KR102512433B1 - 다수의 광전자 반도체 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 및 광전자 반도체 컴포넌트 - Google Patents

다수의 광전자 반도체 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 및 광전자 반도체 컴포넌트 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다수의 광전자 반도체 컴포넌트(1)를 제조하기 위한 방법에 관한 것이고, 이때 상기 방법은, a) 반도체 층 시퀀스(semiconductor layer sequence)(20)를 구비한 복합물(3)을 제공하는 단계(이때 상기 복합물은 서로 기계적으로 결합된 다수의 컴포넌트 영역(3)을 포함함); b) 상기 반도체 층 시퀀스 상에 다수의 접속 표면(4)을 형성하는 단계(이때 각각의 컴포넌트 영역 상에 적어도 하나의 접속 표면이 형성됨); c) 상기 반도체 층 시퀀스 상에 성형 화합물(moulding compound)(50)을 형성하는 단계(이때 상기 성형 화합물은 상기 접속 표면들 사이의 중간 공간들(45)을 채움); d) 상기 성형 화합물을 구비한 상기 복합물을 분할하는 단계(이때 분할시 상기 성형 화합물로부터 다수의 성형 몸체(moulded body)(5)가 형성되고, 상기 성형 몸체들에 각각 복합물의 하나의 컴포넌트 영역으로부터 생성되는 반도체 몸체(2)가 할당됨)를 포함한다. 계속해서, 본 발명은 광전자 반도체 컴포넌트에 관한 것이다.

Description

다수의 광전자 반도체 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 및 광전자 반도체 컴포넌트{METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT}
본 출원서는 광전자 반도체 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법 및 광전자 반도체 컴포넌트에 관한 것이다.
광전자 반도체 컴포넌트들, 예를 들어 발광 다이오드들에서, 특히 하우징을 형성하기 위해, 종종 제조될 반도체 컴포넌트들의 크기에 의존하는 다양한 제조 단계들이 사용된다. 이는, 전체적으로 제조 방법의 복잡성 및 이를 위해 필요한 비용을 높인다.
한 가지 과제는, 제조될 반도체 컴포넌트들의 크기와 전반적으로 무관하게 간단하고도 신뢰할 만한 방식으로 실시될 수 있는 방법을 제시하는 것이다. 계속해서, 우수한 광전자 특성들을 갖고, 동시에 간단하게 제조될 수 있는 반도체 컴포넌트가 제시되어야 한다.
이와 같은 과제들은 특히, 독립 특허 청구항들에 따른 방법 또는 광전자 반도체 컴포넌트에 의해 해결된다. 추가 형성예들 및 합목적성들은 종속 특허 청구항들의 대상이다.
다수의 광전자 반도체 컴포넌트를 제조하기 위한 일 방법이 제시된다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 반도체 층 시퀀스(semiconductor layer sequence)를 구비한 복합물이 제공되고, 이때 상기 복합물은 서로 기계적으로 결합된 다수의 컴포넌트 영역을 포함한다. 예를 들어 상기 반도체 층 시퀀스는, 예컨대 가시광선, 적외선 또는 자외선 스펙트럼 영역에서 전자기 방사선을 발생 및/또는 수신하기 위해 제공되어 있다.
상기 복합물은 예를 들어 캐리어를 포함하고, 상기 캐리어 상에 상기 반도체 층 시퀀스가 배치되어 있다. 상기 캐리어는 상기 반도체 층 시퀀스의 특히 에피택셜 방식의 증착을 위한 성장 기판일 수 있다. 대안적으로, 캐리어는 반도체 층 시퀀스용 성장 기판과 상이할 수 있다.
예를 들어 반도체 층 시퀀스의 하나 또는 다수의 반도체 층의 후속하는 전기적 콘택팅을 위해, 상기 반도체 층 시퀀스는 가로 방향으로, 다시 말해 반도체 층 시퀀스의 반도체 층들의 주 연장 평면을 따라서 구조화될 수 있다.
계속해서, 상기 반도체 층 시퀀스는 상기 다수의 컴포넌트 영역에 걸쳐서 연속적으로 연장될 수 있다. 대안적으로, 반도체 층 시퀀스는 개별적인 컴포넌트 영역들을 규정하기 위해 구조화될 수 있고, 이때 상기 반도체 층 시퀀스는 수직 방향으로, 다시 말해 반도체 층 시퀀스의 반도체 층들의 주 연장 평면에 대해 수직으로, 부분적으로 또는 완전히 양단될 수 있다. 특히, 상기 개별적인 컴포넌트 영역들은 단지 캐리어를 통해 서로 기계적으로 결합될 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 상기 방법은 반도체 층 시퀀스 상에 다수의 접속 표면이 형성되는 단계를 포함한다. 특히, 각각의 컴포넌트 영역 상에 적어도 하나의 접속 표면이 형성된다. 바람직하게 각각의 컴포넌트 영역 상에 2개의 접속 표면이 형성되고, 상기 접속 표면들은 각각 반도체 층 시퀀스의 서로 다른 반도체 층들을 전기적으로 콘택팅한다. 예를 들어 각각의 컴포넌트 영역은 정확히 2개 또는 2개보다 많은 접속 표면을 포함하고, 상기 접속 표면들은 캐리어를 등지는 반도체 층 시퀀스의 측 상에 배치되어 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 상기 방법은 반도체 층 시퀀스 상에 성형 화합물(moulding compound)이 형성되는 단계를 포함한다. 특히, 상기 성형 화합물은 접속 표면들 사이의 중간 공간들을 완전히 또는 적어도 부분적으로 채우도록 형성된다. 제공된 성형 화합물의 수직 연장부는 반도체 층 시퀀스의 수직 연장부와 비교하여 클 수 있다. 예를 들어 제공된 성형 화합물의 수직 연장부는 반도체 층 시퀀스의 수직 연장부의 적어도 2배이다. 이와 같은 방식으로, 상기 성형 화합물에 의해 반도체 층 시퀀스의 기계적 안정화가 간단해진다.
상기 성형 화합물은 특히 접속 표면들에 직접 인접한다. 예를 들어 상기 성형 화합물은 상기 반도체 층 시퀀스를 등지는 측 상에서 상기 접속 표면들을 완전히 또는 적어도 국부적으로 덮는다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 상기 방법은 성형 화합물을 구비한 복합물이 분할되는 단계를 포함하고, 이때 분할시 상기 성형 화합물로부터 다수의 성형 몸체가 형성되고, 상기 성형 몸체들에 각각 복합물의 하나의 컴포넌트 영역으로부터 생성되는 반도체 몸체가 할당되어 있다.
다시 말해, 상기 성형 몸체는 복합물의 분할시 생성됨으로써, 결과적으로 상기 성형 몸체를 가로 방향으로 제한하는 측면 표면들은 분할 공정을 위한 특유의 흔적들을 포함할 수 있는데, 예를 들어 기계적인 재료 제거의 흔적들, 예컨대 그라인딩 흔적들(grinding marks) 또는 소우 흔적들(saw marks), 혹은 가간섭성 방사선(coherent radiation), 예컨대 레이저 광선에 의한 재료 제거의 흔적들을 포함할 수 있다.
다시 말해, 복합물의 분할 시점에서 상기 성형 화합물은 이미 상기 반도체 층 시퀀스 상에 제공되어 있다. 분할 공정에 의해 형성된 성형 몸체들은 반도체 몸체용 하우징 몸체 또는 하우징 몸체들의 부분 영역들을 형성할 수 있다. 특히, 상기 반도체 층 시쿼스가 개별적인 반도체 몸체로 절단되기 이전에 상기 성형 화합물이 제공될 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에서, 반도체 층 시퀀스를 구비한 복합물이 제공되고, 이때 상기 복합물은 서로 기계적으로 결합된 다수의 컴포넌트 영역을 포함한다. 상기 반도체 층 시퀀스 상에 다수의 접속 표면이 형성되고, 이때 각각의 컴포넌트 영역 상에 적어도 하나의 접속 표면이 형성된다. 상기 반도체 층 시퀀스 상에 성형 화합물이 형성되고, 이때 상기 성형 화합물은 상기 접속 표면들 사이의 중간 공간들을 채운다. 상기 성형 화합물을 구비한 상기 복합물은 분할되고, 이때 분할시 상기 성형 화합물로부터 다수의 성형 몸체가 형성되고, 상기 성형 몸체들에 각각 복합물의 하나의 컴포넌트 영역으로부터 생성되는 반도체 몸체가 할당되어 있다.
다시 말해, 상기 성형 몸체의 가로 방향 연장부는 복합물의 분할시 결정되고, 이와 같은 방식으로 간단하고도 신뢰할 만한 방식으로 복합물의 컴포넌트 영역들의 크기에 적응될 수 있다. 특히, 복합물의 분할시 상기 반도체 층 시퀀스는 상기 컴포넌트 영역들에 걸쳐서 연속적으로 연장될 수 있다. 다시 말해, 분할시 이미 사전 규정된 반도체 몸체들에 대해 상대적으로 이루어지는 분할 트랙들의 고정밀 조정 공정이 필요하지 않다. 다른 말로 하면, 반도체 층 시퀀스로부터 반도체 몸체들의 형성 공정 및 성형 화합물을 구비한 복합물의 분할 공정이 공통의 제조 단계에서 이루어질 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 상기 방법은 반도체 층 시퀀스용 성장 기판이 제거되는 단계를 포함한다. 특히, 상기 반도체 층 시퀀스 상에 성형 화합물이 형성된 이후에, 상기 성장 기판이 제거된다. 다시 말해, 상기 성형 화합물은 반도체 층 시퀀스의 기계적 안정화를 위해 이용됨으로써, 결과적으로 이를 위해 상기 성장 기판이 더는 필요하지 않다. 대안적으로, 성장 기판이 반도체 층 시퀀스에 남아있는 것도 고려할 수 있다. 특히, 복합물이 분할되기 이전에, 상기 성장 기판이 제거될 수 있다. 다시 말해, 상기 성장 기판 자체는 분할시 양단될 필요가 없고, 예를 들어 후속하는 제조 사이클에서 성장 기판으로서 재사용될 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 상기 방법은 복합물의 분할 공정 이후에 반도체 몸체들 및 성형 몸체들이 추가의 복합물을 형성하기 위해 추가의 성형 화합물에 의해 변형되는 단계를 포함한다. 다시 말해, 분할 공정 이후에 서로 분리된 성형 몸체들은 상기 추가의 성형 화합물에 의해 유착되고, 이와 같은 방식으로 상기 추가의 복합물을 형성한다. 특히, 추가의 복합물의 형성시 상기 성형 몸체들 사이의 중간 공간들이 국부적으로 또는 완전히 채워질 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 복합물의 분할 단계와 추가 복합물의 형성 단계 사이에서 이웃한 반도체 몸체들 사이의 중간 간격이 확대된다. 다시 말해, 상기 중간 간격은 복합물의 컴포넌트 영역들의 간격을 통해 설정되지 않거나, 또는 적어도 복합물의 컴포넌트 영역들의 간격을 통해서만 설정되지 않는다. 그럼으로써, 동일한 방향을 따라서 연장되는 반도체 몸체의 가로 방향 연장부보다 더 큰, 예를 들어 적어도 10%만큼 더 크거나, 또는 적어도 50%만큼 더 큰 가로 방향 연장부를 갖는 반도체 컴포넌트들의 제조가 간단해진다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 추가의 복합물로부터 반도체 컴포넌트들을 형성하기 위해 추가의 성형 화합물이 양단된다. 다시 말해, 추가의 성형 화합물의 양단 공정에 의해 개별적인 광전자 반도체 컴포넌트들이 생성된다. 양단시 생성되는 반도체 컴포넌트들의 추가의 성형 몸체들은 각각 반도체 컴포넌트를 가로 방향으로 제한하는 측면 표면들을 형성한다. 이와 같은 측면 표면들은 양단 공정을 위한 특유의 흔적들, 예를 들어 기계적인 재료 제거의 흔적들 또는 가간섭성 방사선에 의한 재료 제거의 흔적들을 포함할 수 있다. 예를 들어 상기 추가의 성형 몸체는 전체 둘레를 따라서 성형 몸체를 가로 방향으로 둘러싼다. 다른 말로 하면, 상기 성형 몸체는 어떤 위치에서도 반도체 컴포넌트의 측면 표면에 인접하지 않는다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 제조 공정 동안에 접속 표면들은 일시적으로 덮이는데, 특히 완전히 덮인다. 예를 들어 상기 접속 표면들은 성형 화합물 및/또는 추가의 성형 화합물에 의해 덮일 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 추가의 성형 화합물은 접속 표면들이 완전히 덮이도록 형성되고, 이때 추가의 복합물의 양단 공정 이전에 상기 접속 표면들은 추가 단계에서 노출된다. 예를 들어 노출 공정은 추가의 성형 화합물 및/또는 성형 화합물의 기계적인, 특히 전체 표면의 재료 제거에 의해 이루어질 수 있다. 특히, 상기 접속 표면들을 노출시키기 위해, 상기 성형 화합물뿐만 아니라 상기 추가의 성형 화합물도 국부적으로 제거될 수 있다. 예를 들어 상기 성형 화합물 및 상기 추가의 성형 화합물은 동시에 국부적으로 제거된다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 성형 화합물은 접속 표면들이 완전히 덮이도록 형성되고, 이때 추가의 성형 화합물이 제공되기 이전에 상기 접속 표면들은 노출된다. 다시 말해 이와 같은 경우, 추가의 성형 화합물의 제공 시점에서 상기 접속 표면들은 반도체 층 시퀀스를 등지는 성형 화합물의 측 상에서 이미 접근 가능하다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 추가의 복합물 상에 콘택트들이 형성되고, 상기 콘택트들은 각각 접속 표면들 중 하나의 접속 표면에 전기 전도성으로 연결되어 있다. 상기 콘택트들은 특히 광전자 반도체 컴포넌트들의 외부 전기적 콘택팅을 위해 제공되어 있다. 바람직하게 각각의 반도체 컴포넌트는 정확히 2개 또는 2개보다 많은 콘택트를 포함한다. 특히, 반도체 컴포넌트들의 모든 콘택트들은 반도체 컴포넌트의 동일한 측 상에 배치될 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 성형 화합물 및/또는 추가의 성형 화합물은 주조 공정에서 제공된다. 주조 공정은 일반적으로, 성형 화합물을 사전 결정된 형태에 따라 형성하고, 필요한 경우에 경화시킬 수 있는 공정으로 이해된다. 특히 "주조 공정"이라는 개념은 몰딩(molding), 필름 지원 성형(film assisted modling), 사출 성형(injection molding), 이송 성형(transfer molding) 및 압축 성형(compression molding)을 포함한다. 또한, 특히 CVD-방법 또는 PVD-방법과 같은 증착법과 비교하여, 주조 공정에 의해 큰 수직 연장부들, 예를 들어 반도체 층 시퀀스의 수직 연장부의 적어도 2배에 달하는 수직 연장부가 간단하고도 비용 저렴하게 달성될 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 복합물의 분할 공정은 가간섭성 방사선, 특히 레이저 광선에 의해 이루어진다. 특히 기계적인 분할 공정과 비교하여, 이와 같은 분할시 반도체 층 시퀀스를 향하는 성형 화합물의 경계면에서 기계적 하중이 감소한다는 사실이 드러났다. 그럼으로써, 상기 반도체 층 시퀀스로부터 성형 화합물의 분리 위험성이 감소할 수 있다.
계속해서, 광전자 반도체 컴포넌트가 제시된다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 반도체 컴포넌트는 방사선을 발생 및/또는 수신하기 위해 제공된 반도체 몸체, 방사선 통과면 및 적어도 하나의 접속 표면을 포함하고, 이때 상기 접속 표면은 상기 방사선 통과면을 등지는 반도체 몸체의 측 상에 배치되어 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 반도체 컴포넌트는 성형 몸체를 포함하고, 상기 성형 몸체는 방사선 통과면을 등지는 반도체 몸체의 측 상에 배치되어 있다. 특히, 상기 성형 몸체는 반도체 몸체 및 접속 표면에 인접한다. 반도체 몸체의 측면 표면들에는 특히 성형 몸체의 재료가 없다.
반도체 컴포넌트의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 반도체 컴포넌트는 추가의 성형 몸체를 포함하고, 상기 추가의 성형 몸체는 상기 반도체 컴포넌트를 방사선 통과면에 대해 평행하게 진행하는 가로 방향으로 제한하는 반도체 컴포넌트의 측면 표면을 형성한다. 특히, 상기 추가의 성형 몸체는 국부적으로 성형 몸체 및 반도체 몸체에 인접한다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 하나의 실시 형태에서, 반도체 컴포넌트는 방사선을 발생 및/또는 수신하기 위해 제공된 반도체 몸체, 방사선 통과면 및 적어도 하나의 접속 표면을 포함하고, 이때 상기 접속 표면은 상기 방사선 통과면을 등지는 반도체 몸체의 측 상에 배치되어 있다. 계속해서, 상기 반도체 컴포넌트는 성형 몸체를 포함하고, 상기 성형 몸체는 상기 방사선 통과면을 등지는 반도체 몸체의 측 상에 배치되어 있으며, 상기 성형 몸체는 상기 반도체 몸체 및 상기 접속 표면에 인접한다. 계속해서, 상기 반도체 컴포넌트는 추가의 성형 몸체를 포함하고, 상기 추가의 성형 몸체는 상기 반도체 컴포넌트를 방사선 통과면에 대해 평행하게 진행하는 가로 방향으로 제한하는 반도체 컴포넌트의 측면 표면을 형성하며, 상기 추가의 성형 몸체는 국부적으로 상기 성형 몸체 및 상기 반도체 몸체에 인접한다.
상기 성형 몸체 및 상기 추가의 성형 몸체는 반도체 몸체용 하우징 몸체를 형성할 수 있다. 특히, 상기 광전자 반도체 컴포넌트는 표면 장착 가능한 컴포넌트(surface mounted device, smd)로서 형성될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 적어도 가로 방향을 따라서 성형 몸체의 연장부가 반도체 몸체의 연장부보다 최대 20㎛만큼 더 크다. 특히, 이와 같은 가로 방향을 따라서 성형 몸체의 연장부는 반도체 몸체의 연장부보다 작거나 같을 수도 있다. 특히, 성형 몸체의 가로 방향 연장부는 반도체 몸체의 적어도 2개의 측면 표면에서, 또는 반도체 몸체의 전체 둘레를 따라서 반도체 몸체의 연장부보다 최대 20㎛만큼 더 클 수 있다.
특히, 상기 성형 몸체 및 상기 반도체 몸체는 적어도 가로 방향으로 동일한 높이에서 종료할 수 있다. 이 경우, "동일한 높이에서"라는 개념은, 예를 들어 분할 공정 동안에 발생한 상이한 강도의 재료 제거에 의해 야기될 수 있는, 제조에 기인하는 편차들을 포함한다. 예를 들어 가로 방향으로 가간섭성 방사선에 의한 분할시 재료 제거는 반도체 층 시퀀스에서보다 성형 화합물에서 더 큰 강도로 이루어질 수 있거나, 역으로 성형 화합물에서보다 반도체 층 시퀀스에서 더 큰 강도로 이루어질 수 있다. 특히, 상기 성형 몸체 및 상기 반도체 몸체는 반도체 몸체의 적어도 2개의 측면 표면에서, 또는 반도체 몸체의 전체 둘레를 따라서 동일한 높이에서 종료할 수 있다.
이와 같은 반도체 컴포넌트는, 반도체 몸체들로 분할이 이루어지기도 전에 성형 몸체용 성형 화합물이 제공되는 방법에 의해 간단한 방식으로 제조될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 성형 몸체 및/또는 추가의 성형 몸체는 작동 중에 반도체 몸체 내에서 발생한 또는 수신될 방사선을 투과시키지 않는다. 특히, 상기 성형 몸체 및 상기 추가의 성형 몸체는 방사선 비투과성을 가질 수 있다. 계속해서, 상기 성형 몸체 및 상기 추가의 성형 몸체는 재료와 관련하여 서로 상이할 수도 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 반도체 컴포넌트는 방사선 통과면을 등지는 추가의 성형 몸체의 후면 상에 콘택트를 포함하고, 상기 콘택트는 접속 표면에 전기 전도성으로 연결되어 있으며, 이때 반도체 컴포넌트의 평면도에서 상기 콘택트는 성형 몸체 및 추가의 성형 몸체와 겹쳐진다. 다시 말해 반도체 컴포넌트의 평면도에서, 상기 콘택트는 가로 방향으로 반도체 몸체 위로 적어도 국부적으로 돌출할 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 적어도 하나의 실시 형태에 따르면, 추가의 성형 몸체 내에 전자 부품이 매립되어 있다. 특히, 상기 추가의 성형 몸체는 상기 전자 부품에 국부적으로 직접 인접한다. 예를 들어 상기 전자 부품은 반도체 몸체를 정전 방전(Electrostatic Discharge, ESD)으로부터 보호하는 ESD-보호 소자로서 형성될 수 있다. 예를 들어 상기 전자 부품은 ESD-보호 다이오드이다.
다시 말해, 상기 반도체 컴포넌트는 이러한 반도체 컴포넌트 내에 통합된 ESD-보호 기능 또는 다른 전자 기능을 가질 수 있다. 예를 들어 상기 전자 부품은 콘택트에 의해 반도체 몸체에 전기적으로 병렬 접속되어 있다.
계속해서 전술되는 상기 방법은 반도체 컴포넌트를 제조하기 위해 특히 적합하다. 따라서, 상기 반도체 컴포넌트와 관련하여 언급된 특징들은 상기 방법을 위해서도 사용될 수 있고, 역으로 상기 방법과 관련하여 언급된 특징들이 상기 반도체 컴포넌트를 위해 사용될 수도 있다.
추가 형성예들 및 합목적성들은 도면들과 관련하여 실시예들의 다음 상세 설명에서 주어진다.
도 1a 내지 도 1g는 광전자 반도체 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법에 대한 일 실시예를 각각 개략적인 단면도로 도시된 중간 단계들에 의해 도시하고;
도 2a 내지 도 2c는 광전자 반도체 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법에 대한 추가 실시예를 각각 개략적인 단면도로 도시된 중간 단계들에 의해 도시하며; 그리고
도 3a 및 도 3b는 광전자 반도체 컴포넌트에 대한 각각 하나의 실시예를 개략적인 단면도(도 3a) 또는 개략적인 사시도(도 3b)로 도시한다.
상기 도면들에서 동일한, 동일한 형태의, 또는 동일하게 작용하는 소자들에는 동일한 도면 부호가 제공되어 있다.
상기 도면들은 각각 개략도이고, 따라서 반드시 척도에 맞지는 않는다. 오히려 비교적 작은 소자들 및 특히 층 두께들은 명확하게 보여줄 목적으로 과도하게 크게 도시될 수 있다.
도 1a 내지 도 1g에는 광전자 반도체 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법에 대한 일 실시예가 도시되어 있고, 이때 상세 설명은 제조시 2개의 광전자 반도체 컴포넌트가 생성되는 섹션에 대하여 이루어진다. 기술된 방법에 의해 다수의 반도체 컴포넌트가 동시에 제조될 수 있다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 복합물(30)이 제공된다. 상기 복합물(30)은 반도체 층 시퀀스(20)를 포함한다. 상기 반도체 층 시퀀스(20)는 캐리어 상에 배치되어 있고, 상기 캐리어는 이와 같은 실시예에서 성장 기판(29)에 의해 형성되어 있다. 도 1a에 도시된 섹션은 2개의 컴포넌트 영역(3)을 포함하고, 상기 컴포넌트 영역들은 서로 기계적으로 결합되어 있다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 층 시퀀스(20)는 상기 컴포넌트 영역들(3)에 걸쳐서 연속적으로 연장될 수 있다. 그러나 이와 달리, 반도체 층 시퀀스는 컴포넌트 영역들(3)을 결정하기 위해 가로 방향으로 구조화될 수도 있다.
상기 성장 기판(29)을 등지는 반도체 층 시퀀스(20)의 측 상에는 다수의 접속 표면(4)이 배치되어 있다. 상기 접속 표면들은 각각 접속 층(41) 및 추가의 접속 층(42)을 포함한다. 상기 접속 층(41)은 예를 들어 포토리소그래피 구조화 방법에 의해 구조화된 형태로 형성되어 있다. 상기 추가의 접속 층(42)은 예를 들어 적어도 국부적인 보강을 위해 갈바닉 증착법에 의해 상기 접속 층(41)상에 형성될 수 있다.
상기 컴포넌트 영역들(3)은 각각 2개의 접속 표면(4)을 포함한다. 그러나 하나의 컴포넌트 영역(3)이 단 하나의 접속 표면만을 포함하거나, 또는 2개보다 많은 접속 표면을 포함할 수도 있다. 상기 반도체 층 시퀀스(20)는 이러한 반도체 층 시퀀스(20)의 서로 상이한 반도체 층들의 전기적 콘택팅을 위해 구조화될 수 있음으로써, 결과적으로 추후의 작동 중에 하나의 컴포넌트 영역(3)의 2개의 접속 표면 사이에 전압을 인가하는 경우에 마주 놓인 측들의 전하 캐리어가 방사선 발생을 위해 제공된 반도체 층 시퀀스의 활성 영역 내로 주입되고, 방사선 방출하에 상기 활성 영역에서 재결합한다. 단순한 도시를 위해, 반도체 층 시퀀스(20)의 구조화 및 반도체 층 시퀀스의 층 구조는 도면들 내에 명시적으로 나타나 있지 않다.
후속하여, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 층 시퀀스(20) 상에 성형 화합물(50)이 형성된다. 상기 성형 화합물(50)은 상기 반도체 층 시퀀스(20)를 등지는 측 상에서 상기 접속 표면들(4)을 완전히 덮는다. 상기 성형 화합물(50)은 상기 성장 기판(29)을 등지는 반도체 층 시퀀스(20)의 측 상에서 형성된다.
상기 성형 화합물(50)은 예를 들어 주조 공정에 의해 제공될 수 있다. 상기 성형 화합물(50)은 특히 이웃한 접속 표면들(4) 사이의 중간 공간들(45)을 채우고, 상기 접속 표면들(4)에 적어도 국부적으로 직접 인접한다.
상기 성형 화합물(50)이 제공된 이후에, 이와 같은 성형 화합물은 상기 반도체 층 시퀀스(20)를 기계적으로 안정화시킬 수 있음으로써, 결과적으로 상기 성장 기판(29)은 제거될 수 있다. 이는, 예를 들어 광 절연막 제거 방법(Laser Lift Off)에 의해, 혹은 기계적 또는 화학적 방법에 의해 이루어질 수 있다. 다시 말해, 성장 기판의 제거 시점에서, 추후에 반도체 컴포넌트의 하우징의 일부를 형성하는 상기 성형 화합물은 이미 상기 반도체 층 시퀀스 상에 제공될 수 있다.
상기 성장 기판이 제거된 이후에, 도 1c에 도시된 바와 같이 상기 복합물은 분할될 수 있고, 이때 분할시 상기 반도체 층 시퀀스(20) 및 상기 성형 화합물(50)은 양단됨으로써, 그 결과 개별적인 반도체 몸체들(2) 및 성형 몸체들(5)이 생성된다. 바람직하게 복합물의 분할 공정 직전에 상기 반도체 층 시퀀스(20)는 상기 컴포넌트 영역들(3)에 걸쳐서 연속적으로 연장됨으로써, 결과적으로 상기 반도체 몸체들(2)은 분할시 비로소 생성된다. 다시 말해, 이미 분할 공정 이전에 사전 규정된 반도체 몸체들에 대해 상대적으로 이루어지는 분할 트랙들의 고정밀 조정 공정은 필요하지 않다.
바람직하게 분할 공정은 가간섭성 방사선, 예컨대 레이저 광선에 의해 이루어진다. 가간섭성 방사선이 분할을 위해 특히 적합하다는 사실이 드러났는데, 그 이유는 기계적 분할 공정과 비교하여 상기 가간섭성 방사선에 의해 분할시 발생하는 복합물의 기계적 하중이 감소하기 때문이다. 이와 같은 방식으로, 분할 동안에 상기 반도체 층 시퀀스로부터 성형 화합물의 박리 위험성이 감소할 수 있다. 그러나 대안적으로, 기계적 분할 공정이 사용될 수도 있다.
상기 반도체 층 시퀀스(20) 및 상기 성형 화합물(50)은 복합물(30)의 분할시 특히 공통의 제조 단계에서 양단된다. 그럼으로써, 생성되는 반도체 몸체들(2) 및 해당 성형 몸체들(5)은 동일한 높이에서 종료한다. 분할 공정에 따라서, 상기 반도체 몸체들은 자체 가로 연장부에서 해당 성형 몸체들보다 더 작거나 더 클 수도 있다. 예를 들어 가간섭성 방사선에 의한 분할시, 예컨대 레이저 분리 공정에서, 상기 성형 화합물은 가로 방향으로 반도체 층 시퀀스의 재료보다 더 큰 강도로 제거될 수 있다. 그럼으로써, 특히 반도체 몸체의 전체 둘레를 따라서, 성형 몸체의 가로 방향 연장부는 해당 반도체 몸체의 가로 방향 연장부보다 더 작을 수 있다. 대안적으로, 성형 화합물은 가로 방향으로 반도체 층 시퀀스의 재료보다 더 작은 강도로 제거될 수 있다. 이와 같은 경우, 상기 성형 화합물은 가로 방향으로 반도체 몸체 위로 국부적으로, 또는 전체 둘레를 따라서, 바람직하게는 최대 20㎛만큼 돌출할 수 있다.
기계적 방법에 의한 분할시 성형 몸체들(5) 및 해당 반도체 몸체들(2)은 정확하게, 또는 예컨대 최대 2㎛의 편차로 거의 정확하게 동일한 높이에서 종료할 수도 있다.
각각의 성형 몸체(5)에는 하나의 반도체 몸체(2)가 할당되어 있다. 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 성형 화합물(50)을 등지는 반도체 층 시퀀스(20)의 측 상에는 선택적으로, 향상된 방사선 삽입 또는 방사선 방출을 위한 구조화(27)가 형성될 수 있다.
다시 말해, 상기 반도체 몸체들로 복합물(30)의 분할 공정 동안에, 완성된 반도체 컴포넌트에서 하우징부를 형성하는 상기 성형 화합물(50)은 이미 상기 반도체 층 시퀀스(20) 상에 제공되어 있다. 다시 말해, 상기 성형 화합물은 특히 이미 상기 반도체 몸체들로 복합물의 분할시 기계적 안정화를 위해 이용될 수 있다. 이와 같은 방식으로, 제조 공정의 신뢰성이 향상될 수 있다. 특히, -개별적인 제조 단계들을 실시하기 위해 발생한 상이한 온도들에 기인하는 열팽창으로 인한 길이 변동을 제외하고- 복합물의 분할 공정 동안에 반도체 층 시퀀스(20)의 2개의 임의의 부분 영역은 서로, 에피택셜 방식의 증착 공정 동안의 간격과 동일한 간격으로 위치한다.
해당 성형 몸체들(5)을 구비한, 이와 같은 방식으로 분할된 반도체 몸체들(2)은 추가의 복합물(35)을 형성하기 위해 추가의 성형 화합물(550)에 의해 변형된다(도 1d 참조). 반도체 몸체들(2)의 방사선 통과면(10)에는 상기 추가의 성형 화합물(550)이 없다. 상기 추가의 성형 화합물(550)이 형성되기 이전에, 이웃한 반도체 몸체들(2) 사이의 중간 간격(25)이 일 팽창 계수만큼 확대될 수 있다. 상기 팽창 계수는 넓은 범위에서 선택될 수 있다. 팽창 계수가 크면 클수록, 후속하여 제조되는 반도체 컴포넌트들은 자체 가로 방향 연장부에서 반도체 몸체들(2)의 가로 방향 연장부를 기준으로 더 커진다. 예를 들어 상기 팽창 계수는 1.1(1.1 포함) 내지 5(5 포함)에 놓인다. 중간 간격의 확대를 위해, 상기 성형 몸체들(5)은 예를 들어, 상기 추가의 성형 화합물이 제공되기 이전에 팽창되는 팽창 가능한 보조 캐리어 상에 배치될 수 있다(단순한 도시를 위해 나타나 있지 않음).
상기 추가의 성형 화합물(550)은 특히 이웃한 성형 몸체들(5) 사이의 중간 공간들을 채운다. 계속해서, 상기 추가의 성형 화합물은 상기 반도체 몸체들(2), 특히 반도체 몸체들(2)의 측면 표면들에 일체로 형성될 수 있다.
상기 추가의 성형 화합물(550)은 상기 반도체 몸체들(2)을 등지는 성형 몸체들(5)의 측 상에서 상기 성형 몸체들(5)을 덮도록 제공된다. 상기 성형 몸체들을 등지는 반도체 몸체들(2)의 측에는 상기 추가의 성형 화합물이 없다.
후속하여, 도 1e에 도시된 바와 같이, 상기 추가의 성형 화합물(550) 및 상기 성형 화합물(50)이 국부적으로 제거됨으로써, 상기 반도체 몸체들(2)을 등지는 접속 표면들(4)의 측들이 노출된다.
도 1e에 제시된 방법 단계에서 성형 몸체들(5)의 성형 화합물 및 상기 추가의 성형 화합물(550)의 재료 제거가 동시에 이루어진다.
그러나 이와 달리, 추가의 성형 화합물(550)이 제공되기 이전에, 이미 접속 표면들(4)이 성형 화합물(50)로부터 노출될 수도 있다. 추가 단계에서, 상기 성형 화합물(50)로부터 노출된 상기 접속 표면들을 상기 추가의 성형 화합물로부터 노출시키기 위해, 필요한 경우, 단지 상기 추가의 성형 화합물만이 제거될 수 있다.
접속 표면들(4)의 노출 공정은 바람직하게, 예를 들어 기계적 방법에서, 예컨대 그라인딩 방법에서 전체 표면의 재료 제거에 의해 이루어진다.
후속하여, 도 1f에 도시된 바와 같이, 상기 추가의 복합물(35) 상에 콘택트들(6)이 형성되고, 상기 콘택트들은 각각 상기 접속 표면들(4) 중 하나의 접속 표면에 전기 전도성으로 연결되어 있다. 도시된 실시예에서, 상기 콘택트들(6)은 상기 반도체 몸체들(2)에 대해 대칭적으로 배치되어 있다. 그러나 반도체 몸체들(2)에 대해 상대적으로 콘택트들의 비대칭적인 배치도 고려할 수 있다.
도 1g에 도시된 단계에서, 상기 추가의 복합물(35)은 반도체 컴포넌트들(1)로 분할된다. 이 경우, 상기 추가의 성형 화합물(550)은 수직 방향으로 완전히 양단됨으로써, 결과적으로 각각의 반도체 컴포넌트(1)는 상기 추가의 성형 화합물(550)로부터 생성되는 추가의 성형 몸체(55)를 포함한다. 양단시 생성되는 표면들은 분할된 반도체 컴포넌트들의 측면 표면들(15)을 형성한다. 따라서, 상기 측면 표면들(15)은 양단 공정을 위해 특유의 흔적들을 포함할 수 있는데, 예를 들어 소우 흔적들 또는 그라인딩 흔적들, 혹은 가간섭성 방사선에 의한 재료 제거의 흔적들을 포함할 수 있다.
상기 추가의 복합물(35)이 양단되기 이전에, 상기 반도체 컴포넌트들(1) 상에 추가로 각각 하나의 광학 소자 또는 다수의 광학 소자가 제공될 수 있다. 예를 들어 상기 광학 소자는 공간적인 방사 특성 및/또는 스펙트럼 방사 특성을 형성하기 위해 제공될 수 있다. 예를 들어 상기 광학 소자는 반도체 몸체(2) 내에서 발생한 방사선의 완전한 또는 부분적인 방사선 변환을 위해 제공되어 있다. 특히, 상기 추가의 복합물(35) 상에 제공시 상기 광학 소자들은 광학 복합물 내에 존재할 수 있고, 추가의 복합물의 양단시 상기 광학 소자들은 상기 광학 복합물로부터 생성된다. 광학 복합물 및 추가의 성형 화합물의 양단 공정은 특히 공통의 단계에서 이루어질 수 있다. 이와 같은 경우, 상기 광학 소자들은 각각 적어도 국부적으로 가로 방향으로 각각 할당된 추가의 성형 몸체들(550)과 동일한 높이에서 종료할 수 있다.
도 2a 내지 도 2c에는 광전자 반도체 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법에 대한 추가 실시예가 도시되어 있다. 이 경우, 도 2a에 도시된 중간 단계는 도 1b에 의해 기술된 이전 실시예의 단계에 상응한다. 전술된 실시예와 다르게, 성형 화합물(50)은 얇아지고, 복합물(30)의 분할이 이루어지기 이전에 콘택트들(6)이 제공된다. 이는, 도 2b에 도시되어 있다. 그 다음에 비로소 다수의 반도체 컴포넌트(1)로 복합물의 분할이 이루어진다(도 2c 참조). 다시 말해 이와 같은 실시예에서, 분할시 생성되는 반도체 컴포넌트들(1)의 반도체 몸체들(2)의 중간 간격은 이와 같은 반도체 몸체들이 이미 반도체 층 시퀀스(20)의 에피택셜 방식의 증착시 가졌던 간격에 상응한다. 다시 말해, 팽창이 이루어지지 않는데, 이는 팽창 계수 1에 상응한다. 다시 말해, 이와 같은 방식으로 제조된 반도체 컴포넌트들의 가로 방향 연장부는 동일한 가로 방향을 따라서 연장되는 반도체 몸체들의 연장부와 같거나, 또는 기껏해야 약간 더 크다. 반도체 컴포넌트들이 실질적으로 반도체 몸체들의 크기를 갖는, 케이싱 처리된(cased) 반도체 몸체들을 구비한 이와 같은 반도체 컴포넌트들은 CSP(Chip Size Package)-컴포넌트들로도 언급된다.
기술된 상기 방법에 의해, 반도체 몸체들의 가로 방향 연장부에 대해 상대적인 생성되는 반도체 컴포넌트들의 가로 방향 연장부와 무관하게, 실질적으로 동일한 특유의 공정 단계들을 사용하는 보편적인 프로세스 체인이 주어진다. 특히 제조 동안에, 이웃한 반도체 몸체들의 중간 간격이 일 팽창 계수만큼 커지거나, 커지지 않을 수 있다. 예를 들어 추가의 성형 화합물에 의해, 반도체 몸체들보다 가로 방향으로 현저히 더 큰 치수를 갖는 반도체 컴포넌트들도 제조될 수 있다.
계속해서 기술된 상기 방법에서, 이미 상기 성형 화합물(50)이 제공된 상기 반도체 몸체들(2)은, 특히 추가의 복합물(35)이 형성되기 이전에 비닝 공정(binning process)을 경험할 수 있다. 이와 같은 방식으로, 예를 들어 추가의 복합물(35) 내에서 모든 반도체 몸체들(2)이 사전 결정된 스펙트럼 방사 특성에 상응하도록 보장될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트에 대한 일 실시예는 도 3a에 도시되어 있다. 상기 광전자 반도체 컴포넌트(1)는 방사선을 발생 및/또는 수신하기 위해 제공된 반도체 몸체(2) 및 방사선 통과면(10)을 포함한다. 상기 반도체 컴포넌트는 상기 방사선 통과면(10)을 등지는 후면(19) 상에 2개의 콘택트(6)를 포함하고, 상기 콘택트들은 각각 접속 표면(4)에 전기 전도성으로 연결되어 있다. 계속해서, 상기 방사선 통과면을 등지는 반도체 몸체의 측 상에는 성형 몸체(5)가 배치되어 있고, 상기 성형 몸체는 상기 반도체 몸체(2) 및 상기 접속 표면들(4)에 인접한다. 계속해서, 상기 반도체 컴포넌트는 추가의 성형 몸체(55)를 포함하고, 상기 추가의 성형 몸체는 상기 반도체 컴포넌트를 가로 방향으로 제한하는 반도체 컴포넌트의 측면 표면(15)을 형성한다. 상기 추가의 성형 몸체는 국부적으로 상기 성형 몸체(5) 및 상기 반도체 몸체(2)에 인접한다. 특히, 상기 추가의 성형 몸체(55)는 반도체 컴포넌트(1)의 전체 둘레를 따라서 상기 성형 몸체(5)를 둘러싼다. 다시 말해, 상기 성형 몸체(5)는 가로 방향으로 반도체 컴포넌트(1)의 측면 표면의 어떤 위치에서도 밖으로 돌출하지 않는다.
상기 반도체 컴포넌트(1)는 후면(19)에 있는 2개의 콘택트(6)를 구비한 표면 장착 가능한 반도체 컴포넌트로서 형성되어 있다. 그러나 상기 반도체 컴포넌트(1)는 상기 후면에 단 하나의 콘택트만을 포함하거나, 또는 2개보다 많은 콘택트를 포함할 수도 있다.
계속해서, 상기 반도체 컴포넌트(1)는 광학 소자(8)를 포함한다. 예컨대 렌즈 형태의 상기 광학 소자는 예를 들어 방사선 형성을 위해 이용된다. 대안적으로 또는 보완적으로, 광학 소자는 반도체 몸체(2) 내에서 발생 및/또는 수신될 방사선의 방사선 변환을 위해 이용될 수 있다.
특히, 상기 광학 소자(8) 및 상기 추가의 성형 몸체(55)는 가로 방향으로 동일한 높이에서 종료할 수 있다. 그럼으로써, 광전자 반도체 컴포넌트(1)의 제조는 간단해진다.
반도체 컴포넌트(1)의 반도체 몸체(2)와 방사선 통과면(10) 사이의 빔 경로에는 성형 몸체(5) 및 추가의 성형 몸체(55)의 재료가 없다. 따라서, 상기 성형 몸체(5) 및 상기 추가의 성형 몸체(55)는 작동 중에 반도체 몸체 내에서 발생한 또는 수신될 방사선을 투과시키지 않을 수 있다. 예를 들어 상기 성형 몸체 및/또는 상기 추가의 성형 몸체는 방사선에 대해, 예를 들어 적어도 60%의 반사율로 반사 작용하도록 형성될 수 있다. 예를 들어 상기 성형 몸체 및/또는 상기 추가의 성형 몸체는 증가하는 입자들, 예컨대 백색 안료들의 반사율을 갖는다.
특히 반도체 몸체(2)의 전체 둘레를 따라서, 상기 성형 몸체(5) 및 상기 반도체 몸체(2)는 가로 방향으로 동일한 높이에서 종료한다. 그러나 상기 성형 몸체(5)는 상기 반도체 몸체(2)보다 작을 수 있거나, 또는 상기 반도체 몸체 위로 약간, 예컨대 최대 20㎛만큼 돌출할 수도 있다.
반도체 컴포넌트(1)의 평면도에서, 상기 콘택트들(6)은 상기 성형 몸체(5) 및 상기 추가의 성형 몸체(55)와 겹쳐진다. 상기 콘택트들(6)은 특히 가로 방향으로 상기 반도체 몸체(2) 위로 돌출할 수 있다.
반도체 컴포넌트(1)의 외부 전기적 콘택팅은 상기 후면(19)에서 상기 콘택트들(6)에 의해 이루어지고, 상기 콘택트들은 상기 접속 표면들(4)을 통해 상기 반도체 몸체(2)에 연결되어 있다. 다시 말해, 반도체 몸체(2)의 전기적 콘택팅을 위해, 방사선 통과면(10) 상에서 차폐 작용하는 소자들이 필요하지 않다. 표면 이미터로서 형성된 반도체 컴포넌트(1)에서 이와 같은 차폐 작용하는 소자들은 방사선 방출에 악영향을 야기할 수 있을 것이다. 계속해서, 반도체 컴포넌트의 콘택트들(6)과 반도체 몸체(2)의 전기적 콘택팅을 위해, 와이어 본드 연결부가 필요하지 않다. 그에 따라, 본드 패드를 형성하기 위해, 반도체 몸체(2)의 활성 표면이 손실되는 상황이 발생하지 않는다.
도 3b에는 반도체 컴포넌트(1)에 대한 추가 실시예가 사시도로 도시되어 있다. 이와 같은 추가 실시예는 실질적으로, 도 3a와 관련하여 기술된 실시예에 상응할 수 있다.
이와 다르게, 상기 반도체 컴포넌트(1)는 전자 부품(7)을 포함하고, 상기 전자 부품은 추가의 성형 몸체(55) 내에 매립되어 있다. 예를 들어 상기 전자 부품(7)은 콘택트들(6)을 통해 반도체 몸체(2)에 병렬 접속되어 있는 ESD-보호 소자로서 형성되어 있다. 다시 말해, 반도체 몸체와 전자 부품의 접속을 위해, 추가적인 제조 단계가 필요하지 않다.
도 3b가 도시하는 바와 같이, 기술된 상기 방법에 의해 간단하고도 신뢰할 만한 방식으로, 반도체 몸체(2)가 가로 방향을 기준으로 반도체 컴포넌트(1) 내에서 중간에 배치되어 있지 않은 반도체 컴포넌트들(1)도 제조될 수 있다.
본 특허 출원서는 독일 특허 출원서 10 2015 100 575.1호의 우선권을 청구하며, 그에 따라 상기 출원서의 공개 내용은 인용의 방식으로 본 출원서에 수용된다.
본 발명은 실시예들을 참조한 상세 설명에 의해 제한되어 있지 않다. 오히려 본 발명은 각각의 새로운 특징 및 특징들의 각각의 조합을 포함하며, 이는 비록 이와 같은 특징 또는 이와 같은 조합 자체가 특허 청구범위 또는 실시예들에 명시적으로 제시되어 있지 않더라도, 특히 특징들의 각각의 조합을 특허 청구범위 내에 포함하는 것을 의미한다.

Claims (17)

  1. 복수의 광전자 반도체 컴포넌트(1)를 제조하기 위한 방법으로서,
    a) 반도체 층 시퀀스(semiconductor layer sequence)(20)를 갖는 복합물(3)을 제공하는 단계 ― 이때 상기 복합물은 기계적으로 상호 결합된 복수의 컴포넌트 영역(3)을 포함함 ―;
    b) 상기 반도체 층 시퀀스 상에 복수의 접속 표면(4)을 형성하는 단계 ― 이때 각각의 컴포넌트 영역 상에 적어도 하나의 접속 표면이 형성됨 ―;
    c) 상기 반도체 층 시퀀스 상에 성형 화합물(moulding compound)(50)을 형성하는 단계 ― 이때 상기 성형 화합물은 상기 접속 표면들 사이의 중간 공간들(45)을 채움 ―;
    d) 상기 성형 화합물을 갖는 상기 복합물을 분할하는 단계 ― 이때 분할시 상기 성형 화합물로부터 복수의 성형 몸체(moulded body)(5)가 형성되고, 상기 성형 몸체 각각에 상기 복합물의 하나의 컴포넌트 영역으로부터 생성되는 반도체 몸체(2)가 할당됨 ―
    를 포함하고,
    단계 d) 이후에, 상기 반도체 몸체들 및 상기 성형 몸체들을, 추가의 성형 화합물(550)에 의해 추가의 복합물(35)을 형성하도록 재성형하고, 이때 상기 추가의 성형 화합물(550)은, 상기 접속 표면들이 완전히 덮이고 상기 추가의 복합물이 양단되기 이전에 상기 접속 표면들이 추가 단계에서 노출되도록 형성되는,
    방법.
  2. 제1항에 있어서,
    단계 c) 이후에, 반도체 층 시퀀스용 성장 기판(29)을 제거하는,
    방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 성형 몸체 및 상기 추가의 성형 몸체는 반도체 몸체 내에서 발생한 또는 수신될 방사선을 투과시키지 않는,
    방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    단계 d)와 추가의 복합물의 형성 단계 사이에서 이웃한 반도체 몸체들 사이의 중간 간격(25)을 확대하는,
    방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추가의 복합물로부터 반도체 컴포넌트들을 형성하기 위해, 상기 추가의 성형 화합물을 양단하는,
    방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    접속 표면들의 노출시 상기 성형 화합물 및 상기 추가의 성형 화합물을 국부적으로 제거하는,
    방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성형 화합물을 상기 접속 표면들이 완전히 덮이도록 형성하고, 이때 상기 추가의 성형 화합물이 제공되기 이전에 상기 접속 표면들이 노출되는,
    방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추가의 복합물 상에 콘택트들(6)을 형성하고, 상기 콘택트들은 각각 상기 접속 표면들 중 하나의 접속 표면에 전기 전도성으로 연결되는,
    방법.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성형 화합물 및 상기 추가의 성형 화합물을 주조 공정에서 제공하는,
    방법.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    복합물의 분할 공정은 가간섭성 방사선(coherent radiation)에 의해 이루어지는,
    방법.
  11. 광전자 반도체 컴포넌트(1)로서,
    방사선을 발생시키거나 수신하기 위해 제공된 반도체 몸체(2);
    방사선 통과면(10);
    상기 방사선 통과면을 등지는 반도체 몸체의 측 상에 배치되어 있는 적어도 하나의 접속 표면(4);
    상기 방사선 통과면을 등지는 반도체 몸체의 측 상에 배치되어 있고, 상기 반도체 몸체 및 상기 접속 표면에 접하는 성형 몸체(5);
    상기 반도체 컴포넌트를 방사선 통과면에 대해 평행하게 진행하는 가로 방향으로 제한하는 반도체 컴포넌트의 측면 표면(15)을 형성하고, 국부적으로 상기 성형 몸체 및 상기 반도체 몸체에 접하는 추가의 성형 몸체(55)를 갖고,
    상기 성형 몸체 및 상기 추가의 성형 몸체는 국부적으로 방사선 통과면을 등지는 상기 광전자 반도체 컴포넌트(10)의 후면(19)을 형성하는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  12. 제11항에 있어서,
    적어도 가로 방향을 따라서, 성형 몸체의 연장부는 반도체 몸체의 연장부보다 최대 20㎛만큼 더 큰,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 성형 몸체 및 상기 추가의 성형 몸체는 작동 중에 반도체 몸체 내에서 발생한 또는 수신될 방사선을 투과시키지 않는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 컴포넌트는 상기 방사선 통과면을 등지는 추가의 성형 몸체의 후면 상에, 접속 표면에 전기 전도성으로 연결되어 있는 콘택트를 포함하고, 이때 반도체 컴포넌트의 평면도에서 상기 콘택트는 상기 성형 몸체 및 상기 추가의 성형 몸체와 겹쳐지는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  15. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추가의 성형 몸체 내에 전자 부품(7)이 매립되는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 추가의 성형 몸체는 상기 전자 부품에 국부적으로 직접 접하고, 상기 전자 부품은 ESD-보호 소자로서 형성되는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
  17. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광전자 반도체 컴포넌트는 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는,
    광전자 반도체 컴포넌트.
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