JP7296661B2 - オンチップミニチュアx線源及びその製造方法 - Google Patents
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Description
オンチップミニチュアX線源であって、
オンチップミニチュア電子源と、
前記オンチップミニチュア電子源の電子放出側に位置する、キャビティ構造である第1の絶縁スペーサーと、
前記第1の絶縁スペーサー上に位置するアノードと、を含み、
前記オンチップミニチュア電子源と前記アノードとの間に密閉真空キャビティが形成される。
基板と、
前記基板の一方の表面を覆う抵抗スイッチング材料フィルム層と、
前記抵抗スイッチング材料フィルム層に位置する少なくとも1つの電極対であって、第1の電極と第2の電極とを含み、前記第1の電極と前記第2の電極との間にギャップが存在する、前記少なくとも1つの電極対と、を含み、
前記ギャップの下の抵抗スイッチング材料フィルム層の領域にトンネル接合が形成される。
前記電極対の少なくとも1つの電極は、前記貫通孔を通して前記基板と接触して接続する。
前記アノードは、前記トップカバーの下に位置し、前記導電性プラグによって前記第1の絶縁スペーサー上に位置する電極に電気的に接続される。
前記第1の絶縁スペーサーと前記オンチップミニチュア電子源との間に位置する中空集束電極であって、前記中空集束電極の前記オンチップミニチュア電子源に近い側の表面に中空キャビティ構造である第2の絶縁スペーサーが設置されている、前記中空集束電極をさらに含み、
前記第2の絶縁スペーサーは、前記オンチップミニチュア電子源に接続される。
前記ターゲット層は、電子衝撃に近い側に位置し、前記支持層は、電子衝撃から遠い側に位置する。
オンチップミニチュア電子源を製造するステップと、
アノードを製造するステップであって、前記アノードの一方の表面にキャビティ構造である第1の絶縁スペーサーが設置される、前記アノードを製造するステップと、
前記第1の絶縁スペーサーを前記オンチップミニチュア電子源の電子放出側に接続することで、前記オンチップミニチュア電子源と前記アノードとの間に密閉真空キャビティを形成するステップと、含む。
中空集束電極を製造するステップであって、前記中空集束電極の一方の表面に中空キャビティ構造である第2の絶縁スペーサーが設置される、前記中空集束電極を製造するステップをさらに含み、
前記オンチップミニチュア電子源と前記第1の絶縁スペーサーとを接続する前に、
前記第2の絶縁スペーサーを前記オンチップミニチュア電子源の電子放出側に接続するステップをさらに含み、
前記オンチップミニチュア電子源と前記第1の絶縁スペーサーとを接続する前記ステップは、具体的に、
前記第1の絶縁スペーサーを、前記中空集束電極の前記第2の絶縁スペーサーから離れた側に接続するステップを含む。
形成しようとする密閉真空キャビティ内に吸気部品を配置するステップであって、前記吸気部品が、前記密閉真空キャビティ内のガスを吸収して、前記密閉真空キャビティ内の真空を調整又は維持するために使用される、前記吸気部品を、形成しようとする密閉真空キャビティ内に配置するステップをさらに含む。
前記アノード上に第1の放熱部品を形成するステップをさらに含む。
基板を提供するステップと、
前記基板の一方の表面を覆う抵抗スイッチング材料フィルム層を形成するステップと、
前記抵抗スイッチング材料フィルム層に少なくとも1つの電極対を形成するステップであって、前記電極対が、第1の電極と第2の電極を含み、前記第1の電極と前記第2の電極との間にギャップが存在する、前記抵抗スイッチング材料フィルム層に少なくとも1つの電極対を形成するステップと、含み、
前記第1の絶縁スペーサーを前記オンチップミニチュア電子源の電子放出側に接続することで、前記オンチップミニチュア電子源と前記アノードとの間に密閉真空キャビティを形成する前又は後に、オンチップミニチュア電子源を製造する前記ステップは、
前記ギャップの下の抵抗スイッチング材料フィルム層がソフトブレイクダウンされ抵抗スイッチング特性を示すように制御して、前記ギャップの下の抵抗スイッチング材料フィルム層領域内にトンネル接合を形成するステップをさらに含む。
前記抵抗スイッチング材料フィルム層に前記基板と連通する少なくとも1つの貫通孔を形成するステップをさらに含み、
前記電極対の少なくとも1つの電極は、前記貫通孔を通して前記基板と接触して接続する。
上記の技術案によれば、本出願によるオンチップミニチュアX線源は、オンチップミニチュア電子源に基づいており、当該オンチップミニチュア電子源は、微細加工技術によって得られる。従って、従来技術の従来の機械加工技術によって作られたオンチップミニチュアX線源に比べて、本出願で提供されるオンチップミニチュアX線源は、微細加工技術によって得られるため、そのサイズをさらに縮小することができ、製造コストを削減することができる。そして、当該オンチップミニチュアX線源は、安定したX線線量、低い作業真空要件、高速スイッチ応答、集積可能、バッチ加工可能などの利点があり、小型で携帯型の様々なX線検出分析及び治療デバイスに適用できる。
(実施例1)
オンチップミニチュア電子源10と、
オンチップミニチュア電子源10の電子放出側に位置する、キャビティ構造である第1の絶縁スペーサー11と、
第1の絶縁スペーサー11に位置するアノード12と、を含み、
オンチップミニチュア電子源10とアノード12との間に密閉真空キャビティが形成される。
基板101と、
基板101の一方の表面を覆う抵抗スイッチング材料フィルム層102と、
抵抗スイッチング材料フィルム層102に位置する複数の電極対であって、各電極対が、第1の電極1031と第2の電極1032とを含み、各第1の電極1031と各第2の電極1032との間にいずれもギャップ104が存在する、前記複数の電極対と、を含み、
各ギャップ104の下の抵抗スイッチング材料フィルム層102の領域にいずれもトンネル接合105が形成される(図1(1)に示す)。
基板30と、
基板30上に位置する第1の導電層31と、
第1の導電層31上に位置する絶縁層32と、
絶縁層32上に位置する第2の導電層33と、を含む。
(実施例2)
オンチップミニチュア電子源90と、
オンチップミニチュア電子源90の電子放出側に位置する、キャビティ構造である第1の絶縁スペーサー91と、
第1の絶縁スペーサー91に位置するアノード92と、を含み、
オンチップミニチュア電子源90とアノード92との間に密閉真空キャビティが形成される。
基板901と、
基板901の一方の表面を覆う抵抗スイッチング材料フィルム層902であって、基板901と連通する複数の貫通孔9021が設置される抵抗スイッチング材料フィルム層902と、
抵抗スイッチング材料フィルム層902に位置する複数の電極対であって、各電極対が第1の電極9031と複数の第2の電極9032とを含み、各第2の電極9032が1つの貫通孔9021にそれぞれ対応し、各第2の電極9032が1つの貫通孔9021を介して基板901と接触して接続し、異なる第2の電極9032の間が互いに分離される、前記複数の電極対と、を含み、
第1の電極9031と各第2の電極9032との間にいずれもギャップ904が存在し、
各ギャップ904の下の抵抗スイッチング材料フィルム層902領域内にいずれもトンネル接合905が形成される。
(実施例3)
アノード92に位置する第1の放熱部品130と、
基板901の下に位置する第2の放熱部品131と、を含む。
(実施例4)
第1の絶縁スペーサー91とオンチップミニチュア電子源90との間に位置する中空集束電極160を含み、
中空集束電極160は、オンチップミニチュア電子源90に近い側の表面に第2の絶縁スペーサー161が設置され、第2の絶縁スペーサー161は中空キャビティ構造である。
(実施例5)
オンチップミニチュア電子源90の電子放出側に位置する、キャビティ構造である第1の絶縁スペーサー190と、
第1の絶縁スペーサー190に位置するアノード191であって、ターゲット層1911と、ターゲット層1911を支持するための支持層1912とを含み、ターゲット層1911が電子衝撃に近い側に位置し、支持層1912が電子衝撃から遠い側に位置する、前記アノード191と、
密閉真空キャビティに位置する吸気部品192と、を含んでもよい。
Claims (17)
- オンチップミニチュアX線源であって、
オンチップミニチュア電子源と、
前記オンチップミニチュア電子源の電子放出側に位置する、キャビティ構造である第1の絶縁スペーサーと、
前記第1の絶縁スペーサー上に位置するアノードと、を含み、
前記オンチップミニチュア電子源と前記アノードとの間に密閉真空キャビティが形成され、
前記オンチップミニチュア電子源は、
基板と、
前記基板の一方の表面を覆う抵抗スイッチング材料フィルム層と、
前記抵抗スイッチング材料フィルム層に位置する少なくとも1つの電極対であって、第1の電極と第2の電極とを含む、前記少なくとも1つの電極対と、
を含み、
前記基板は、熱伝導性を有する材料で作られ、前記抵抗スイッチング材料フィルム層に前記基板と連通する少なくとも1つの貫通孔が設置され、
前記電極対の少なくとも1つの電極は、前記貫通孔を通して前記基板と接触して接続する、
ことを特徴とするX線源。 - 前記第1の電極と前記第2の電極との間にギャップが存在し、
前記ギャップの下の抵抗スイッチング材料フィルム層の領域内にトンネル接合が形成される、ことを特徴とする請求項1に記載のX線源。 - 前記電極対は複数あり、複数の前記電極対は指状の交差電極対である、ことを特徴とする請求項2に記載のX線源。
- 前記X線源は、前記アノード上に位置する第1の放熱部品をさらに含む、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のX線源。
- 前記X線源は、前記基板の下に位置する第2の放熱部品をさらに含む、ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のX線源。
- 前記第1の絶縁スペーサーは、中空キャビティ構造である、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のX線源。
- 前記第1の絶縁スペーサーは、トップカバーが設置されたキャビティ構造であり、前記トップカバーに導電性プラグが設置され、
前記アノードは、前記トップカバーの下に位置し、前記導電性プラグによって前記第1の絶縁スペーサー上に位置する電極に電気的に接続される、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のX線源。 - 前記X線源は、
前記第1の絶縁スペーサーと前記オンチップミニチュア電子源との間に位置する中空集束電極であって、前記中空集束電極の前記オンチップミニチュア電子源に近い側の表面に中空キャビティ構造である第2の絶縁スペーサーが設置されている、前記中空集束電極をさらに含み、
前記第2の絶縁スペーサーは、前記オンチップミニチュア電子源に接続される、ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のX線源。 - 前記密閉真空キャビティ内に吸気部品が設置され、前記吸気部品は、前記密閉真空キャビティ内のガスを吸収して、前記密閉真空キャビティ内の真空を調整又は維持するために使用される、ことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載のX線源。
- 前記アノードは、ターゲット層と、前記ターゲット層を支持するための支持層とを含み、
前記ターゲット層は、電子衝撃に近い側に位置し、前記支持層は、電子衝撃から遠い側に位置する、ことを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のX線源。 - 前記ターゲット層は、重金属材料で作られ、前記支持層は、銅又はアルミニウムで作られる、ことを特徴とする請求項10に記載のX線源。
- 前記アノードの厚さは、0.1~1000ミクロンである、ことを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載のX線源。
- オンチップミニチュアX線源の製造方法であって、
オンチップミニチュア電子源を製造するステップと、
アノードを製造するステップであって、前記アノードの一方の表面にキャビティ構造である第1の絶縁スペーサーが設置される、前記アノードを製造するステップと、
前記第1の絶縁スペーサーを前記オンチップミニチュア電子源の電子放出側に接続することで、前記オンチップミニチュア電子源と前記アノードとの間に密閉真空キャビティを形成するステップと、を含み、
前記オンチップミニチュア電子源を製造する前記ステップは、具体的に、
基板を提供するステップと、
前記基板の一方の表面を覆う抵抗スイッチング材料フィルム層を形成するステップと、
前記抵抗スイッチング材料フィルム層に少なくとも1つの電極対を形成するステップと、
を含み、
前記電極対は、第1の電極と第2の電極とを含み、
前記基板は、熱伝導性を有する基板であり、前記抵抗スイッチング材料フィルム層を形成した後、少なくとも1つの前記電極対を形成する前に、
前記製造方法は、前記抵抗スイッチング材料フィルム層に、前記基板と連通する少なくとも1つの貫通孔を形成するステップをさらに含み、
前記電極対の少なくとも1つの電極は、前記貫通孔を通して前記基板と接触して接続する、
ことを特徴とする方法。 - 前記オンチップミニチュア電子源と前記第1の絶縁スペーサーとを接続する前に、
中空集束電極を製造するステップであって、前記中空集束電極の一方の表面に中空キャビティ構造である第2の絶縁スペーサーが設置される、前記中空集束電極を製造するステップ、をさらに含み、
前記オンチップミニチュア電子源と前記第1の絶縁スペーサーとを接続する前に、
前記第2の絶縁スペーサーを前記オンチップミニチュア電子源の電子放出側に接続するステップを、さらに含み、
前記オンチップミニチュア電子源と前記第1の絶縁スペーサーとを接続する前記ステップは、具体的に、
前記第1の絶縁スペーサーを、前記中空集束電極の前記第2の絶縁スペーサーから離れた側に接続するステップを含む、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 前記第1の絶縁スペーサーを前記オンチップミニチュア電子源の電子放出側に接続することで、前記オンチップミニチュア電子源と前記アノードとの間に密閉真空キャビティを形成する前に、
吸気部品を、形成しようとする密閉真空キャビティ内に配置するステップであって、前記吸気部品が、前記密閉真空キャビティ内のガスを吸収して、前記密閉真空キャビティ内の真空を調整又は維持するために使用される、前記吸気部品を、形成しようとする密閉真空キャビティ内に配置するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 前記方法は、
前記アノードの上に第1の放熱部品を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項13から15のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1の電極と前記第2の電極との間にギャップが存在し、
前記第1の絶縁スペーサーを前記オンチップミニチュア電子源の電子放出側に接続することで、前記オンチップミニチュア電子源と前記アノードとの間に密閉真空キャビティを形成する前又は後に、オンチップミニチュア電子源を製造する前記ステップは、
前記ギャップの下の抵抗スイッチング材料フィルム層がソフトブレイクダウンされ抵抗スイッチング特性を示すように制御して、前記ギャップの下の抵抗スイッチング材料フィルム層領域内にトンネル接合を形成するステップを含む、ことを特徴とする請求項13から16のいずれか1項に記載の方法。
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