JP2759049B2 - 光ゲートを有するトランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
光ゲートを有するトランジスタおよびその製造方法Info
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Description
ンジスタおよびその製造方法に関し、さらに詳しくは、
2つの隣接した電極間に電界を印加するとともに臨界エ
ネルギー以上を有する光子(photon)を光ゲートから電
極の片方に放射して、それから電子を放出させるトラン
ジスタおよびその製造方法に関するものである。
電子デバイスはさらに発展し、この電子デバイスにおい
ては、高速度、高集積度、高信頼性等の増大が絶えず要
求されている。
は精密加工技術によってすでに限界に達しているため、
電子デバイスの製造において種々の障害が生じている。
は、各電子の移送(transference)が当業者に良く知ら
れた散乱現象によって決定されるため、各デバイス内を
流れる電子の移動度が、半導体デバイス、電子材料等の
電気的特性を決定する因子である重要な物理量となっ
た。トランジスタの製造にシリコン基板を用いる場合、
シリコン基板の電荷移動度が予め決定されるため、各ト
ランジスタの性能も決定される。
(金属酸化物半導体)トランジスタの構成を示す断面図
である。図中、符号5はシリコン基板を示し、2および
3はそれぞれソース領域およびドレイン領域を示し、1
は領域2と3の間にあるシリコン基板5上に形成された
ゲート電極を示す。ゲート電極1とシリコン基板5との
間には、ゲート絶縁層4が形成される。
コン基板5は支持手段としてのみ機能し、実質的な電子
の移動はゲート電極1、およびゲート絶縁層4の下に形
成されるシリコン基板5のチャンネル領域で行われる。
のトランジスタでは、固体チャンネル領域での電子の移
動度に限界があり、高速度の動作特性が得られないとい
う問題があった。
電子の移送を固体チャンネル領域で行わず、外部から印
加された電界によってのみ制御を行って電子の移動度を
改善する、光ゲートを有するトランジスタおよびその製
造方法を得ることを目的としている。
ため、請求項1記載の発明の光ゲートを有するトランジ
スタは、シリコン基板と、シリコン基板上に析出され、
エッチング法によって形成された凹部を有する絶縁層
と、光信号を放射して光ゲートとして機能する光源と、
絶縁層上に形成されかつ大気下で凹部上に突出するよう
に間隔をおいて互いに対向する2つの電極であって、そ
の1つが光信号を受信して電子を放出する電子放出電極
であり、他の1つが電子放出電極から放出された電子を
収集する電子収集電極である電極とを有してなり、上記
電子放出電極が大気下で光源の下に形成されかつ接地さ
れ、上記電子収集電極が電源に接続され、上記電子収集
電極内の電流量が光源からの光信号の強度によって調節
されることを特徴としている。
ランジスタは、請求項1記載のトランジスタにおいて、
凹部によって分離された電極の対向端部のそれぞれが、
尖った形状を有しかつ互いに電気的に隔離されているこ
とを特徴としている。
ランジスタは、請求項1記載のトランジスタにおいて、
光源がレーザーまたはホトダイオードであることを特徴
としている。
ランジスタの製造方法は、シリコン基板上に絶縁層を形
成し、絶縁層上に電極パターンを形成して、ソース電極
である電子放出電極およびドレイン電極である電子収集
電極を形成し、電子放出電極および電子収集電極の互い
に対向するそれぞれの端部が絶縁層と離れるように、電
子放出電極と電子収集電極の間の絶縁層をエッチングし
て、絶縁層内に凹部を形成しかつ凹部によってソース電
極とドレイン電極を空間的に隔離し、電子放出電極の上
だけに、光ゲートとして機能する光源を形成する工程を
有してなり、光源から放射された光信号を大気下で電子
放出電極に提供するように製造することを特徴としてい
る。
を真空状態または大気状態で行うことにより、電子の移
動度が外部から印加された電界によってのみ制御され、
それにより、高速度の動作特性が得られる。
有するトランジスタについて図1〜3を参照して説明す
る。図1に示すように、大気状態下、電子放出電極であ
る第1の導電電極6が電子収集電極である第2の導電電
極7から空間的に隔離され、光信号放射電極である光源
8が第1の導電電極6の上に形成される。この構成にお
いて、臨界エネルギー以上を有する光信号が、光源8か
ら第1の導電電極6に対して放射されると、第1の導電
電極6の表面から電子が放出されて、第2の導電電極7
に提供される。次に、第2の導電電極7は放出された電
子を収集する。
ランジスタの製造工程について示しており、図2(a)
に示すように、シリコン基板9の主表面上に絶縁層10
を形成する。次に、絶縁層9上に、電子放出電極11
(以下、「エミッション電極」という)および電子収集
電極12(以下、「コレクタ電極」という)によって規
定される電極パターンを形成する。これらの電極11、
12は、それぞれ、多結晶シリコン、金属類等から作成
する。
層10の一部分を、当業者に良く知られたエッチング法
またはドライエッチング法によって除去し、電極11、
12は、それぞれ、その間でエッチングされた凹部によ
って形成された尖った形状を有し、電極11、12の対
向端部が凹部によって尖った形状が形成されることを意
味する。このような尖った形状とすることにより、電極
11、12は電界を電極の端部に集中させて電子流動放
出が容易になされる。また、絶縁層10においては、エ
ッチング法によって絶縁層10が除去された時に凹部が
形成され、電極11、12の対向端部は凹部によって互
いに空間的に隔離される。
3をエミッション電極11の上に形成する。この光源1
3は光信号を放射する光ゲートとして機能し、レーザー
またはホトダイオードのような光放出装置から作成され
て、放射された光信号を大気領域を通してエミッション
電極11の上部表面に提供する。
備した基本回路を説明するための図であり、エミッショ
ン電極11が接地され、コレクタ電極12が駆動源であ
る電源に接続されて、所定の電界を電極11、12間に
付与する。
ッション電極11に対して発信すると、光電効果の原理
によってエミッション電極11の上部表面から電子が放
出されて、コレクタ電極12に導入される。次に、エミ
ッション電極11とコレクタ電極12の間に電流が流れ
る。ここで、コレクタ電極12内の電流量が決定され、
放射された光信号の強度を変化させることによって調節
される。
明したが、本発明の精神を逸脱することなく、種々の変
形および修飾を加えることができることは当業者に明ら
かであり、それらも本発明の範囲のものである。
トランジスタは、以上のように、シリコン基板と、シリ
コン基板上に析出され、エッチング法によって形成され
た凹部を有する絶縁層と、光信号を放射して光ゲートと
して機能する光源と、絶縁層上に形成されかつ大気下で
凹部上に突出するように間隔をおいて互いに対向する2
つの電極であって、その1つが光信号を受信して電子を
放出する電子放出電極であり、他の1つが電子放出電極
から放出された電子を収集する電子収集電極である電極
とを有してなり、上記電子放出電極が大気下で光源の下
に形成されかつ接地され、上記電子収集電極が電源に接
続され、上記電子収集電極内の電流量が光源からの光信
号の強度によって調節される構成である。
ランジスタは、以上のように、請求項1記載のトランジ
スタにおいて、凹部によって分離された電極の対向端部
のそれぞれが、尖った形状を有しかつ互いに電気的に隔
離されている構成である。
ランジスタは、以上のように、請求項1記載のトランジ
スタにおいて、光源がレーザーまたはホトダイオードで
ある構成である。
ランジスタの製造方法は、以上のように、シリコン基板
上に絶縁層を形成し、絶縁層上に電極パターンを形成し
て、ソース電極である電子放出電極およびドレイン電極
である電子収集電極を形成し、電子放出電極および電子
収集電極の互いに対向するそれぞれの端部が絶縁層と離
れるように、電子放出電極と電子収集電極の間の絶縁層
をエッチングして、絶縁層内に凹部を形成しかつ凹部に
よってソース電極とドレイン電極を空間的に隔離し、電
子放出電極の上だけに、光ゲートとして機能する光源を
形成する工程を有してなり、光源から放射された光信号
を大気下で電子放出電極に提供するように製造する構成
である。
タの動作速度が光ゲートの駆動速度によって決定される
ため、高速度の動作特性を有する。大気状態下での電子
移送路により、電子放出電極および電子収集電極間の移
動度がさらに改善されるため、従来の固体半導体装置に
比べて、さらに高速度の動作が可能となる。また、本発
明のトランジスタは、光ゲートから放射された光信号の
強度を変化させることによって電流量を変えることがで
きるという効果を奏する。さらに、上記特性を有する本
発明のトランジスタを光論理回路に適用することもでき
る。
理を利用して真空または大気領域中を電子が移送される
状態を示す図である。
工程を示す断面図である。
を示す図である。
である。
Claims (4)
- 【請求項1】シリコン基板と、 シリコン基板上に析出され、エッチング法によって形成
された凹部を有する絶縁層と、 光信号を放射して光ゲートとして機能する光源と、 絶縁層上に形成されかつ大気下で凹部上に突出するよう
に間隔をおいて互いに対向する2つの電極であって、そ
の1つが光信号を受信して電子を放出する電子放出電極
であり、他の1つが電子放出電極から放出された電子を
収集する電子収集電極である電極とを有してなり、 上記電子放出電極が大気下で光源の下に形成されかつ接
地され、 上記電子収集電極が電源に接続され、上記電子収集電極
内の電流量が光源からの光信号の強度によって調節され
ることを特徴とする光ゲートを有するトランジスタ。 - 【請求項2】上記凹部によって分離された電極の対向端
部のそれぞれが尖った形状を有しかつ互いに電気的に隔
離されることを特徴とする請求項1記載の光ゲートを有
するトランジスタ。 - 【請求項3】上記光源がレーザーまたはホトダイオード
であることを特徴とする請求項1記載の光ゲートを有す
るトランジスタ。 - 【請求項4】シリコン基板上に絶縁層を形成し、 絶縁層上に電極パターンを形成して、ソース電極である
電子放出電極およびドレイン電極である電子収集電極を
形成し、 電子放出電極および電子収集電極の互いに対向するそれ
ぞれの端部が絶縁層と離れるように、電子放出電極と電
子収集電極の間の絶縁層をエッチングして、絶縁層内に
凹部を形成しかつ凹部によってソース電極とドレイン電
極を空間的に隔離し、 電子放出電極の上だけに、光ゲートとして機能する光源
を形成する工程を有してなり、光源から放射された光信
号を大気下で電子放出電極に提供するように製造するこ
とを特徴とする請求項1に記載の光ゲートを有するトラ
ンジスタの製造方法。
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