JPH0737545A - 光ゲートを有するトランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

光ゲートを有するトランジスタおよびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【構成】 光ゲートを有するトランジスタであって、シ
リコン基板と、シリコン基板上に析出された凹部を有す
る絶縁層と、光信号を放射して光ゲートとして機能する
光源と、絶縁層上に形成されかつ真空または大気下で互
いに分離された２つの電極であって、その１つが光信号
を受信して電子を放出する電子放出電極であり、他の１
つが電子放出電極から放出された電子を収集する電子収
集電極である電極とから構成される。 【効果】 従来の固体半導体装置に比べて、さらに高速
度の動作が可能であり、また、光ゲートから放射された
光信号の強度を変化させることによって電流量を変える
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ゲートを有するトラ
ンジスタおよびその製造方法に関し、さらに詳しくは、
真空状態または大気状態下、２つの隣接した電極間に電
界を印加するとともに臨界エネルギー以上を有する光子
（photon）を光ゲートから電極の片方に放射して、それ
から電子を放出させるトランジスタおよびその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体半導体物理学の発展とともに
電子デバイスはさらに発展し、この電子デバイスにおい
ては、高速度、高集積度、高信頼性等の増大が絶えず要
求されている。
【０００３】このような電子デバイスの絶えまない発展
は精密加工技術によってすでに限界に達しているため、
電子デバイスの製造において種々の障害が生じている。
【０００４】特に、固体電子デバイスの製造において
は、各電子の移送（transference）が当業者に良く知ら
れた散乱現象によって決定されるため、各デバイス内を
流れる電子の移動度が、半導体デバイス、電子材料等の
電気的特性を決定する因子である重要な物理量となっ
た。トランジスタの製造にシリコン基板を用いる場合、
シリコン基板の電荷移動度が予め決定されるため、各ト
ランジスタの性能も決定される。
【０００５】図４はシリコン基板を用いた従来のＭＯＳ
（金属酸化物半導体）トランジスタの構成を示す断面図
である。図中、符号５はシリコン基板を示し、２および
３はそれぞれソース領域およびドレイン領域を示し、１
は領域２と３の間にあるシリコン基板５上に形成された
ゲート電極を示す。ゲート電極１とシリコン基板５との
間には、ゲート絶縁層４が形成される。
【０００６】ＭＯＳトランジスタの動作において、シリ
コン基板５は支持手段としてのみ機能し、実質的な電子
の移動はゲート電極１、およびゲート絶縁層４の下に形
成されるシリコン基板５のチャンネル領域で行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すような従来
のトランジスタでは、固体チャンネル領域での電子の移
動度に限界があり、高速度の動作特性が得られないとい
う問題があった。
【０００８】本発明は、上記した問題を解決するため、
電子の移送を真空または大気領域で行い、外部から印加
された電界によってのみ制御を行って電子の移動度を改
善する、光ゲートを有するトランジスタおよびその製造
方法を得ることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項１記載の発明の光ゲートを有するトランジ
スタは、シリコン基板と、シリコン基板上に析出され、
エッチング法によって形成された凹部を有する絶縁層
と、光信号を放射して光ゲートとして機能する光源と、
絶縁層上に形成されかつ真空または大気下で互いに分離
された２つの電極であって、その１つが光信号を受信し
て電子を放出する電子放出電極であり、他の１つが電子
放出電極から放出された電子を収集する電子収集電極で
ある電極とを有してなり、上記電子放出電極が真空また
は大気下で光源の下に形成されかつ接地され、上記電子
収集電極が電源に接続され、上記電子収集電極内の電流
量が光源からの光信号の強度によって調節されることを
特徴としている。
【００１０】請求項２記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタは、請求項１記載のトランジスタにおいて、
凹部によって分離された電極の対向端部のそれぞれが、
尖った形状を有しかつ互いに電気的に隔離されているこ
とを特徴としている。
【００１１】請求項３記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタは、請求項１記載のトランジスタにおいて、
光源がレーザーまたはホトダイオードであることを特徴
としている。
【００１２】請求項４記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタの製造方法は、シリコン基板上に絶縁層を形
成し、絶縁層上に電極パターンを形成して、ソース電極
である電子放出電極およびドレイン電極である電子収集
電極を形成し、電子放出電極と電子収集電極の間の絶縁
層をエッチングして、絶縁層内に凹部を形成しかつ凹部
によってソース電極とドレイン電極を空間的に隔離し、
電子放出電極の上だけに、光ゲートとして機能する光源
を形成する工程を有してなることを特徴としている。
【００１３】
【作用】上記請求項１〜４の構成によれば、電子の移送
を真空状態または大気状態で行うことにより、電子の移
動度が外部から印加された電界によってのみ制御され、
それにより、高速度の動作特性が得られる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例における光ゲートを
有するトランジスタについて図１〜３を参照して説明す
る。図１に示すように、真空状態または大気状態下、電
子放出電極である第１の導電電極６が電子収集電極であ
る第２の導電電極７から空間的に隔離され、光信号放射
電極である光源８が第１の導電電極６の上に形成され
る。この構成において、臨界エネルギー以上を有する光
信号が、光源８から第１の導電電極６に対して放射され
ると、第１の導電電極の表面から電子が放出されて、第
２の導電電極７に提供される。次に、第２の導電電極７
は放出された電子を収集する。
【００１５】図２（ａ）〜（ｄ）は光ゲートを有するト
ランジスタの製造工程について示しており、図２（ａ）
に示すように、シリコン基板９の主表面上に絶縁層１０
を形成する。次に、絶縁層９上に、電子放出電極１１
（以下、「エミッション電極」という）および電子収集
電極１２（以下、「コレクタ電極」という）によって規
定される電極パターンを形成する。これらの電極１１、
１２は、それぞれ、多結晶シリコン、金属類等から作成
する。
【００１６】図２（ｃ）では、電極１１、１２間の絶縁
層１０の一部分を、当業者に良く知られたエッチング法
またはドライエッチング法によって除去し、電極１１、
１２は、それぞれ、その間でエッチングされた凹部によ
って形成された尖った形状を有し、電極１１、１２の対
向端部が凹部によって尖った形状が形成されることを意
味する。このような尖った形状とすることにより、電極
１１、１２は電界を電極の端部に集中させて電子流動放
出が容易になされる。また、絶縁層１０においては、エ
ッチング法によって絶縁層１０が除去された時に凹部が
形成され、電極１１、１２の対向端部は凹部によって互
いに空間的に隔離される。
【００１７】図２（ｄ）において、真空状態または大気
状態下、光源１３をエミッション電極１１の上に形成す
る。この光源１３は光信号を放射する光ゲートとして機
能し、レーザーまたはホトダイオードのような光放出装
置から作成されて、放射された光信号を真空領域または
大気領域を通してエミッション電極１１の上部表面に提
供する。
【００１８】図３は光ゲートを有するトランジスタを具
備した基本回路を説明するための図であり、エミッショ
ン電極１１が接地され、コレクタ電極１２が駆動源であ
る電源に接続されて、所定の電界を電極１１、１２間に
付与する。
【００１９】図３では、光信号を光ゲート１３からエミ
ッション電極１１に対して発信するると、光電効果の原
理によってエミッション電極１１の上部表面から電子が
放出されて、コレクタ電極１２に導入される。次に、エ
ミッション電極１１とコレクタ電極１２の間に電流が流
れる。ここで、コレクタ電極１２内の電流量が決定さ
れ、放射された光信号の強度を変化させることによって
調節される。
【００２０】以上、本発明の好ましい具体例について説
明したが、本発明の精神を逸脱することなく、種々の変
形および修飾を加えることができることは当業者に明ら
かであり、それらも本発明の範囲のものである。
【００２１】
【発明の効果】請求項１記載の発明の光ゲートを有する
トランジスタは、以上のように、シリコン基板と、シリ
コン基板上に析出され、エッチング法によって形成され
た凹部を有する絶縁層と、光信号を放射して光ゲートと
して機能する光源と、絶縁層上に形成されかつ真空また
は大気下で互いに分離された２つの電極であって、その
１つが光信号を受信して電子を放出する電子放出電極で
あり、他の１つが電子放出電極から放出された電子を収
集する電子収集電極である電極とを有してなり、上記電
子放出電極が真空または大気下で光源の下に形成されか
つ接地され、上記電子収集電極が電源に接続され、上記
電子収集電極内の電流量が光源からの光信号の強度によ
って調節される構成である。
【００２２】請求項２記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタは、以上のように、請求項１記載のトランジ
スタにおいて、凹部によって分離された電極の対向端部
のそれぞれが、尖った形状を有しかつ互いに電気的に隔
離されている構成である。
【００２３】請求項３記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタは、以上のように、請求項１記載のトランジ
スタにおいて、光源がレーザーまたはホトダイオードで
ある構成である。
【００２４】請求項４記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタの製造方法は、以上のように、シリコン基板
上に絶縁層を形成し、絶縁層上に電極パターンを形成し
て、ソース電極である電子放出電極およびドレイン電極
である電子収集電極を形成し、電子放出電極と電子収集
電極の間の絶縁層をエッチングして、絶縁層内に凹部を
形成しかつ凹部によってソース電極とドレイン電極を空
間的に隔離し、電子放出電極の上だけに、光ゲートとし
て機能する光源を形成する工程を有してなる構成であ
る。
【００２５】したがって、上記構成により、トランジス
タの動作速度が光ゲートの駆動速度によって決定される
ため、高速度の動作特性を有する。真空状態または大気
状態下での電子移送路により、電子放出電極および電子
収集電極間の移動度がさらに改善されるため、従来の固
体半導体装置に比べて、さらに高速度の動作が可能とな
る。また、本発明のトランジスタは、光ゲートから放射
された光信号の強度を変化させることによって電流量を
変えることができるという効果を奏する。さらに、上記
特性を有する本発明のトランジスタを光論理回路に適用
することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のトランジスタにおいて、光電効果の原
理を利用して真空または大気領域中を電子が移送される
状態を示す図である。
【図２】本発明の光ゲートを有するトランジスタの製造
工程を示す断面図である。
【図３】本発明のトランジスタが組み込まれた基本回路
を示す図である。
【図４】従来のＭＯＳトランジスタの構成を示す断面図
である。
【符号の説明】
６ 第１の導電電極（電子放出電極） ７ 第２の導電電極（電子収集電極） ８・１３ 光源 ９ シリコン基板 １０ 絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スン ウォン カン 大韓民国 デジョン−シ ユソン−グ シ ンスン−ドン ハヌル・アパート 108− 405 (72)発明者 ジン ヨン カン 大韓民国 デジョン−シ ユソン−グ シ ンスン−ドン ハヌル・アパート 109− 702

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】シリコン基板と、 シリコン基板上に析出され、エッチング法によって形成
    された凹部を有する絶縁層と、 光信号を放射して光ゲートとして機能する光源と、 絶縁層上に形成されかつ真空または大気下で互いに分離
    された２つの電極であって、その１つが光信号を受信し
    て電子を放出する電子放出電極であり、他の１つが電子
    放出電極から放出された電子を収集する電子収集電極で
    ある電極とを有してなり、 上記電子放出電極が真空または大気下で光源の下に形成
    されかつ接地され、 上記電子収集電極が電源に接続され、上記電子収集電極
    内の電流量が光源からの光信号の強度によって調節され
    ることを特徴とする光ゲートを有するトランジスタ。
  2. 【請求項２】上記凹部によって分離された電極の対向端
    部のそれぞれが尖った形状を有しかつ互いに電気的に隔
    離されることを特徴とする請求項１記載の光ゲートを有
    するトランジスタ。
  3. 【請求項３】上記光源がレーザーまたはホトダイオード
    であることを特徴とする請求項１記載の光ゲートを有す
    るトランジスタ。
  4. 【請求項４】シリコン基板上に絶縁層を形成し、 絶縁層上に電極パターンを形成して、ソース電極である
    電子放出電極およびドレイン電極である電子収集電極を
    形成し、 電子放出電極と電子収集電極の間の絶縁層をエッチング
    して、絶縁層内に凹部を形成しかつ凹部によってソース
    電極とドレイン電極を空間的に隔離し、 電子放出電極の上だけに、光ゲートとして機能する光源
    を形成する工程を有してなることを特徴とする光ゲート
    を有するトランジスタの製造方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07254354A (ja) * 1994-01-28 1995-10-03 Toshiba Corp 電界電子放出素子、電界電子放出素子の製造方法およびこの電界電子放出素子を用いた平面ディスプレイ装置
KR100211945B1 (ko) * 1995-12-20 1999-08-02 정선종 광게이트 트랜지스터를 이용한 mux 및 demux 회로
US9853163B2 (en) 2015-09-30 2017-12-26 Stmicroelectronics, Inc. Gate all around vacuum channel transistor
US9793395B1 (en) 2016-10-06 2017-10-17 International Business Machines Corporation Vertical vacuum channel transistor
US10727325B1 (en) * 2018-03-22 2020-07-28 United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa Nanostructure-based vacuum channel transistor
KR102456957B1 (ko) 2019-05-17 2022-10-21 한국전자통신연구원 전계효과 트랜지스터

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0340332A (ja) * 1989-07-07 1991-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界放出型スウィチング素子およびその製造方法
JPH0384968A (ja) * 1989-08-28 1991-04-10 Sharp Corp 光結合装置
JPH03261040A (ja) * 1990-03-09 1991-11-20 Mitsubishi Electric Corp マイクロ真空管およびその製造方法
JPH04226087A (ja) * 1990-05-23 1992-08-14 Canon Inc 光半導体装置
JPH04279066A (ja) * 1990-05-24 1992-10-05 Canon Inc 光半導体装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL184589C (nl) * 1979-07-13 1989-09-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenbundel en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
DE3036733A1 (de) * 1980-09-29 1982-05-19 Helmut 5450 Neuwied Berger Laserelektronenroehre
JP2968014B2 (ja) * 1990-01-29 1999-10-25 三菱電機株式会社 微小真空管及びその製造方法
JP2574500B2 (ja) * 1990-03-01 1997-01-22 松下電器産業株式会社 プレーナ型冷陰極の製造方法
JPH0411784A (ja) * 1990-04-28 1992-01-16 Fujitsu Ltd 量子ポイントコンタクト装置およびその製造方法
US5247223A (en) * 1990-06-30 1993-09-21 Sony Corporation Quantum interference semiconductor device
US5202571A (en) * 1990-07-06 1993-04-13 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device with diamond
US5204581A (en) * 1990-07-12 1993-04-20 Bell Communications Research, Inc. Device including a tapered microminiature silicon structure
US5245248A (en) * 1991-04-09 1993-09-14 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0340332A (ja) * 1989-07-07 1991-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界放出型スウィチング素子およびその製造方法
JPH0384968A (ja) * 1989-08-28 1991-04-10 Sharp Corp 光結合装置
JPH03261040A (ja) * 1990-03-09 1991-11-20 Mitsubishi Electric Corp マイクロ真空管およびその製造方法
JPH04226087A (ja) * 1990-05-23 1992-08-14 Canon Inc 光半導体装置
JPH04279066A (ja) * 1990-05-24 1992-10-05 Canon Inc 光半導体装置

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Publication number Publication date
JP2759049B2 (ja) 1998-05-28
DE4339741C2 (de) 1996-08-14
KR970000963B1 (ko) 1997-01-21
US5389796A (en) 1995-02-14
FR2699736B1 (fr) 1995-06-16
KR940016606A (ko) 1994-07-23
DE4339741A1 (de) 1994-06-23
FR2699736A1 (fr) 1994-06-24

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