DE112016000360B4

DE112016000360B4 - Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement

Info

Publication number: DE112016000360B4
Application number: DE112016000360.9T
Authority: DE
Inventors: Lutz Höppel
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2015-01-15
Filing date: 2016-01-13
Publication date: 2022-02-17
Anticipated expiration: 2036-01-14
Also published as: JP6824172B2; KR20170106347A; WO2016113314A1; US20180269364A1; JP2018508984A; CN107112386B; US10361345B2; DE102015100575A1; KR102512433B1; CN107112386A; DE112016000360A5

Abstract

Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) mit den Schritten:a) Bereitstellen eines Verbunds (30) mit einer Halbleiterschichtenfolge (20), wobei der Verbund eine Mehrzahl von mechanisch miteinander verbundenen Bauelementbereichen (3) aufweist;b) Ausbilden einer Mehrzahl von Anschlussflächen (4) auf der Halbleiterschichtenfolge, wobei auf jedem Bauelementbereich zumindest eine Anschlussfläche ausgebildet wird;c) Ausbilden einer Formmasse (50) auf der Halbleiterschichtenfolge, wobei die Formmasse Zwischenräume (45) zwischen den Anschlussflächen füllt;d) Vereinzeln des Verbunds mit der Formmasse, wobei beim Vereinzeln aus der Formmasse eine Mehrzahl von Formkörpern (5) gebildet wird, denen jeweils ein aus einem Bauelementbereich des Verbunds hervorgehender Halbleiterkörper (2) zugeordnet ist; wobei die Halbleiterkörper und die Formkörper nach Schritt d) zur Ausbildung eines weiteren Verbunds (35) mit einer weiteren Formmasse (550) umformt werden, wobei die weitere Formmasse so ausgebildet wird, dass die Anschlussflächen vollständig überdeckt sind, und die Anschlussflächen vor dem Durchtrennen des weiteren Verbunds in einem weiteren Schritt freigelegt werden.

Description

Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauelement.
Bei optoelektronischen Halbleiterbauelementen, beispielsweise bei Leuchtdioden, finden oftmals abhängig von der Größe der herzustellenden Halbleiterbauelemente verschiedene Herstellungsschritte Anwendung, insbesondere für die Ausbildung der Gehäuse. Dies erhöht insgesamt die Komplexität der Herstellungsverfahren und den hierfür erforderlichen Aufwand.
Die Druckschrift DE 10 2012 218 457 A1 betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip.
In der Druckschrift US 2009 / 0 230 538 A1 eine Halbleiterchipgehäusestruktur ohne Verwendung von Bonddrähten angegeben.
Die Druckschrift US 2006 / 0 057 751 A1 beschreibt ein LED-Gehäuse und ein Herstellungsverfahren hierfür.
Die Druckschrift US 2004 / 0 262 716 A1 betrifft ein Halbleitergehäuse mit einem eingebauten mikroelektrischen System.
Die Druckschrift US 2014 / 0 377 894 A1 betrifft ein Herstellungsverfahren für ein gehäustes Licht emittierendes Halbleiterbauelement.
Eine Aufgabe ist es, ein Verfahren anzugeben, das weitgehend unabhängig von der Größe der herzustellenden Halbleiterbauelemente auf einfache und zuverlässige Weise durchgeführt werden kann. Weiterhin soll ein Halbleiterbauelement angegeben werden, das sich durch gute optoelektronische Eigenschaften auszeichnet und gleichzeitig einfach herstellbar ist.
Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren beziehungsweise ein optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen angegeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Verbund mit einer Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt, wobei der Verbund eine Mehrzahl von mechanisch miteinander verbundenen Bauelementbereichen aufweist. Beispielsweise ist die Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen, etwa im sichtbaren, infraroten oder ultravioletten Spektralbereich.
Der Verbund weist beispielsweise einen Träger auf, auf dem die Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Der Träger kann ein Aufwachssubstrat für die insbesondere epitaktische Abscheidung der Halbleiterschichtenfolge sein. Alternativ kann der Träger auch von dem Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge verschieden sein.
Die Halbleiterschichtenfolge kann in lateraler Richtung, also entlang einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge, strukturiert sein, beispielsweise für die nachfolgende elektrische Kontaktierung einer oder mehrerer Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge.
Die Halbleiterschichtenfolge kann sich weiterhin durchgängig über die Mehrzahl von Bauelementbereichen erstrecken. Alternativ kann die Halbleiterschichtenfolge zur Definition der einzelnen Bauelementbereiche strukturiert sein, wobei die Halbleiterschichtenfolge in vertikaler Richtung, also senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge teilweise oder vollständig durchtrennt sein kann. Insbesondere können die einzelnen Bauelementbereiche lediglich über den Träger mechanisch miteinander verbunden sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem eine Mehrzahl von Anschlussflächen auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird. Insbesondere wird auf jedem Bauelementbereich zumindest eine Anschlussfläche ausgebildet. Vorzugsweise werden auf jedem Bauelementbereich zwei Anschlussflächen ausgebildet, die jeweils voneinander verschiedene Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge elektrisch kontaktieren. Beispielsweise weist jeder Bauelementbereich genau zwei oder mehr als zwei Anschlussflächen auf, die auf der dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem eine Formmasse auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird. Insbesondere wird die Formmasse so ausgebildet, dass sie die Zwischenräume zwischen den Anschlussflächen vollständig oder zumindest teilweise füllt. Die vertikale Ausdehnung der aufgebrachten Formmasse kann groß gegenüber der vertikalen Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge sein. Beispielsweise ist die vertikale Ausdehnung der aufgebrachten Formmasse mindestens doppelt so groß wie die vertikale Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge. Eine mechanische Stabilisierung der Halbleiterschichtenfolge mittels der Formmasse wird so vereinfacht.
Die Formmasse grenzt insbesondere an die Anschlussflächen unmittelbar an. Zum Beispiel überdeckt die Formmasse die Anschlussflächen auf der der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite vollständig oder zumindest bereichsweise.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem der Verbund mit der Formmasse vereinzelt wird, wobei beim Vereinzeln aus der Formmasse eine Mehrzahl von Formkörpern gebildet wird, denen jeweils ein aus einem Bauelementbereich des Verbunds hervorgehender Halbleiterkörper zugeordnet ist.
Die Formkörper entstehen also beim Vereinzeln des Verbunds, sodass die Seitenflächen, die den Formkörper in lateraler Richtung begrenzen, für das Vereinzelungsverfahren charakteristische Spuren aufweisen können, beispielsweise Spuren eines mechanischen Materialabtrags, etwa Schleifspuren oder Sägespuren oder Spuren eines Materialabtrags mittels kohärenter Strahlung, beispielsweise Laserstrahlung.
Im Zeitpunkt des Vereinzelns des Verbunds ist die Formmasse also bereits auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht. Die durch das Vereinzeln gebildeten Formkörper können Gehäusekörper für die Halbleiterkörper oder Teilbereiche von Gehäusekörpern bilden. Insbesondere kann die Formmasse aufgebracht werden, bevor die Halbleiterschichtenfolge in einzelne Halbleiterkörper zerteilt wird.
In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Verbund mit einer Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt, wobei der Verbund eine Mehrzahl von mechanisch miteinander verbundenen Bauelementbereichen aufweist. Eine Mehrzahl von Anschlussflächen wird auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet, wobei auf jedem Bauelementbereich zumindest eine Anschlussfläche ausgebildet wird. Auf der Halbleiterschichtenfolge wird eine Formmasse ausgebildet, wobei die Formmasse die Zwischenräume zwischen den Anschlussflächen füllt. Der Verbund mit der Formmasse wird vereinzelt, wobei beim Vereinzeln aus der Formmasse eine Mehrzahl von Formkörpern gebildet wird, denen jeweils ein aus einem Bauelementbereich des Verbunds hervorgehender Halbleiterkörper zugeordnet ist.
Die laterale Ausdehnung der Formkörper wird also beim Vereinzeln des Verbunds festgelegt und ist so auf einfache und zuverlässige Weise an die Größe der Bauelementbereiche des Verbunds anpassbar. Insbesondere kann sich die Halbleiterschichtenfolge beim Vereinzeln des Verbunds durchgängig über die Bauelementbereiche erstrecken. Beim Vereinzeln muss also keine hochpräzise Justage der Vereinzelungsbahnen relativ zu bereits vordefinierten Halbleiterkörpern erfolgen. Mit anderen Worten können das Ausbilden der Halbleiterkörper aus der Halbleiterschichtenfolge und das Vereinzeln des Verbunds mit der Formmasse in einem gemeinsamen Herstellungsschritt erfolgen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge entfernt wird. Insbesondere wird das Aufwachssubstrat entfernt, nachdem die Formmasse auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet worden ist. Die Formmasse dient also der mechanischen Stabilisierung der Halbleiterschichtenfolge, sodass das Aufwachssubstrat hierfür nicht mehr erforderlich ist. Alternativ ist denkbar, dass das Aufwachssubstrat an der Halbleiterschichtenfolge verbleibt.
Insbesondere kann das Aufwachsubstrat entfernt werden, bevor der Verbund vereinzelt wird. Das Aufwachssubstrat selbst muss beim Vereinzeln also nicht durchtrennt werden und kann beispielsweise in einem nachfolgenden Herstellungszyklus erneut als Aufwachssubstrat verwendet werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem die Halbleiterkörper und die Formkörper nach dem Vereinzeln des Verbunds zur Ausbildung eines weiteren Verbunds mit einer weiteren Formmasse umformt werden. Die nach dem Vereinzeln voneinander getrennten Formkörper werden also mit der weiteren Formmasse zusammengehalten und bilden so den weiteren Verbund. Insbesondere können beim Ausbilden des weiteren Verbunds die Zwischenräume zwischen den Formkörpern bereichsweise oder vollständig gefüllt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zwischen dem Vereinzeln des Verbunds und dem Ausbilden des weiteren Verbunds ein Mittenabstand zwischen benachbarten Halbleiterkörpern vergrößert. Der Mittenabstand wird also nicht oder zumindest nicht ausschließlich über den Abstand der Bauelementbereiche des Verbunds vorgegeben. Dadurch wird die Herstellung von Halbleiterbauelementen vereinfacht, deren laterale Ausdehnung größer, beispielsweise um mindestens 10 % größer oder um mindestens 50 % größer ist als die laterale Ausdehnung des Halbleiterkörpers entlang derselben Richtung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die weitere Formmasse zum Ausbilden der Halbleiterbauelemente aus dem weiteren Verbund durchtrennt. Durch das Durchtrennen der weiteren Formmasse entstehen also die einzelnen optoelektronischen Halbleiterbauelemente. Die beim Durchtrennen entstehenden weiteren Formkörper der Halbleiterbauelemente bilden jeweils die das Halbleiterbauelement in laterale Richtung begrenzenden Seitenflächen. Diese Seitenflächen können für das Durchtrennungsverfahren charakteristische Spuren, beispielsweise Spuren eines mechanischen Materialabtrags oder Spuren eines Materialabtrags mittels kohärenter Strahlung aufweisen. Beispielsweise umgibt der weitere Formkörper den Formkörper in lateraler Richtung entlang des gesamten Umfangs. Mit anderen Worten grenzt der Formkörper an keiner Stelle an die Seitenfläche des Halbleiterbauelements an.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Anschlussflächen während des Herstellungsverfahrens zeitweise überdeckt, insbesondere vollständig überdeckt. Beispielsweise können die Anschlussflächen von der Formmasse und/oder der weiteren Formmasse überdeckt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die weitere Formmasse so ausgebildet, dass die Anschlussflächen vollständig überdeckt sind, wobei die Anschlussflächen vor dem Durchtrennen des weiteren Verbunds in einem weiteren Schritt freigelegt werden. Beispielsweise kann das Freilegen mittels eines mechanischen, insbesondere vollflächigen Materialabtrags der weiteren Formmasse und/oder der Formmasse erfolgen. Insbesondere können zum Freilegen der Anschlussflächen sowohl die Formmasse als auch die weitere Formmasse stellenweise abgetragen werden. Beispielsweise werden die Formmasse und die weitere Formmasse gleichzeitig stellenweise abgetragen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Formmasse so ausgebildet, dass die Anschlussflächen vollständig überdeckt sind, wobei die Anschlussflächen freigelegt werden, bevor die weitere Formmasse aufgebracht wird. Zum Zeitpunkt des Aufbringens der weiteren Formmasse sind die Anschlussflächen in diesem Fall also auf der der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite der Formmasse bereits zugänglich.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden auf dem weiteren Verbund Kontakte ausgebildet, die jeweils mit einer der Anschlussflächen elektrisch leitend verbunden sind. Die Kontakte sind insbesondere für die externe elektrische Kontaktierung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente vorgesehen. Zweckmäßigerweise weist jedes Halbleiterbauelement genau zwei oder mehr als zwei Kontakte auf. Insbesondere können alle Kontakte der Halbleiterbauelemente auf derselben Seite des Halbleiterbauelements angeordnet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Formmasse und/oder die weitere Formmasse in einem Gießverfahren aufgebracht. Unter einem Gießverfahren wird allgemein ein Verfahren verstanden, mit dem eine Formmasse gemäß einer vorgegebenen Form ausgestaltet und erforderlichenfalls ausgehärtet werden kann. Insbesondere umfasst der Begriff „Gießverfahren“ Gießen (molding), Folien assistiertes Gießen (film assisted molding), Spritzgießen (injection molding), Spritzpressen (transfer molding) und Formpressen (compression molding). Durch ein Gießverfahren können auch große vertikale Ausdehnungen, beispielsweise eine mindestens doppelt so große vertikale Ausdehnung wie die vertikale Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge, einfach und kostengünstig erzielt werden, insbesondere im Vergleich zu einem Abscheideverfahren wie einem CVD-Verfahren oder einem PVD-Verfahren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Vereinzeln des Verbunds mittels kohärenter Strahlung, insbesondere Laserstrahlung. Es hat sich herausgestellt, dass bei einer solchen Vereinzelung die mechanische Belastung an einer der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Grenzfläche der Formmasse verringert ist, insbesondere im Vergleich zu einem mechanischen Vereinzelungsverfahren. Dadurch kann die Gefahr einer Ablösung der Formmasse von der Halbleiterschichtenfolge reduziert werden.
Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement einen zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen Halbleiterkörper, eine Strahlungsdurchtrittsfläche und zumindest eine Anschlussfläche auf, wobei die Anschlussfläche auf der der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement einen Formkörper auf, der auf der der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet ist. Insbesondere grenzt der Formkörper an den Halbleiterkörper und an die Anschlussfläche an. Die Seitenflächen des Halbleiterkörpers sind insbesondere frei von Material des Formkörpers.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement einen weiteren Formkörper auf, der eine das Halbleiterbauelement in einer parallel zur Strahlungsaustrittsfläche verlaufenden lateralen Richtung begrenzende Seitenfläche des Halbleiterbauelements bildet. Insbesondere grenzt der weitere Formkörper stellenweise an den Formkörper und an den Halbleiterkörper an.
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement einen zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen Halbleiterkörper, eine Strahlungsdurchtrittsfläche und zumindest eine Anschlussfläche auf, wobei die Anschlussfläche auf der der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst weiterhin einen Formkörper, der auf der der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet ist und der an den Halbleiterkörper und an die Anschlussfläche angrenzt. Das Halbleiterbauelement weist weiterhin einen weiteren Formkörper auf, der eine das Halbleiterbauelement in einer parallel zur Strahlungsdurchtrittsfläche verlaufenden lateralen Richtung begrenzende Seitenfläche des Halbleiterbauelements bildet und der stellenweise an den Formkörper und an den Halbleiterkörper angrenzt.
Der Formkörper und der weitere Formkörper können einen Gehäusekörper für den Halbleiterkörper bilden. Insbesondere kann das optoelektronische Halbleiterbauelement als ein oberflächenmontierbares Bauelement (surface mounted device, smd) ausgebildet sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist zumindest entlang einer lateralen Richtung eine Ausdehnung des Formkörpers um höchstens 20 µm größer als eine Ausdehnung des Halbleiterkörpers. Insbesondere kann die Ausdehnung des Formkörpers entlang dieser lateralen Richtung auch kleiner oder gleich der Ausdehnung des Halbleiterkörpers sein. Insbesondere kann die laterale Ausdehnung des Formkörpers an zumindest zwei Seitenflächen des Halbleiterkörpers oder auch entlang des gesamten Umfangs des Halbleiterkörpers um höchstens 20 µm größer sein als eine Ausdehnung des Halbleiterkörpers.
Insbesondere können der Formkörper und der Halbleiterkörper zumindest in einer lateralen Richtung bündig abschließen. Der Begriff „bündig“ umfasst hierbei auch fertigungsbedingte Abweichungen, die beispielsweise durch einen unterschiedlich starken Materialabtrag während des Vereinzelungsverfahrens verursacht sein können. Beispielsweise kann der Materialabtrag bei der Vereinzelung mittels kohärenter Strahlung in lateraler Richtung für die Formmasse stärker sein als für die Halbleiterschichtenfolge oder umgekehrt. Insbesondere können der Formkörper und der Halbleiterkörper an zumindest zwei Seitenflächen des Halbleiterkörpers oder auch entlang des gesamten Umfangs des Halbleiterkörpers bündig abschließen.
Ein derartiges Halbleiterbauelement ist auf einfache Weise durch ein Verfahren herstellbar, bei dem eine Formmasse für den Formkörper aufgebracht wird, noch bevor eine Vereinzelung in Halbleiterkörper erfolgt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind der Formkörper und/oder der weitere Formkörper für die im Halbleiterkörper im Betrieb erzeugte oder zu empfangende Strahlung undurchlässig. Insbesondere können der Formkörper und der weitere Formkörper strahlungsundurchlässig sein. Der Formkörper und der weitere Formkörper können bezüglich des Materials weiterhin auch voneinander verschieden sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement auf einer der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Rückseite des weiteren Formkörpers einen Kontakt auf, der mit der Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden ist, wobei der Kontakt in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement mit dem Formkörper und mit dem weiteren Formkörper überlappt. In Draufsicht auf das Halbleiterbauelement kann der Kontakt also den Halbleiterkörper in lateraler Richtung zumindest stellenweise überragen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist in den weiteren Formkörper ein elektronisches Bauelement eingebettet. Insbesondere grenzt der weitere Formkörper stellenweise unmittelbar an das elektronische Bauelement an. Beispielsweise kann das elektronische Bauelement als ein ESD-Schutzelement ausgebildet sein, das den Halbleiterkörper vor elektrostatischer Entladung (Electrostatic Discharge, ESD) schützt. Beispielsweise ist das elektronische Bauelement eine ESD-Schutzdiode.
Das Halbleiterbauelement kann also einen in das Halbleiterbauelement integrierten ESD-Schutz oder eine andere elektronische Funktionalität aufweisen. Zum Beispiel ist das elektronische Bauelement mittels des Kontakts elektrisch parallel zum Halbleiterkörper verschaltet.
Das weiter oben beschriebene Verfahren ist zur Herstellung des Halbleiterbauelements besonders geeignet. Im Zusammenhang mit dem Halbleiterbauelement genannte Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.
Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
Es zeigen:

Die 1A bis 1G ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten;
die 2A bis 2C ein nicht unter den Anspruch 1 fallendes Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten; und
die 3A und 3B jeweils ein Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement in schematischer Schnittansicht (3A) beziehungsweise in schematischer perspektivischer Darstellung (3B).

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein.
In den 1A bis 1G ist ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen gezeigt, wobei die Beschreibung anhand eines Ausschnitts erfolgt, aus dem zwei optoelektronische Halbleiterbauelemente bei der Herstellung hervorgehen. Mit dem beschriebenen Verfahren kann eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen gleichzeitig hergestellt werden.
Wie in 1A gezeigt, wird ein Verbund 30 bereitgestellt. Der Verbund 30 weist eine Halbleiterschichtenfolge 20 auf. Die Halbleiterschichtenfolge 20 ist auf einem Träger angeordnet, der in diesem Ausführungsbeispiel durch ein Aufwachssubstrat 29 gebildet ist. Der in 1A gezeigte Ausschnitt weist zwei Bauelementbereiche 3 auf, die mechanisch miteinander verbunden sind. Die Halbleiterschichtenfolge 20 kann sich wie in 1A dargestellt durchgängig über die Bauelementbereiche 3 erstrecken. Davon abweichend kann die Halbleiterschichtenfolge aber auch zur Festlegung der Bauelementbereiche 3 lateral strukturiert sein.
Auf der dem Aufwachssubstrat 29 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge 20 ist eine Mehrzahl von Anschlussflächen 4 angeordnet. Die Anschlussflächen weisen jeweils eine Anschlussschicht 41 und eine weitere Anschlussschicht 42 auf. Die Anschlussschicht 41 ist beispielsweise mittels eines fotolithografischen Strukturierungsverfahrens in strukturierter Form ausgebildet. Die weitere Anschlussschicht 42 kann beispielsweise zur zumindest bereichsweisen Verstärkung mittels eines galvanischen Abscheideverfahrens auf der Anschlussschicht 41 ausgebildet werden.
Die Bauelementbereiche 3 weisen jeweils zwei Anschlussflächen 4 auf. Ein Bauelementbereich 3 kann aber auch nur eine Anschlussfläche oder mehr als zwei Anschlussflächen umfassen. Die Halbleiterschichtenfolge 20 kann zur elektrischen Kontaktierung voneinander verschiedener Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge 20 strukturiert sein, sodass im späteren Betrieb bei Anliegen einer elektrischen Spannung zwischen zwei Anschlussflächen eines Bauelementbereichs 3 Ladungsträger von entgegengesetzten Seiten in einen zur Strahlungserzeugung vorgesehenen aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren. Zur vereinfachten Darstellung sind die Strukturierung der Halbleiterschichtenfolge 20 und der Schichtaufbau der Halbleiterschichtenfolge in den Figuren nicht explizit gezeigt.
Nachfolgend wird, wie in 1B dargestellt, auf der Halbleiterschichtenfolge 20 eine Formmasse 50 ausgebildet. Die Formmasse 50 überdeckt die Anschlussflächen 4 auf der der Halbleiterschichtenfolge 20 abgewandten Seite vollständig. Die Formmasse 50 wird auf der dem Aufwachssubstrat 29 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge 20 ausgebildet.
Die Formmasse 50 kann beispielsweise mittels eines Gieß-Verfahrens aufgebracht werden. Die Formmasse 50 füllt insbesondere die Zwischenräume 45 zwischen benachbarten Anschlussflächen 4 und grenzt an die Anschlussflächen 4 zumindest bereichsweise unmittelbar an.
Nach dem Aufbringen der Formmasse 50 kann diese die Halbleiterschichtenfolge 20 mechanisch stabilisieren, sodass das Aufwachssubstrat 29 entfernt werden kann. Dies kann beispielsweise mittels eines Laserliftoff-Verfahrens oder mittels eines mechanischen oder chemischen Verfahrens erfolgen. Zum Zeitpunkt des Entfernens des Aufwachssubstrats kann die Formmasse, die später einen Teil eines Gehäuses des Halbleiterbauelements bildet, also bereits auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht sein.
Nach dem Entfernen des Aufwachssubstrats kann der Verbund wie in 1C dargestellt vereinzelt werden, wobei beim Vereinzeln die Halbleiterschichtenfolge 20 und die Formmasse 50 durchtrennt werden, wodurch einzelne Halbleiterkörper 2 und Formkörper 5 entstehen. Vorzugsweise erstreckt sich die Halbleiterschichtenfolge 20 unmittelbar vor dem Vereinzeln des Verbunds durchgängig über die Bauelementbereiche 3, so dass die Halbleiterkörper 2 erst beim Vereinzeln entstehen. Eine hochpräzise Justage der Vereinzelungsbahnen relativ zu bereits vor dem Vereinzeln vordefinierten Halbleiterkörpern ist also nicht erforderlich.
Vorzugsweise erfolgt das Vereinzeln mittels kohärenter Strahlung, etwa mittels Laserstrahlung. Es hat sich herausgestellt, dass kohärente Strahlung für die Vereinzelung besonders geeignet ist, da sich dadurch die beim Vereinzeln auftretende mechanische Belastung des Verbunds im Vergleich zu einem mechanischen Vereinzelungsverfahren verringert. So kann die Gefahr einer Delamination der Formmasse von der Halbleiterschichtenfolge während der Vereinzelung verringert werden. Alternativ kann jedoch auch ein mechanisches Vereinzelungsverfahren Anwendung finden.
Die Halbleiterschichtenfolge 20 und die Formmasse 50 werden beim Vereinzeln des Verbunds 30 insbesondere in einem gemeinsamen Herstellungsschritt durchtrennt. Dadurch schließen die entstehenden Halbleiterkörper 2 und die zugehörigen Formkörper 5 bündig ab. Abhängig vom Vereinzelungsverfahren können die Formkörper in ihrer lateralen Ausdehnung auch kleiner oder größer als die zugehörigen Formkörper sein. Beispielsweise kann bei einem Vereinzeln mittels kohärenter Strahlung, etwa in einem Lasertrennverfahren, die Formmasse in lateraler Richtung stärker abgetragen werden als das Material der Halbleiterschichtenfolge. Dadurch kann die laterale Ausdehnung des Formkörpers kleiner sein als die laterale Ausdehnung des zugehörigen Halbleiterkörpers, insbesondere entlang des gesamten Umfangs des Halbleiterkörpers. Alternativ kann die Formmasse in lateraler Richtung weniger stark abgetragen werden als das Material der Halbleiterschichtenfolge. In diesem Fall kann die Formmasse den Halbleiterkörper in lateraler Richtung stellenweise oder entlang des gesamten Umfangs überragen, zweckmäßigerweise jedoch um höchstens 20 µm.
Bei der Vereinzelung mittels eines mechanischen Verfahrens können die Formkörper 5 und die zugehörigen Halbleiterkörper 2 auch exakt oder nahezu exakt, etwa mit einer Abweichung von höchstens 2 µm, bündig abschließen.
Jedem Formkörper 5 ist ein Halbleiterkörper 2 zugeordnet. Auf der der Formmasse 50 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge kann optional, wie in 1C dargestellt, eine Strukturierung 27 zur verbesserten Strahlungseinkopplung oder Strahlungsauskopplung ausgebildet werden.
Während des Vereinzelns des Verbunds 30 in Halbleiterkörper ist die Formmasse 50, die im fertig gestellten Halbleiterbauelement einen Gehäuseteil bildet, also bereits auf die Halbleiterschichtenfolge 20 aufgebracht. Die Formmasse kann also insbesondere bereits beim Vereinzeln des Verbunds in Halbleiterkörper der mechanischen Stabilisierung dienen. Die Zuverlässigkeit des Herstellungsverfahrens kann so erhöht werden. Insbesondere befinden sich zwei beliebige Teilbereiche der Halbleiterschichtenfolge 20 während des Vereinzelns des Verbunds - abgesehen von Längenänderungen aufgrund einer thermischen Ausdehnung bedingt durch verschiedene Temperaturen zur Durchführung der einzelnen Herstellungsschritte - in demselben Abstand zueinander wie während der epitaktischen Abscheidung.
Die so vereinzelten Halbleiterkörper 2 mit zugeordnetem Formkörper 5 werden zur Ausbildung eines weiteren Verbunds 35 mit einer weiteren Formmasse 550 umformt (1D). Eine Strahlungsdurchtrittsfläche 10 der Halbleiterkörper 2 bleibt frei von der weiteren Formmasse 550. Vor dem Ausbilden der weiteren Formmasse 550 kann ein Mittenabstand 25 zwischen benachbarten Halbleiterkörpern 2 um einen Expansionsfaktor vergrößert werden. Der Expansionsfaktor ist in weiten Grenzen wählbar. Je größer der Expansionsfaktor ist, desto größer sind die nachfolgend hergestellten Halbleiterbauelemente in ihrer lateralen Ausdehnung bezogen auf die laterale Ausdehnung der Halbleiterkörper 2. Beispielsweise liegt der Expansionsfaktor zwischen einschließlich 1,1 und einschließlich 5. Für die Vergrößerung des Mittenabstands können die Formkörper 5 beispielsweise auf einem dehnbaren Hilfsträger angeordnet sein, welcher vor dem Aufbringen der weiteren Formmasse expandiert wird (zur vereinfachten Darstellung nicht gezeigt).
Die weitere Formmasse 550 füllt insbesondere die Zwischenräume zwischen benachbarten Formkörpern 5. Weiterhin kann die weitere Formmasse an die Halbleiterkörper 2 angeformt sein, insbesondere an die Seitenflächen der Halbleiterkörper.
Die weitere Formmasse 550 wird so aufgebracht, dass sie die Formkörper 5 auf der den Halbleiterkörpern 2 abgewandten Seite der Formkörper 5 überdeckt. Die den Formkörpern abgewandte Seite der Halbleiterkörper 2 bleibt frei von der weiteren Formmasse.
Nachfolgend werden, wie in 1E dargestellt, die den Halbleiterkörpern 2 abgewandten Seiten der Anschlussflächen 4 freigelegt, indem die weitere Formmasse 550 und die Formmasse 50 bereichsweise entfernt werden.
Bei dem in 1E veranschaulichten Verfahrensschritt erfolgt ein gleichzeitiger Materialabtrag der Formmasse der Formkörper 5 und der weiteren Formmasse 550.
Davon abweichend können die Anschlussflächen 4 von der Formmasse 50 aber auch bereits freigelegt werden, bevor die weitere Formmasse 550 aufgebracht wird. In einem weiteren Schritt kann erforderlichenfalls nur die weitere Formmasse entfernt werden, um die von der Formmasse 50 befreiten Anschlussflächen von der weiteren Formmasse freizulegen.
Das Freilegen der Anschlussflächen 4 erfolgt vorzugsweise durch einen vollflächigen Materialabtrag, beispielsweise in einem mechanischen Verfahren, etwa mittels Schleifens.
Nachfolgend werden, wie in 1F gezeigt, auf dem weiteren Verbund 35 Kontakte 6 ausgebildet, die jeweils mit einer der Anschlussflächen 4 elektrisch leitend verbunden sind. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Kontakte 6 symmetrisch zu den Halbleiterkörpern 2 angeordnet. Es ist jedoch auch eine asymmetrische Anordnung der Kontakte relativ zu den Halbleiterkörpern 2 denkbar.
In dem in 1G dargestellten Schritt wird der weitere Verbund 35 in die Halbleiterbauelemente 1 vereinzelt. Hierbei wird die weitere Formmasse 550 in vertikaler Richtung vollständig durchtrennt, sodass jedes Halbleiterbauelement 1 einen weiteren Formkörper 55 aufweist, der aus der weiteren Formmasse 550 hervorgeht. Die beim Durchtrennen entstehenden Flächen bilden die Seitenflächen 15 der vereinzelten Halbleiterbauelemente. Die Seitenflächen 15 können daher für das Durchtrennungsverfahren charakteristische Spuren aufweisen, beispielsweise Sägespuren oder Schleifspuren oder Spuren eines Materialabtrags mittels kohärenter Strahlung.
Vor dem Durchtrennen des weiteren Verbunds 35 können auf die Halbleiterbauelemente 1 noch jeweils ein optisches Element oder eine Mehrzahl von optischen Elementen aufgebracht werden. Beispielsweise kann das optische Element zur Formung der räumlichen und/oder der spektralen Abstrahlcharakteristik vorgesehen sein. Beispielsweise ist das optische Element zur vollständigen oder teilweisen Strahlungskonversion der im Halbleiterkörper 2 erzeugten Strahlung vorgesehen. Insbesondere können die optischen Elemente beim Aufbringen auf den weiteren Verbund 35 in einem Optikverbund vorliegen, aus dem die optischen Elemente beim Durchtrennen des weiteren Verbunds hervorgehen. Das Durchtrennen des Optikverbunds und der weiteren Formmasse kann insbesondere in einem gemeinsamen Schritt erfolgen. In diesem Fall können die optischen Elemente jeweils zumindest stellenweise in lateraler Richtung bündig mit den jeweils zugeordneten weiteren Formkörpern 550 abschließen.
In den 2A bis 2C ist ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen gezeigt. Hierbei entspricht der in 2A dargestellte Zwischenschritt dem anhand der 1B beschriebenen Stadium des vorangegangenen Ausführungsbeispiels. Im Unterschied zu dem vorbeschriebenen Ausführungsbeispiel werden die Formmasse 50 gedünnt und die Kontakte 6 aufgebracht, bevor eine Vereinzelung des Verbunds 30 erfolgt. Dies ist in 2B dargestellt. Erst nachfolgend erfolgt eine Vereinzelung des Verbunds in eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen 1 ( 2C). Bei diesem Ausführungsbeispiel entspricht also der Mittenabstand der bei der Vereinzelung entstehenden Halbleiterkörper 2 der Halbleiterbauelemente 1 dem Abstand, den diese Halbleiterkörper bereits bei der epitaktischen Abscheidung der Halbleiterschichtenfolge 20 besaßen. Es erfolgt also keine Expansion, was einem Expansionsfaktor von 1 entspricht. Die laterale Ausdehnung der so hergestellten Halbleiterbauelemente ist also gleich der oder allenfalls geringfügig größer als die Ausdehnung der Halbleiterkörper entlang derselben lateralen Richtung. Derartige Halbleiterbauelemente mit gehäusten Halbleiterkörpern, wobei die Halbleiterbauelemente im Wesentlichen die Größe der Halbleiterkörper aufweisen, werden auch als CSP (chip size package)-Bauelemente bezeichnet.
Mit dem beschriebenen Verfahren ergibt sich eine universelle Prozesskette, welche unabhängig von der lateralen Ausdehnung der entstehenden Halbleiterbauelemente relativ zur lateralen Ausdehnung der Halbleiterkörper im Wesentlichen die gleichen charakteristischen Prozessschritte verwendet. Insbesondere kann der Mittenabstand benachbarter Halbleiterkörper während der Herstellung um einen Expansionsfaktor erhöht werden oder nicht. Zum Beispiel können mittels der weiteren Formmasse auch Halbleiterbauelemente hergestellt werden, die eine lateral deutlich größere Abmessung aufweisen als die Halbleiterkörper.
Weiterhin können bei dem beschriebenen Verfahren die bereits mit der Formmasse 50 versehenen Halbleiterkörper 2 einem Binning-Verfahren unterzogen werden, insbesondere bevor der weitere Verbund 35 ausgebildet wird. So kann beispielsweise sichergestellt werden, dass alle Halbleiterkörper 2 im weiteren Verbund 35 einer vorgegebenen spektralen Abstrahlcharakteristik entsprechen.
Ein Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement ist in 3A gezeigt. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 weist einen zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen Halbleiterkörper 2 und eine Strahlungsdurchtrittsfläche 10 auf. Das Halbleiterbauelement weist auf der der Strahlungsdurchtrittsfläche 10 abgewandten Rückseite 19 zwei Kontakte 6 auf, die jeweils mit einer Anschlussfläche 4 elektrisch leitend verbunden sind. Auf der der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite des Halbleiterkörpers ist weiterhin ein Formkörper 5 angeordnet, der an den Halbleiterkörper 2 und an die Anschlussflächen 4 angrenzt. Das Halbleiterbauelement weist weiterhin einen weiteren Formkörper 55 auf, der eine das Halbleiterbauelement in lateraler Richtung begrenzende Seitenfläche 15 des Halbleiterbauelements bildet. Der weitere Formkörper grenzt stellenweise an den Formkörper 5 und an den Halbleiterkörper 2 an. Insbesondere umläuft der weitere Formkörper 55 den Formkörper 5 entlang des gesamten Umfangs des Halbleiterbauelements 1. In lateraler Richtung ragt der Formkörper 5 also an keiner Stelle an der Seitenfläche des Halbleiterbauelements 1 heraus.
Das Halbleiterbauelement 1 ist als ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement mit zwei Kontakten 6 an der Rückseite 19 ausgebildet. Das Halbleiterbauelement 1 kann an der Rückseite jedoch auch nur einen Kontakt oder mehr als zwei Kontakte aufweisen.
Das Halbleiterbauelement 1 weist weiterhin ein optisches Element 8 auf. Beispielsweise dient das optische Element, etwa in Form einer Linse, der Strahlungsformung. Alternativ oder ergänzend kann das optische Element der Strahlungskonversion der im Halbleiterkörper 2 zu erzeugenden und/oder zu empfangenden Strahlung dienen.
Insbesondere können das optische Element 8 und der weitere Formkörper 55 in lateraler Richtung bündig abschließen. Die Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 wird dadurch vereinfacht.
Ein Strahlengang zwischen dem Halbleiterkörper 2 und der Strahlungsdurchtrittsfläche 10 des Halbleiterbauelements 1 ist frei von Material des Formkörpers 5 und des weiteren Formkörpers 55. Der Formkörper 5 und der weitere Formkörper 55 können daher für die im Halbleiterkörper im Betrieb erzeugte oder zu empfangende Strahlung undurchlässig sein. Beispielsweise können der Formkörper und/oder der weitere Formkörper für die Strahlung reflektierend ausgebildet sein, beispielsweise mit einer Reflektivität von mindestens 60 %. Zum Beispiel enthalten der Formkörper und/oder der weitere Formkörper die Reflektivität steigernde Partikel, etwa Weißpigmente.
Der Formkörper 5 und der Halbleiterkörper 2 schließen in lateraler Richtung bündig ab, insbesondere entlang des gesamten Umfangs des Halbleiterkörpers 2. Der Formkörper 5 kann jedoch auch kleiner als der Halbleiterkörper 2 sein oder den Halbleiterkörper geringfügig, beispielsweise um höchstens 20 µm, überragen.
In Draufsicht auf das Halbleiterbauelement 1 überlappen die Kontakte 6 mit dem Formkörper 5 und dem weiteren Formkörper 55. Die Kontakte 6 können insbesondere in lateraler Richtung über den Halbleiterkörper 2 hinausragen.
Die externe elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements 1 erfolgt von der Rückseite 19 her mittels der Kontakte 6, die über die Anschlussflächen 4 mit dem Halbleiterkörper 2 verbunden sind. Für die elektrische Kontaktierung des Halbleiterkörpers 2 sind also keine abschattenden Elemente auf der Strahlungsdurchtrittsfläche 10 erforderlich. Bei einem als Oberflächenemitter ausgebildeten Halbleiterbauelement 1 könnten derartige abschattende Elemente zur Beeinträchtigung der Emission führen. Weiterhin ist für die elektrische Kontaktierung des Halbleiterkörpers 2 mit den Kontakten 6 des Halbleiterbauelements keine Drahtbondverbindung erforderlich. Somit entsteht kein Verlust von aktiver Fläche des Halbleiterkörpers 2 für die Ausgestaltung eines Bondpads.
In 3B ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Halbleiterbauelement 1 in perspektivischer Darstellung gezeigt. Dieses weitere Ausführungsbeispiel kann im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit 3A beschriebenen Ausführungsbeispiel entsprechen.
Im Unterschied hierzu weist das Halbleiterbauelement 1 ein elektronisches Bauelement 7 auf, das in den weiteren Formkörper 55 eingebettet ist. Beispielsweise ist das elektronische Bauelement 7 als ein ESD-Schutzelement ausgebildet, das über die Kontakte 6 mit dem Halbleiterkörper 2 parallel verschaltet ist. Für die Verschaltung des elektronischen Bauelements mit dem Halbleiterkörper ist also kein zusätzlicher Herstellungsschritt erforderlich.
Wie 3B zeigt, können mittels des beschriebenen Verfahrens auf einfache und zuverlässige Weise auch Halbleiterbauelemente 1 hergestellt werden, bei denen der Halbleiterkörper 2 bezogen auf die laterale Richtung nicht mittig im Halbleiterbauelement 1 angeordnet ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 100 575.1 , deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Verbunds (30) mit einer Halbleiterschichtenfolge (20), wobei der Verbund eine Mehrzahl von mechanisch miteinander verbundenen Bauelementbereichen (3) aufweist; b) Ausbilden einer Mehrzahl von Anschlussflächen (4) auf der Halbleiterschichtenfolge, wobei auf jedem Bauelementbereich zumindest eine Anschlussfläche ausgebildet wird; c) Ausbilden einer Formmasse (50) auf der Halbleiterschichtenfolge, wobei die Formmasse Zwischenräume (45) zwischen den Anschlussflächen füllt; d) Vereinzeln des Verbunds mit der Formmasse, wobei beim Vereinzeln aus der Formmasse eine Mehrzahl von Formkörpern (5) gebildet wird, denen jeweils ein aus einem Bauelementbereich des Verbunds hervorgehender Halbleiterkörper (2) zugeordnet ist; wobei die Halbleiterkörper und die Formkörper nach Schritt d) zur Ausbildung eines weiteren Verbunds (35) mit einer weiteren Formmasse (550) umformt werden, wobei die weitere Formmasse so ausgebildet wird, dass die Anschlussflächen vollständig überdeckt sind, und die Anschlussflächen vor dem Durchtrennen des weiteren Verbunds in einem weiteren Schritt freigelegt werden.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem ein Aufwachssubstrat (29) für die Halbleiterschichtenfolge nach Schritt c) entfernt wird.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Formkörper und der weitere Formkörper für die im Halbleiterkörper erzeugte oder zu empfangende Strahlung undurchlässig sind.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen Schritt d) und dem Ausbilden des weiteren Verbunds ein Mittenabstand (25) zwischen benachbarten Halbleiterkörpern vergrößert wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die weitere Formmasse zum Ausbilden der Halbleiterbauelemente aus dem weiteren Verbund durchtrennt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem beim Freilegen der Anschlussflächen die Formmasse und die weitere Formmasse bereichsweise entfernt werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Formmasse so ausgebildet wird, dass die Anschlussflächen vollständig überdeckt sind, wobei die Anschlussflächen freigelegt werden, bevor die weitere Formmasse aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, bei dem auf dem weiteren Verbund Kontakte (6) ausgebildet werden, die jeweils mit einer der Anschlussflächen elektrisch leitend verbunden sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 8, bei dem die Formmasse und die weitere Formmasse in einem GießVerfahren aufgebracht werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Vereinzeln des Verbunds mittels kohärenter Strahlung erfolgt.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit - einem zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen Halbleiterkörper (2); - einer Strahlungsdurchtrittsfläche (10); - zumindest einer Anschlussfläche (4), die auf der der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet ist; - einem Formkörper (5), der auf der der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet ist und der an den Halbleiterkörper und an die Anschlussfläche angrenzt; - einem weiteren Formkörper (55), der eine das Halbleiterbauelement in einer parallel zur Strahlungsdurchtrittsfläche verlaufenden lateralen Richtung begrenzende Seitenfläche (15) des Halbleiterbauelements bildet und der stellenweise an den Formkörper und an den Halbleiterkörper angrenzt; wobei der Formkörper und der weitere Formkörper stellenweise eine einer Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandte Rückseite bilden.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, wobei zumindest entlang einer lateralen Richtung eine Ausdehnung des Formkörpers um höchstens 20 µm größer ist als eine Ausdehnung des Halbleiterkörpers.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 11 oder 12, wobei der Formkörper und der weitere Formkörper für die im Halbleiterkörper im Betrieb erzeugte oder zu empfangende Strahlung undurchlässig sind.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Halbleiterbauelement auf einer der Strahlungsdurchtrittsfläche abgewandten Rückseite des weiteren Formkörpers einen Kontakt, der mit der Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden ist, aufweist, wobei der Kontakt in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement mit dem Formkörper und mit dem weiteren Formkörper überlappt.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei in den weiteren Formkörper ein elektronisches Bauelement (7) eingebettet ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, wobei der weitere Formkörper stellenweise unmittelbar an das elektronische Bauelement angrenzt und das elektronische Bauelement als ein ESD-Schutzelement ausgebildet ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 16, das durch ein Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 hergestellt ist.