JP2759049B2 - 光ゲートを有するトランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

光ゲートを有するトランジスタおよびその製造方法

Info

Publication number
JP2759049B2
JP2759049B2 JP31873093A JP31873093A JP2759049B2 JP 2759049 B2 JP2759049 B2 JP 2759049B2 JP 31873093 A JP31873093 A JP 31873093A JP 31873093 A JP31873093 A JP 31873093A JP 2759049 B2 JP2759049 B2 JP 2759049B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electron
transistor
insulating layer
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31873093A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0737545A (ja
Inventor
ウォン カン スン
ヨン カン ジン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KANKOKU DENSHI TSUSHIN KENKYUIN
Original Assignee
KANKOKU DENSHI TSUSHIN KENKYUIN
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KANKOKU DENSHI TSUSHIN KENKYUIN filed Critical KANKOKU DENSHI TSUSHIN KENKYUIN
Publication of JPH0737545A publication Critical patent/JPH0737545A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2759049B2 publication Critical patent/JP2759049B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/34—Photo-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
    • H01J17/02—Details
    • H01J17/04—Electrodes; Screens
    • H01J17/06—Cathodes
    • H01J17/066—Cold cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J21/00—Vacuum tubes
    • H01J21/02—Tubes with a single discharge path
    • H01J21/04—Tubes with a single discharge path without control means, i.e. diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ゲートを有するトラ
ンジスタおよびその製造方法に関し、さらに詳しくは、
２つの隣接した電極間に電界を印加するとともに臨界エ
ネルギー以上を有する光子（photon）を光ゲートから電
極の片方に放射して、それから電子を放出させるトラン
ジスタおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体半導体物理学の発展とともに
電子デバイスはさらに発展し、この電子デバイスにおい
ては、高速度、高集積度、高信頼性等の増大が絶えず要
求されている。
【０００３】このような電子デバイスの絶えまない発展
は精密加工技術によってすでに限界に達しているため、
電子デバイスの製造において種々の障害が生じている。
【０００４】特に、固体電子デバイスの製造において
は、各電子の移送（transference）が当業者に良く知ら
れた散乱現象によって決定されるため、各デバイス内を
流れる電子の移動度が、半導体デバイス、電子材料等の
電気的特性を決定する因子である重要な物理量となっ
た。トランジスタの製造にシリコン基板を用いる場合、
シリコン基板の電荷移動度が予め決定されるため、各ト
ランジスタの性能も決定される。
【０００５】図４はシリコン基板を用いた従来のＭＯＳ
（金属酸化物半導体）トランジスタの構成を示す断面図
である。図中、符号５はシリコン基板を示し、２および
３はそれぞれソース領域およびドレイン領域を示し、１
は領域２と３の間にあるシリコン基板５上に形成された
ゲート電極を示す。ゲート電極１とシリコン基板５との
間には、ゲート絶縁層４が形成される。
【０００６】ＭＯＳトランジスタの動作において、シリ
コン基板５は支持手段としてのみ機能し、実質的な電子
の移動はゲート電極１、およびゲート絶縁層４の下に形
成されるシリコン基板５のチャンネル領域で行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すような従来
のトランジスタでは、固体チャンネル領域での電子の移
動度に限界があり、高速度の動作特性が得られないとい
う問題があった。
【０００８】本発明は、上記した問題を解決するため、
電子の移送を固体チャンネル領域で行わず、外部から印
加された電界によってのみ制御を行って電子の移動度を
改善する、光ゲートを有するトランジスタおよびその製
造方法を得ることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項１記載の発明の光ゲートを有するトランジ
スタは、シリコン基板と、シリコン基板上に析出され、
エッチング法によって形成された凹部を有する絶縁層
と、光信号を放射して光ゲートとして機能する光源と、
絶縁層上に形成されかつ大気下で凹部上に突出するよう
に間隔をおいて互いに対向する２つの電極であって、そ
の１つが光信号を受信して電子を放出する電子放出電極
であり、他の１つが電子放出電極から放出された電子を
収集する電子収集電極である電極とを有してなり、上記
電子放出電極が大気下で光源の下に形成されかつ接地さ
れ、上記電子収集電極が電源に接続され、上記電子収集
電極内の電流量が光源からの光信号の強度によって調節
されることを特徴としている。
【００１０】請求項２記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタは、請求項１記載のトランジスタにおいて、
凹部によって分離された電極の対向端部のそれぞれが、
尖った形状を有しかつ互いに電気的に隔離されているこ
とを特徴としている。
【００１１】請求項３記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタは、請求項１記載のトランジスタにおいて、
光源がレーザーまたはホトダイオードであることを特徴
としている。
【００１２】請求項４記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタの製造方法は、シリコン基板上に絶縁層を形
成し、絶縁層上に電極パターンを形成して、ソース電極
である電子放出電極およびドレイン電極である電子収集
電極を形成し、電子放出電極および電子収集電極の互い
に対向するそれぞれの端部が絶縁層と離れるように、電
子放出電極と電子収集電極の間の絶縁層をエッチングし
て、絶縁層内に凹部を形成しかつ凹部によってソース電
極とドレイン電極を空間的に隔離し、電子放出電極の上
だけに、光ゲートとして機能する光源を形成する工程を
有してなり、光源から放射された光信号を大気下で電子
放出電極に提供するように製造することを特徴としてい
る。
【００１３】
【作用】上記請求項１〜４の構成によれば、電子の移送
を真空状態または大気状態で行うことにより、電子の移
動度が外部から印加された電界によってのみ制御され、
それにより、高速度の動作特性が得られる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例における光ゲートを
有するトランジスタについて図１〜３を参照して説明す
る。図１に示すように、大気状態下、電子放出電極であ
る第１の導電電極６が電子収集電極である第２の導電電
極７から空間的に隔離され、光信号放射電極である光源
８が第１の導電電極６の上に形成される。この構成にお
いて、臨界エネルギー以上を有する光信号が、光源８か
ら第１の導電電極６に対して放射されると、第１の導電
電極６の表面から電子が放出されて、第２の導電電極７
に提供される。次に、第２の導電電極７は放出された電
子を収集する。
【００１５】図２（ａ）〜（ｄ）は光ゲートを有するト
ランジスタの製造工程について示しており、図２（ａ）
に示すように、シリコン基板９の主表面上に絶縁層１０
を形成する。次に、絶縁層９上に、電子放出電極１１
（以下、「エミッション電極」という）および電子収集
電極１２（以下、「コレクタ電極」という）によって規
定される電極パターンを形成する。これらの電極１１、
１２は、それぞれ、多結晶シリコン、金属類等から作成
する。
【００１６】図２（ｃ）では、電極１１、１２間の絶縁
層１０の一部分を、当業者に良く知られたエッチング法
またはドライエッチング法によって除去し、電極１１、
１２は、それぞれ、その間でエッチングされた凹部によ
って形成された尖った形状を有し、電極１１、１２の対
向端部が凹部によって尖った形状が形成されることを意
味する。このような尖った形状とすることにより、電極
１１、１２は電界を電極の端部に集中させて電子流動放
出が容易になされる。また、絶縁層１０においては、エ
ッチング法によって絶縁層１０が除去された時に凹部が
形成され、電極１１、１２の対向端部は凹部によって互
いに空間的に隔離される。
【００１７】図２（ｄ）において、大気状態下、光源１
３をエミッション電極１１の上に形成する。この光源１
３は光信号を放射する光ゲートとして機能し、レーザー
またはホトダイオードのような光放出装置から作成され
て、放射された光信号を大気領域を通してエミッション
電極１１の上部表面に提供する。
【００１８】図３は光ゲートを有するトランジスタを具
備した基本回路を説明するための図であり、エミッショ
ン電極１１が接地され、コレクタ電極１２が駆動源であ
る電源に接続されて、所定の電界を電極１１、１２間に
付与する。
【００１９】図３では、光信号を光ゲート１３からエミ
ッション電極１１に対して発信すると、光電効果の原理
によってエミッション電極１１の上部表面から電子が放
出されて、コレクタ電極１２に導入される。次に、エミ
ッション電極１１とコレクタ電極１２の間に電流が流れ
る。ここで、コレクタ電極１２内の電流量が決定され、
放射された光信号の強度を変化させることによって調節
される。
【００２０】以上、本発明の好ましい具体例について説
明したが、本発明の精神を逸脱することなく、種々の変
形および修飾を加えることができることは当業者に明ら
かであり、それらも本発明の範囲のものである。
【００２１】
【発明の効果】請求項１記載の発明の光ゲートを有する
トランジスタは、以上のように、シリコン基板と、シリ
コン基板上に析出され、エッチング法によって形成され
た凹部を有する絶縁層と、光信号を放射して光ゲートと
して機能する光源と、絶縁層上に形成されかつ大気下で
凹部上に突出するように間隔をおいて互いに対向する２
つの電極であって、その１つが光信号を受信して電子を
放出する電子放出電極であり、他の１つが電子放出電極
から放出された電子を収集する電子収集電極である電極
とを有してなり、上記電子放出電極が大気下で光源の下
に形成されかつ接地され、上記電子収集電極が電源に接
続され、上記電子収集電極内の電流量が光源からの光信
号の強度によって調節される構成である。
【００２２】請求項２記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタは、以上のように、請求項１記載のトランジ
スタにおいて、凹部によって分離された電極の対向端部
のそれぞれが、尖った形状を有しかつ互いに電気的に隔
離されている構成である。
【００２３】請求項３記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタは、以上のように、請求項１記載のトランジ
スタにおいて、光源がレーザーまたはホトダイオードで
ある構成である。
【００２４】請求項４記載の発明の光ゲートを有するト
ランジスタの製造方法は、以上のように、シリコン基板
上に絶縁層を形成し、絶縁層上に電極パターンを形成し
て、ソース電極である電子放出電極およびドレイン電極
である電子収集電極を形成し、電子放出電極および電子
収集電極の互いに対向するそれぞれの端部が絶縁層と離
れるように、電子放出電極と電子収集電極の間の絶縁層
をエッチングして、絶縁層内に凹部を形成しかつ凹部に
よってソース電極とドレイン電極を空間的に隔離し、電
子放出電極の上だけに、光ゲートとして機能する光源を
形成する工程を有してなり、光源から放射された光信号
を大気下で電子放出電極に提供するように製造する構成
である。
【００２５】したがって、上記構成により、トランジス
タの動作速度が光ゲートの駆動速度によって決定される
ため、高速度の動作特性を有する。大気状態下での電子
移送路により、電子放出電極および電子収集電極間の移
動度がさらに改善されるため、従来の固体半導体装置に
比べて、さらに高速度の動作が可能となる。また、本発
明のトランジスタは、光ゲートから放射された光信号の
強度を変化させることによって電流量を変えることがで
きるという効果を奏する。さらに、上記特性を有する本
発明のトランジスタを光論理回路に適用することもでき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のトランジスタにおいて、光電効果の原
理を利用して真空または大気領域中を電子が移送される
状態を示す図である。
【図２】本発明の光ゲートを有するトランジスタの製造
工程を示す断面図である。
【図３】本発明のトランジスタが組み込まれた基本回路
を示す図である。
【図４】従来のＭＯＳトランジスタの構成を示す断面図
である。
【符号の説明】
６ 第１の導電電極（電子放出電極） ７ 第２の導電電極（電子収集電極） ８・１３ 光源 ９ シリコン基板 １０ 絶縁層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−84968（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−226087（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−279066（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−261040（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−40332（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 40/16,1/34,9/12,19/24 H01L 31/12

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】シリコン基板と、 シリコン基板上に析出され、エッチング法によって形成
    された凹部を有する絶縁層と、 光信号を放射して光ゲートとして機能する光源と、 絶縁層上に形成されかつ大気下で凹部上に突出するよう
    に間隔をおいて互いに対向する２つの電極であって、そ
    の１つが光信号を受信して電子を放出する電子放出電極
    であり、他の１つが電子放出電極から放出された電子を
    収集する電子収集電極である電極とを有してなり、 上記電子放出電極が大気下で光源の下に形成されかつ接
    地され、 上記電子収集電極が電源に接続され、上記電子収集電極
    内の電流量が光源からの光信号の強度によって調節され
    ることを特徴とする光ゲートを有するトランジスタ。
  2. 【請求項２】上記凹部によって分離された電極の対向端
    部のそれぞれが尖った形状を有しかつ互いに電気的に隔
    離されることを特徴とする請求項１記載の光ゲートを有
    するトランジスタ。
  3. 【請求項３】上記光源がレーザーまたはホトダイオード
    であることを特徴とする請求項１記載の光ゲートを有す
    るトランジスタ。
  4. 【請求項４】シリコン基板上に絶縁層を形成し、 絶縁層上に電極パターンを形成して、ソース電極である
    電子放出電極およびドレイン電極である電子収集電極を
    形成し、 電子放出電極および電子収集電極の互いに対向するそれ
    ぞれの端部が絶縁層と離れるように、電子放出電極と電
    子収集電極の間の絶縁層をエッチングして、絶縁層内に
    凹部を形成しかつ凹部によってソース電極とドレイン電
    極を空間的に隔離し、 電子放出電極の上だけに、光ゲートとして機能する光源
    を形成する工程を有してなり、光源から放射された光信
    号を大気下で電子放出電極に提供するように製造するこ
    とを特徴とする請求項１に記載の光ゲートを有するトラ
    ンジスタの製造方法。
JP31873093A 1992-12-22 1993-12-17 光ゲートを有するトランジスタおよびその製造方法 Expired - Fee Related JP2759049B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR92-25030 1992-12-22
KR1019920025030A KR970000963B1 (ko) 1992-12-22 1992-12-22 광게이트를 갖는 진공 트랜지스터 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0737545A JPH0737545A (ja) 1995-02-07
JP2759049B2 true JP2759049B2 (ja) 1998-05-28

Family

ID=19346221

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31873093A Expired - Fee Related JP2759049B2 (ja) 1992-12-22 1993-12-17 光ゲートを有するトランジスタおよびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5389796A (ja)
JP (1) JP2759049B2 (ja)
KR (1) KR970000963B1 (ja)
DE (1) DE4339741C2 (ja)
FR (1) FR2699736B1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07254354A (ja) * 1994-01-28 1995-10-03 Toshiba Corp 電界電子放出素子、電界電子放出素子の製造方法およびこの電界電子放出素子を用いた平面ディスプレイ装置
KR100211945B1 (ko) * 1995-12-20 1999-08-02 정선종 광게이트 트랜지스터를 이용한 mux 및 demux 회로
US9853163B2 (en) 2015-09-30 2017-12-26 Stmicroelectronics, Inc. Gate all around vacuum channel transistor
US9793395B1 (en) 2016-10-06 2017-10-17 International Business Machines Corporation Vertical vacuum channel transistor
US10727325B1 (en) * 2018-03-22 2020-07-28 United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa Nanostructure-based vacuum channel transistor
KR102456957B1 (ko) 2019-05-17 2022-10-21 한국전자통신연구원 전계효과 트랜지스터

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL184589C (nl) * 1979-07-13 1989-09-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenbundel en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
DE3036733A1 (de) * 1980-09-29 1982-05-19 Helmut 5450 Neuwied Berger Laserelektronenroehre
JPH0340332A (ja) * 1989-07-07 1991-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界放出型スウィチング素子およびその製造方法
JPH0384968A (ja) * 1989-08-28 1991-04-10 Sharp Corp 光結合装置
JP2968014B2 (ja) * 1990-01-29 1999-10-25 三菱電機株式会社 微小真空管及びその製造方法
JP2574500B2 (ja) * 1990-03-01 1997-01-22 松下電器産業株式会社 プレーナ型冷陰極の製造方法
JPH03261040A (ja) * 1990-03-09 1991-11-20 Mitsubishi Electric Corp マイクロ真空管およびその製造方法
JPH0411784A (ja) * 1990-04-28 1992-01-16 Fujitsu Ltd 量子ポイントコンタクト装置およびその製造方法
JP2962869B2 (ja) * 1990-05-23 1999-10-12 キヤノン株式会社 光半導体装置
JP2962870B2 (ja) * 1990-05-24 1999-10-12 キヤノン株式会社 光半導体装置
US5247223A (en) * 1990-06-30 1993-09-21 Sony Corporation Quantum interference semiconductor device
US5202571A (en) * 1990-07-06 1993-04-13 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device with diamond
US5204581A (en) * 1990-07-12 1993-04-20 Bell Communications Research, Inc. Device including a tapered microminiature silicon structure
US5245248A (en) * 1991-04-09 1993-09-14 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device

Also Published As

Publication number Publication date
DE4339741A1 (de) 1994-06-23
FR2699736B1 (fr) 1995-06-16
DE4339741C2 (de) 1996-08-14
JPH0737545A (ja) 1995-02-07
FR2699736A1 (fr) 1994-06-24
KR970000963B1 (ko) 1997-01-21
KR940016606A (ko) 1994-07-23
US5389796A (en) 1995-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5150019A (en) Integrated circuit electronic grid device and method
US4578614A (en) Ultra-fast field emitter array vacuum integrated circuit switching device
US6967120B2 (en) Pinned photodiode for a CMOS image sensor and fabricating method thereof
EP1411554A1 (en) Field-effect transistor constituting channel by carbon nano tubes
US5713774A (en) Method of making an integrated circuit vertical electronic grid device
JPS60241627A (ja) 電子流発生用半導体装置を具える撮像装置
SE443061B (sv) Halvledaranordning for generering av ett elektronstralknippe, sett for framstellning av halvledaranordningen samt anvendning av halvledaranordningen for att generera ett elektronstralknippe dels i ett kameraror, dels i
JPH0340332A (ja) 電界放出型スウィチング素子およびその製造方法
AU755927B2 (en) Planar electron emitter (PEE)
JP2759049B2 (ja) 光ゲートを有するトランジスタおよびその製造方法
CN109801830A (zh) 一种真空沟道晶体管及其制备方法
JP7296661B2 (ja) オンチップミニチュアｘ線源及びその製造方法
US5300853A (en) Field-emission type switching device
JP3487236B2 (ja) 電界放射型電子源およびその製造方法
JP3320603B2 (ja) 電界放出型冷陰極装置及びその製造方法
CN108695397B (zh) 一种芯片工艺制造方法及光敏传感器芯片
KR970006735B1 (ko) 박막형 광게이트를 이용한 트랜지스터 구조
CN113555263B (zh) 一种片上微型的场助热发射电子源及制作方法
JP3378524B2 (ja) 電子放出素子及びその製造方法
JP3405773B2 (ja) 微小電界放出陰極装置およびその製造方法
KR100261263B1 (ko) 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자
KR100296710B1 (ko) 다이아몬드진공소자의제조방법
KR100260332B1 (ko) 전계방출표시소자의 에지형 에미터의 제조방법 및 그를 이용한 에미터
CN116666176A (zh) 一种真空晶体管及其制备方法
JPS59202777A (ja) 固体撮像装置とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980303

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080313

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090313

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100313

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110313

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110313

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees