer der Reste R
1,
R
4 und R
5 ein Stickstoffatom
oder ein aromatischer Ring ist und es sich um eine Verbindung handelt,
die durch dieses mindestens vorliegende Stickstoffatom oder den
mindestens vorliegenden aromatischen Ring und eine alicyclische
Verbindung mit mindestens einem weiteren Grundgerüst verbunden
ist.
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Das
vorstehend beschriebene Wirtsmaterial weist eine Glasübergangstemperatur
(Tg) von 100°C
und mehr auf und kann in einer Hochtemperaturumgebung wie z.B. bei
Anwendungen innerhalb von Fahrzeugen oder dergleichen eingesetzt
werden. Bei Materialien wie z.B. dem vorstehend genannten CBP und
dergleichen aggregiert ein organischer Dünnfilm, wenn er über 60°C erhitzt
wird, und die Oberfläche
des Dünnfilms
wird beträchtlich
aufgerauht. Andererseits aggregiert das vorstehend beschriebene
Wirtsmaterial bei Temperaturen von 100°C und weniger nicht, wenn es
als Dünnfilm
ausgebildet wird, und die Glätte
des Dünnfilms
kann aufrechterhalten werden, da die Glasübergangstemperatur der Verbindung
mit dem vorstehend beschriebenen Grundgerüst (1) 100°C und mehr beträgt. Daher
kann das vorstehend beschriebene Wirtsmaterial in einer Hochtemperaturumgebung
wie z.B. bei Anwendungen innerhalb von Fahrzeugen oder dergleichen
eingesetzt werden.
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Ein
solches Wirtsmaterial kann z.B. eine Carbazolverbindung umfassen.
Beispiele für
Carbazolverbindungen sind diejenigen, welche die nachstehend veranschaulichten
Strukturformeln aufweisen:
worin
R ein Wasserstoffatom oder Kohlenwasserstoffe oder Fluorkohlenstoffe
ist.
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Von
den vorstehenden Verbindungen mit den angegebenen Strukturformeln
ist (a1) 4,4',4''-Tris(carbazolyl)triphenylamin
(TCTA), bei dem es sich um eine organische Verbindung mit zwei oder
mehr aromatischen tertiären
Amineinheiten handelt. Diese Verbindung kann von Syntec erworben
werden.
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(a3)
ist 2,2-Bis-(4-(4'-(N-carbazolyl)phenyl
(oder -biphenyl- oder -triphenyl-) -adamantan. Durch die Verwendung
dieser Verbindung als Wirtsmaterial ist es möglich, die Effizienz der Emission
und die Wärmebeständigkeit
der organischen lichtemittierenden Vorrichtung zu erhöhen.
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(a4)
ist 1,3,5-Tris(4-(N-carbazolyl)phenyl)benzol (TCPB). Ein Verfahren
zur Herstellung dieser Verbindung ist z.B. in der japanischen Patentanmeldung
mit der Offenlegungsnummer Hei 7-90256 beschrieben. Die Verwendung
dieses TCPB als Wirtsmaterial trägt
zur Erhöhung
der Wärmebeständigkeit
und der Gebrauchsdauer der organischen lichtemittierenden Vorrichtung
bei.
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Ein
phosphoreszierendes Molekül,
das als Dotierungssubstanz der vorstehend beschriebenen Löchertransportschicht 12 zugesetzt
wird, kann z.B. Tris(2-phenylpyridin)iridium(III), Ir(ppy)3 und dergleichen umfassen, mit der Maßgabe, dass
das phosphoreszierende Molekül
nicht notwendigerweise auf das vorstehend veranschaulichte Ir(ppy)3 beschränkt
ist, so lange es eine Phosphoreszenz emittiert. Ir(ppy)3 ist
ebenfalls käuflich
und kann leicht erhalten werden.
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Als
Elektronentransportschicht 14 können z.B. organische Verbindungen
mit zwei und mehr Imidazoleinheiten verwendet werden. Als Kathode 16 kann
z.B. eine Metallelektrode aus einer Mg-Ag-Legierung, einer Al-Li-Legierung,
LiF/Al, Al, usw., verwendet werden. Es ist ferner bevorzugt, als
Elektroneninjektionsschicht eine organische Schicht zu verwenden,
die mit einem Alkalifluorid, einem Alkalioxid oder einem Metall
dotiert ist. Es ist bevorzugt, zwischen die Anode 10 und
die Löchertransportschicht 12 als
Löcherinjektionsschicht CuPc,
Starburst- -Amine, Vanadiumoxide, usw., zu insertieren.
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Die 3 zeigt
ein Energieniveaudiagramm der in der 2 gezeigten
organischen lichtemittierenden Vorrichtung dieser Ausführungsform.
Gemäß der 3 werden
dann, wenn eine Spannung zwischen der Anode 10 (ITO-Elektrode)
und der Kathode 16 (Metallelektrode) angelegt wird, Elektronen
von der Elektronentransportschicht 14, die aus Imidazolverbindungen
aufgebaut ist, in die Löchertransportschicht 12 injiziert,
die aus der aromatischen tertiären
Aminverbindung aufgebaut ist, so dass in dem Bereich, der mit dem
phosphoreszierenden Molekül
in der Löchertransportschicht 12 dotiert
ist, durch den in der 1 gezeigten Mechanismus eine
Phosphoreszenzemission erzeugt wird.
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Gemäß der 3 ist
ein Abschnitt der Löchertransportschicht 12 mit
dem phosphoreszierenden Molekül
dotiert. D.h., auf der Seite der Anode 10 der Löchertransportschicht 12 gibt
es einen Bereich mit einer Dicke von etwa 10 nm, der nicht mit dem
phosphoreszierenden Molekül
dotiert ist. Die Dicke der vorstehend genannten dotierten Schicht
beträgt
vorzugsweise 50 nm oder weniger und mehr bevorzugt 30 nm oder weniger,
von der Grenzfläche
der Löchertransportschicht
und der Elektronentransportschicht 14. Dies ist darauf
zurückzuführen, das
ein Exziton im angeregten Triplettzustand eine Beschränkung bezüglich der
Diffusionsdistanz aufweist, die derart ist, dass die Effizienz der
Lichtemission nicht weiter erhöht
werden kann, wenn die Dicke der dotierten Schicht 50 nm übersteigt.
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Die 4 zeigt
eine Modifizierung der organischen lichtemittierenden Vorrichtung
dieser Ausführungsform.
Gemäß der 4 ist
eine zweite Löchertransportschicht 18 zwischen
einer ersten Löchertransportschicht 12 als
lichtemittierende Schicht und der Anode 10 angeordnet.
Als zweite Löchertransportschicht 18 kann
z.B. 4,4'-Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl
(α-NPD)
verwendet werden. Durch die Verwendung einer solchen Struktur kann
die Haftung von α-NPD
an einem ITO-Substrat stark verbessert werden und die Löcherinjektion
kann relativ einfach durchgeführt
werden, da die Austrittsarbeit von ITO (5,0 eV) nahe an dem HOMO-Niveau
von α-NPD
(5,4 eV) liegt. Da ferner die Löchermobilität hoch ist,
können
die Löcher
effizient zu der lichtemittierenden Schicht transportiert werden,
wo sie mit Elektronen effizient rekombinieren, so dass Exzitonen
erzeugt werden.
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Wie
es vorstehend erläutert
worden ist, können
für die
Löchertransportschicht
Materialien wie z.B. TPTE und dergleichen, die zu den aromatischen
tertiären
Aminen gehören,
verwendet werden.
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Die 5 zeigt
ein Energieniveaudiagramm einer in der 4 gezeigten
Modifizierung. Gemäß der 5 wird
dann, wenn eine Spannung zwischen der Anode 10 (ITO-Elektrode)
und der Kathode 16 (Metallelektrode) angelegt wird, ein
Elektron von der Elektronentransportschicht 14, die aus
einer Imidazolverbindung aufgebaut ist, in die erste Löchertransportschicht 12 injiziert,
die aus einer aromatischen tertiären
Aminverbindung aufgebaut ist, und Löcher werden von der zweiten
Löchertransportschicht 18 in
die erste Löchertransportschicht 12 injiziert,
so das aufgrund des phosphoreszierenden Moleküls in der ersten Löchertransportschicht 12 durch
den in der 1 gezeigten Mechanismus, der
vorstehend erläutert
worden ist, eine Phosphoreszenzemission erzeugt wird. Bei dieser
Modifizierung kann die gesamte Löchertransportschicht 12 als
lichtemittierende Schicht mit dem phosphoreszierenden Molekül dotiert
werden. Daher kann die Dicke der ersten Löchertransportschicht 12 so
groß sein
wie die Dicke der in der 3 gezeigten dotierten Schicht.
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In
der in den 2 bis 5 gezeigten
organischen lichtemittierenden Vorrichtung ist die Elektronentransportschicht 14 zwischen
der Löchertransportschicht 12 als
lichtemittierende Schicht und der Kathode 16 ausgebildet.
Wenn jedoch die Elektronentransportschicht aus einem Material zusammengesetzt
ist, dessen Bandlücke
größer ist
als die Bandlücke
der Löchertransportschicht 12 (lichtemittierende
Schicht), und dessen Ionisierungspotenzial um 0,1 eV größer ist
als das Ionisierungspotenzial der lichtemittierenden Schicht, wie z.B.
einer organischen Imidazol- oder Fluorbenzolverbindung (z.B. C60F42) und dergleichen,
dann kann die Emissionseffizienz weiter verbessert werden. Dies
ist möglich,
da es gemäß den 3 und 5 möglich ist, die
Absorption eines angeregten Triplettzustands in der Löchertransportschicht 12,
die mit dem phosphoreszierenden Molekül dotiert ist, in der Kathode 16 durch
Vergrößern der
Bandlücke
der Elektronentransportschicht 14 zu verhindern, und die
Löcher,
die in die Löchertransportschicht 12 injiziert
werden, durch Erhöhen des
Ionisierungspotenzials der Elektronentransportschicht bezüglich des
Ionisierungspotenzials der lichtemittierenden Schicht um 0,1 eV
daran gehindert werden können,
in die Löchertransportschicht
zu 14 fließen.
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Ferner
kann ein bevorzugtes Wirtsmaterial, das die Löchertransportschicht 12 bildet,
ein Material sein, das selbst fluoresziert. In einem solchen Fall,
kann die Energie des angeregten Zustands des Wirtsmaterials, wenn
eine Überlappung
von Peaks des Emissionsspektrums (Phosphoreszenzspektrum) des Wirtsmaterials und
des Phosphoreszenzspektrums des phosphoreszierenden Moleküls, bei
dem es sich um ein Gastmaterial handelt, das dem Wirtsmaterial als
Dotierungssubstanz zugesetzt worden ist, vorliegt, einfach auf das
Gastmaterial übertragen
werden, so dass die Emissionseffizienz weiter erhöht wird.
Insbesondere beträgt
der Überlappungsbereich
der vorstehend beschriebenen Spektren vorzugsweise 30 % und mehr.
Wenn beispielsweise das organische Material, welches das vorstehend
beschriebene Grundgerüst
(1) aufweist, als Wirtsmaterial verwendet wird, beträgt die Energielücke, die
aus dessen optischer Absorptionskante erhalten wird, üblicherweise
3,0 eV und mehr. Wenn Ir(ppy)3 als phosphoreszierendes
Molekül
verwendet wird, weist dessen Phosphoreszenzspektrum einen Hauptpeak
bei 510 nm und einen Schulterpeak bei 540 nm auf, d.h. das Spektrum reicht
von 500 bis 650 nm. Daher überlappen
das Phosphoreszenzspektrum des organischen Materials, welches das
vorstehend beschriebene Grundgerüst
(1) aufweist, und dasjenige von Ir(ppy)3 über einem
breiten Bereich. Daher kann der angeregte Zustand leicht von dem
Wirtsmaterial zu dem Gastmaterial diffundieren, so dass die Emissionseffizienz
erhöht
wird.
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Ferner
kann die Überlappung
des Peaks des vorstehend beschriebenen Spektrums eine Überlappung des
Phosphoreszenzspektrums (Absorptionsspektrum) des Wirtsmaterials
und des Phosphoreszenzspektrums des Gastmaterials sein. Dies ist
möglich,
da sich der angeregte Zustand leicht verschieben kann, wenn sich
die Spektren überlappen.
In einem solchen Fall ist es auch bevorzugt, dass die Überlappung
in dem vorstehend beschriebenen Spektrum 30 % oder mehr beträgt.
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Ausführungsform 2
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Die 6 zeigt
eine Querschnittsansicht einer Struktur der Ausführungsform 2 der erfindungsgemäßen organischen
lichtemittierenden Vorrichtung. In der 6 sind die
Strukturen der Anode 10 und der Kathode 16 mit
denjenigen der in der 2 gezeigten Ausführungsform
1 identisch. In dieser Ausführungsform
ist die Elektronentransportschicht 14 jedoch mit dem phosphoreszierenden
Molekül
dotiert und diese Elektronentransportschicht 14 wird als
lichtemittierende Schicht verwendet. In einem solchen Fall ist das
Wirtsmaterial, das die Elektronentransportschicht 14 bildet,
bei der es sich um eine organische Schicht handelt, die mit dem phosphoreszierenden
Molekül
dotiert ist, wie in der Ausführungsform
1 eine Elektronentransportverbindung mit dem Grundgerüst (1).
Die Glasübergangstemperatur
(Tg) dieses Wirtsmaterials beträgt
ebenfalls 100°C
oder mehr.
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Beispiele
für solche
Verbindungen umfassen Triazol-, Imidazol- und Oxadiazolverbindungen,
usw.
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Die
vorstehend genannten Triazolverbindungen umfassen Verbindungen mit
den nachstehend veranschaulichten Strukturformeln:
- -H,
eine Alkylgruppe mit 5 Kohlenstoffatomen oder weniger ist, wobei
R ein Wasserstoffatom oder Kohlenwasserstoffe oder Fluorkohlenstoffe
ist.
- -H,
eine Alkylgruppe mit 5 Kohlenstoffatomen oder weniger ist, wobei
R ein Wasserstoffatom oder Kohlenwasserstoffe oder Fluorkohlenstoffe
ist.
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Die
vorstehend genannten Imidazolverbindungen umfassen Verbindungen
mit den nachstehend veranschaulichten Strukturformeln:
- -H,
eine Alkylgruppe mit 5 Kohlenstoffatomen oder weniger ist, wobei
R ein Wasserstoffatom oder Kohlenwasserstoffe oder Fluorkohlenstoffe
ist.
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Jede
dieser Verbindungen enthält
zwei oder mehr Imidazoleinheiten.
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Die
vorstehend genannten Oxadiazolverbindungen umfassen Verbindungen
mit den nachstehend veranschaulichten Strukturformeln:
- -H,
eine Alkylgruppe mit 5 Kohlenstoffatomen oder weniger ist, wobei
R ein Wasserstoffatom oder Kohlenwasserstoffe oder Fluorkohlenstoffe
ist.
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Als
Löchertransportschicht 12 kann
wie in der Ausführungsform
1 eine organische Verbindung mit mindestens zwei aromatischen tertiären Amineinheiten
verwendet werden.
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Die 7 zeigt
ein Energieniveaudiagramm von der in der 6 gezeigten
Ausführungsform
2. Wenn zwischen der Anode 10 und der Kathode 16 eine
Spannung angelegt wird, werden Löcher
von der Löchertransportschicht 12,
die aus einer aromatischen tertiären
Verbindung ausgebildet ist, in die Elektronentransportschicht 14 injiziert,
so dass in dem Bereich, der mit dem phosphoreszierenden Molekül als Dotierungssubstanz
dotiert worden ist, eine Phosphoreszenzemission erzeugt wird. In
dieser Ausführungsform
wird eine Imidazolverbindung als Wirtsmaterial verwendet, das die
organische Schicht der Elektronentransportschicht 14 bildet.
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Gemäß der 7 ist
es wie in dem in der 3 gezeigten Fall bevorzugt,
dass die Dicke der Schicht, die mit dem phosphoreszierenden Molekül dotiert
ist, 50 nm oder weniger und mehr bevorzugt 30 nm oder weniger beträgt.
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Die 8 zeigt
eine Modifizierung der in der 6 gezeigten
organischen lichtemittierenden Vorrichtung. In der in der 8 gezeigten
Modifizierung ist zwischen der ersten Elektronentransportschicht 14,
welche die lichtemittierende Schicht bildet, und der Kathode 16 eine
zweite Elektronentransportschicht 20 ausgebildet. Ein Energieniveaudiagramm,
das dieser Modifizierung entspricht, ist in der 9 gezeigt.
Gemäß der 9 ist
das Ionisierungspotenzial der zweiten Elektronentransportschicht 20 um
0,1 eV größer als
das Ionisierungspotenzial der ersten Elektronentransportschicht 14 als
lichtemittierende Schicht und die Bewegung der Löcher, die in die erste Elektronentransportschicht 14 als
lichtemittierende Schicht injiziert werden, in Richtung der zweiten
Elektronentransportschicht 20 wird blockiert, so wie es
in der Ausführungsform
1 beschrieben worden ist.
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Wie
in der Ausführungsform
1 ist die Bandlücke
der zweiten Elektronentransportschicht 20 größer als die
Bandlücke
der ersten Elektronentransportschicht 14 und es ist möglich, zu
verhindern, dass der angeregte Zustand, der in der ersten Elektronentransportschicht 14 erzeugt
worden ist, in der Metallelektrode als Kathode 16 absorbiert
wird.
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Als
Material für
die vorstehend beschriebene zweite Elektronentransportschicht 20 kann
eine organische Imidazol- oder Fluorbenzolverbindung oder dergleichen
verwendet werden.
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In
dieser Ausführungsform
weist das Wirtsmaterial, das die lichtemittierende Schicht bildet,
das vorstehend beschriebene Grundgerüst (1) auf und es liegt ein Überlappungsbereich
zwischen dem Emissionsspektrum des Wirtsmaterials und dem Absorptionsspektrum
von Ir(ppy)3, bei dem es sich um ein Gastmaterial handelt,
vor. Daher kann der angeregte Zustand, der in dem Wirtsmaterial
erzeugt worden ist, leicht auf das phosphoreszierende Molekül übertragen
werden, so dass eine hohe Emissionseffizienz erhalten wird. Wie
in der Ausführungsform
1 kann der in dem Wirtsmaterial erzeugte angeregte Zustand leicht
auf das Gastmaterial übertragen
werden, so dass die Gesamtemissionseffizienz erhöht wird, da ein Überlappungsbereich
zwischen dem Fluoreszenzspektrum des Wirtsmaterials und dem Absorptionsspektrum
des phosphoreszierenden Moleküls
eines Gastmaterials vorliegt. In einem solchen Fall ist es bevorzugt,
dass die Überlappung
der Phosphoreszenzspektren oder die Überlappung des Fluoreszenzspektrums
und des Phosphoreszenzspektrums 30 % oder mehr beträgt.
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Im
nächsten
Abschnitt werden veranschaulichende Beispiele jeder der vorstehend
beschriebenen Ausführungsformen
beschrieben.
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Beispiele
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Beispiel 1
-
Auf
einem Glassubstrat wurde eine 150 nm dicke transparente Elektrode
aus ITO gebildet, auf der eine 40 nm dicke α-NPD-Schicht als Löchertransportschicht
mittels Vakuumverdampfen bei einem Vakuumniveau von 3 × 10
–7 Torr
abgeschieden wurde. Die Struktur des α-NPD ist nachstehend gezeigt:
-
Auf
der vorstehend beschriebenen α-NPD-Schicht
wurde eine 20 nm dicke TCTA-Schicht, die vorstehend beschrieben
worden ist, als Wirtsmaterial gebildet, die dann mit 5,5 Gew.-%
Ir(ppy)
3 als Dotierungssubstanz dotiert
wurde. Die Struktur von Ir(ppy)
3 ist nachstehend
gezeigt:
-
Ferner
wurde eine organische Fluorbenzol-Elektronentransportverbindung,
C60F42 (nachstehend
als Verbindung C bezeichnet), mit der nachstehenden Strukturformel
in einer 20 nm-Schicht
zum Blockieren von Löchern
abgeschieden, so dass sich diese nicht von einer lichtemittierenden
Schicht zu der Elektronentransportschicht 14 bewegen (Löcherblockierschicht).
-
-
Ferner
wurde Alq3, das die nachstehend gezeigte
Strukturformel aufweist, mit einer Dicke von 30 nm als Elektronentransportschicht
auf der Löcherblockierschicht
abgeschieden.
-
-
Schließlich wurden
LiF und Al mit Dicken von 0,5 nm bzw. 150 nm abgeschieden, so dass
eine Metallelektrode gebildet wurde. Dieses Beispiel 1 entspricht
einer Modifizierung der in der 5 gezeigten
Ausführungsform
1.
-
Eine
in der vorstehend beschriebenen Weise gebildete Vorrichtung wurde
in eine Kammer eingebracht, die auf ein Hochvakuum evakuiert wurde.
Nach dem sorgfältigen
Spülen
des Inneren der Kammer mit Stickstoff wurde ein Ende eines Versiegelungsglases
mit einem Epoxyharz zum Versiegeln an die Oberfläche der transparenten Elektrode
gebunden. Auf diese Weise wurde eine organische lichtemittierende
Vorrichtung hergestellt. An die organische lichtemittierende Vorrichtung
wurde eine Gleichspannung angelegt, um eine kontinuierliche Ansteuerung
vorzunehmen, und die Emissionseffizienz wurde gemessen. Als Ergebnis
wurde erhalten, dass die maximale Emissionseffizienz 65,1 cd/A betrug.
In diesem Fall betrug die Leuchtdichte 716 cd/m2 und
die externe Quanteneffizienz erreichte nach der Korrektur einer
Winkelverteilung der Emission bei einer Ansteuerungsspannung von
3,9 V einen Maximalwert von 18,0 %.
-
Ferner
wurde anstelle der vorstehend beschriebenen Verbindung C als Löcherblockierschicht
C60F42 (nachstehend
als Verbindung B bezeichnet) mit der nachstehenden Strukturformel
verwendet, bei der es sich um eine elektronentransportierende organische
Fluorbenzol-Verbindung handelt. Es wurde eine Vorrichtung gebildet,
auf der 20 nm der Verbindung B abgeschieden worden sind.
-
-
An
die organische lichtemittierende Vorrichtung, bei der die Verbindung
B eingesetzt worden ist, wurde eine Gleichspannung angelegt, um
eine kontinuierliche Ansteuerung vorzunehmen, und die Emissionseffizienz wurde
gemessen. Als Ergebnis wurde eine maximale Emissionseffizienz von
73,0 cd/A erhalten. In diesem Fall betrug die Leuchtdichte 401,3
cd/m2 und die externe Quanteneffizienz erreichte
nach der Korrektur einer Winkelverteilung der Emission bei einer
Ansteuerungsspannung von 3,52 V einen Maximalwert von 19,2 %.
-
Ein
Verfahren zur Herstellung der vorstehend genannten Verbindungen
B und C ist in Y. Sakamoto, T. Suzuki, A. Miura, H. Fujikawa, S.
Tokito und Y. Taga, J. Am. Chem. Soc. 122, (2000), 1832, beschrieben.
-
Eine
Querschnittsansicht der Struktur der vorstehend beschriebenen Vorrichtung
von Beispiel 1 ist in der 10 gezeigt.
Es sollte beachtet werden, dass das Substratmaterial nicht auf Glas
beschränkt
ist, obwohl gemäß der 10 ein
Glassubstrat verwendet wird, und dass auch Kunststoffe, Keramiken
oder dergleichen eingesetzt werden können.
-
Beispiel 2
-
Auf
einem Glassubstrat wurde eine 150 nm dicke transparente Elektrode
aus ITO gebildet, auf der eine 40 nm dicke α-NPD-Schicht mittels Vakuumverdampfen
bei einem Vakuumniveau von 3 × 10–7 Torr
abgeschieden wurde. Auf dieser α-NPD-Schicht
wurde wie im Beispiel 1 eine mit 5,5 Gew.-% Ir(ppy)3 als
Dotierungssubstanz dotierte Schicht aus TCTA als Wirtsmaterial mit
einer Dicke von 20 nm gebildet. Ferner wurden 50 nm 2,2',2''-(1,3,5- Phenylen)tris[1-phenyl-1H-benzimidazol]
(TPBI) mit der nachstehend gezeigten Strukturformel als Löcherblockierschicht
zum Abhalten von Löchern
von einer Bewegung aus der lichtemittierenden Schicht heraus abgeschieden.
Ein Verfahren zur Herstellung von TPBI ist in dem US-Patent 5,645,948
(Shi et al., B. Juli 1997) beschrieben.
-
-
Ferner
wurden darauf LiF und Al in Dicken von 0,5 nm bzw. 150 nm abgeschieden,
um eine Metallelektrode zu bilden. Eine Querschnittsansicht der
Vorrichtung dieses Beispiels ist in der 11 gezeigt.
Es sollte beachtet werden, dass das Substratmaterial nicht auf Glas
beschränkt
ist, obwohl gemäß der 11 ein
Glassubstrat verwendet wird, und dass auch Kunststoffe, Keramiken
oder dergleichen eingesetzt werden können.
-
Wie
das Beispiel 1 entspricht die in der 11 gezeigte
Vorrichtung einer Modifizierung der in der 5 gezeigten
Ausführungsform
1.
-
Die
in der vorstehend beschriebenen Weise gebildete Vorrichtung wurde
in eine Kammer eingebracht, die auf ein Hochvakuum evakuiert wurde.
Nach dem sorgfältigen
Spülen
des Inneren der Kammer mit Stickstoff wurde ein Ende eines Versiegelungsglases
mit einem Epoxyharz zum Versiegeln an die Oberfläche der transparenten Elektrode
gebunden. Auf diese Weise wurde eine organische lichtemittierende
Vorrichtung gebildet. An die organische lichtemittierende Vorrichtung
wurde eine Gleichspannung angelegt, um eine kontinuierliche Ansteuerung
vorzunehmen, und die Emissionseffizienz, die Leuchtdichte, die externe
Quanteneffizienz, usw., wurden gemessen. Als Ergebnis wurde eine
maximale Emissionseffizienz von 61 cd/A erhalten. Die Leuchtdichte
betrug 1350 cd/m2 und die externe Quanteneffizienz
erreichte nach der Korrektur einer Winkelverteilung der Emission
bei einer Ansteuerungsspannung von 4,9 V einen Maximalwert von 16,0
%.
-
Vergleichsbeispiel 1
-
Auf
einem Glassubstrat wurde eine 150 nm dicke transparente Elektrode
aus ITO gebildet, auf der eine 40 nm dicke α-NPD-Schicht als Löchertransportschicht
mittels Vakuumverdampfen bei einem Vakuumniveau von 3 × 10–7 Torr
abgeschieden wurde. Darauf wurde eine 20 nm dicke lichtemittierende
Schicht mit Ir(ppy)3 als Dotierungssubstanz
unter Verwendung von CBP als Wirtsmaterial abgeschieden. Die Konzentration
der Dotierungssubstanz betrug in diesem Fall 7,5 %. Dann wurde auf
der lichtemittierenden Schicht eine 10 nm-Schicht aus Bathocuproin
(BCP, käuflich)
mit der nachstehend gezeigten Strukturformel als Löcherblockierschicht
zum Abhalten von Löchern,
die in die lichtemittierende Schicht injiziert worden sind, von
einem Herausdiffundieren gebildet.
-
-
Auf
der BCP-Schicht wurden 40 nm Alq3 als Elektronentransportschicht
abgeschieden. Als nächstes wurden
LiF und Al in Dicken von 0,5 nm bzw. 150 nm abgeschieden, um eine
Metallelektrode zu bilden. Eine Querschnittsansicht der in der vorstehend
beschriebenen Weise gebildeten organischen lichtemittierenden Vorrichtung
ist in der 12 gezeigt.
-
Es
wurde eine Gleichspannung angelegt, um die organische lichtemittierende
Vorrichtung von Vergleichsbeispiel 1 kontinuierlich anzusteuern,
und die Emissionseffizienz wurde gemessen. Als Ergebnis wurde eine
maximale Emissionseffizienz von 30,1 cd/A in dem Bereich mit einer
niedrigen Stromdichte erhalten. Nach der Korrektur der Winkelverteilung
betrug die maximale externe Quanteneffizienz 8,3 %.
-
Das
Verhältnis
der Stromdichte zur externen Quanteneffizienz der organischen lichtemittierenden
Vorrichtungen von Beispiel 1 und von Vergleichsbeispiel 1 sind in
der 13 gezeigt. Das Verhältnis der Stromdichte zur externen
Quanteneffizienz der organischen lichtemittierenden Vorrichtungen
von Beispiel 2 und von Vergleichsbeispiel 1 sind in der 14 gezeigt.
In jedem Fall ist es offensichtlich, dass die externe Quanteneffizienz
der Vorrichtungen der erfindungsgemäßen Beispiele 1 und 2 verglichen
mit der externen Quanteneffizienz der Vorrichtung des Vergleichsbeispiels
drastisch verbessert ist.
-
Beispiel 3
-
Die
in dem vorstehend beschriebenen Beispiel 2 gebildete organische
lichtemittierende Vorrichtung wurde in einen Ofen mit konstanter
Temperatur eingebracht. Die Temperatur innerhalb des Ofens wurde
von Raumtemperatur in 10°C-Intervallen
erhöht.
Nach dem Aufrechterhalten jeder Temperatur für eine Stunde wurde die Emissionseffizienz
gemessen. Als Ergebnis wurden selbst bei 100°C mehr als 50 % der Emissionseffizienz
bei Raumtemperatur aufrechterhalten.
-
Vergleichsbeispiel 2
-
Die
im Vergleichsbeispiel 1 gezeigte organische lichtemittierende Vorrichtung
wurde in einen Ofen mit konstanter Temperatur eingebracht und die
Emissionseffizienz wurde in einer Weise gemessen, wie es in dem vorstehend
beschriebenen Beispiel 3 beschrieben worden ist. Als Ergebnis war
selbst bei einer Temperatur von 80°C die Emissionseffizienz bereits
auf etwa 20 % der Emissionseffzienz bei Raumtemperatur vermindert.
-
Die
im Beispiel 3 und im Vergleichsbeispiel 2 erhaltenen Ergebnisse
sind in der 15 gezeigt.
-
Beispiel 4
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Während TPBI,
eine Imidazolverbindung, als Löcherblockierschicht
im vorstehend beschriebenen Beispiel 2 verwendet worden ist, kann
stattdessen eine Triazolverbindung verwendet werden, da die Imidazol- oder
Triazolverbindungen ein tiefliegendes NOMO-Niveau und ein hochliegendes
LUMO-Niveau aufweisen. Daher können
die Löcher
und die Exzitonen effektiv blockiert werden, wenn sie als Elektronentransportschicht verwendet
wird.
-
Beispiel 5
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Auf
einem Glassubstrat wurde eine 150 nm dicke transparente Elektrode
aus ITO gebildet, auf der zur Bildung einer Löchertransportschicht eine 40
nm dicke α-NPD-Schicht
mittels Vakuumverdampfen bei einem Vakuumniveau von 3 × 10–7 Torr
abgeschieden wurde. Ferner wurde auf der Löchertransportschicht zur Bildung
einer lichtemittierenden Schicht eine 20 nm dicke TCBI-Schicht als
Wirtsmaterial, das mit 7,5 Gew.-% Ir(ppy)3 als
Dotierungssubstanz dotiert war, gebildet. Dann wurde auf der lichtemittierenden
Schicht eine 50 nm dicke TPBI-Schicht
abgeschieden. Schließlich
wurden LiF und Al darauf in Dicken von 0,5 nm bzw. 150 nm abgeschieden,
um eine Metallelektrode zu bilden. Eine Querschnittsansicht der
so gebil deten Vorrichtung ist in der 16 gezeigt.
Die Vorrichtung wurde in eine Kammer eingebracht, die auf ein Hochvakuum
evakuiert wurde. Nach dem sorgfältigen
Spülen
des Inneren der Kammer mit Stickstoff wurde ein Ende eines Versiegelungsglases
mit einem Epoxyharz zum Versiegeln an die Oberfläche der transparenten Elektrode
gebunden. Die organische lichtemittierende Vorrichtung dieses Beispiels,
die in der 16 gezeigt ist, entspricht der
in der 6 gezeigten organischen lichtemittierenden Vorrichtung
der Ausführungsform
2.
-
An
die in der vorstehend beschriebenen Weise gebildete organische lichtemittierende
Vorrichtung wurde eine Gleichspannung angelegt, um eine kontinuierliche
Ansteuerung vorzunehmen, und die Emissionseffizienz wurde gemessen.
Als Ergebnis wurde erhalten, dass die externe Quanteneffizienz nach
der Korrektur einer Winkelverteilung 7 % betrug. Während dieser
Wert auf dem gleichen Niveau lag wie bei dem vorstehend beschriebenen
Vergleichsbeispiel 1, wies die in diesem Beispiel gebildete organische
lichtemittierende Vorrichtung eine verbesserte Wärmebeständigkeit auf und konnte die
hohe Emissionseffizienz bei Temperaturen von 100°C und mehr beibehalten.
-
Beispiel 6
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Auf
einem Glassubstrat wurde ein organischer Dünnfilm aufgebracht, der jeweils
eine in den 17(a), 17(b) und 17(c) gezeigte Kombination aufwies. Die
Wärmebeständigkeit
wurde für
jeden erhaltenen organischen Dünnfilm
verglichen. Der in der 17(a) gezeigte
Dünnfilm
wurde durch Abscheiden von ITO auf einem Glassubstrat und dann Abscheiden
von α-NPD
auf dem ITO mit einer Dicke von 40 nm gebildet. Der in der 17(b) gezeigte Dünnfilm wurde durch Abscheiden
von ITO auf einem Glassubstrat, dann Abscheiden von α-NPD auf dem ITO mit
einer Dicke von 40 nm und schließlich Abscheiden von käuflichem
CBP auf dem α-NPD
mit einer Dicke von 20 nm entsprechend der 17(a) gebildet.
Der in der 17(c) gezeigte Dünnfilm wurde
durch Abscheiden von ITO auf einem Glassubstrat, dann Abscheiden
von α-NPD
auf dem ITO mit einer Dicke von 40 nm und schließlich Abscheiden von TCTA auf
dem α-NPD
mit einer Dicke von 20 nm gebildet.
-
Die
Morphologie der Oberfläche
jedes in der vorstehend beschriebenen Weise gebildeten organischen Dünnfilms
wurde mittels Rasterkraftmikroskopie (Tapping-Modus) in einem Zustand,
bei dem die Temperatur jedes organischen Dünnfilms bei Raumtemperatur
(25°C) gehalten
wurde, untersucht. Danach wurde jeder organische Dünnfilm in
einen Ofen eingebracht, eine Stunde bei einer Temperatur von 54°C oder 74°C gehalten und
auf Raumtemperatur abgekühlt.
Dann wurde die Morphologie der Oberflächen mittels Rasterkraftmikroskopie
untersucht.
-
Im
Fall der 17(a), bei der nur α-NPD auf
ITO abgeschieden worden ist, verschwand die minimierte durchschnittliche
Oberflächenrauhigkeit
mit zunehmender Temperatur des organischen Dünnfilms. Im Fall von 17(b), bei der CBP auf dem α-NPD abgeschieden
worden ist, änderte
sich die Oberflächenmorphologie drastisch
und die Oberflächenrauhigkeit
vergrößerte sich
in einer mehr als einstelligen Größenordnung bei Temperaturen
von 60°C
und darüber,
wenn die Temperatur des organischen Dünnfilms erhöht wurde. Es wurde deutlich
ein Zustand beobachtet, bei dem der organische Dünnfilm aggregierte. Diese Ergebnisse
sind in der 18 gezeigt. In der 18 ist
auf der Abszisse die Temperatur des organischen Dünnfilms
und auf der Ordinate die durchschnittliche Oberflächenrauhigkeit
des organischen Dünnfilms
angegeben. Die Ergebnisse von 17(a) und 17(b) sind durch schwarze Quadrate bzw.
schwarze Dreiecke angegeben. Es ist insbesondere offensichtlich,
dass sich die durchschnittliche Oberflächenrauhigkeit im Fall von 17(b) bei Temperaturen von 60°C und darüber drastisch ändert.
-
Andererseits
wurde in dem in der 17(c) gezeigten
Fall, bei dem TCTA auf dem α-NPD
abgeschieden worden ist, obwohl sich die durchschnittliche Oberflächenrauhigkeit
nicht vollständig änderte,
wenn die Temperatur des organischen Dünnfilms auf 75°C geändert wurde,
die Oberflächenmorphologie
in ihrem ursprünglichen
Zustand beibehalten. Das Ergebnis ist in der 19 gezeigt.
-
Beispiel 7
-
Auf
einem Glassubstrat wurde eine 150 nm dicke transparente Elektrode
aus ITO gebildet, auf der zur Bildung einer Löchertransportschicht eine 40
nm dicke α-NPD-Schicht
mittels Vakuumverdampfen bei einem Vakuumniveau von 5 × 10–7 Torr
(6,65 × 10–5 Pa)
abgeschieden wurde. Auf der Löchertransportschicht
wurde eine Schicht mit einer Dicke von 20 nm ausgebildet, die 2,2-Bis(4-(4'-(N-carbazolyl)biphenyl)adamantan
(AdBPCz mit zwei Phenylgruppen, die vorstehend genannte Verbindung
(a3)) als Wirtsmaterial, das mit 7 Gew.-% Ir(ppy)3 als
Dotierungssubstanz dotiert war, gebildet, um dadurch eine lichtemittierende
Schicht zu erhalten. Auf der lichtemittierenden Schicht wurde eine
TPBI-Schicht als Löcherblockierschicht
mit einer Dicke von 20 nm abgeschieden. Dann wurde Alq3 als
Elektronentransportschicht mit einer Dicke von 30 nm abgeschieden. Darauf
wurden LiF mit einer Dicke von 0,5 nm und Al mit einer Dicke von
150 nm abgeschieden, um eine Metallelektrode zu bilden.
-
Die
in der vorstehend beschriebenen Weise gebildete Vorrichtung wurde
in eine Hochvakuumkammer eingebracht. Nach dem sorgfältigen Spülen des
Inneren der Kammer mit Stickstoff mit 1 atm wurde ein Ende eines
Versiegelungsglases zum Versiegeln mit einem Ultraviolett-härtenden
Harz an die Oberfläche
der transparenten Elektrode gebunden.
-
Die 20 zeigt
die Beziehung zwischen der Stromdichte und der externen Quanteneffizienz
in dem Fall, bei dem 2,2-Bis(4-(N-carbazolyl)phenyl)adamantan (AdPCz)
mit einer Phenylgruppe bzw. 2,2-Bis(4-(4'-(N-carbazolyl)biphenyl)adamantan (AdBPCz)
mit zwei Phenylgruppen, die der vorstehend genannten Verbindung
(a3) entsprachen, als Wirtsmaterial verwendet wurden. Gemäß der 20 erreichte
die maximale Quanteneffizienz dann, wenn AdBPCz verwendet und Messungen
durchgeführt
wurden, ein Maximum von 8 %. Die externe Quanteneffizienz der organischen
lichtemittierenden Vorrichtung, die unter Verwendung von AdPCz als
Wirtsmaterial und den anderen Materialien wie im Fall von AdBPCz
hergestellt worden ist, erreichte ein Maximum von 6 %.
-
Die 21 zeigt
die Ergebnisse von Messungen in einer Atmosphäre bei Raumtemperatur und bei 85°C für die organische
lichtemittierende Vorrichtung, die unter Verwendung des vorstehend
beschriebenen AdBPCz hergestellt worden ist. Gemäß der 21 unterschied
sich die externe Quanteneffizienz der Vorrichtung, die gemessen
worden ist, nachdem die Vorrichtung drei Stunden in einer Atmosphäre bei 85°C stehengelassen
worden ist und die Messung in einer solchen Atmosphäre durchgeführt wurde,
nur wenig von der bei Raumtemperatur gemessenen externen Quanteneffizienz,
da das verwendete Wirtsmaterial eine Wärmebeständigkeit aufwies. Unter Berücksichtigung
der Tatsache, dass sich die externe Quanteneffizienz bei 85°C drastisch
verminderte, wenn CBP als Wirtsmaterial verwendet wurde, ist ersichtlich,
dass 2,2-Bis(4-(4'-(N-carbazolyl)biphenyl)adamantan
eine hervorragende Wärmebeständigkeit
aufweist.
-
Das
vorstehend beschriebene 2,2-Bis(4-(N-carbazolyl)phenyl)adamantan
wurde mit dem nachstehend beschriebenen Verfahren synthetisiert.
-
1,0
g (1,85 mmol) 2,2-(4-Iodphenyl)adamantan, 3,10 g (18,5 mmol) Carbazol,
2,6 g (18,8 mmol) K2CO3,
2,3 g (36,2 mmol) Kupferpulver, 0,8 g (5,58 mmol) CuBr und 15 g
Decahydronaphthalin (Decalin, Handelsbezeichnung) wurden gemischt
und 20 Stunden in einer Stickstoffatmosphäre bei 180°C gerührt. Nach dem Abkühlen der
Reaktionslösung
wurden 50 ml CHCl3 zugesetzt und es wurde
filtriert. Das erhaltene Filtrat wurde konzentriert und der Rückstand
wurde unter Verwendung einer Silicagelsäule (CHCl3:Hexan
= 1:2) gereinigt. Der erhaltene Feststoff wurde aus CHCl3 umkristallisiert, wobei 176,5 mg 2,2-Bis(4-(N-carbazolyl)phenyl)adamantan
als hellgelbes Pulver erhalten wurden.
-
Die
Struktur dieses Materials wurde mit einem Infrarotspektrophotometer
(IR) und einer kernmagnetischen Resonanz (NMR) identifiziert. Die
Daten für
das IR und das NMR sind nachstehend gezeigt.
IR (KBr): 3040,
2900, 2850, 1620, 1600, 1510, 1450, 1330, 1310, 1225, 745, 720 cm–1.
NMR
(CDCl3): 8,13 (d, 4H), 7,71 (d, 4H), 7,51
(d, 4H), 7,46 (d, 4H), 7,40 (t, 4H), 7,27 (t, 4H), 3,42 (s, 2H),
2,20 (d, 4H), 1,88 (dd, 8H).
-
Die
Strukturformel dieses 2,2-Bis(4-(N-carbazolyl)phenyl)adamantans
ist nachstehend veranschaulicht:
-
Das
vorstehend beschriebene 2,2-Bis(4-(4'-(N-carbazolyl)biphenyl)adamantan wurde
mit den nachstehend beschriebenen Verfahren (1) und (2) synthetisiert.
-
(1) Synthese von 4-(N-Carbazolyl)phenylborat
-
2,0
g (5,42 mmol) N-(4-Iodphenyl)carbazol wurden einer Mischlösung aus
5 ml THF und 5 ml Diethylether zugesetzt und die Lösung wurde
in einer Stickstoffatmosphäre
auf –90°C gekühlt. Der
Lösung
wurden tropfenweise 3,8 ml (5,7 mmol) einer 1,5M n-BuLi-Lösung (n-Hexan) zugesetzt.
Dann wurde bei Temperaturen von –90°C und darunter gerührt und
es wurden langsam tropfenweise 0,01 ml (5,44 mmol) Trimethoxyborat zugesetzt.
Nach 20 min Rühren
bei einer Temperatur von nicht mehr als –90°C wurde 1 Stunde bei Raumtemperatur
gerührt.
Danach wurden 3 ml Wasser und 20 ml einer wässrigen 2N NaOH-Lösung zugesetzt,
um die wässrige
Phase abzutrennen. Dann wurde die organische Phase zweimal mit 20
ml einer wässrigen
2N NaOH-Lösung
gewaschen und die erhaltenen wässrigen
Phasen wurden vereinigt. Die wässrigen
Phasen wurden mit einer wässrigen
1N H2SO4-Lösung neutralisiert
und der Niederschlag wurde abfiltriert und gewaschen. Der Niederschlag
wurde in 75 ml CHCl3 gelöst und die Lösung wurde
nach dem Trocknen mit Na2SO4 konzentriert.
Der Niederschlag wurde aus 50 ml Toluol umkristallisiert, wobei
1,07 g 4-(N-Carbazolyl)phenylborat
als weißes
Pulver erhalten wurden.
-
Die
Struktur dieses Materials wurde mit einem Infrarotspektrophotometer
(IR) und einer kernmagnetischen Resonanz (NMR) identifiziert. Die
Daten für
das IR und das NMR sind nachstehend gezeigt.
IR (KBr): 3380,
3280, 3060, 1605, 1450, 1410, 1375, 1345, 1330, 1305, 1220, 1170,
745, 720,690 cm–1.
NMR (CDCl3): 8,33 (s, 2H), 8,31 (d, 2H), 8,15 (d,
2H), 7,66 (d, 2H), 7,50 (t, 2H), 7,48 (d, 2H), 7,36 (t, 2H).
-
Die
Strukturformel dieses 4-(N-Carbazolyl)phenylborats ist nachstehend
veranschaulicht:
-
(2) Synthese von 2,2-Bis(4-(4'-(N-carbazolyl)biphenyl)adamantan
-
1,0
g (3,48 mmol) 4-(N-Carbazolyl)phenylborat, 627 mg (1,16 mmol) 2,2-Bis(4-iodphenyl)adamantan, 26
mg (0,116 mmol) Pd(OAc)2, 106 mg (0,348
mmol) Tri(otoluyl)phosphin, 558 mg (5,26 mmol Na2CO3, 11 ml 1,2-Dimethoxyethan und 2 ml Wasser
wurden gemischt und 15 Stunden in einer Stickstoffatmosphäre bei 100°C gerührt. Nach
dem Abkühlen
wurde die Reaktionslösung
15 ml Wasser zugesetzt und mit CHCl3 extrahiert.
Die CHCl3-Phase wurde mit gesättigter
Salzlösung
gewaschen und mit Na2SO4 getrocknet
und dann wurde die Lösung
konzentriert. Der Rückstand
wurde unter Verwendung einer Silicagelsäule (CHCl3:Hexan
= 1:2 bis 1:3) gereinigt, wobei 234,4 mg 2,2-Bis(4-(4'-(N-carbazolyl)biphenyl)adamantan
als hellgelbes Pulver erhalten wurden.
-
Die
Struktur dieses Materials wurde mit einem Infrarotspektrophotometer
(IR) und einer kernmagnetischen Resonanz (NMR) identifiziert. Die
Daten für
das IR und das NMR sind nachstehend gezeigt.
IR (KBr): 3050,
2905, 2860, 1620, 1600, 1520, 1500, 1480, 1455, 1370, 1335, 1315,
1230, 810, 750, 720 cm–1.
NMR (CDCl3): 8,15 (d, 4H), 7,77 (d, 4H), 7,61 (s,
8H), 7,59 (d, 4H), 7,47–7,40
(m, 8H), 7,29 (t, 4H), 3,39 (s, 2H), 2,16 (d, 4H), 1,91–1,79 (m,
8H).
-
Die
Strukturformel dieses 2,2-Bis(4-(4'-(N-carbazolyl)biphenyl)adamantans ist
nachstehend veranschaulicht:
-
Beispiel 8
-
Auf
einem Glassubstrat wurde eine 150 nm dicke transparente Elektrode
aus ITO gebildet, auf der zur Bildung einer Löchertransportschicht eine 40
nm dicke α-NPD-Schicht
mittels Vakuumverdampfen bei einem Vakuumniveau von 5 × 10–7 Torr
abgeschieden wurde. Auf der Löchertransportschicht
wurde eine Schicht mit einer Dicke von 20 nm, die 1,3,5-Tris-[4-(N-carbazolyl)phenyl]benzol
(TCPB, die vorstehend genannte Verbindung (a4)) mit einer Glasübergangstemperatur
(Tg) von 172°C
als Wirtsmaterial umfasste, das mit 7 Gew.-% Ir(ppy)3 als
Dotierungssubstanz dotiert war, abgeschieden, um eine lichtemittierende
Schicht zu erhalten. Auf der so erhaltenen lichtemittierenden Schicht
wurde eine TPBI-Schicht als Löcherblockierschicht
mit einer Dicke von 20 nm abgeschieden und dann wurde Alq3 als Elektronentransportschicht mit einer
Dicke von 30 nm abgeschieden. Darauf wurden LiF in einer Dicke von
0,5 nm und Al in einer Dicke von 150 nm abgeschieden, um eine Metallelektrode
zu bilden.
-
Die
in der vorstehend beschriebenen Weise gebildete Vorrichtung wurde
in eine Vakuumkammer eingebracht, die auf 1 × 10–6 Torr
evakuiert wurde. Nach dem sorgfältigen
Spülen
des Inneren der Kammer mit Stickstoff mit 1 atm wurde ein Ende eines
Versiegelungsglases mit einem Ultraviolett-härtenden Harz zum Versiegeln
an die Oberfläche
der transparenten Elektrode gebunden.
-
An
die organische lichtemittierende Vorrichtung wurde eine Gleichspannung
angelegt, um eine kontinuierliche Ansteuerung vorzunehmen, und die
Emissionseffizienz wurde gemessen. Als Ergebnis wurde erhalten,
dass die maximale externe Quanteneffizienz 12 % betrug. Wenn die
ursprüngliche
Leuchtdichte 1500 cd/m2 betrug, betrug die
Halbwertszeit der Leuchtdichte dieser Vorrichtung 300 Stunden. Dieser
Wert war höher
als der Wert, der unter Verwendung von CBP als Wirtsmaterial erhalten
worden ist. Ferner betrug dann, wenn die ursprüngliche Leuchtdichte 1500 cd/m2 betrug, die Halbwertszeit der Leuchtdichte
dieser Vorrichtung in einer Atmosphäre von 85°C 250 Stunden. Verglichen mit
der Tatsache, dass die Halbwertszeit der Leuchtdichte in einer Atmosphäre von 85°C im Fall
der Verwendung von CBP weniger als die Hälfte der Halbwertszeit bei
Raumtemperatur betrug, war ersichtlich, dass die Vorrichtung von
Beispiel 8 eine hohe Dauerbeständigkeit bei
hohen Temperaturen aufwies.
-
In
einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung umfasst entweder
eine Löchertransportschicht oder
eine Elektronentransportschicht eine lichtemittierende Schicht,
die mit einem phosphoreszierenden Molekül dotiert ist, und ein Wirtsmaterial,
das die Löchertransportschicht
oder die Elektronentransportschicht bildet, weist die Eigenschaften
auf, dass es eine Phosphoreszenz mit Spektren emittiert, die mit
den Spektren des phosphoreszierenden Moleküls überlappt, und eine Glasübergangstemperatur
von 100°C
und darüber aufweist.
Daher zeigt die Vorrichtung eine überlegene Phosphoreszenzemissionseffizienz
und eine überlegene
Wärmebeständigkeit.