DE4339741C2 - Elektronisches Bauelement mit einer optischen Steuereinrichtung und Verfahren zum Herstellen desselben - Google Patents
Elektronisches Bauelement mit einer optischen Steuereinrichtung und Verfahren zum Herstellen desselbenInfo
- Publication number
- DE4339741C2 DE4339741C2 DE4339741A DE4339741A DE4339741C2 DE 4339741 C2 DE4339741 C2 DE 4339741C2 DE 4339741 A DE4339741 A DE 4339741A DE 4339741 A DE4339741 A DE 4339741A DE 4339741 C2 DE4339741 C2 DE 4339741C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electron
- electrode
- insulation layer
- emitting
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N ferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/34—Photo-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
- H01J17/02—Details
- H01J17/04—Electrodes; Screens
- H01J17/06—Cathodes
- H01J17/066—Cold cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J21/00—Vacuum tubes
- H01J21/02—Tubes with a single discharge path
- H01J21/04—Tubes with a single discharge path without control means, i.e. diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein elektroni
sches Bauelement mit einer optischen Steuereinrichtung und
auf ein Verfahren zum Herstellen desselben.
Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf ein elektroni
sches Bauelement bei dem ein elektrisches Feld an zwei be
nachbarte Elektroden, die in einem Vakuumzustand oder einem
Zustand abgeschlossener Atmosphäre sind, angelegt wird, und
bei dem Photonen, die eine Schwellenenergie oder eine höhere
Energie haben, von einer optischen Steuereinrichtung zu ei
ner der Elektroden abgestrahlt werden, um von dieser Elek
tronen zu emittieren, und auf ein Herstellungsverfahren für
das optische Bauelement mit einer optischen Steuereinrich
tung.
In jüngster Zeit wurden elektronische Bauelemente in Übereinstimmung
mit der Entwicklung der Festkörper-Halbleiterphysik
weiterentwickelt, und bei solchen elektronischen Bauelementen ist
eine Erhöhung der Geschwindigkeit, der Integrationsdichte
oder der Zuverlässigkeit ständig
angestrebt.
Bei der Herstellung von elektronischen Festkörperbauelementen ist
besonders die Beweglichkeit der jeweiligen Elektronen, die
in den jeweiligen Bauelementen fließen, ein bedeutender physikalischer
Faktor, der die elektrischen Charakteristika eines
solchen Halbleiterbauelements
festlegt.
Falls ein Siliziumsubstrat bei der Herstellung solcher Bauelemente
verwendet wird, ist die Beweglichkeit von elektrischen
Ladungen in dem Siliziumsubstrat vorbestimmend für das
Verhalten der jeweiligen Bauelemente.
Fig. 1 ist eine Querschnittdarstellung, die den Aufbau eines
herkömmlichen MOS-Transistors (MOS = Metal Oxid Semiconduc
tor = Metall-Oxid-Halbleiter) unter Verwendung eines Silizi
umsubstrats zeigt. In Fig. 1 bezeichnet das Bezugszeichen 5
ein Siliziumsubstrat, 2 und 3 bezeichnen Source- bzw.
Drain-Gebiete und 1 bezeichnet eine Gateelektrode, die auf
dem Substrat 5 zwischen den Regionen 2 und 3 gebildet ist.
Zwischen der Gateelektrode 1 und dem Substrat 5 ist eine
Gate-Isolierungsschicht 4 gebildet.
Beim Betrieb eines solchen MOS-Transistors dient das Sili
ziumsubstrat 5 lediglich als Trageeinrichtung, und die Über
tragung von Elektronen erfolgt
in einem Kanalgebiet des Substrats 5, das unter
halb der Gate-Isolationsschicht 4 gebildet ist.
Die DE 30 36 733 A1 offenbart eine Laserelektronenröhre, die
einen Laser, eine Anode, eine Kathode, ein Gitter und ein
Gehäuse aufweist, wobei durch den Laser ein durchgehender
Lichtfluß erzeugt wird, der durch lichtwandelnde Stoffe in
einen durchgehenden Elektronenfluß umgewandelt wird. Dieser
Elektronenfluß ist mittels eines elektrischen Feldes von der
Kathode zu der Anode gerichtet. Durch Anlegen von Spannungen
an das Gitter, das sich zwischen der Kathode und der Anode
befindet, kann der Elektronenfluß zwischen der Kathode und
der Anode gesteuert werden.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein elektronisches
Bauelement zum Schalten oder Verstärken eines elektrischen Stroms,
welches eine hohe Schaltgeschwindigkeit hat,
und
ein Verfahren zur Herstellung desselben zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch ein elektronisches Bauelement gemäß
Patentanspruch 1 und durch ein Verfahren zur Herstellung ei
nes elektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 4 ge
löst.
Um die Beschränkungen bezüglich der Beweglichkeit von Elek
tronen in einem Festkörperkanalgebiet des Transistors, wie
in Fig. 1 gezeigt, zu überwinden, ist es erforderlich, daß
die Elektronen in einem Kanal, der einen Vakuumzustand oder
einen Zustand abgeschlossener Atmosphäre aufweist, eines
solchen elektronischen Bauelements
übertragen werden, und daß die Beweglich
keit der Elektronen dadurch lediglich durch ein extern ange
legtes elektrisches Feld bestimmt ist, wodurch
eine hohe Schaltgeschwindigkeit erreicht wird.
Die vorliegende Erfindung schafft ein elektronisches Bau
element zum Schalten oder Verstärken eines elektrischen
Stroms mittels des äußeren photoelektrischen Effekts, auf
weisend:
eine optische Quelle zum Ausstrahlen eines optischen Si gnals, die als optische Steuereinrichtung dient;
ein Siliziumsubstrat;
eine Isolationsschicht, die auf dem Siliziumsubstrat gebil det ist, wobei die Isolationsschicht einen Ausnehmungsab schnitt aufweist, der durch ein Ätzverfahren gebildet ist;
zwei an eine Spannungsquelle anschließbare Elektroden, die auf der Isolationsschicht an gegenüberliegenden Seiten des Ausnehmungsabschnittes gebildet und voneinander durch ein Vakuum oder eine abgeschlossene Atmosphäre getrennt sind, von denen eine das optische Signal empfängt und eine Elek tronen emittierende Elektrode zum Emittieren von Photoelek tronen bildet, und die andere von beiden eine Elektronen aufnehmende Elektrode zum Aufnehmen der Photoelektronen, die von der Elektronen emittierenden Elektrode emittiert werden, bildet;
wobei der Betrag des Stromes, der von der Elektronen emit tierenden Elektrode zur Elektronen aufnehmenden Elektrode fließt, durch die Intensität des optischen Signals von der optischen Quelle einstellbar ist.
eine optische Quelle zum Ausstrahlen eines optischen Si gnals, die als optische Steuereinrichtung dient;
ein Siliziumsubstrat;
eine Isolationsschicht, die auf dem Siliziumsubstrat gebil det ist, wobei die Isolationsschicht einen Ausnehmungsab schnitt aufweist, der durch ein Ätzverfahren gebildet ist;
zwei an eine Spannungsquelle anschließbare Elektroden, die auf der Isolationsschicht an gegenüberliegenden Seiten des Ausnehmungsabschnittes gebildet und voneinander durch ein Vakuum oder eine abgeschlossene Atmosphäre getrennt sind, von denen eine das optische Signal empfängt und eine Elek tronen emittierende Elektrode zum Emittieren von Photoelek tronen bildet, und die andere von beiden eine Elektronen aufnehmende Elektrode zum Aufnehmen der Photoelektronen, die von der Elektronen emittierenden Elektrode emittiert werden, bildet;
wobei der Betrag des Stromes, der von der Elektronen emit tierenden Elektrode zur Elektronen aufnehmenden Elektrode fließt, durch die Intensität des optischen Signals von der optischen Quelle einstellbar ist.
Im Aufbau hat jedes der gegenüberliegenden Enden der Elek
troden, die durch den Ausnehmungsabschnitt getrennt sind,
eine spitzenförmige Struktur und sie sind elektrisch von
einander isoliert, und die optische Quelle besteht aus einem
Laser.
Weiterhin weist das Verfahren zur Herstellung eines elektro
nischen Bauelements zum Schalten oder Verstärken eines elek
trischen Stroms mittels des äußeren photoelektrischen Ef
fekts folgende Schritte auf:
Bereitstellen eines Siliziumsubstrates;
Bilden einer Isolationsschicht auf dem Siliziumsubstrat;
Bilden eines Elektrodenmusters auf der Isolationsschicht, um eine Elektronen emittierende Elektrode und eine Elektronen aufnehmende Elektrode zu bilden;
Ätzen der Isolationsschicht zwischen der Elektronen emittie renden und Elektronen aufnehmenden Elektrode, um einen Ausnehmungsabschnitt in der Isolationsschicht zu bilden; und
Bilden einer optischen Quelle über der Elektro nen emittierenden Elektrode.
Bilden einer Isolationsschicht auf dem Siliziumsubstrat;
Bilden eines Elektrodenmusters auf der Isolationsschicht, um eine Elektronen emittierende Elektrode und eine Elektronen aufnehmende Elektrode zu bilden;
Ätzen der Isolationsschicht zwischen der Elektronen emittie renden und Elektronen aufnehmenden Elektrode, um einen Ausnehmungsabschnitt in der Isolationsschicht zu bilden; und
Bilden einer optischen Quelle über der Elektro nen emittierenden Elektrode.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin
dung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt eines herkömmlichen MOS-
Transistors;
Fig. 2 eine schematische Darstellung, die zeigt,
daß Elektronen unter Verwendung des Prinzips
des äußeren photoelektrischen Effekts, der in der
vorliegenden Erfindung verwendet wird, durch
ein Vakuumgebiet oder ein Gebiet mit
abgeschlossener Atmosphäre übertragen wer
den;
Fig. 3A bis 3D Querschnitte, die die Herstellungsschritte
des elektronischen Bauelements mit einer op
tischen Steuereinrichtung gemäß der vorlie
genden Erfindung zeigen; und
Fig. 4 eine schematische Darstellung, die eine
Grundschaltung zeigt, in der das elektroni
sche Bauelement der vorliegenden Erfindung
ausgeführt ist.
Wie in Fig. 2 gezeigt, ist eine erste leitende Elektrode 6,
die eine Elektronen emittierende Elektrode ist, unter einem
Vakuumzustand oder einem Zustand abgeschlossener Atmosphäre
räumlich von einer zweiten leitenden Elektrode 7, die eine
Elektronen aufnehmende Elektrode ist, getrennt, und eine op
tische Quelle 8, die eine ein optisches Signal ausstrahlende
Elektrode ist, ist über der ersten leitenden Elektrode 6 ge
bildet. Bei dem Aufbau werden, wenn das optische Signal, das
eine Schwellenenergie oder eine höhere Energie hat, von der
optischen Quelle 8 auf eine Oberfläche der ersten leitenden
Elektrode 6 ausgestrahlt wird, Elektronen von der Oberfläche
der ersten leitenden Elektrode 6 emittiert und der zweiten
leitenden Elektrode 7 bereitgestellt. Dann nimmt die zweite
leitende Elektrode 7 die emittierten Elektronen auf.
Bezugnehmend auf Fig. 3A bis 3D werden die Herstellungs
schritte des elektronischen Bauelements, das mit einer opti
schen Steuereinrichtung versehen ist, gemäß einem Beispiel
der vorliegenden Erfindung im Folgenden erklärt.
Wie in Fig. 3A gezeigt ist, wird auf der Hauptoberfläche ei
nes Siliziumsubstrats eine Isolationsschicht 10 gebildet.
Nachfolgend wird auf der Isolationsschicht 10 ein Elektro
denmuster gebildet, das durch eine Elektronen emittierende
Elektrode 11 (im folgenden als Emissionselektrode bezeich
net) und durch eine Elektronen aufnehmende Elektrode 12 (im
Folgenden als Aufnahme-Elektrode bezeichnet) definiert. Die
se Elektroden 11 und 12 sind aus einem polykristallinen Si
lizium, einem Metall, einer Metallgruppe oder aus ähnlichem
hergestellt.
Mit Bezug auf Fig. 3C wird ein Abschnitt der Isolations
schicht 10 zwischen den Elektroden 11 und 12 durch ein Naß
ätzverfahren oder ein Trockenätzverfahren, wie es in Fach
kreisen gut bekannt ist, entfernt, und folglich hat jede der
Elektroden 11 und 12 eine spitzenförmige Struktur, die
durch den geätzten Ausnehmungsabschnitt dazwischen verur
sacht wird, wobei die spitzenförmige Struktur bedeutet, daß
die gegenüberliegenden Enden der Elektroden 11 und 12 durch
den Ausnehmungsabschnitt gespitzt sind. In oder Isolations
schicht 10 wird der Ausnehmungsabschnitt zum Beispiel gebil
det, wenn die Isolationsschicht 10 durch das Ätzverfahren
entfernt wird, und die gegenüberliegenden Enden der Elektro
den 11 und 12 sind räumlich durch den Ausnehmungsabschnitt
voneinander isoliert.
In Fig. 3D wird eine optische Quelle 13 über der Emissions
elektrode 11 in einem Vakuumzustand oder einem Zustand abge
schlossener Atmosphäre gebildet. Diese optische Quelle 13
ist als optische Steuereinrichtung zum Ausstrahlen eines
optischen Signals wirksam und besteht aus einem Laser oder
einem licht-emittierenden Gerät, um das ausgestrahlte opti
sche Signal einer oberen Oberfläche der Emissionselektrode
11 durch ein Vakuumgebiet oder ein Gebiet abgeschlossener
Atmosphäre bereitzustellen.
Fig. 4 ist eine schematische Darstellung zur Erklärung einer
Grundschaltung des elektronischen Bauelements mit einer op
tischen Steuereinrichtung, bei dem die Emissionselektrode 11
auf Masse liegt und die Aufnahme-Elektrode 12 mit einer Lei
stungsquelle, die eine Treiberquelle ist, verbunden ist, um
ein vorbestimmtes elektrisches Feld zwischen den Elektroden
11 und 12 anzulegen.
Bezugnehmend auf Fig. 4 werden, wenn ein optisches Signal
durch die optische Steuereinrichtung 13 erzeugt und an die
Emissionselektrode 11 abgegeben wird, Elektronen von der
oberen Oberfläche der Emissionselektrode 11 durch das Prin
zip des äußeren photoelektrischen Effekts emittiert, und diese tre
ten in die Aufnahme-Elektrode 12 ein. Folglich fließt ein
Strom zwischen der Emissionselektrode 11 und der Aufnahme-
Elektrode 12. Hierbei wird der Betrag des Stromes, der von
der Elektronen emittierenden Elektrode 11 zur Aufnahme-Elek
trode 12 fließt, durch die veränderliche Intensität des
ausgestrahlten optischen Signals bestimmt und verändert.
Wie oben beschrieben, weist das elektronische Bauelement, das
gemäß der vorliegenden Erfindung mit einer optischen Steuer
einrichtung versehen ist, eine hohe Schaltge
schwindigkeit auf, weil die Schaltgeschwindigkeit
des elektronischen Bauelements durch die Treibergeschwindig
keit der optischen Steuereinrichtung in demselben bestimmt
ist. Der Grund, warum das elektronische Bauelement vergli
chen mit den herkömmlichen Festkörper-Halbleiterbauelementen bei
einer höheren Geschwindigkeit betrieben werden kann, liegt
darin, daß die Beweglichkeit der Elektronen zwischen der
Elektronen emittierenden Elektrode und der Elektronen auf
nehmenden Elektrode aufgrund des Elektronenübertragungswe
ges, der in einem Vakuumzustand oder einem Zustand abge
schlossener Atmosphäre ist, weiter verbessert wird. Das
elektronische Bauelement hat ebenfalls Amplitudeneigenschaften,
die darin bestehen, daß der Betrag des Stromflusses
durch Veränderung der Intensität des optischen Signals, das
von der optischen Steuereinrichtung ausgestrahlt wird, ver
ändert wird. Ferner kann das elektronische Bauelement, das
die oben erwähnten Charakteristika hat, als Basiselement
für optische Logikschaltungen angewendet werden.
Claims (4)
1. Elektronisches Bauelement zum Schalten oder Verstärken
eines elektrischen Stroms mittels des äußeren photo
elektrischen Effekts, aufweisend:
eine optische Quelle (13) zum Ausstrahlen eines opti schen Signals, die als optische Steuereinrichtung dient;
ein Siliziumsubstrat (9);
eine Isolationsschicht (10), die auf dem Siliziumsub strat (9) gebildet ist, wobei die Isolationsschicht (10) einen Ausnehmungsabschnitt aufweist, der durch ein Ätzverfahren gebildet ist;
zwei an eine Spannungsquelle (15) anschließbare Elek troden (11, 12), die auf der Isolationsschicht (10) an gegenüberliegenden Seiten des Ausnehmungsabschnittes gebildet und voneinander durch ein Vakuum oder eine ab geschlossene Atmosphäre getrennt sind, von denen eine das optische Signal empfängt und eine Elektronen emit tierende Elektrode (11) zum Emittieren von Photoelek tronen bildet, und die andere von beiden eine Elektro nen aufnehmende Elektrode (12) zum Aufnehmen der Photo elektronen, die von der Elektronen emittierenden Elek trode (11) emittiert werden, bildet;
wobei der Betrag des Stromes, der von der Elektronen emittierenden Elektrode (11) zur Elektronen aufnehmen den Elektrode (12) fließt, durch die Intensität des op tischen Signals von der optischen Quelle (13) einstell bar ist.
eine optische Quelle (13) zum Ausstrahlen eines opti schen Signals, die als optische Steuereinrichtung dient;
ein Siliziumsubstrat (9);
eine Isolationsschicht (10), die auf dem Siliziumsub strat (9) gebildet ist, wobei die Isolationsschicht (10) einen Ausnehmungsabschnitt aufweist, der durch ein Ätzverfahren gebildet ist;
zwei an eine Spannungsquelle (15) anschließbare Elek troden (11, 12), die auf der Isolationsschicht (10) an gegenüberliegenden Seiten des Ausnehmungsabschnittes gebildet und voneinander durch ein Vakuum oder eine ab geschlossene Atmosphäre getrennt sind, von denen eine das optische Signal empfängt und eine Elektronen emit tierende Elektrode (11) zum Emittieren von Photoelek tronen bildet, und die andere von beiden eine Elektro nen aufnehmende Elektrode (12) zum Aufnehmen der Photo elektronen, die von der Elektronen emittierenden Elek trode (11) emittiert werden, bildet;
wobei der Betrag des Stromes, der von der Elektronen emittierenden Elektrode (11) zur Elektronen aufnehmen den Elektrode (12) fließt, durch die Intensität des op tischen Signals von der optischen Quelle (13) einstell bar ist.
2. Elektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet,
daß jede der gegenüberliegenden Seiten der Elektroden
(11, 12), die durch den Ausnehmungsabschnitt getrennt
sind, eine spitzenförmige Struktur aufweist, und die
Elektroden voneinander elektrisch isoliert sind.
3. Elektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1 oder 2, da
durch gekennzeichnet,
daß die optische Quelle (13) aus einem Laser besteht.
4. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauele
ments gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet
durch folgende Schritte:
Bereitstellen eines Siliziumsubstrates (9);
Bilden einer Isolationsschicht (10) auf dem Silizium substrat (9);
Bilden eines Elektrodenmusters auf der Isolations schicht (9), um eine Elektronen emittierende Elektrode (11) und eine Elektronen aufnehmende Elektrode (12) zu bilden;
Ätzen der Isolationsschicht (10) zwischen der Elektro nen emittierenden und der Elektronen aufnehmenden Elek trode (11, 12), um einen Ausnehmungsabschnitt in der Isolationsschicht (10) zu bilden; und
Bilden einer optischen Quelle (13) über der Elektro nen emittierenden Elektrode (11).
Bereitstellen eines Siliziumsubstrates (9);
Bilden einer Isolationsschicht (10) auf dem Silizium substrat (9);
Bilden eines Elektrodenmusters auf der Isolations schicht (9), um eine Elektronen emittierende Elektrode (11) und eine Elektronen aufnehmende Elektrode (12) zu bilden;
Ätzen der Isolationsschicht (10) zwischen der Elektro nen emittierenden und der Elektronen aufnehmenden Elek trode (11, 12), um einen Ausnehmungsabschnitt in der Isolationsschicht (10) zu bilden; und
Bilden einer optischen Quelle (13) über der Elektro nen emittierenden Elektrode (11).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920025030A KR970000963B1 (ko) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 광게이트를 갖는 진공 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4339741A1 DE4339741A1 (de) | 1994-06-23 |
DE4339741C2 true DE4339741C2 (de) | 1996-08-14 |
Family
ID=19346221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4339741A Expired - Fee Related DE4339741C2 (de) | 1992-12-22 | 1993-11-22 | Elektronisches Bauelement mit einer optischen Steuereinrichtung und Verfahren zum Herstellen desselben |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5389796A (de) |
JP (1) | JP2759049B2 (de) |
KR (1) | KR970000963B1 (de) |
DE (1) | DE4339741C2 (de) |
FR (1) | FR2699736B1 (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07254354A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 電界電子放出素子、電界電子放出素子の製造方法およびこの電界電子放出素子を用いた平面ディスプレイ装置 |
KR100211945B1 (ko) * | 1995-12-20 | 1999-08-02 | 정선종 | 광게이트 트랜지스터를 이용한 mux 및 demux 회로 |
US9853163B2 (en) | 2015-09-30 | 2017-12-26 | Stmicroelectronics, Inc. | Gate all around vacuum channel transistor |
US9793395B1 (en) | 2016-10-06 | 2017-10-17 | International Business Machines Corporation | Vertical vacuum channel transistor |
US10727325B1 (en) * | 2018-03-22 | 2020-07-28 | United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa | Nanostructure-based vacuum channel transistor |
KR102456957B1 (ko) | 2019-05-17 | 2022-10-21 | 한국전자통신연구원 | 전계효과 트랜지스터 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL184589C (nl) * | 1979-07-13 | 1989-09-01 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenbundel en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting. |
DE3036733A1 (de) * | 1980-09-29 | 1982-05-19 | Helmut 5450 Neuwied Berger | Laserelektronenroehre |
JPH0340332A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界放出型スウィチング素子およびその製造方法 |
JPH0384968A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-10 | Sharp Corp | 光結合装置 |
JP2968014B2 (ja) * | 1990-01-29 | 1999-10-25 | 三菱電機株式会社 | 微小真空管及びその製造方法 |
JP2574500B2 (ja) * | 1990-03-01 | 1997-01-22 | 松下電器産業株式会社 | プレーナ型冷陰極の製造方法 |
JPH03261040A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ真空管およびその製造方法 |
JPH0411784A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Fujitsu Ltd | 量子ポイントコンタクト装置およびその製造方法 |
JP2962869B2 (ja) * | 1990-05-23 | 1999-10-12 | キヤノン株式会社 | 光半導体装置 |
JP2962870B2 (ja) * | 1990-05-24 | 1999-10-12 | キヤノン株式会社 | 光半導体装置 |
US5247223A (en) * | 1990-06-30 | 1993-09-21 | Sony Corporation | Quantum interference semiconductor device |
US5202571A (en) * | 1990-07-06 | 1993-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device with diamond |
US5204581A (en) * | 1990-07-12 | 1993-04-20 | Bell Communications Research, Inc. | Device including a tapered microminiature silicon structure |
US5245248A (en) * | 1991-04-09 | 1993-09-14 | Northeastern University | Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device |
-
1992
- 1992-12-22 KR KR1019920025030A patent/KR970000963B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-11-22 DE DE4339741A patent/DE4339741C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-08 FR FR9314945A patent/FR2699736B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-17 JP JP31873093A patent/JP2759049B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-22 US US08/171,408 patent/US5389796A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5389796A (en) | 1995-02-14 |
KR940016606A (ko) | 1994-07-23 |
JP2759049B2 (ja) | 1998-05-28 |
DE4339741A1 (de) | 1994-06-23 |
KR970000963B1 (ko) | 1997-01-21 |
JPH0737545A (ja) | 1995-02-07 |
FR2699736B1 (fr) | 1995-06-16 |
FR2699736A1 (fr) | 1994-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4107909C2 (de) | Feldeffekt-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür | |
DE2919522C2 (de) | ||
DE2525329C3 (de) | Zweirichtungs-Photothyristor | |
DE19649686A1 (de) | Struktur und Herstellungsverfahren eines Hochspannungs-Metalloxid-Silizium-Feldeffekttransistors (MOSFET) | |
DE10203164A1 (de) | Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102006049212A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE19653615A1 (de) | Leistungshalbleiterbauteil mit überlappender Feldplattenstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10151700A1 (de) | Feldeffekt-Halbleiterbauelement | |
DE4130555C2 (de) | Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchsspannung und geringem Widerstand, sowie Herstellungsverfahren | |
DE68928312T2 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
DE4333618A1 (de) | Schottky-Gleichrichter | |
DE4339741C2 (de) | Elektronisches Bauelement mit einer optischen Steuereinrichtung und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE19932959B4 (de) | Halbleitervorrichtung und diese verwendende Halbleiterschaltung | |
DE19708766A1 (de) | Lithographiemaske und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE3905434C2 (de) | Bipolare Halbleiterschalteinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1614300B2 (de) | Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode | |
DE4425360C2 (de) | Zwei-Phasen CCD und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102004002723A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einem SOI-Aufbau | |
DE3105693C2 (de) | ||
DE3722941C2 (de) | ||
DE3538175C2 (de) | Halbleiteranordnung zum Erzeugen eines Elektronenstromes und ihre Verwendung | |
DE3432801C2 (de) | ||
DE10151127A1 (de) | Vorrichtung zum Erfassen von Defekten bei Halbleitervorrichtungen und Verfahren dafür | |
DE3139169C2 (de) | ||
DE19518339C2 (de) | Halbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Benutzung derselben |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20120601 |