DE60027021T2 - Verkapselung für oled-bauelemente - Google Patents

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Description

  • Erfindungsgebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft OLED-Bauelemente (organic light emitting diode – organische Leuchtdiode). Insbesondere betrifft die Erfindung die Verkapselung von OLED-Bauelementen.
  • Allgemeiner Stand der Technik
  • 1 zeigt ein herkömmliches OLED-Bauelement 100. OLED-Bauelemente können als Displays in verschiedenen elektronischen Verbraucherprodukten verwendet werden, einschließlich Mobiltelefone, intelligente Mobiltelefone, Personal Organizer, Pager, Werbetafeln, Berührungsschirmdisplays, Teleconferenzing-Geräte, Multimediageräte, Virtual Reality-Produkte und Displaykiosks.
  • Das OLED-Bauelement umfasst einen funktionalen Stapel aus einer oder mehreren organischen funktionalen Schichten 110 zwischen einer Transparenten leitenden Schicht 105 und einer leitenden Schicht 115. Der funktionelle Stapel wird auf einem transparenten Substrat 101 ausgebildet. Die leitenden Schichten können strukturiert werden, um eine oder mehrere Zellen oder Pixel auf dem Substrat auszubilden. Bondpads 150 sind an die Kathoden und Anoden gekoppelt, um die OLED-Pixel zu steuern. Beim Betrieb werden Ladungsträger durch die Kathoden und Anoden zur Rekombination in den funktionellen Schichten injiziert. Die Rekombination der Ladungsträger bewirkt, dass die funktionelle Schicht sichtbare Strahlung emittiert.
  • Eine Kappe 160, die zwischen sich und den Pixeln einen Hohlraum 145 bildet, ist an dem Substrat montiert. Ein Dichtmittel 187 ist um die Ränder der Kappe herum aufgetragen, wo sie das Substrat kontaktiert. Auf die Kappe wird kein Druck ausgeübt, so dass das Dichtmittel durch Kapillarkraft zwischen die Kappe und das Substrat kriechen und das Bauelement hermetisch abdichten kann. Auf Grund der Lücke G jedoch, die zwischen der Kappe und dem Substrat existiert, muß die Abdichtungsbreite W ausreichend breit sein, um zu verhindern, dass Sauerstoff und Feuchtigkeit durch das Dichtmittel hindurchdringen. In der Regel ist die Abdichtbreite etwa 1-2 mm mit einer Lücke von etwa 0,01-0,1 mm. Eine derartig große Abdichtbreite führt zu einer ineffizienten Verwendung von Chipfläche, wodurch die Miniaturisierung von OLED-Bauelementen begrenzt wird.
  • Aus EP 0 986 112 A2 ist ein Verfahren zur Herstellung organischer Leuchtdioden bekannt. Das US-Patent US 5,714,838 beschreibt organische Leuchtdioden mit transparenten Diffusionsbarrieren. Lichtemittierende Bauelemente, die einen ersten und einen zweiten lichtemittierenden Stapel enthalten, sind in der PCT-Patentanmeldungsveröffentlichung WO 00/16362 A1 beschrieben. Nach oben emittierende OLEDs mit Refraktärmetallverbindungen als Bodenkathoden sind in WO 00/16361 A1 beschrieben. Aus dem US-Patent US 5,965,907 ist ein Vollfarb-OLED-Bauelement mit drei Tafeln bekannt, die dafür ausgelegt sind, Licht in einer roten, grünen und blauen Bandbreite zu emittieren. Organische lichtemittierende Bauelemente, die eine Schutzschicht enthalten, werden in WO 98/28767 A1 beschrieben. Die PCT-Patentanmeldungsveröffentlichung WO 98/59528 A1 offenbart eine OLED mit einer Mikrohohlraumstruktur zum Verstärken der Lichtemission. OLEDs mit lichtreflektierenden Strukturen sind in WO 98/28947 A1 beschrieben.
  • Wie aus der obigen Erörterung hervorgeht, ist es wünschenswert, eine verbesserte Verkapselung von OLED-Bauelementen bereitzustellen, die die Abdichtungsbreite reduziert, die Abdichtungslücke G steuert und einen Hohlraum bereitstellt, um eine mechanische Beschädigung der aktiven Bauelementschichten zu verhindern.
  • Kurze Darstellung der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft allgemein OLED-Bauelemente. Insbesondere betrifft die Erfindung die Verkapselung von OLED-Bauelementen. Bei einer Ausführungsform wird ein Abdichtungsdamm, der das Zellgebiet des Substrats umgibt, vorgesehen. Der Abdichtungsdamm trägt die Kappe auf dem Substrat und stellt ein Abdichtungsgebiet bereit, das sich an einer Außenfläche des Abdichtungsdamms befindet. Bei einer Ausführungsform liegt das Abdichtungsgebiet zwischen dem Rand der Kappe und dem Damm, worin ein Kleber aufgebracht wird, um das OLED-Bauelement abzudichten. Die Verwendung des Abdichtungsdamms bestimmt die Lücke zwischen der Kappe und dem Substrat (wodurch ein Hohlraum zwischen der Diode und der Kappe für einen mechanischen Schutz bereitgestellt wird) und die Abdichtungsbreiten.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt ein herkömmliches OLED-Bauelement; 2 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung und 3-5 zeigen einen Prozeß zum Herstellen eines OLED-Bauelements gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
  • Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
  • 2 zeigt ein OLED-Bauelement 200 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Das OLED-Bauelement umfasst ein Substrat 201, auf dem Pixel ausgebildet sind. Bei einer Ausführungsform umfasst das Substrat ein transparentes Substrat wie etwa Glas. Andere Arten von transparenten Materialien, die als Substrat zum Tragen der OLED-Pixel dienen, sind geeignet. Die OLED-Pixel umfassen eine oder mehrere organische Schichten 110, die zwischen Kathoden 105 und Anoden 115 geschichtet sind. Bei einer Ausführungsform sind die Kathoden und Anoden als Streifen in einer jeweiligen ersten und zweiten Richtung ausgebildet. In der Regel sind die erste und die zweite Richtung orthogonal zueinander. Die OLED-Pixel sind im Zellgebiet des Substrats ausgebildet. Bondpads 150 sind elektrisch an die Kathoden und Anoden gekoppelt. Eine Kappe 260 ist vorgesehen, um die OLED-Pixel zu verkapseln. Die Kappe liefert einen Hohlraum 145, wodurch die Kappe von den OLED-Zellen getrennt wird.
  • Gemäß der Erfindung ist ein Abdichtungsdamm 280 an der Peripherie des Zellgebiets des OLED-Bauelements vorgesehen, um die Kappe zu tragen. Die Höhe des Abdichtungsdamms definiert den Hohlraum 145. Bei einer Ausführungsform umfasst der Abdichtungsdamm ein nichtleitendes Material, um ein Kurzschließen der Elektroden zu verhindern. Ein mehrschichtiger Abdichtungsdamm, bei dem mindestens die Schicht in Kontakt mit dem Substrat ein nichtleitendes Material umfasst, kann ebenfalls verwendet werden. Der Abdichtungsdamm bildet einen Abdichtungsraum oder ein Abdichtungsgebiet 285, das an eine Außenfläche 281 des Abdichtungsdamms anstößt. Bei einer Ausführungsform liegt der Abdichtungsdamm in einer Entfernung von dem Rand der Kappe, wodurch zwischen dem Rand der Kappe und dem Damm ein Abdichtungsraum 285 verbleibt. Ein Dichtmittel 287 füllt den Abdichtungsraum, wodurch das Bauelement hermetisch abgedichtet wird. Durch den Einsatz eines Abdichtungsdamms entfällt vorteilhafterweise die Lücke (Lücke G in 1), die bei herkömmlichen Verkapselungen existiert. Dies ermöglicht Bauelemente, die mit schmaleren Abdichtungsbreiten ausgebildet sind, beispielsweise < 1 mm. Bei einer Ausführungsform liegt die Abdichtungsbreite zwischen etwa 0,2 und unter 1 mm.
  • 3-6 zeigen einen Prozeß zur Herstellung eines OLED-Bauelements gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Unter Bezugnahme auf 3 wird ein Substrat 360 bereitgestellt, das als eine Verkapselungskappe dient. Das Substrat umfasst beispielsweise Metall oder Glas. Andere Arten von Materialien, die die aktiven Komponenten gegenüber der Umgebung schützen können, wie etwa Keramik oder metallisierte Folie, sind ebenfalls geeignet. Die Dicke des Substrats kann beispielsweise 0,4-2 mm betragen. Das Bereitstellen eines dünnen Substrats (0,01-0,2 mm) eignet sich ebenfalls, insbesondere für die Herstellung flexibler Bauelemente.
  • Eine Bauelementschicht 380, von der der Abdichtungsdamm ausgebildet ist, ist auf einer Hauptoberfläche der Kappe abgeschieden. Bei einer Ausführungsform umfasst die Bauelementschicht ein nichtleitendes lichtempfindliches Material wie etwa einen Fotolack. Andere nichtleitende lichtempfindliche Materialien wie etwa 1ichtstrukturierbares Polyimid, Lichtstrukturierbares Polybenzoxazol, Lichtstrukturierbares Polyglutarimid und andere Harze sind ebenfalls geeignet. Die Höhe des Damms (z.B. 1 μm) ist größer als die Höhe der Bauelementschicht (ca. 0,5 μm).
  • Unter Bezugnahme auf 4 wird die Bauelementschicht strukturiert, um einen Abdichtungsdamm 280 auszubilden. Der Strukturierungsprozeß beinhaltet beispielsweise das selektive Belichten der Lackschicht, gefolgt von einem Entwicklungsprozeß, um die ausgewählten Abschnitte zu entfernen (d.h., belichtete oder unbelichtete Abschnitte werden je nach der Verwendung einer positiven oder negativen Lackschicht entfernt). Bei einer Ausführungsform wird der Abdichtungsdamm in einem Abstand von dem Rand des Substrats 260 ausgebildet, wodurch ein Abdichtungsgebiet 285 zurückbleibt. In der Regel ist das Abdichtungsgebiet etwa 0,2-2 mm breit.
  • Der Damm und das Substrat bilden eine Kappe 260, um das OLED-Bauelement zu verkapseln.
  • Alternativ können nicht-lichtempfindliche Materialien, die nicht leitend sind, wie etwa aufgeschleudertes Glas, Polyimid, Polybenzoxazol, Polyglutarimid oder Benzocyclobuten verwendet werden, um als die Abdichtungsdammschicht zu dienen. Andere nichtlichtempfindliche Materialien wie etwa Polymere, einschließlich Polyethylen, Polystyrol, Polypropylen oder anorganische Materialien wie etwa Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid, eignen sich ebenfalls. Für nicht-lichtempfindliche Materialien wird eine Ätzmaske wie etwa ein Lack für das Strukturieren der Bauelementschicht vorgesehen.
  • Bei noch einer weiteren Ausführungsform werden mehrere Schichten zum Ausbilden eines Abdichtungsdammstapels verwendet. Mindestens die oberste Schicht, die das OLED-Substrat kontaktiert, umfasst ein nichtleitendes Material. Die Schichten werden strukturiert unter Verwendung beispielsweise einer Ätzmaske zum Ausbilden des Abdichtungsdamms.
  • Unter Bezugnahme auf 5 wird ein Substrat 201 mit darauf ausgebildeten OLED-Zellen bereitgestellt. Bei einer Ausführungsform umfasst das Substrat ein transparentes Material wie etwa Glas. Zur Ausbildung des Substrats können auch andere Arten von Material verwendet werden. Bei einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das Substrat ein transparentes flexibles Substrat wie etwa dünnes Glas (z.B. 50 μm) oder andere Materialien wie etwa Kunststofffilme, einschließlich beispielsweise transparentes Poly(ethylenterephthalat) (PET), Poly(butylenterephthalat) (PBT), Poly(ethylennaphthalat) (PEN), Polycarbonat (PC), Polyimide (PI), Polysulfone (PSO) und Poly(p-phenylenethersulfon) (PES), Polyethylen (PE), Polypropylen (PP), Poly(vinylchlorid) (PVC), Polystyrol (PS) oder Poly(methylmethacrylat) (PMMA). Bei einer Ausführungsform ist das Substrat etwa 20-300 μm dick.
  • Die OLED-Zellen werden in dem Zellgebiet des Substrats ausgebildet. Die OLED-Zellen umfassen einen Stapel von Schichten, der erste und zweite Elektroden 105 und 115 mit mindestens einer organischen funktionellen Schicht 110 dazwischen enthält. Die Herstellung von OLED-Zellen wird beispielsweise in Burroughes et al., Nature (London) 347, 539 (1990) beschrieben, was durch Bezugnahme für alle Zwecke hier aufgenommen ist. Nicht gezeigte Bondpads können beispielsweise bereitgestellt werden, um zu den OLED-Zellen Zugang zu haben.
  • Die Kappe 260 ist an dem Substrat mit den OLED-Pixeln montiert, wobei der Abdichtungsdamm zum Umgeben des Zellgebiets des OLED-Bauelements ausgerichtet ist. Druck wird auf die Kappe und/oder das Substrat ausgeübt, um sie zusammenzudrücken, um zu vermeiden, daß das Dichtmittel in die Lücke zwischen dem Abdichtungsdamm und dem Substrat kriecht. Ein Dichtmittel 287 wird auf dem Substrat um die Kappe herum aufgetragen. Das Dichtmittel umfasst beispielsweise UV-härtbares Epoxid. Andere Arten von Dichtmitteln wie etwa wärmehärtbares Epoxid oder Acrylate sind ebenfalls geeignet. Das Dichtmittel kriecht hinein, um das Abdichtungsgebiet 285 zwischen der Kappe und dem Substrat zu füllen. Das Dichtmittel wird beispielsweise gehärtet (z.B. UV oder thermisch), wodurch das OLED-Bauelement 200 hermetisch abgedichtet wird.
  • Beispiel
  • Eine 1 μm dicke Schicht aus Fotolack AZ 5214E wurde auf einem Glassubstrat abgeschieden. Das Glassubstrat war etwa 22 mm2 groß und 100 μm dick. Ein Schleuder beschichter Karl Suess RC 8 wurde verwendet, um den Fotolack abzuscheiden (etwa 100/upm für etwa 20 s). Danach wurde der Lack etwa 2 min. lang bei 90°C gehärtet, um das Lösungsmittel zu entfernen, was zu einem trockenen Lackfilm mit einer Dicke von etwa 1,2 μm führt. Der trockene Lackfilm wird selektiv mit einer UV-Lichtdosis von 50 mJ/cm2 unter Verwendung eines Kontaktbelichtungssystems Karl Suess MJB 3 belichtet.
  • Nach der Belichtung wurde der Lack etwa 1 min. lang bei Raumtemperatur in einem alkalischen Entwickler AZ 726 entwickelt. Die belichteten Gebiete des Lacks wurden aufgelöst, wodurch der Abdichtungsdamm auf dem Substrat zurückbleibt. Die Kappe (Substrat mit dem Damm) wurde dann auf einem vorbereiteten Substrat mit OLED-Pixeln befestigt. Ein Kleber wurde entlang der Ränder des Damms ausgegeben, wodurch das Bauelement verkapselt wurde. Bei einem weiteren Versuch wurde die Kappe, bevor sie an dem vorbereiteten OLED-Substrat befestigt wurde, etwa 1 Stunde lang bei etwa 220°C gehärtet, um den Lack zu vernetzen. Das Vernetzen verbessert die Haftung und macht auch den Lack gegenüber beispielsweise Lösungsmitteln beständig, die bei der nachfolgenden Verarbeitung verwendet werden.
  • Wenngleich die Erfindung eingehend gezeigt und unter Bezugnahme auf verschiedene Ausführungsformen beschrieben worden ist, versteht der Fachmann, dass an der vorliegenden Erfindung Modifikationen und Änderungen vorgenommen werden können, ohne vom Sinn und Schutzbereich davon abzuweichen. Der Schutzbereich der Erfindung sollte deshalb nicht unter Bezugnahme auf die obige Beschreibung, sondern unter Bezugnahme auf die beigefügten Ansprüche zusammen mit ihrem vollständigen Umfang an Äquivalenten bestimmt werden.

Claims (26)

  1. Bauelement, das folgendes umfasst: ein Substrat mit einem Zellgebiet; einen Abdichtungsdamm, der das Zellgebiet umgibt; eine Kappe, die von dem Abdichtungsdamm getragen wird; ein Abdichtungsgebiet, das an eine äußere Oberfläche des Abdichtungsdamms anstößt; und einen Kleber, der sich in dem Abdichtungsgebiet befindet, wobei der Kleber das Bauelement hermetisch abdichtet, wodurch der Abdichtungsdamm eine Abdichtungsbreite des Bauelements reduziert.
  2. Bauelement nach Anspruch 1, wobei das Zellgebiet OLED-Zellen umfasst.
  3. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei das Substrat ein transparentes Substrat umfasst.
  4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Substrat ein flexibles Substrat umfasst.
  5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Abdichtungsdamm ein nicht leitendes Material umfasst.
  6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Kleber einen thermisch gehärteten Kleber umfasst.
  7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Abdichtungsdamm ein lichtempfindliches Material umfasst.
  8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Abdichtungsdamm mehrere Schichten umfasst.
  9. Bauelement nach Anspruch 8, wobei mindestens eine Bodenschicht des Abdichtungsdamms in Kontakt mit dem Substrat nichtleitendes Material umfasst.
  10. Verfahren zum Ausbilden eines Bauelements, das das Verkapseln des Bauelements beinhaltet, umfassend: Bereitstellen eines Substrats, das ein Zellgebiet enthält; Bereitstellen einer Kappe mit einem Abdichtungsdamm; Befestigen der Kappe an dem Substrat, wobei der Abdichtungsdamm das Zellgebiet umgibt und ein Abdichtungsgebiet ausbildet, das an eine äußere Oberfläche des Abdichtungsdamms anstößt; Ausüben eines Drucks, um sicherzustellen, dass der Abdichtungsdamm das Substrat kontaktiert; und Auftragen eines Klebers in dem Abdichtungsgebiet, wobei der Kleber das Substrat hermetisch abdichtet, wodurch der Abdichtungsdamm eine Lücke zwischen dem Substrat und der Kappe eliminiert, um eine Abdichtungsbreite des Bauelements zu reduzieren.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Bereitstellen des Substrats das Ausbilden von OLED-Zellen in dem Zellgebiet des Substrats beinhaltet.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 oder 11, wobei das Substrat ein flexibles Substrat umfasst.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei das Substrat ein transparentes Substrat umfasst.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei das Bereitstellen der Kappe mit dem Damm das Ausbilden eines Abdichtungsdamms auf einem Kappensubstrat umfasst.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Ausbilden des Abdichtungsdamms folgendes umfasst: Abscheiden einer Bauelementschicht auf dem Kappensubstrat und Strukturieren der Bauelementschicht, um den Abdichtungsdamm auf dem Kappensubstrat auszubilden.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Bauelementschicht eine lichtempfindliche Schicht umfasst.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 16, weiterhin mit dem Härten des Klebers.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 17, wobei der Abdichtungsdamm ein lichtempfindliches Material umfasst.
  19. Verfahren zum Ausbilden eines Bauelements einschließlich das Verkapseln des Bauelements, umfassend: Bereitstellen eines Substrats, das ein Zellgebiet enthält; Ausbilden eines Abdichtungsdamms auf dem Substrat, wobei der Absichtungsdamm das Zellgebiet umgibt; Befestigen einer Kappe auf dem Abdichtungsdamm, wobei ein Abdichtungsgebiet an eine äußere Oberfläche des Abdichtungsdamms anstößt; Ausüben eines Drucks, um sicherzustellen, dass die Kappe den Abdichtungsdamm kontaktiert; und Auftragen eines Klebers in dem Abdichtungsgebiet, wobei der Kleber das Substrat hermetisch abdichtet, wodurch der Abdichtungsdamm eine Lücke zwischen der Kappe und dem Substrat eliminiert, um eine Abdichtungsbreite des Bauelements zu reduzieren.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Bereitstellen des Substrats das Ausbilden von OLED-Zellen in dem Zellgebiet des Substrats beinhaltet.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 20, wobei das Substrat ein flexibles Substrat umfasst.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 21, wobei das Substrat ein transparentes Substrat umfasst.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 22, wobei das Ausbilden des Abdichtungsdamms folgendes umfasst: Abscheiden einer Bauelementschicht auf dem Substrat und Strukturieren der Bauelementschicht, um den Abdichtungsdamm auf dem Substrat auszubilden.
  24. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 23, wobei die Bauelementschicht eine lichtempfindliche Schicht umfasst.
  25. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 24, wobei der Abdichtungsdamm ein lichtempfindliches Material umfasst.
  26. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 25, weiterhin mit dem Härten des Klebers.
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Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7198832B2 (en) * 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US7394153B2 (en) 1999-12-17 2008-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of electronic devices
TWI222839B (en) * 1999-12-17 2004-10-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for encapsulation of electronic devices
ATE241253T1 (de) 1999-12-17 2003-06-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kapselung für organische leds
US6933537B2 (en) 2001-09-28 2005-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Sealing for OLED devices
KR100768182B1 (ko) * 2001-10-26 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자와 그 제조방법
US8900366B2 (en) 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US7221093B2 (en) 2002-06-10 2007-05-22 Institute Of Materials Research And Engineering Patterning of electrodes in OLED devices
JP2004103337A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004303733A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh 構成素子、とりわけ有機発光ダイオードを備える表示装置
DE10329366B4 (de) * 2003-03-31 2005-06-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement, insbesondere Anzeigevorrichtung mit organischen Leuchtdioden
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US6998776B2 (en) 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
US20040206953A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Robert Morena Hermetically sealed glass package and method of fabrication
US20050116245A1 (en) 2003-04-16 2005-06-02 Aitken Bruce G. Hermetically sealed glass package and method of fabrication
WO2004112160A1 (en) * 2003-06-16 2004-12-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Double seal with getter in flexible organic displays
JP4057017B2 (ja) * 2005-01-31 2008-03-05 富士通株式会社 電子装置及びその製造方法
US7419565B2 (en) 2005-02-01 2008-09-02 Eastman Kodak Company Method for encapsulating
JPWO2006088185A1 (ja) * 2005-02-21 2008-08-07 京セラ株式会社 Ｅｌ表示装置およびその製造方法
CN100424908C (zh) * 2005-07-28 2008-10-08 吉林大学 导电态聚苯胺/纳米晶体TiO2异质结二极管及其制备方法
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
US7597603B2 (en) 2005-12-06 2009-10-06 Corning Incorporated Method of encapsulating a display element
US7537504B2 (en) 2005-12-06 2009-05-26 Corning Incorporated Method of encapsulating a display element with frit wall and laser beam
US8038495B2 (en) 2006-01-20 2011-10-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
KR100673765B1 (ko) * 2006-01-20 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100635514B1 (ko) 2006-01-23 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP4456092B2 (ja) 2006-01-24 2010-04-28 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP4624309B2 (ja) * 2006-01-24 2011-02-02 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
US8164257B2 (en) * 2006-01-25 2012-04-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR100671641B1 (ko) * 2006-01-25 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100688795B1 (ko) 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100685853B1 (ko) 2006-01-25 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100688796B1 (ko) * 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제작 방법
KR100732808B1 (ko) * 2006-01-26 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 제조방법
KR100671647B1 (ko) * 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
JP4633674B2 (ja) 2006-01-26 2011-02-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
KR100671639B1 (ko) * 2006-01-27 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100688790B1 (ko) * 2006-01-27 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100703519B1 (ko) * 2006-02-21 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치의 제조방법
KR100703446B1 (ko) * 2006-02-21 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치의 제조방법
KR100732817B1 (ko) 2006-03-29 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP5052829B2 (ja) * 2006-06-19 2012-10-17 住友化学株式会社 カプセル状マイクロ発光素子の製造方法
US7510400B2 (en) * 2007-03-14 2009-03-31 Visteon Global Technologies, Inc. LED interconnect spring clip assembly
US20100155749A1 (en) * 2007-03-19 2010-06-24 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
US20100110728A1 (en) 2007-03-19 2010-05-06 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
US20080237540A1 (en) * 2007-03-19 2008-10-02 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals
US7621752B2 (en) * 2007-07-17 2009-11-24 Visteon Global Technologies, Inc. LED interconnection integrated connector holder package
WO2009099425A2 (en) 2008-02-07 2009-08-13 Qd Vision, Inc. Flexible devices including semiconductor nanocrystals, arrays, and methods
US20090207617A1 (en) * 2008-02-20 2009-08-20 Merchant Viren B Light emitting diode (led) connector clip
US8448468B2 (en) 2008-06-11 2013-05-28 Corning Incorporated Mask and method for sealing a glass envelope
JP5328261B2 (ja) * 2008-08-13 2013-10-30 ローム株式会社 有機ｅｌ素子
US8247827B2 (en) * 2008-09-30 2012-08-21 Bridgelux, Inc. LED phosphor deposition
US8102119B2 (en) 2008-12-17 2012-01-24 General Electric Comapny Encapsulated optoelectronic device and method for making the same
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US9337446B2 (en) 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US11198270B2 (en) 2008-12-30 2021-12-14 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
US10214686B2 (en) 2008-12-30 2019-02-26 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
KR101097317B1 (ko) * 2009-11-18 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US8952552B2 (en) * 2009-11-19 2015-02-10 Qualcomm Incorporated Semiconductor package assembly systems and methods using DAM and trench structures
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
CN101859880B (zh) * 2010-05-06 2012-10-03 友达光电股份有限公司 电致发光显示装置及其制备方法
JP2010238678A (ja) * 2010-07-28 2010-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法および発光装置
KR20200039806A (ko) 2010-11-10 2020-04-16 나노시스, 인크. 양자 도트 필름들, 조명 디바이스들, 및 조명 방법들
KR20130008100A (ko) * 2011-06-22 2013-01-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 조명 장치
KR20130065219A (ko) 2011-12-09 2013-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN102854666B (zh) * 2012-07-23 2015-11-25 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶面板及液晶显示装置
KR101924526B1 (ko) * 2012-08-22 2018-12-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
CN104936917B (zh) 2012-08-30 2016-10-26 康宁股份有限公司 不含锑的玻璃、不含锑的玻璃料和用所述玻璃料气密密封的玻璃封装件
KR102113600B1 (ko) * 2012-12-07 2020-05-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150043080A (ko) * 2013-10-14 2015-04-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9812667B2 (en) 2015-11-04 2017-11-07 Microsoft Technology Licensing, Llc Patterning of OLED display stacks
KR102466959B1 (ko) 2015-12-31 2022-11-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106784379A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 长春海谱润斯科技有限公司 一种有机发光显示面板及其制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5228293A (en) * 1975-08-27 1977-03-03 Sharp Corp Electric colour display unit
JPS61234161A (ja) * 1985-04-10 1986-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 密着型イメ−ジセンサ
JPS62201727U (de) * 1986-06-16 1987-12-23
FR2645680B1 (fr) * 1989-04-07 1994-04-29 Thomson Microelectronics Sa Sg Encapsulation de modules electroniques et procede de fabrication
JP3158667B2 (ja) * 1991-08-01 2001-04-23 セイコーエプソン株式会社 液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子の再生方法
JPH07168195A (ja) * 1993-12-15 1995-07-04 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子及びその製造方法
US5964030A (en) * 1994-06-10 1999-10-12 Vlsi Technology, Inc. Mold flow regulating dam ring
US5577319A (en) * 1995-03-31 1996-11-26 Motorola, Inc. Method of encapsulating a crystal oscillator
US5714838A (en) 1996-09-20 1998-02-03 International Business Machines Corporation Optically transparent diffusion barrier and top electrode in organic light emitting diode structures
NL1004651C2 (nl) * 1996-11-29 1998-06-03 Nedcard Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager.
JP2001527688A (ja) 1996-12-23 2001-12-25 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ 保護層を含有する有機発光デバイス
KR100513439B1 (ko) 1996-12-23 2005-09-08 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 광 반사 구조체를 보유한 발광 장치
US5920080A (en) * 1997-06-23 1999-07-06 Fed Corporation Emissive display using organic light emitting diodes
US5965907A (en) * 1997-09-29 1999-10-12 Motorola, Inc. Full color organic light emitting backlight device for liquid crystal display applications
US6022583A (en) * 1997-12-16 2000-02-08 Nordson Corporation Method of encapsulating a wire bonded die
JPH11264991A (ja) * 1998-01-13 1999-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
JP2000019566A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Mitsubishi Motors Corp 調光ガラス構造
JP2000030857A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Futaba Corp 有機ｅｌ素子とその製造方法
EP0986112A3 (de) 1998-09-11 2004-02-04 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Effizientes Verfahren zur Herstellung von organischen elektrolumineszenten Dioden
EP1029336A1 (de) 1998-09-11 2000-08-23 Fed Corporation Nach oben abstrahlende organische elektrolumineszente diode (oled) mit kathode aus refraktären metall
US6166489A (en) * 1998-09-15 2000-12-26 The Trustees Of Princeton University Light emitting device using dual light emitting stacks to achieve full-color emission
US6219126B1 (en) * 1998-11-20 2001-04-17 International Business Machines Corporation Panel assembly for liquid crystal displays having a barrier fillet and an adhesive fillet in the periphery
US6650392B2 (en) * 2000-03-15 2003-11-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Cell structure of liquid crystal device
JP2002277884A (ja) * 2001-03-14 2002-09-25 Koninkl Philips Electronics Nv 液晶表示装置
US6791660B1 (en) * 2002-02-12 2004-09-14 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electrooptical device and apparatus for manufacturing the same, electrooptical device and electronic appliances
JP2004303733A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh 構成素子、とりわけ有機発光ダイオードを備える表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
AU2000274682A1 (en) 2002-03-22
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US7255823B1 (en) 2007-08-14
CN1292499C (zh) 2006-12-27

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