DE4424541A1 - Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number
DE4424541A1
DE4424541A1 DE4424541A DE4424541A DE4424541A1 DE 4424541 A1 DE4424541 A1 DE 4424541A1 DE 4424541 A DE4424541 A DE 4424541A DE 4424541 A DE4424541 A DE 4424541A DE 4424541 A1 DE4424541 A1 DE 4424541A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chip
cavity
light receiving
transparent plate
receiving region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4424541A
Other languages
English (en)
Inventor
Jin-Sung Kim
Gi-Rok Huh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MagnaChip Semiconductor Ltd
Original Assignee
Goldstar Electron Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goldstar Electron Co Ltd filed Critical Goldstar Electron Co Ltd
Publication of DE4424541A1 publication Critical patent/DE4424541A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Bildaufnah­ mebauelement vom Festkörpertyp und ein Verfahren zu dessen Herstellung, bei dem eine Schutzschicht auf einer Licht­ empfangsregion eines Bildaufnahmechips gebildet wird, dann eine Gußformung und Gehäusung durchgeführt wird, wodurch Herstellungskosten eingespart werden und die Prozeßzuver­ lässigkeit und die Produktivität verbessert werden.
Bei einem Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp, das in Videokameras und ähnlichem verwendet wird, muß ein optisches Bild auf dem Bildaufnahmebauelement auf eine genaue Art und Weise gebildet werden.
Bei einem herkömmlichen Bildaufnahmebauelement, wie es in Fig. 1 gezeigt ist, ist ein Bildaufnahmechip 13 auf einer Chipbefestigungsregion eines Chipaufnahmehalters 11, der Signalanschlüsse 16 hat, die mit den Kontaktstellen (nicht gezeigt) des Bildaufnahmechips 13 verbunden sind, befestigt. Die Signalanschlüsse 16 sind mit den Kontaktflächen des Bildaufnahmechips mittels Bonddrähten 15 verbunden. Eine transparente Glasplatte 14, die ein Fenster einer licht­ empfangenen Oberfläche hat, deren Oberfläche aus einer Glas­ platte mit der gängigen optischen Ebenheit besteht, ist durch eine Dichtungsmasse 17 mit dem Halter verbunden, um den Bildaufnahmechip zu schützen. In der Zeichnung bezeich­ net das Bezugszeichen 13a einen Lichtempfangsabschnitt und das Bezugszeichen 12 bezeichnet Anschlußleitungen.
Bei dem Prozeß der Herstellung des Bildaufnahmebauelements vom Festkörpertyp, das in der Form der oben beschriebenen Struktur gehäust ist, wird zuerst ein Waferherstellungs­ schritt ausgeführt, um die Bildaufnahmechips mit Licht­ empfangsabschnitten auf dem Chip zu bilden. Diese Chips werden getrennt und die getrennten Chips werden ausgerichtet und auf einer Chipbefestigungsregion befestigt, die in einem Hohlraum des Chipaufnahmehalters 11 liegt, wobei der Chip­ aufnahmehalter 11 vorher durch Sintern gebildet wird. Die Chips werden an der Chipbefestigungsregion des Chipaufnahme­ halters unter Verwendung eines Epoxid-Haftmittels 18 befes­ tigt. Dann werden die Signalanschlüsse 16 des Aufnahmehal­ ters mit jeder entsprechenden Chipkontaktfläche drahtge­ bondet.
Dann wird eine Glasplatte 14, auf der eine Dichtungsmasse verteilt ist, auf der oberen Oberfläche des Chipaufnahmehal­ ters befestigt und externe Anschlüsse werden zugeschnitten, wodurch das Produkt fertiggestellt wird.
Der Chipaufnahmehalter 11 muß die Signalanschlüsse in sich haben, und folglich sind die oberen und unteren keramischen Platten durch Anwenden eines Sinter-Prozesses gebildet.
Das Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp wird mittels des oben beschriebenen Verfahrens hergestellt. Die gesin­ terten Keramikplatten machen jedoch mehr als 60 Prozent der Gesamtkosten des Bauelements aus, und das Sintern der Kera­ mikplatten wird als einzelner Schritt des Prozesses ausge­ führt, wodurch die Produktivität für das Gehäuse erniedrigt wird.
Ferner dürfen keine Partikel auf der Oberfläche der licht­ empfangenen Region (Fenster) während des Zusammenbaus vor­ handen sein, was dazu führt, daß es schwierig wird den Prozeß auszuführen, und daß die Ergiebigkeit verschlechtert wird. Insbesondere das Erreichen einer Kompaktheit wird schwierig.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Bildauf­ nahmebauelement vom Festkörpertyp und einen Gehäusungsprozeß dafür zu schaffen, bei dem das Gehäuse unter Verwendung eines Kunststoffes oder eines Harzes mit einer überlegenen Formbarkeit und durch Anwenden eines Spritzpreßverfahrens gebildet wird, um so dessen Preis zu erniedrigen, bei dem weiterhin eine Reihe von Preßteilverfahren übernommen wer­ den, um so die Kompaktheit des Gehäuses zu erreichen, und um so die Massenproduktion zu vereinfachen, und um so die Pro­ duktivität zu verbessern, und bei dem weiterhin die ge­ schützte Lichtempfangsregion während der Formung getrennt behandelt wird, um so die Verunreinigung der Lichtempfangs­ region zu vermeiden.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung eines Bildaufnahmebauelements vom Festkörpertyp nach Anspruch 1, ein Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp nach Anspruch 8, ein Verfahren zur Herstellung eines Bildaufnahmebauele­ ments vom Festkörpertyp nach Anspruch 10 und durch ein Bild­ aufnahmebauelement vom Festkörpertyp nach Anspruch 14 ge­ löst.
Das Verfahren zur Herstellung oder Gehäusung des Bildaufnah­ mebauelements vom Festkörpertyp gemäß der vorliegenden Er­ findung schließt die folgenden Schritte ein: Bilden einer Schutzschicht auf einer Lichtempfangsregion auf einem Bild­ aufnahmechip, der in einem Halbleiterwafer gebildet ist; Trennen des Bildaufnahmechips nach der Bildung der Schutz­ schicht; Verbinden der Anschlußleitungen eines Anschlußlei­ tungsrahmen mit der Kontaktfläche des getrennten Bildauf­ nahmechips, Abdichten des Chips innerhalb eines Chipaufnah­ mekörpers durch Formen mit einem Harz und durch Verwendung einer Form mit einem Vorsprung, wobei der Vorsprung mit der Schutzschicht in Kontakt ist; und Entfernen der Schutz­ schicht, und Abdichten einer transparenten Platte auf einem Hohlraum, der durch den Vorsprung gebildet ist. Die Form ist in eine untere Form und eine obere Form zum Bilden eines Hohlraums getrennt. Die obere Form hat einen ersten Vor­ sprung und einen zweiten Vorsprung, der mit der Schutz­ schicht in Kontakt ist. Nach dem Formen hat der Chipauf­ nahmekörper einen Hohlraum, der dem zweiten Vorsprung ent­ spricht, und er hat einen Abschnitt zum Aufnehmen einer transparenten Platte, der dem ersten Vorsprung entspricht.
Das Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp, das durch den oben beschriebenen Prozeß hergestellt wurde, schließt fol­ gende Merkmale ein: einen Bildaufnahmechip mit einer Licht­ aufnahmeregion; einen Chipaufnahmekörper, in dem der Chip durch eine Harz-Formung eingeschlossen ist; einen Hohlraum zum Freilegen der Lichtempfangsregion auf dem chipaufnehmen­ den Körper; und eine transparente Platte, die an einem Ort, der der Lichtempfangsregion des Chipaufnahmekörpers ent­ spricht, befestigt ist. Weiterhin schließt der Hohlraum einen weiteren flachen Aufnahmeabschnitt ein und die trans­ parente Platte ist auf dem flachen Aufnahmeabschnitt ange­ ordnet, so daß der Chipaufnahmekörper mehrere transparente Platten einschließen kann.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt der Prozeß die folgenden Schritte ein: Bonden einer Kontaktfläche und einer Lichtempfangsregion mit einem Chip­ befestigungsabschnitt eines Anschlußleitungsrahmens; Draht­ bonden einer Kontaktfläche mit dem Anschlußleitungsrahmen; Abdichten des Chips innerhalb eines Chipaufnahmekörpers durch eine Harz-Formung und durch Verwendung einer Form mit einem Vorsprung, wobei der Vorsprung eine Stufe zum Kontak­ tieren mit der Chipoberfläche hat, und wobei die Chipober­ fläche die Lichtempfangsregion aufweist; und Befestigen einer transparenten Platte auf dem Hohlraum des chipaufneh­ menden Körpers, wobei der Hohlraum dem Vorsprung entspricht.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt das Bildaufnahmebauelement folgende Merkmale ein: einen Bildaufnahmechip mit einer Lichtempfangsregion; einen Chipaufnahmekörper, auf dem der Chip durch Harz-Formung ein­ geschlossen ist; einen Hohlraum, der auf eine solche Art ge­ bildet ist, um die Lichtempfangsregion auf dem Chipaufnahme­ körper freizulegen; und eine transparente Platte, die an einer Position befestigt ist, die der Lichtempfangsregion auf der Oberfläche des Chipaufnahmekörpers entspricht.
Der Hohlraum des Chipaufnahmekörpers besteht aus: einem ersten Hohlraum, der zwischen der transparenten Platte und der Lichtempfangsregion auf dem Chip gebildet ist; und einem zweiten Hohlraum, der eine stufenförmige Oberfläche hat und mit dem ersten Hohlraum in Verbindung ist. Die transparente Platte ist auf der Oberfläche des zweiten Hohlraums befe­ stigt, und der erste Hohlraum besteht aus einem Zwischenraum durch den das Licht, das durch die transparente Platte ein­ fällt, auf die Lichtempfangsregion übertragen wird.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittdarstellung des herkömmlichen Bildaufnahmebauelements;
Fig. 2a-2f Schnittdarstellungen, die den Harz-Formungs­ prozeß zur Herstellung des Bildaufnahmebau­ elements gemäß der vorliegenden Erfindung dar­ stellen;
Fig. 3 eine Draufsichtdarstellung, die Fig. 2a ent­ spricht;
Fig. 4 den Harz-Formungsprozeß;
Fig. 5 eine Schnittdarstellung, die ein weiteres Aus­ führungsbeispiel des Harz-Formungsprozesses gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 6 wiederum ein weiteres Ausführungsbeispiel des Harz-Formungsprozesses gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 eine veränderte Art des Harz-Formungsprozesses aus Fig. 6; und
Fig. 8 eine Schnittdarstellung, die das Bildaufnahme­ bauelement zeigt, das auf der Grundlage eines Verfahrens, einschließlich des Prozesses aus Fig. 6, gebildet ist.
Die Bildaufnahmechips werden durch einen Waferherstellungs­ prozeß gebildet. Das heißt, wie es in Fig. 2a gezeigt ist, daß die Bildaufnahmechips durch Bilden einer Lichtempfangs­ region 1b auf einem Halbleitersubstrat 1a gebildet werden, wodurch eine Mehrzahl von Chips auf einem Wafer gebildet wird. In diesem Zustand wird, um die vorliegende Erfindung anzuwenden, eine Lichtempfangsregionsschutzschicht 3 auf der gesamten Oberfläche des Substrats gebildet, bevor eine Chip­ trennung durchgeführt wird.
Die Lichtempfangsregionsschutzschicht schützt die Lichtem­ pfangsregion vor Verunreinigungen während des Prozesses der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die Schutzschicht durch Verwendung eines Photoresistes vom Festkörpertyp gebildet, und durch Belichtung und Entwicklung strukturiert, wie es in Fig. 2b gezeigt ist, um so den Kon­ taktflächenabschnitt 2 auf dem Chip freizulegen. Die ein­ zelne Struktur des Chips ist in Fig. 3 in einer Draufsicht­ darstellung gezeigt. In Fig. 3 bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen Chip, das Bezugszeichen 4 bezeichnet eine struktur­ ierte Schutzschicht oder eine Photoresiststruktur und das Bezugszeichen 2 bezeichnet eine Kontaktfläche.
Dann wird eine Sägeoperation ausgeführt, so daß die Mehrzahl von Chips von dem Wafer getrennt werden.
Der getrennte Bildaufnahmechip wird auf einem Chipbefesti­ gungsabschnitt eines Anschlußleitungsrahmens (der bereits im voraus hergestellt wurde) durch Verwendung einer geeigneten Einrichtung befestigt. Dann wird eine innere Anschlußleitung des Anschlußleitungsrahmens mit der Chipkontaktfläche durch Anwenden eines Drahtbondverfahrens verbunden. Fig. 2c zeigt den Chip 1, der auf dem Chipbefestigungsabschnitt 5b des An­ schlußleitungsrahmens befestigt ist, und zeigt ebenfalls die Verbindung der inneren Anschlußleitung 5a des Anschlußlei­ tungsrahmens mit der Chipkontaktfläche über einen Draht 6. In diesem Fall besteht der Draht aus Gold oder Aluminium.
Dann wird ein Formungsprozeß ausgeführt, wodurch der Chip durch die Verwendung eines Harzes eingeschlossen wird. Um diesen Prozeß auszuführen wird der Chip, der an den An­ schlußleitungsrahmen drahtgebondet ist, innerhalb eines Hohlraums, der durch eine obere Form 9 und eine untere Form 10 gebildet ist, angeordnet, wie es in Fig. 4 gezeigt ist. Dann wird ein Harz in den Hohlraum eingespritzt, und das eingespritzte Harz verfestigt sich (heilt aus). Folglich wird ein Chipaufnahmekörper 7 gebildet, und der Chip ist einge­ schlossen.
Wie in Fig. 4 gezeigt ist, bildet die obere Form 9 einen Hohlraum und hat einen Vorsprung 9a. Der Vorsprung 9a der oberen Form 9 ist mit der Schutzschicht 4 auf dem Chip in Verbindung. Der Grund hierfür besteht darin, daß die obere Front der Schutzschicht nicht mit dem Harz bedeckt werden darf. Aufgrund des Vorsprungs dichtet der Chipaufnahmekörper 7 den gesamten Chip ab, außer die Schutzschicht 4, wie es in Fig. 2d gezeigt ist, und eine äußere Anschlußleitung 5c des Anschlußleitungsrahmens ist auf der Außenseite des Chipauf­ nahmekörpers freigelegt.
Wie bei dem oben beschriebenen Prozeß gesehen werden kann, ist das Material zur Gehäusung ein Harz oder ein Kunststoff, und aus diesem Grund werden, verglichen mit dem Fall, bei dem eine Keramik verwendet wird, Kosten eingespart. Wenn die Formung unter Verwendung eines Harzes ausgeführt wird, wird ferner die Schutzschicht gebildet, um die Verunreinigung der Lichtempfangsregion zu vermeiden, wodurch die Lichtempfangs­ region geschützt wird.
Der Prozeß wird ohne Veränderung vorhandener Einrichtungen ausgeführt, und anders als bei dem herkömmlichen Verfahren wird die keramische Umhüllung nicht verwendet, wodurch die Produktivität verbessert wird.
Als nächstes wird, wie im Schritt 2e gezeigt ist, das Pho­ toresist, das verwendet wurde, um die Lichtempfangsregion zu schützen, durch ein chemisches Verfahren, wie zum Beispiel Trockenätzen oder ähnliches entfernt. Folglich wird die Luftempfangsregion geöffnet, und ein Hohlraum wird über der Lichtempfangsregion gebildet, so daß Lichtstrahlen fähig sind, den Hohlraum zu der Lichtempfangsregion zu durchlau­ fen.
Dann wird, wie es in Fig. 2f gezeigt ist, eine transparente Glasplatte 8, die einen Lichtdurchlaßgrad von über 90 Pro­ zent und einen Brechungsindex von über 1,5 hat, eingeschlos­ sen, und auf dieser wird eine Dichtungsmasse mit einem nied­ rigen Schmelzpunkt verteilt, wodurch ein Bildaufnahmebau­ element vom Festkörpertyp gebildet wird. Folglich ist die Herstellung des Produkts basierend auf dem Standardkunst­ stoffgehäusungsprozeß vollständig.
Das Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp, das auf der Grundlage des Prozesses der vorliegenden Erfindung herge­ stellt wurde, ist in Fig. 2f gezeigt. Das Bildaufnahmebau­ element vom Festkörpertyp schließt folgende Merkmale ein: einen Bildaufnahmechip mit einer Lichtempfangsregion 1b; einen Chipaufnahmekörper 7, in dem ein Chip durch eine Harz-Formung eingeschlossen ist; einen Hohlraum zum Freile­ gen der Lichtempfangsregion auf dem Chipaufnahmekörper; und eine transparente Platte 8, die an einem Ort, der der Licht­ empfangsregion auf der oberen Front des Chipaufnahmekörpers entspricht, befestigt ist.
Eine modifizierte Struktur des Bildaufnahmebauelements gemäß der vorliegenden Erfindung ist in Fig. 5 gezeigt. Die modi­ fizierten Merkmale sind die Folgenden. Die transparente Platte, die auf der oberen Front des Chipaufnahmekörpers bei dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel befestigt war, ist innerhalb des Chipaufnahmekörpers der vorliegenden Erfindung eingeschlossen. Um dieses Merkmal zu erreichen, ist der Vor­ sprung der Form aus Fig. 4 in einen ersten und einen zweiten Vorsprung geteilt, und die Harz-Formung wird ausgeführt.
Eine transparente Platte 8 ist, wie es in Fig. 5 gezeigt ist, innerhalb des ersten Hohlraums oder innerhalb des Auf­ nahmeabschnitts für die transparente Platte, die durch den ersten Vorsprung der Form gebildet ist, befestigt. Der zwei­ te Hohlraum, der dem zweiten Vorsprung der Form entspricht, bleibt als Raum, den Lichtstrahlen zu der Lichtempfangsre­ gion durchlaufen. Der erste und der zweite Hohlraum stehen miteinander in Verbindung. Die transparente Platte ist auf dem Aufnahmeabschnitt für die transparente Platte angeordnet und es ist deshalb wünschenswert, daß die Dicke des ersten Vorsprungs der Form der Dicke der transparenten Platte ent­ spricht.
Aus diesem Grund ist die Oberfläche des Chipaufnahmekörpers anders als bei dem vorhergegangenen Ausführungsbeispiel eben, ohne irgendwelche Vorsprünge, wodurch die Handhabung einfacher wird.
Nun wird ein weiteres Ausführungsbeispiel des Bildaufnahme­ bauelements gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben. Bei diesem Ausführungsbeispiel werden Teilen, die denen der vorhergehenden Ausführungsbeispiele entsprechen, die gleichen Bezugszeichen zugeordnet.
Die vorhergehenden zwei Ausführungsbeispiele sind ein erstes und ein zweites Ausführungsbeispiel, und das derzeitige Aus­ führungsbeispiel ist ein drittes Ausführungsbeispiel. Dieses dritte Ausführungsbeispiel ist den vorhergehenden zwei Aus­ führungsbeispielen ähnlich, aber im Folgenden wird der Pro­ zeß detailliert beschrieben.
Gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung wird ein Waferprozeß auf eine solche Art ausgeführt, daß eine Mehrzahl von Lichtempfangsregionen auf einem Halb­ leitersubstrat gebildet werden, wodurch eine Mehrzahl von Chips auf dem Wafer gebildet werden. Dann wird ein Sägepro­ zeß ausgeführt, wodurch ein Chip von einem Wafer erhalten wird.
Der getrennte Chip wird auf einem Chipbefestigungsabschnitt durch Verwendung eines geeigneten Klebemittels befestigt. Dann wird eine innere Anschlußleitung des Anschlußleitungs­ rahmens mit der Chipkontaktfläche drahtgebondet.
Fig. 6 ist eine Schnittdarstellung, die einen Zustand dar­ stellt, bei dem das Bonden und das Drahtbonden ausgeführt wurden. Der Draht besteht aus Gold oder Aluminium. Fig. 6 zeigt ebenfalls den Formungsprozeß, und dieser wird im Fol­ genden beschrieben.
Die Form, die zum Ausführen eines Spritzpreßverfahrens ver­ wendet wird, besteht aus einer oberen Form 20 und einer un­ teren Form 21, und die zwei Formen bilden einen Hohlraum. Der Chip wird in den Hohlraum eingefügt und ein Harz wird in den Hohlraum eingespritzt und ausgeheilt.
Ein stufenförmiger Vorsprung 20a der oberen Form 20 ist mit der Lichtempfangsregion in Kontakt, und die Öffnung des Vor­ sprungs geht nach oben mit einem Winkel α₁ auseinander. Die­ ser Vorsprung bildet einen Hohlraum, die später die Lichtem­ pfangsregion freilegt, während dieser Vorsprung eine Neigung mit einem Winkel α₁ hat, wodurch der Empfang der Lichtstrah­ len effizienter wird.
Ein Vorsprung 21a der unteren Form 21 trägt den Chip, und ein Harz wird in den Hohlraum eingespritzt, in dem der Chip auf einem Vorsprung 20a der oberen Form 20 dem Vorsprung 21a der unteren Form 21 angeordnet ist. Wie in Fig. 8 darge­ stellt ist, bildet das verfestigte Harz dann einen Chipauf­ nahmekörper 22, und ein Hohlraum 24 wird durch den stufen­ förmigen Vorsprung gebildet, während der Vorsprung der un­ teren Form eine spitz zusammenlaufende Nut 23 bildet, wie dies von der Außenseite her beobachtet werden kann. Der Bo­ den der spitz zusammenlaufenden Nut 23 hat dieselbe Form wie die rückwärtige Seite des Chipbefestigungsabschnitts des An­ schlußleitungsrahmens, und der spitz zulaufende Abschnitt hat einen Winkel α₂.
Eine transparente Glasplatte 8 wird auf einer Oberfläche 24a befestigt, die auf dem stufenförmigen Vorsprung gebildet ist. Der gesamte Hohlraum 24, der ab dem Vorsprung 20a der Form beginnt, schließt folgende Merkmale ein: einen ersten Hohlraum 24b, der zwischen der transparenten Platte und der Lichtempfangsregion auf dem Chip gebildet ist; und einen zweiten Hohlraum 24c, der eine stufenförmige Oberfläche hat und mit dem ersten Hohlraum in Verbindung steht. Die trans­ parente Platte ist in dem zweiten Hohlraum angeordnet, wäh­ rend der erste Hohlraum ein Freiraum ist, durch den das Licht zu der Lichtempfangsregion läuft, nachdem es die transparente Platte durchlaufen hat.
Währenddessen wird bei einem vierten Ausführungsbeispiel, das in Fig. 7 dargestellt ist, anstelle des gestuften Vor­ sprungs 20a der oberen Form 20 bei dem dritten Ausführungs­ beispiel eine obere Form 20′ mit einer Nut 20′a am Boden des gestuften Vorsprungs 20a vorgesehen, dessen Nut 20′a zwi­ schen der Lichtempfangsregion des Chips und dem gestuften Vorsprung geformt ist, wodurch die obere Form 20′ folglich nicht mit der Lichtempfangsregion in Kontakt ist. Der Gehäu­ sungsprozeß ist der gleiche wie bei dem oben beschriebenen dritten Ausführungsbeispiel.
Gemäß der vorliegenden Erfindung, die oben beschrieben wur­ de, wird das Gehäuse des Bildaufnahmebauelements vom Fest­ körpertyp nicht durch eine Keramik gebildet, sondern unter Verwendung eines Kunststoffes. Deshalb werden Kosten einge­ spart und die Produktivität wird verbessert, weil eine Reihe von Schritten beim Gehäusen verwendet wird. Nachdem die Schutzschicht nach der Formung entfernt wird, wird weiterhin die Verunreinigung, die während des Prozesses auftreten kann, vermieden.

Claims (15)

1. Verfahren zur Herstellung eines Bildaufnahmebauelements vom Festkörpertyp, mit folgenden Schritten:
Bilden einer Schutzschicht auf einer Lichtempfangsre­ gion eines Bildaufnahmechips, der auf einem Halbleiter­ wafer gebildet ist;
Trennen des Bildaufnahmechips nach der Bildung der Schutzschicht;
Befestigen des Bildaufnahmechips auf einem Anschlußlei­ tungsrahmen und Verbinden der Anschlußleitungen des An­ schlußleitungsrahmens mit einer Kontaktfläche des ge­ trennten Bildaufnahmechips;
Einschließen des Chips innerhalb eines Chipaufnahmekör­ pers durch Eingießen mit einem Harz und durch Verwenden einer Form mit einem Vorsprung, wobei der Vorsprung mit der Schutzschicht in Kontakt ist; und
Entfernen der Schutzschicht, und Einschließen einer transparenten Platte in einem Hohlraum, der durch den Vorsprung gebildet ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schutzschicht ein festes Photoresist ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schutzschicht in einer solchen Art gebildet ist, daß eine Schutzschicht auf der gesamten Oberfläche eines Wafers mit einer Mehrzahl von Chips, die darin gebildet sind, gebildet wird, und bei dem eine Strukturierung durch Ausführen eines Photoätzprozesses durchgeführt wird, um die Lichtempfangsregionen der jeweiligen Chips zu bedecken.
4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Anschlußlei­ tungsrahmen einen Chipbefestigungsabschnitt, eine in­ nere Anschlußleitung und eine äußere Anschlußleitung, die mit der inneren Anschlußleitung verbunden ist, umfaßt; bei dem der Bildaufnahmechip auf dem Chipbefe­ stigungsabschnitt befestigt wird; und bei dem die Kon­ taktfläche des Chips mit der inneren Anschlußleitung drahtgebondet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Form aus einer oberen Form und einer unteren Form zum Bilden eines Hohlraums besteht;
wobei die obere Form mit einem ersten Vorsprung und einem zweiten Vorsprung, der mit dem ersten Vorsprung verbunden ist und mit der Schutzschicht des Chips in Kontakt ist, versehen ist; und
wobei ein geformter Chipaufnahmekörper einen Hohlraum einschließt, der dem zweiten Vorsprung entspricht, und einen Plattenaufnahmeabschnitt einschließt, der dem ersten Vorsprung entspricht.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Dicke des ersten Vorsprungs der Dicke der transparenten Platte ent­ spricht.
7. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem der Plattenaufnahme­ abschnitt zur Anordnung und Abdichtung der transparen­ ten Platte mit einer darauf verteilten Dichtungsmasse vorgesehen ist.
8. Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp mit folgenden Merkmalen:
einem Bildaufnahmechip mit einer Lichtempfangsregion;
einem Chipaufnahmekörper, in dem durch eine Harz-For­ mung ein Chip eingeschlossen ist;
ein Hohlraum zum Freilegen einer Lichtempfangsregion auf dem Chipaufnahmekörper; und
eine transparente Platte, die auf der oberen Fläche des Chipaufnahmekörpers eingeschlossen ist, die der Licht­ empfangsregion entspricht.
9. Bauelement nach Anspruch 8, bei dem der Chipaufnahme­ körper einen Plattenaufnahmeabschnitt zum Anordnen der transparenten Platte hat.
10. Verfahren zur Herstellung eines Bildaufnahmebauelements vom Festkörpertyp, mit folgenden Schritten:
Bonden eines Chips auf einen Chipbefestigungsabschnitt eines Anschlußleitungsrahmens, wobei der Chip Kontakt­ flächen und eine Lichtempfangsregion hat;
Drahtbonden der Anschlußflächen mit den Anschlußleitun­ gen des Anschlußleitungsrahmens;
Einschließen des Chips innerhalb eines Chipaufnahme­ körpers durch Harz-Formung unter Verwendung einer Form, die einen Vorsprung hat, wobei die Form einen stufen­ förmigen Vorsprung hat, um mit der Chipoberfläche in Kontakt zu sein, und wobei die Chipoberfläche die Lichtempfangsregion einschließt; und
Befestigen einer transparenten Platte auf dem Hohlraum des Chipaufnahmekörpers, wobei der Hohlraum dem Vor­ sprung entspricht.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der gestufte Vor­ sprung, der mit der Chipoberfläche, die die Lichtem­ pfangsregion einschließt, in Kontakt ist, mit einer Nut versehen ist, und bei dem die Nut eine Größe entspre­ chend der Lichtempfangsregion hat, und nicht mit dem Vorsprung in Kontakt ist.
12. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der Hohlraum, der entsprechend dem Vorsprung gebildet ist, folgende Merk­ male aufweist:
einen ersten Hohlraum, der zwischen der Lichtempfangs­ region des Chips und der transparenten Platte gebildet ist; und
einen zweiten Hohlraum, der eine gestufte Oberfläche hat und mit dem ersten Hohlraum in Verbindung steht,
wobei die transparente Platte auf der Oberfläche des zweiten Hohlraums befestigt ist; und
wobei der erste Hohlraum einen Zwischenraum zum Über­ tragen der Lichtstrahlen von der transparenten Platte an die Lichtempfangsregion bildet.
13. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der Hohlraum einen Winkel hat, der in Richtung des Äußeren des Chipauf­ nahmekörpers divergiert.
14. Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp mit folgenden Merkmalen:
einem Bildaufnahmechip mit einer Lichtempfangsregion;
einem Chipaufnahmekörper, in dem der Chip durch Harz- Formung eingeschlossen ist;
einen Hohlraum, der auf eine solche Art gebildet ist, um die Lichtempfangsregion auf dem Chipempfangskörper freizulegen; und
eine transparente Platte, die an einem Ort befestigt ist, der der Lichtempfangsregion auf der Oberfläche des Chipaufnahmekörpers entspricht,
wobei der Hohlraum des Chipaufnahmekörpers folgende Merkmale aufweist:
einen ersten Hohlraum, der zwischen der transparenten Platte und der Lichtempfangsregion des Chips gebildet ist; und
einen zweiten Hohlraum, der eine gestufte Oberfläche hat und mit dem ersten Hohlraum in Verbindung steht;
wobei die transparente Platte auf der Oberfläche des zweiten Hohlraums befestigt ist, und
wobei der erste Hohlraum einen Zwischenraum bildet, durch den das Licht, das durch die transparente Platte einfällt, auf die Lichtempfangsregion übertragen wird.
14. Bauelement nach Anspruch 14, bei dem der Hohlraum einen Winkel hat, der in Richtung der Außenseite des Chipauf­ nahmekörpers divergiert.
DE4424541A 1994-01-24 1994-07-12 Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp und Verfahren zu dessen Herstellung Withdrawn DE4424541A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940001209A KR970005706B1 (ko) 1994-01-24 1994-01-24 고체촬상소자 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4424541A1 true DE4424541A1 (de) 1995-08-03

Family

ID=19376120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4424541A Withdrawn DE4424541A1 (de) 1994-01-24 1994-07-12 Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5622873A (de)
JP (1) JP3630447B2 (de)
KR (1) KR970005706B1 (de)
DE (1) DE4424541A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1003315C2 (nl) * 1996-06-11 1997-12-17 Europ Semiconductor Assembly E Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling.
DE19929026B4 (de) * 1999-06-25 2011-02-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors
EP2667411A1 (de) * 2012-05-25 2013-11-27 Unimicron Technology Corp. Abtastvorrichtungspaketstruktur und Verfahren zu deren Herstellung

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030050263A1 (en) * 1994-07-15 2003-03-13 The University Of Iowa Research Foundation Methods and products for treating HIV infection
US5956415A (en) * 1996-01-26 1999-09-21 Harris Corporation Enhanced security fingerprint sensor package and related methods
JP3006495B2 (ja) * 1996-06-07 2000-02-07 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6353326B2 (en) 1998-08-28 2002-03-05 Micron Technology, Inc. Test carrier with molded interconnect for testing semiconductor components
US6307258B1 (en) 1998-12-22 2001-10-23 Silicon Bandwidth, Inc. Open-cavity semiconductor die package
EP1041628A3 (de) * 1999-03-29 2008-05-28 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw BGA-Bildsensor-Verpackung und deren Herstellungsmethode
US6841412B1 (en) * 1999-11-05 2005-01-11 Texas Instruments Incorporated Encapsulation for particle entrapment
AT410727B (de) * 2000-03-14 2003-07-25 Austria Mikrosysteme Int Verfahren zum unterbringen von sensoren in einem gehäuse
DE10023539B4 (de) * 2000-05-13 2009-04-09 Micronas Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Bauteils
US7273769B1 (en) * 2000-08-16 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing encapsulating material from a packaged microelectronic device
EP1352425A2 (de) 2000-08-17 2003-10-15 Authentec Inc. Integrierte schaltung mit öffnung zur offenlegung eines teils der schaltung
US7049166B2 (en) * 2000-08-17 2006-05-23 Authentec, Inc. Methods and apparatus for making integrated circuit package including opening exposing portion of the IC
US6818963B1 (en) * 2000-09-07 2004-11-16 Stmicroelectronics, Inc. Surface mount package for linear array sensors
EP1211721A1 (de) * 2000-11-30 2002-06-05 STMicroelectronics S.r.l. Verbesserte elektronische Packungsanordnung und Herstellungsverfahren dafür
EP1211722B9 (de) * 2000-11-30 2005-07-13 STMicroelectronics S.r.l. Herstellungsverfahren einer elektronischen Packungsanordnung
US20020079572A1 (en) 2000-12-22 2002-06-27 Khan Reza-Ur Rahman Enhanced die-up ball grid array and method for making the same
EP1220309A1 (de) * 2000-12-28 2002-07-03 STMicroelectronics S.r.l. Herstellungsverfahren einer elektronischen Packungsanordnung
EP1390902A4 (de) 2001-04-27 2008-10-15 Atrua Technologies Inc Kapazitives sensorsystem mit verbesserter kapazitätsmessempfindlichkeit
US7060216B2 (en) * 2001-05-11 2006-06-13 Melexis, Nv Tire pressure sensors and methods of making the same
US6762077B2 (en) * 2001-05-11 2004-07-13 Melexis Nv Integrated sensor packages and methods of making the same
US7259573B2 (en) * 2001-05-22 2007-08-21 Atrua Technologies, Inc. Surface capacitance sensor system using buried stimulus electrode
WO2002095801A2 (en) * 2001-05-22 2002-11-28 Atrua Technologies, Inc. Improved connection assembly for integrated circuit sensors
US6860731B2 (en) * 2001-07-09 2005-03-01 Asm Technology Singapore Pte Ltd. Mold for encapsulating a semiconductor chip
NL1019042C2 (nl) * 2001-09-26 2003-03-27 Europ Semiconductor Assembly E Werkwijze voor het inkapselen van een chip en/of ander voorwerp.
JP3766034B2 (ja) * 2002-02-20 2006-04-12 富士通株式会社 指紋センサ装置及びその製造方法
US6900508B2 (en) 2002-04-16 2005-05-31 Stmicroelectronics, Inc. Embedded flat film molding
US6817854B2 (en) * 2002-05-20 2004-11-16 Stmicroelectronics, Inc. Mold with compensating base
US7304362B2 (en) * 2002-05-20 2007-12-04 Stmicroelectronics, Inc. Molded integrated circuit package with exposed active area
JP4519424B2 (ja) * 2003-06-26 2010-08-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 樹脂モールド型半導体装置
US20050009239A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-13 Wolff Larry Lee Optoelectronic packaging with embedded window
IL159032A0 (en) * 2003-11-24 2004-05-12 Safety Quick Light Ltd Swivellable electric socket-plug combination
DE502004009619D1 (de) * 2004-10-08 2009-07-30 Avago Tech Fiber Ip Sg Pte Ltd Verfahren zum Herstellen eines mit einem Kunststoffgehäuse versehenen optischen oder elektronischen Moduls
GB0502628D0 (en) * 2005-02-09 2005-03-16 Melexis Nv Optical data transceivers
JP4618639B2 (ja) * 2005-02-22 2011-01-26 アオイ電子株式会社 半導体装置の製造方法
GB0504379D0 (en) * 2005-03-03 2005-04-06 Melexis Nv Low profile overmoulded semiconductor package with transparent lid
DE102005010311A1 (de) * 2005-03-03 2006-09-14 Atmel Germany Gmbh Verfahren und Gießform zur Herstellung eines optischen Halbleitermoduls
JP4782522B2 (ja) * 2005-09-27 2011-09-28 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 光機能素子パッケージ及びその製造方法
CN100468665C (zh) * 2005-12-02 2009-03-11 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像感测晶片封装制程
CN100562068C (zh) * 2005-12-02 2009-11-18 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 数码相机模组制作方法
KR100681697B1 (ko) * 2005-12-02 2007-02-15 에스티에스반도체통신 주식회사 광에 의해 구동되는 반도체 패키지
JP4794354B2 (ja) * 2006-05-23 2011-10-19 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2008066696A (ja) * 2006-08-10 2008-03-21 Denso Corp 半導体製造装置および半導体製造方法
DE102007038515A1 (de) * 2006-11-09 2008-05-15 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Passivierung eines Bauelements und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
JP2009099680A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Panasonic Corp 光学デバイスおよびその製造方法
ITMI20072099A1 (it) * 2007-10-30 2009-04-30 St Microelectronics Srl Metodo di fabbricazione di un dispositivo elettronico comprendente dispositivi mems incapsulati per stampaggio
JP2010062232A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Nec Electronics Corp 素子の機能部を露出させた半導体装置の製造方法
JP2010098117A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Nec Electronics Corp 電子装置および電子装置の製造方法
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US8866004B1 (en) 2009-06-09 2014-10-21 Amkor Technology, Inc. Frame interconnect for concentrated photovoltaic module
US8841547B1 (en) 2009-10-09 2014-09-23 Amkor Technology, Inc. Concentrated photovoltaic receiver package with built-in connector
US8866002B1 (en) 2009-11-25 2014-10-21 Amkor Technology, Inc. Through wafer via structures for concentrated photovoltaic cells
US9362437B1 (en) 2010-06-14 2016-06-07 Amkor Technology, Inc. Concentrated photovoltaic receiver module with improved optical light guide assembly
US8809677B1 (en) 2010-07-02 2014-08-19 Amkor Technology, Inc. Molded light guide for concentrated photovoltaic receiver module
US8552517B1 (en) 2010-09-14 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive paste and mold for electrical connection of photovoltaic die to substrate
US8502361B1 (en) 2010-12-09 2013-08-06 Amkor Technology, Inc. Concentrated photovoltaic receiver package with stacked internal support features
DE102011013468A1 (de) * 2011-03-09 2012-09-13 Micronas Gmbh Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
JP5708688B2 (ja) * 2012-08-27 2015-04-30 株式会社デンソー センサパッケージの製造方法
US9067342B2 (en) * 2012-09-26 2015-06-30 Intel Corporation Mold chase for integrated circuit package assembly and associated techniques and configurations
US9368423B2 (en) 2013-06-28 2016-06-14 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of using substrate with conductive posts and protective layers to form embedded sensor die package
CN107002697B (zh) 2014-09-30 2020-03-27 安捷灯饰风扇公司 具有照明效果的吊扇和加热器的组合
JP6987743B2 (ja) 2015-05-12 2022-01-05 ラン ローランド コーエン 電気器具のためのスマートクイック接続装置
US9799580B2 (en) * 2016-03-24 2017-10-24 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device package and methods of manufacture thereof
JP6865232B2 (ja) * 2016-04-28 2021-04-28 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 撮像モジュール、そのモールディング感光アセンブリ、モールディング感光アセンブリの半製品及びそれらの製造方法並びに電子機器
KR102352901B1 (ko) * 2016-08-01 2022-01-19 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 촬영 모듈과 그 몰딩 회로기판 컴포넌트 및 몰딩 감광 컴포넌트와 제조방법
US10989400B2 (en) 2017-03-05 2021-04-27 Ran Roland Kohen Modular smart quick connect device for electrical fixtures
US11133632B2 (en) 2017-03-10 2021-09-28 Ran Roland Kohen Quick connect device for recessed electrical fixtures
CN110651153A (zh) 2017-04-17 2020-01-03 兰·罗兰·科恩 断开和支撑快速释放电气固定装置
CN110754021A (zh) 2017-05-01 2020-02-04 兰·罗兰·科恩 在不需要工具的情况下将照明设备连接到杆
JP6840644B2 (ja) * 2017-09-05 2021-03-10 株式会社東芝 半導体装置
CN109037169B (zh) * 2018-07-06 2020-10-23 昆山丘钛微电子科技有限公司 封装模具、封装结构、封装方法和摄像头模组
CA3130493A1 (en) 2019-02-20 2020-08-27 Ran Roland Kohen Quick connect device with transverse release

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3622419A (en) * 1969-10-08 1971-11-23 Motorola Inc Method of packaging an optoelectrical device
DE3330975A1 (de) * 1983-08-27 1985-03-21 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren und anordnung zur kapselung eines halbleiterbauelementes
US4644384A (en) * 1984-02-02 1987-02-17 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for packaging eprom integrated circuits
US4710797A (en) * 1983-03-14 1987-12-01 Oki Electric Industry Co., Ltd. Erasable and programable read only memory devices
US4812420A (en) * 1986-09-30 1989-03-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of producing a semiconductor device having a light transparent window
DE3920481A1 (de) * 1988-06-27 1990-01-25 Tech Hochschule C Schorlemmer Verfahren zur verkapselung von halbleitersensoren
US5051802A (en) * 1988-01-22 1991-09-24 Thomson-Csf Compact image sensor
DE4133183A1 (de) * 1990-10-13 1992-04-23 Gold Star Electronics Verfahren zur montage eines ccd-gehaeuses sowie ccd-gehaeusekonstruktion
DE4135189A1 (de) * 1990-11-13 1992-05-14 Gold Star Electronics Verfahren zur montage des gehaeuses eines halbleiter-bauelements
US5138145A (en) * 1988-10-14 1992-08-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing image sensors with current flow into chip and with simplified chip mounting
US5239412A (en) * 1990-02-05 1993-08-24 Sharp Kabushiki Kaisha Solid image pickup device having microlenses

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5984448A (ja) * 1982-11-08 1984-05-16 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPS6132535A (ja) * 1984-07-25 1986-02-15 Sanyo Electric Co Ltd センサの製造方法
JPS61288577A (ja) * 1985-06-14 1986-12-18 Nec Corp 半導体固体撮像装置
JPH0642518B2 (ja) * 1985-09-30 1994-06-01 三菱電機株式会社 半導体装置
JPS62115834A (ja) * 1985-11-15 1987-05-27 Matsushita Electronics Corp 半導体封止装置
JPS62136053A (ja) * 1985-12-10 1987-06-19 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH0724287B2 (ja) * 1987-02-12 1995-03-15 三菱電機株式会社 光透過用窓を有する半導体装置とその製造方法
US5026667A (en) * 1987-12-29 1991-06-25 Analog Devices, Incorporated Producing integrated circuit chips with reduced stress effects
JPH05203522A (ja) * 1992-01-23 1993-08-10 Mitsubishi Electric Corp モールドパッケージ半導体圧力センサおよびその製造方法
US5438216A (en) * 1992-08-31 1995-08-01 Motorola, Inc. Light erasable multichip module

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3622419A (en) * 1969-10-08 1971-11-23 Motorola Inc Method of packaging an optoelectrical device
US4710797A (en) * 1983-03-14 1987-12-01 Oki Electric Industry Co., Ltd. Erasable and programable read only memory devices
DE3330975A1 (de) * 1983-08-27 1985-03-21 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren und anordnung zur kapselung eines halbleiterbauelementes
US4644384A (en) * 1984-02-02 1987-02-17 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for packaging eprom integrated circuits
US4812420A (en) * 1986-09-30 1989-03-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of producing a semiconductor device having a light transparent window
US5051802A (en) * 1988-01-22 1991-09-24 Thomson-Csf Compact image sensor
DE3920481A1 (de) * 1988-06-27 1990-01-25 Tech Hochschule C Schorlemmer Verfahren zur verkapselung von halbleitersensoren
US5138145A (en) * 1988-10-14 1992-08-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing image sensors with current flow into chip and with simplified chip mounting
US5239412A (en) * 1990-02-05 1993-08-24 Sharp Kabushiki Kaisha Solid image pickup device having microlenses
DE4133183A1 (de) * 1990-10-13 1992-04-23 Gold Star Electronics Verfahren zur montage eines ccd-gehaeuses sowie ccd-gehaeusekonstruktion
DE4135189A1 (de) * 1990-11-13 1992-05-14 Gold Star Electronics Verfahren zur montage des gehaeuses eines halbleiter-bauelements

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1003315C2 (nl) * 1996-06-11 1997-12-17 Europ Semiconductor Assembly E Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling.
EP0813236A1 (de) * 1996-06-11 1997-12-17 European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. Verfahren zum Einkapseln einer integrierten Halbleiterschaltung
US5897338A (en) * 1996-06-11 1999-04-27 European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. Method for encapsulating an integrated semi-conductor circuit
DE19929026B4 (de) * 1999-06-25 2011-02-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors
EP2667411A1 (de) * 2012-05-25 2013-11-27 Unimicron Technology Corp. Abtastvorrichtungspaketstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
EP3780075A1 (de) * 2012-05-25 2021-02-17 Unimicron Technology Corp. Abtastvorrichtungspaketstruktur und verfahren zu deren herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
KR950024308A (ko) 1995-08-21
JPH07221278A (ja) 1995-08-18
JP3630447B2 (ja) 2005-03-16
KR970005706B1 (ko) 1997-04-19
US5622873A (en) 1997-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4424541A1 (de) Bildaufnahmebauelement vom Festkörpertyp und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69737248T2 (de) Verfahren zum Einkapseln einer integrierten Halbleiterschaltung
EP0911886B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102011053871B4 (de) Multichip-Halbleitergehäuse und deren Zusammenbau
DE68926448T2 (de) Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung
EP1022787B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements und oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
DE69209772T2 (de) Gehäuseanordnung für ein funktionales bauelement und herstellungsverfahren
DE102012109905B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
DE102005025667B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung mit einem umgossenen Signalausgabeabschnitt
DE68910738T2 (de) Hohle Plastikpackung für Halbleiteranordnungen.
DE102008011153B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen
DE3022840A1 (de) Gekapselte schaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE10147955A1 (de) Halbleitervorrichtung
EP1622237A1 (de) Optisches oder elektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4328916A1 (de) Ladungsgekoppelte Speichergehäuseanordnung mit Glasabdeckung
EP1649412B1 (de) Chipkarte, chipkartenmodul sowie verfahren zur herstellung eines chipkartenmoduls
DE19518753A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP2606510A1 (de) Verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2005064696A1 (de) Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE3534186C2 (de) Festkörper-Bildwandleranordnung
EP1630913B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines mit einem Kunststoffgehäuse versehenen optischen oder elektronischen Moduls das eine optische oder elektronische Komponente enthält, sowie optisches oder elektronisches Modul
DE102018104382A1 (de) Optoelektronisches bauelement und herstellungsverfahren
EP1622204B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines mit einem Kunststoffgehäuse versehenen optischen oder elektronischen Moduls
DE112016000360B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE19834160A1 (de) Halbleiterkomponente und entsprechendes Herstellungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: LG SEMICON CO. LTD., CHUNGCHEONGBUK-DO, KR

8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON, KYONGGI, KR

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD., CHEONGJU, KR

8139 Disposal/non-payment of the annual fee