DE4336054A1 - Monolithisch integriertes p-Kanal-Hochspannungs-Bauelement - Google Patents

Monolithisch integriertes p-Kanal-Hochspannungs-Bauelement

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Description

Die Erfindung betrifft ein monolithisch integrier­ tes p-Kanal-Hochspannungs-Bauelement, bei dem die Gate-Anschlußklemme eine in Richtung einer Drain- Anschlußklemme weisende Gateoxid/Feldoxid-Stufe aufweist.
Stand der Technik
Es ist bekannt, bei sogenannten lateralen monoli­ thisch integrierten p-Kanal-Hochspannungs-Bauele­ menten die an der Drain-Anschlußklemme angeschlos­ sene p-Kanal-Hochspannungs-Bauelement-Struktur von einem hochdotierten p⁺-Bereich in einen niedrigeren dotierten p⁻-Bereich übergehen zu lassen. Der p⁻- Bereich muß dabei unterhalb des Gateoxids der Gate- Anschlußklemme liegen. Damit dieses Bauelement hochspannungsfähig ist, ist es notwendig, daß sich der unter dem Gateoxid liegende p⁻-Bereich genügend verarmt, das heißt die Zahl an positiven Ladungsträgern verringert ist. Hierdurch wird eine hohe elektrische Feldstärke zwischen dem p⁻-Bereich und der Gate-Anschlußklemme in dem Gateoxid ver­ mieden. Sollte dieser weniger dotierte p⁻-Bereich nicht vorhanden sein, besteht die Gefahr, daß aus der p-Struktur heiße Ladungsträger in das Gateoxid gelangen und damit dessen Lebensdauer verringern bzw. gegebenenfalls dieses sogar zerstören. Um diese Beeinflussung des Gateoxids zu vermeiden, ist es bereits bekannt, die Gate-Anschlußklemme mit einer Gateoxid/Feldoxid-Stufe auszubilden, wobei der p⁻-Bereich der an das Drain angeschlossenen p- Struktur unterhalb des Feldoxids der Gate­ oxid/Feldoxid-Stufe angeordnet ist. Hiermit wird einem unerwünschten Ladungsträgeraustausch zwischen der p-Struktur und der Gate-Anschlußklemme durch das Oxid entgegengewirkt, da das Feldoxid als zu­ sätzliche Zwischenschicht zwischen beiden angeord­ net ist. Hierbei ist jedoch nachteilig, daß es bei der Herstellung einer solchen lateralen Hoch­ spannungs-Bauelemente-Struktur zu Justiertoleranzen zwischen dem p⁻-Bereich und der Gateoxid/Feldoxid- Stufe kommen kann. Um diese Toleranzen auszu­ gleichen, ist man gezwungen, die Struktur so zu entwerfen, daß bei einem optimal justierten Bau­ element der p⁻-Bereich relativ weit unter das Gateoxid diffundiert und damit in jedem Fall die Gateoxid/Feldoxid-Stufe der Gate-Anschlußklemme übergreift. Hierbei ist jedoch nachteilig, daß diese Struktur unter Berücksichtigung der Justierungen nur dann richtig funktioniert, wenn der p⁻-Bereich einen relativ hohen Schichtwider­ stand besitzt. Dieser hohe Schichtwiderstand wirkt sich jedoch wiederum negativ auf die Kennlinien des p-Kanal-Hochspannungs-Bauelementes aus.
Weiterhin ist bekannt, die Struktur des Hochspan­ nungs-Bauelementes mit einem sogenannten selbst­ justierenden LOCOS Prozeß herzustellen. Dadurch, daß hier die p⁻-Diffusion an der Gateoxid/Feldoxid- Stufe selbstjustiert ist, das heißt der p⁻-Bereich nicht mehr weit unter das Gateoxid reichen muß, ist es möglich, einen niedrigeren p⁻-Schichtwiderstand zu verwenden. Hierbei ist jedoch nachteilig, daß dieser niedrigere p⁻-Schichtwiderstand mit den An­ forderungen anderer Bauelemente, die mit der gleichen p⁻-Diffusion hergestellt werden, nicht kompatibel ist.
Vorteile der Erfindung
Das monolithisch integrierte p-Kanal-Hochspannungs- Bauelement mit den im Anspruch 1 genannten Merk­ malen hat demgegenüber den Vorteil, daß eine Struktur geschaffen werden kann, die durch die Verwendung von für andere Zwecke optimierte Dotierungsprofile eine hohe und stabile laterale Durchbruch-Spannung aufweist. Dadurch, daß inner­ halb eines schwach dotierten n⁻-Bereiches der p- Kanal-Hochspannungs-Bauelement-Struktur der Drain- Anschlußklemme ein schwach dotierter p⁻-Bereich eingebracht ist, ist diese Struktur tolerant gegen Variationen im Schichtwiderstand und gegen Justier­ fehlertoleranzen. Insbesondere wird sehr vor­ teilhaft erreicht, daß beim Anlegen einer Spannung zwischen der Drain-Anschlußklemme und einer Source- Anschlußklemme des monolithisch integrierten p- Kanal-Hochspannungs-Bauelementes der p⁻-Bereich unter dem n⁻-Bereich und der n⁻-Bereich selbst vollständig verarmen, das heißt die Zahl der freien Ladungsträger reduziert wird. Hierdurch wird eine hohe elektrische Feldstärke zwischen der p- Struk­ tur der Drain-Anschlußklemme und dem Gateoxid der Gate-Anschlußklemme vollkommen vermieden, da der Spannungsdurchbruch in dem Hochspannungs-Bauelement nunmehr weit entfernt von dem Gateoxid stattfindet.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den übrigen in den Unteransprüchen genannten Merkmalen.
Zeichnung
Die Erfindung wird nachfolgend in Ausführungs­ beispielen anhand der zugehörigen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittdarstellung eines p-Kanal- Hochspannungs-Bauelementes und
Fig. 2 eine weitere Schnittdarstellung eines p- Kanal-Hochspannungs-Bauelement in einer anderen Ausführung.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
Fig. 1 zeigt ein allgemein mit 10 bezeichnetes mo­ nolithisch integriertes P-Kanal-Hochspannungs-Bau­ element mit einer lateralen Hochspannungsstruktur. Das Bauelement 10 ist im Schnitt und lediglich schematisch dargestellt. Das Bauelement 10 weist eine Halbleiterschicht 12 auf, die eine n⁻-Struktur 14 besitzt. In die n⁻-Struktur 14 sind p-Strukturen 16 und 18 eingebettet, die mit einer Drain- Anschlußklemme D bzw. einer Source-Anschlußklemme S verbunden sind. Die p-Struktur 16 des Drains D besitzt einen hoch dotierten p⁺-Bereich 20, der in einen niedriger dotierten p⁻-Bereich 22 übergeht. Die p-Struktur 18 der Source S ist ähnlich auf­ gebaut, jedoch hier für die Erfindung nicht weiter zu betrachten. Sie untergliedert sich ebenfalls in einen p⁺-Bereich 24 und einen p⁻-Bereich 26. Die p⁻- Bereiche 22 und 26 werden von einem Gateoxid 28 übergriffen, das mit einer Gate-Anschlußklemme G verbunden ist. Das Gateoxid 28 besitzt drainseitig eine Gateoxid/Feldoxid-Stufe 30. Die Gate­ oxid/Feldoxid-Stufe 30 ist dabei so ausgelegt, daß sich zwischen dem Gateoxid 28 und dem p⁻-Bereich 22 ein Feldoxidbereich 32 befindet. Innerhalb des p⁻- Bereiches 22 ist ein als Insel ausgebildeter p⁻-Be­ reich 34 angeordnet. Der n⁻-Bereich 34 ist dabei so ausgebildet, daß er mit der Gateoxid/Feldoxid-Stufe 30 beginnt und sich in Richtung Drain D unterhalb des Gateoxids 28 erstreckt.
Die in Fig. 1 gezeigte Anordnung übt folgende Funktion aus:
Wenn zwischen der Drain-Anschlußklemme D und der Source-Anschlußklemme S eine Spannung angelegt wird, verarmt der p⁻-Bereich 22 unter dem n⁻-Be­ reich 34, und der n⁻-Bereich 34 selbst, voll­ ständig. Durch diese Reduzierung der vorhandenen freien Ladungsträger wird erreicht, daß eine hohe elektrische Feldstärke zwischen der p-Struktur 16 und dem Gateoxid 28 vermieden wird. Durch diese Verarmung von Ladungsträgern im Oberflächenbereich der p-Struktur 16 findet nun der Spannungs­ durchbruch in dem Bauelement 10 weit von dem Gateoxid 28 statt. Der Durchbruch wird hier an der in Fig. 1 mit 36 bezeichneten Stelle stattfinden. Durch diesen tiefliegenden Durchbruch ist die daraus resultierende Durchbruchspannung höher und stabiler. Dies resultiert daraus, da der Durch­ laßwiderstand des Bauelementes 10 hauptsächlich durch den Serienwiderstand des Kanalwiderstands, also der n⁻-Struktur 14 und des p⁻-Bereiches 22 der p-Struktur 16 bestimmt wird. Das Hinzufügen des p⁻ Bereiches 34 in dem p⁻-Bereich 22 verursacht somit ein Ansteigen des Durchlaßwiderstands, da der Strom in dem p⁻-Bereich 22 unterhalb des n⁻-Bereichs 34 fließen muß. Durch den tiefliegenden Durchbruch wird insbesondere ein Abwandern von Ladungsträgern in das Gateoxid 28 vermieden, so daß trotz einer höheren möglichen Durchbruchspannung die Lebens­ dauer des Gateoxids 28 nicht beeinflußt wird. Zu der in Fig. 1 gezeigten Variante ist es auch möglich, den n⁻-Bereich 34 so auszubilden, daß auch bei einer hohen Spannung zwischen der Gate- Anschlußklemme G und der Source-Anschlußklemme S ein zusätzliches Kanalgebiet auf der Oberfläche des n⁻-Bereiches 34 entsteht. Dieses zusätzliche Kanal­ gebiet bildet dann einen parallelen Strompfad, der eine Verringerung des Drainserienwiderstandes be­ wirkt.
In der Fig. 2 ist eine weitere Ausführungsvariante eines Bauelementes 10 gezeigt, wobei gleiche Teile wie in Fig. 1 mit gleichen Bezugszeichen versehen sind und nicht nochmals erläutert werden. In der hier gezeigten Variante ist der n⁻-Bereich 34 so ausgebildet, daß er sich lateral über die gesamte Gateoxid/Feldoxid-Stufe 30 des Gateoxids 28 er­ streckt. Dadurch, daß der n⁻-Bereich 34 über die Gate-Anschlußklemme G hinaus verlängert ist, wird erreicht, daß bei Anlegen einer höheren Spannung zwischen der Gate-Anschlußklemme G und der Source- Anschlußklemme S kein zusätzliches Kanalgebiet auf der Oberfläche des n⁻-Bereiches 34 entstehen kann. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn eine Verringerung des Drainserienwiderstandes nicht er­ wünscht ist.

Claims (4)

1. Monolithisch integriertes p-Kanal-Hochspannungs- Bauelement mit einer Gate-Anschlußklemme, die eine in Richtung einer Drain-Anschlußklemme weisende Gateoxid/Feldoxid-Stufe aufweist, dadurch gekenn­ zeichnet, daß innerhalb eines schwach dotierten p⁻- Bereiches (22) einer p-Struktur (16) der Drain- Anschlußklemme (D) ein schwach dotierter n⁻-Bereich (34) eingebracht ist.
2. Monolithisch integriertes Bauelement nach An­ spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der n⁻- Bereich (34) nicht kontaktiert ist.
3. Monolithisch integriertes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, daß der n⁻-Bereich (34) unterhalb der Gateoxid/Feldoxid-Stufe (30) angeordnet ist.
4. Monolithisch integriertes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, daß der n⁻-Bereich (34) über die Gate­ oxid/Feldoxid-Stufe (30) verlängert ist.
DE4336054A 1993-10-22 1993-10-22 Monolithisch integriertes p-Kanal-Hochspannungs-Bauelement Withdrawn DE4336054A1 (de)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997013277A1 (de) * 1995-10-02 1997-04-10 El Mos Elektronik In Mos-Technologie Gmbh Mos-transistor mit hoher ausgangsspannungsfestigkeit
DE19703971A1 (de) * 1996-07-31 1998-02-05 Lg Semicon Co Ltd Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
WO1999028974A1 (de) * 1997-12-02 1999-06-10 Siemens Aktiengesellschaft Pn-übergang mit erhöhter durchbruchspannung
WO2003017349A2 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik Dmos-transistor
EP1571711A1 (de) * 2002-10-25 2005-09-07 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Lateral-kurzkanal-dmos,herstellungsverfahren dafür und halbleiterbauelement
EP1367648A3 (de) * 2002-05-24 2008-01-09 Texas Instruments Incorporated Halbleiterbauelement mit Floating-Ring-Struktur

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56110264A (en) * 1980-02-04 1981-09-01 Oki Electric Ind Co Ltd High withstand voltage mos transistor
US4866495A (en) * 1987-05-27 1989-09-12 International Rectifier Corporation High power MOSFET and integrated control circuit therefor for high-side switch application
DE4020478C2 (de) * 1989-07-04 2001-03-29 Fuji Electric Co Ltd Mos Halbleitervorrichtung
IT1254799B (it) * 1992-02-18 1995-10-11 St Microelectronics Srl Transistore vdmos con migliorate caratteristiche di tenuta di tensione.

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997013277A1 (de) * 1995-10-02 1997-04-10 El Mos Elektronik In Mos-Technologie Gmbh Mos-transistor mit hoher ausgangsspannungsfestigkeit
US6153916A (en) * 1995-10-02 2000-11-28 El Mos Elektronik In Mos-Technologie Gmbh MOS transistor with high output voltage endurance
DE19703971A1 (de) * 1996-07-31 1998-02-05 Lg Semicon Co Ltd Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
WO1999028974A1 (de) * 1997-12-02 1999-06-10 Siemens Aktiengesellschaft Pn-übergang mit erhöhter durchbruchspannung
WO2003017349A2 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik Dmos-transistor
WO2003017349A3 (de) * 2001-08-17 2003-11-27 Ihp Gmbh Dmos-transistor
US7304348B2 (en) 2001-08-17 2007-12-04 Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics/Institut Fur Innovative Mikroelektronik DMOS transistor
EP1367648A3 (de) * 2002-05-24 2008-01-09 Texas Instruments Incorporated Halbleiterbauelement mit Floating-Ring-Struktur
EP1571711A1 (de) * 2002-10-25 2005-09-07 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Lateral-kurzkanal-dmos,herstellungsverfahren dafür und halbleiterbauelement
EP1571711A4 (de) * 2002-10-25 2008-07-09 Shindengen Electric Mfg Lateral-kurzkanal-dmos,herstellungsverfahren dafür und halbleiterbauelement

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