JP2968014B2 - 微小真空管及びその製造方法 - Google Patents

微小真空管及びその製造方法

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    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は微小真空管及びその製造方法に関し、特
に、半導体を用いた固体デバイスの製造技術を利用し
て、半導体デバイスと同等の非常に微小な真空管を作製
し、半導体デバイスを凌ぐ高周波動作可能な電子デバイ
スを実現するための微小真空管の構造並びにその製造方
法に関するものである。
〔従来の技術〕
第10図は例えば1986年インターナショナルエレクトロ
ン デバイス ミーティング プロシーディグp.776
「シリコンフィールドエミッタアレイを用いた真空電界
効果トランジスタ」（1986年International Electronic
Device Meeting proceeding p.776“A Vacuum Field E
ffect Transistar using Silicon Field Emitter Array
s"）で提示された微小真空管の構造を示す要部断面図で
ある。図において、１はシリコン基板、２はシリコン基
板１上に形成された絶縁膜、３はシリコン基板１をエッ
チングすることにより形成した円錐形の陰極（以下、エ
ミッタ電極と称す）、４はエミッタ電極３より真空中に
電界放出された電子（図中、e-）を集収する陽極（以
下、コレクタ電極と称す）、５は電子流を電界により制
御するための制御電極（以下、ゲート電極と称す）であ
る。
この種の微小真空管は真空中を走行する電子を利用す
るもので、トランジスタなどの固体電子デバイスが開発
される以前に用いられていた真空管の一種である。現在
真空管は一般的な電子機器には事実上全く用いられてい
ないが、これは従来の真空管が生産性が低く、信頼性，
消費電力の面でも半導体電子デバイスに劣っていた上に
その寸法上の制約から高い機能を有する集積回路（IC）
の実現が困難であったためであり、真空管は次々と半導
体デバイスに置き換えられてきた。しかし、電子機器に
求められる高速が増々高まるにつれて半導体デバイスで
は対応が難しい面が生じてきた。半導体デバイスでは電
子が半導体中を走行するのに対して真空管では真空中を
走行するので電子の走行速度を真空管の方がはるかに高
めることができ、高速動作が可能である。また真空管の
消費電力が大きいのは主に陰極から電子を放出させるた
めに陰極をヒータで加熱する必要があるためであるが、
陰極と陽極の間隔をミクロンオーダまで近付けることに
より、電界放出で冷陰極より電子を放出できるようにな
る。この際、陰極の先端に電界が集中して電界放出しや
すい様に陰極の先端は円錐形などの形状に鋭利に加工さ
れている必要がある。この様な微小な真空管を作製する
ことは、半導体デバイスの製造に用いられている加工技
術を利用することで初めて可能となる。
第11図は第10図の微小真空管の製造方法を示す各主要
工程の断面図である。まず、同図（ａ）に示すようにシ
リコン基板１上にエミッタ電極用のｎ型Si層3aを形成
し、さらにその上にパターニングにより金属マスク11を
形成する。次に同図（ｂ）に示すように金属マスク11を
マスクとしてウエットエッチング等の等方性エッチング
によりｎ形Si層3aをエッチングし、さらにサイドエッチ
ングを施して円錐形のエミッタ電極３を形成する。次に
金属マスク用いてセルスアラインにより基板全面に絶縁
膜２を堆積し、その後、同図（ｄ）に示すように絶縁膜
２上にゲート電極５及びコレクタ電極４を形成して本素
子を完成する。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしなが、従来の微小真空管は以上のように形成さ
れており、円錐状の陰極３を安定に再現性良く形成する
ことは極めて困難であった。即ち、従来の微小真空管で
は、第11図（ａ）〜（ｂ）に示すように、エミッタ電極
３をウエットエッチング等の等方性エッチングによりピ
ラミッド形状に形成する工程を有しており、このような
エッチング工程は制御性及び再現性に乏しく、シリコン
基板上に複数のエミッタ電極を形成する場合には第12図
に示すようにエミッタ電極の形状にバラツキが生じる。
図において、3cはエッチングが完了した所望の形状のエ
ミッタ電極、3bはエッチングが完了していないエミッタ
電極、また、3dは過剰にエッチングが信号してしまった
ものである。このようなエミッタ電極のエッチング制御
性の悪さは素子特性の不均一化を招き、実使用が困難で
あった。
また従来の微小真空管では、第10図に示すように、エ
ミッタ電極３からコレクタ電極へ電子が至る経路が曲線
状となるため、実効的にエミッタ電極３とコレクタ電極
４との間隔を近付けることが難しく、コレクタ電極４に
印加すべき電圧を低くすることが困難であった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、先端が鋭利なコレクタ電極を容易に得るこ
とができるとともに、コレクタ電極とエミッタ電極の間
隔を微小間隔にでき、低電圧で動作出来る微小真空管及
びその製造方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕 請求項１に係る微小真空管は、真空中を走行する電子
を利用した微小真空管において、化合物半導体基板ある
いは絶縁性基板上に化合物半導体を結晶成長させた基板
と、上記化合物半導体基板あるいは基板上に形成され
た、電子を放出する陰極と、上記化合物半導体基板ある
いは基板上に形成され、上記陰極と真空を介して対向
し、上記陰極から放出された電子が直線的に走行して流
入する陽極と、上記陰極及び陽極以外に電子流を電界に
より制御する制御電極とを備えており、上記陰極は、上
記化合物半導体結晶のエッチング速度あるいは結晶成長
速度の結晶方位依存性を利用して、その先端部が鋭利に
形成されていることを特徴とするものである。
請求項２に係る微小真空管は、請求項１に係る微小真
空管において、上記化合物半導体はGaAsを主体とする結
晶であり、その主面が（100）面であることを特徴とす
るものである。
請求項３に係る微小真空管の製造方法は、真空中を走
行する電子を利用した微小真空管の製造方法において、
化合物半導体基板、あるいは絶縁性基板上に化合物半導
体を結晶成長させた基板の表面に、低抵抗の化合物半導
体層を形成する工程、該低抵抗化合物半導体及び前記化
合物半導体基板にエッチングを施し、該エッチング速度
の結晶方位依存性を利用して最上部に鋭利な部分を有す
る断面形状の溝を形成し、該最上部の鋭利な部分の一方
を陰極、他方を陽極とする工程を含むことを特徴とする
ものである。
請求項４に係る微小真空管の製造方法は、真空中を走
行する電子を利用した微小真空管の製造方法において、
化合物半導体基板あるいは絶縁性基板上に化合物半導体
を結晶成長させた基板の表面上の一部に絶縁膜を選択的
に堆積する工程と、当該絶縁膜を堆積した基板上に、当
該堆積された絶縁膜を挟んで対向するように低抵抗の化
合物半導体層を結晶成長させる工程とを含み、上記絶縁
膜を選択的に堆積する工程は、上記低抵抗の化合物半導
体層の対向する部分が、結晶成長の際に結晶成長速度の
結晶方位依存性を利用して互いに突出しあって陰極及び
陽極を形成するように、予め上記基板の面方位を選択し
て行われることを特徴とするものである。
〔作用〕
この発明における微小真空管は、電子が基板に平行に
直線的に走行するためエミッタ，コレクタ電極間隔を小
さくでき、しかもその間隔を精密に制御することが出来
る。また、電極の構成が従来の電界効果型トランジスタ
と類似であるため、多くの微小真空管を集積し、IC化す
ることが容易である。また、本発明の微小真空管の製造
方法は、さらに化合物半導体結晶のエッチング速度ある
いは結晶成長速度の結晶方位依存性を利用してその先端
部を鋭利に加工してエミッタ電極を形成したので、特別
な制御なしに自動的に先端の鋭利なエミッタ電極を加
工，形成できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図，及び第２図はこの発明の第１の実施例による
微小真空管の要部断面図，及び斜視図である。両図にお
いて、６は半絶縁性GaAs基板、３は該基板６の表面に形
成した低抵抗GaAs層からなるエミッタ電極、４は同様に
低抵抗GaAsからなるコレクタ電極、５は基板６の開口部
上に形成されたゲート電極である。
この様に構成した素子を真空中に置き、エミッタ電極
３を接地し、コレクタ電極４に正の電圧を印加すると、
エミッタ電極３の先端の鋭利な部分に電界が集中し、電
子が真空中に放出され、電界によってコレクタ電極４に
向って真空中を基板に平行に走行後、コレクタ電極４に
流入する。この際、ゲート電極５に印加する電圧を変化
させることによってコレクタ電極４に流入する電子量す
なわち電流量を制御することができ、これにより三極管
動作することが出来る。
また、第３図は第１図及び第２図に示した微小真空管
の製造方法の一例を示す図である。図において、第１図
及び第２図と同一符号は同一部分を示し、5aはゲート電
極、７は低抵抗GaAs層、８はレジストである。
次に製造方法について説明する。
まず、同図（ａ）に示すように、半絶縁性GaAs基板６
上にイオン注入／アニール，拡散，エピタキシャル成長
等の方法により低抵抗GaAs層７を形成する。
次に、基板全面にレジスト膜を設け、同図（ｂ）に示
すように、通常のフォトリソグラフィ技術によってレジ
スタ膜に幅１μｍ以下の開口部を形成し、レジスタパタ
ーン８を形成する。通常の光学露光技術でもこの開口部
の幅を１μｍ以下に制御することは容易である。
次に、同図（ｃ）に示すように、レジストパターン８
をマスクとして例えば硫酸（H2SO4）と過酸化水素（H2O
2）の混合液によりエッチングを施す。GaAs結晶に代表
される化合物半導体結晶はその面方位によりエッチング
速度が異なっているため、エッチングされた溝の断面形
状を同図の様にすることは基板結晶の面方位と溝を形成
する方向を選べば容易に再現性良く実施できる。例えば
その一例を説明すると、GaAs基板６として（100）面基
板を用い、エッチングの結晶方位依存性が現れる方向を
〔01〕方向とし、これを図中、紙面に垂直な方向とす
る。このとき、溝の上部両端部は約45゜の角度をもつ鋭
利な先端を有するナイフエッジ状に形成される。これは
電界集中させやすい形状であり、微小真空管のエミッタ
電極としては極めて有利である。
次に同図（ｄ）に示すように、全面にゲート金属膜を
例えば真空蒸着法を用いて堆積し、溝の底部にゲート電
極５を形成する。
そして同図（ｅ）に示すようにリフトオフ法によりレ
ジスト膜８を有機溶剤等で除去するとともに、開口部に
形成したゲート電極５以外の不要な金属膜5aもこのとき
同時に除去する。
この様な方法で形成した微小真空管は、エミッタ電極
３とコレクタ電極４の間隔を１μｍ以下（好ましくは0.
5μｍ）に精度よくしかも再現性よく形成することが容
易であるので、低電圧での動作が可能となり、消費電力
の低減を図ることができる。
また、電極の構成が従来の電界効果型トランジスタと
類似であるため、多くの微小真空管を集積し、IC化する
こともできる。
さらに、GaAs結晶のエッチング速度の結晶方位依存性
を利用してその先端部を鋭利に加工してエミッタ電極３
を形成するようにしたので、特別な制御なしに自動的に
先端の鋭利なエミッタ電極を加工，形成することがで
き、生産性，信頼性の高い微小真空管が得られる。
なお、上記第１の実施例ではゲート電極５を溝底部に
一つのみ配するようにしたが、これはさらに基板の上方
部にも配して、上下にゲート電極を設けてもよい。以
下、その一例を示す。即ち、第４図は本発明の第２の実
施例による２つのゲート電極を有する微小真空管の要部
断面図，第５図はそして斜視図である。図に示すよう
に、基板６の開口部に設けたゲート電極５と対向する基
板上方部にさらにゲート電極5bを設けている。通常、下
部ゲート電極５と上部ゲート電極5bはエミッタ電極３と
コレクタ電極４とが対向しない基板上の領域で接続して
同電位として使用する。上部ゲート電極5bは例えばGaAs
ICプロセス等で用いられているエアブリッジ技術を利用
すれば比較的容易に実現出来る。このような構成におい
ては、２つのゲート電極5,5bによりエミッタ電極３から
コレクタ電極４に流入する電子量すなわち電流を制御す
るので、電流制御能力の向上を図ることができる。
また、上記実施例ではGaAs結晶の異方性を利用したエ
ピタキシャル成長により、エミッタ電極３及びコレクタ
電極４の双方をナイフエッジ状に形成したが、コレクタ
電極４の先端部は必ずしも鋭利に形成する必要はない。
また、第９図は本発明の第３の実施例による微小真空
管を示す要部斜視図であり、これは第１図の微小真空管
のエミッタ電極３をさらにエッチング処理して鋸刃状に
形成したものである。このようにエミッタ電極３の先端
部を鋸刃状に形成することによってさらにエミッタ電極
３の鋭利な部分を多くでき、さらに電界集中を高めるこ
とができる。
また、上記の実施例ではエミッタ電極を形成するため
にGaAsのエッチングを用いたが、これは選択エピタキシ
ャル成長技術を用いても可能である。第６図は本発明の
第４の実施例による微小真空管の要部断面構造を示す図
であり、図に示す様に半絶縁性GaAs基板６上の一部に絶
縁膜９を選択的に形成し、例えばMOCVD法により、TMGa
（トリメチルガリウム）あるいはTEGa（トリエチルガリ
ウム）とAsH3（アルシン）等のガスを用い、400度〜500
度でGaAsを結晶成長すると、基板の面方位を選択するこ
とによってオーバハング状の結晶成長が半絶縁性GaAs基
板６上のみで起こるため、図に示すごとき形状のエミッ
タ電極３及びコレクタ電極４が形成される。例えば、Ga
As基板６上に（100）面のGaAsを成長する場合には結晶
成長速度の結晶方位依存性の表れる方向を〔01〕方向
とした場合、第６図の基板の長手方向（紙面に垂直な方
向）を〔01〕方向として結晶成長すると制御性よくオ
ーバハング形状の結晶を得ることができる。
また、当然ながら、以上の実施例による微小真空管
は、第７図に示すように同一基板６上に複数個集積化し
て形成し、ワイヤ12により相互接続するようにしてもよ
い。上記実施例の製造方法によれば、制御性，再現性よ
くエミッタ電極３及びコレクタ電極４を形成できるの
で、このような集積型のものにおいて複数の微小真空管
の素子特性を均一にでき、素子特性のバラツキのない良
好な集積型デバイスが得られる。また、単一素子の場合
に比し、素子の性能をさらに向上させることができ、ま
た、新規な機能を発揮することも期待できる。
また、上記の実施例では、基板６として半絶縁性GaAs
基板を用いるようにしたが、基板の種類はGaAsのみに限
定されるものではなく、これはエッチング又は結晶成長
に異方性の現れる材料であれば良い。
さらに、例えばサファイア基板上にGaAs等を異種結晶
成長させた基板を用いることも可能である。即ち、第８
図は本発明の第５の実施例による微小真空管の要部断面
構造を示したものであり、図に示すように、基板とし
て、半絶縁性GaAs基板の下部にサファイア基板10を備え
た異種結晶成長基板を使用し、サファイア基板10上にゲ
ート電極５を設けている。このような本実施例によれ
ば、半絶縁性GaAs基板６よりも絶縁性の高いサファイア
基板を用いるようにしているので、真空中を走行する電
子が基板内を流れる恐れがなくなり、高性能のデバイス
が実現でき、例えばミリ波帯域での通信に用いる増幅器
等に有効に使用することができる。
なお、上記実施例ではサファイア基板10を用いたが、
これはサファイア基板に限定されるものではなく、その
上にエピタキシャル成長が可能な絶縁性の基板であれば
よい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、エミッタ電極とコ
レクタ電極を同一平面上に配したので、両電極間隔を非
常に狭くすることができ、低電圧で動作させることが容
易となり、消費電極の低減を図ることができる効果があ
る。さらにエミッタ電極から電子を放出させやすくする
ためにその先端部を鋭利に加工する工程を、エッチング
速度あるいは結晶成長速度の結晶方向依存性を利用して
行うようにしたので、容易にしかも再現性良くエミッタ
電極を形成することができ、高生産性及び高信頼性の微
小真空管を実現出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図はこの発明の第１の実施例による微小真空管の要
部断面図、第２図は第１図の微小真空管の斜視図、第３
図は第１図の微小真空管の製造方法を示す図、第４図は
本発明の第２の実施例による微小真空管を示す要部断面
図、第５図は第４図の微小真空管の斜視図、第６図は本
発明の第４の実施例による微小真空管を示す要部断面
図、第７図は本発明の微小真空管を集積化した様子を示
す断面図、第８図は本発明の第５の実施例による微小真
空管の要部断面図、第９図は本発明の第３の実施例によ
る微小真空管の斜視図、第10図は従来例による微小真空
管の要部断面図、第11図は第10図の微小真空管の製造方
法を示す図、第12図は従来の微小真空管の製造方法の問
題点を示す図である。 図において、１はシリコン基板、２は絶縁膜、３はエミ
ッタ電極、４はコレクタ電極、5aはゲート電極金属、5,
5bはゲート電極、６は半絶縁性GaAs基板、９はゲート電
極、10はサファイア基板、11は金属マスク、12はワイヤ
である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】真空中を走行する電子を利用した微小真空
    管において、 化合物半導体基板あるいは絶縁性基板上に化合物半導体
    を結晶成長させた基板と、 上記化合物半導体基板あるいは基板上に形成された、電
    子を放出する陰極と、 上記化合物半導体基板あるいは基板上に形成され、上記
    陰極と真空を介して対向し、上記陰極から放出された電
    子が直線的に走行して流入する陽極と、 上記陰極及び陽極以外に電子流を電界により制御する制
    御電極とを備えており、 上記陰極は、上記化合物半導体結晶のエッチング速度あ
    るいは結晶成長速度の結晶方位依存性を利用して、その
    先端部が鋭利に形成されていることを特徴とする微小真
    空管。
  2. 【請求項２】上記化合物半導体はGaAsを主体とする結晶
    であり、その主面が（100）面であることを特徴とする
    請求項１記載の微小真空管。
  3. 【請求項３】真空中を走行する電子を利用した微小真空
    管の製造方法において、 化合物半導体基板、あるいは絶縁性基板上に化合物半導
    体を結晶成長させた基板の表面に、低抵抗の化合物半導
    体層を形成する工程、 該低抵抗化合物半導体層及び前記化合物半導体基板にエ
    ッチングを施し、該エッチング速度の結晶方位依存性を
    利用して最上部に鋭利な部分を有する断面形状の溝を形
    成し、該最上部の鋭利な部分の一方を陰極、他方を陽極
    とする工程を含むことを特徴とする微小真空管の製造方
    法。
  4. 【請求項４】真空中を走行する電子を利用した微小真空
    管の製造方法において、 化合物半導体基板あるいは絶縁性基板上に化合物半導体
    を結晶成長させた基板の表面上の一部に絶縁膜を選択的
    に堆積する工程と、 当該絶縁膜を堆積した基板上に、当該堆積された絶縁膜
    を挟んで対向するように低抵抗の化合物半導体層を結晶
    成長させる工程とを含み、 上記絶縁膜を選択的に堆積する工程は、 上記低抵抗の化合物半導体層の対向する部分が、結晶成
    長の際に結晶成長速度の結晶方位依存性を利用して互い
    に突出しあって陰極及び陽極を形成するように、予め上
    記基板の面方位を選択して行われることを特徴とする微
    小真空管の製造方法。
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US08/035,686 US5267884A (en) 1990-01-29 1993-03-23 Microminiature vacuum tube and production method

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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2613669B2 (ja) * 1990-09-27 1997-05-28 工業技術院長 電界放出素子及びその製造方法
JP3231528B2 (ja) * 1993-08-17 2001-11-26 株式会社東芝 電界放出型冷陰極およびその製造方法
KR970000963B1 (ko) * 1992-12-22 1997-01-21 재단법인 한국전자통신연구소 광게이트를 갖는 진공 트랜지스터 및 그 제조방법
US5502314A (en) * 1993-07-05 1996-03-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Field-emission element having a cathode with a small radius
US5610471A (en) * 1993-07-07 1997-03-11 Varian Associates, Inc. Single field emission device
US5340997A (en) * 1993-09-20 1994-08-23 Hewlett-Packard Company Electrostatically shielded field emission microelectronic device
US5401963A (en) * 1993-11-01 1995-03-28 Rosemount Analytical Inc. Micromachined mass spectrometer
US5793152A (en) * 1993-12-03 1998-08-11 Frederick M. Mako Gated field-emitters with integrated planar lenses
JPH0850850A (ja) * 1994-08-09 1996-02-20 Agency Of Ind Science & Technol 電界放出型電子放出素子およびその製造方法
DE19609234A1 (de) * 1996-03-09 1997-09-11 Deutsche Telekom Ag Röhrensysteme und Herstellungsverfahren hierzu
US6989631B2 (en) * 2001-06-08 2006-01-24 Sony Corporation Carbon cathode of a field emission display with in-laid isolation barrier and support
US6756730B2 (en) * 2001-06-08 2004-06-29 Sony Corporation Field emission display utilizing a cathode frame-type gate and anode with alignment method
US7002290B2 (en) * 2001-06-08 2006-02-21 Sony Corporation Carbon cathode of a field emission display with integrated isolation barrier and support on substrate
US6624590B2 (en) * 2001-06-08 2003-09-23 Sony Corporation Method for driving a field emission display
US6682382B2 (en) * 2001-06-08 2004-01-27 Sony Corporation Method for making wires with a specific cross section for a field emission display
US6663454B2 (en) * 2001-06-08 2003-12-16 Sony Corporation Method for aligning field emission display components
US6747416B2 (en) * 2002-04-16 2004-06-08 Sony Corporation Field emission display with deflecting MEMS electrodes
US6791278B2 (en) * 2002-04-16 2004-09-14 Sony Corporation Field emission display using line cathode structure
US6873118B2 (en) * 2002-04-16 2005-03-29 Sony Corporation Field emission cathode structure using perforated gate
US7012582B2 (en) * 2002-11-27 2006-03-14 Sony Corporation Spacer-less field emission display
US20040145299A1 (en) * 2003-01-24 2004-07-29 Sony Corporation Line patterned gate structure for a field emission display
US7071629B2 (en) * 2003-03-31 2006-07-04 Sony Corporation Image display device incorporating driver circuits on active substrate and other methods to reduce interconnects
US20040189552A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Sony Corporation Image display device incorporating driver circuits on active substrate to reduce interconnects
CA2701710C (en) 2004-07-20 2013-08-27 Warner-Lambert Company Llc Novel forms of [r-(r*,r*)]-2-(4-fluorophenyl)-.beta.,.delta.-dihydroxy-5-(1-methylethyl)-3-phenyl-4-[(phenylamino)carbonyl]-1h-pyrrole-1-heptanoic acid calcium salt (2:1)
JP4811520B2 (ja) * 2009-02-20 2011-11-09 住友金属鉱山株式会社 半導体装置用基板の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置用基板及び半導体装置
CN110246889B (zh) * 2019-05-10 2021-05-28 西安交通大学 一种双栅型真空场发射三极管结构及其制作方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3814968A (en) * 1972-02-11 1974-06-04 Lucas Industries Ltd Solid state radiation sensitive field electron emitter and methods of fabrication thereof
US4168213A (en) * 1976-04-29 1979-09-18 U.S. Philips Corporation Field emission device and method of forming same
US4578614A (en) * 1982-07-23 1986-03-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ultra-fast field emitter array vacuum integrated circuit switching device
US4513308A (en) * 1982-09-23 1985-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy p-n Junction controlled field emitter array cathode
NL8600676A (nl) * 1986-03-17 1987-10-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom.
GB8621600D0 (en) * 1986-09-08 1987-03-18 Gen Electric Co Plc Vacuum devices
US4904895A (en) * 1987-05-06 1990-02-27 Canon Kabushiki Kaisha Electron emission device
GB8720792D0 (en) * 1987-09-04 1987-10-14 Gen Electric Co Plc Vacuum devices
US4855636A (en) * 1987-10-08 1989-08-08 Busta Heinz H Micromachined cold cathode vacuum tube device and method of making
JP2623738B2 (ja) * 1988-08-08 1997-06-25 松下電器産業株式会社 画像表示装置
JPH0340332A (ja) * 1989-07-07 1991-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界放出型スウィチング素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2242064B (en) 1994-05-25
US5245247A (en) 1993-09-14
GB9101507D0 (en) 1991-03-06
FR2657999B1 (fr) 1996-11-22
FR2657999A1 (fr) 1991-08-09
JPH03225725A (ja) 1991-10-04
GB2242064A (en) 1991-09-18

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