DE4321211A1 - Halbleiterwafer und Verfahren zu seiner Herstellung, sowie Halbleitervorrichtung und Prüfeinrichtung hierfür - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Prüfung einer Halb­ leitervorrichtung und eines Halbleiterwafers, sowie insbe­ sondere Voraltern ("burn-in").

Fig. 21 zeigt ein Blockschaltbild einer Halbleitervorrich­ tung (im nachfolgenden als "IC" bezeichnet). Ein IC 1 weist einen VCC-Anschluß 2, einen GND-Anschluß 3, Eingangsan­ schlüsse 4 und Ausgangsanschlüsse 5 auf. Ein an den Ein­ gangsanschluß 4 gelegtes Eingangssignal wird über Eingangs­ puffer 6 an einen Funktionsblock 7 übertragen und darin ver­ arbeitet. Der Funktionsblock 7 legt Ausgangssignale an die Ausgangsanschlüsse 5. Aus Gründen der Einfachheit ist die Verdrahtung, welche den VCC-Anschluß 2 und den GND-Anschluß 3 mit dem Funktionsblock 7 verbindet, weggelassen.

Fig. 22 zeigt ein Blockschaltbild einer statischen Voralte­ rungseinrichtung 9a. Falls eine Voralterungseinrichtung 9a zur Durchführung des Voralterns verwendet wird, ist der IC 1 in der Art eines verkapselten IC 8 in die Voralterungsein­ richtung 9a eingebracht.

Die Voralterungseinrichtung 9a weist einen VCC-Anschluß 10 und einen GND-Anschluß 11 auf, und der VCC-Anschluß 2 und der GND-Anschluß 3 des IC 1 (IC 8) sind mit dem VCC-Anschluß 10 bzw. dem GND-Anschluß 11 der Voralterungseinrichtung 9a verbunden. Andererseits ist der Eingangsanschluß 4 des IC 1 (IC 8) entweder mit dem VCC-Anschluß 10 oder dem GND-Anschluß 11 verbunden, und sein Ausgangsanschluß 5 ist in den geöff­ neten Zustand versetzt.

Bei der Durchführung einer Voralterung wird ein Potentialun­ terschied zwischen dem VCC-Anschluß 10 und dem GND-Anschluß 11 derart angelegt, daß er größer als beim tatsächlichen Be­ trieb ist, aber keine Zerstörung von Bauteilen verursacht wird. Hierdurch kann etwa die Hälfte der gesamten Bauteile belastet werden, und auf diese Weise wird eine Spannungsbe­ schleunigungsprüfung durchgeführt, bei der frühzeitig nicht konformierende Teile in einem frühen Stadium ausgesondert werden. Gleichzeitig wird eine Temperaturbeschleunigungsprü­ fung durchgeführt, in der die Umgebungstemperatur gewöhnlich hoch eingestellt wird.

Fig. 23 zeigt ein Blockschaltbild einer dynamischen Voralte­ rungseinrichtung 9b. Im Unterschied zur statischen Voralte­ rungseinrichtung 9a weist sie zusätzlich einen Wechselstrom­ signalanschluß 13 auf. Ähnlich wie bei der Voralterungsein­ richtung 9a ist der IC 1 in der Art des verkapselten IC 8 in die Voralterungseinrichtung 9b eingebracht. Der VCC-Anschluß 2 und der GND-Anschluß 3 des IC 1 (IC 8) sind mit dem VCC-An­ schluß 10 bzw. dem GND-Anschluß 11 der Voralterungseinrich­ tung 9b verbunden, und der Ausgangsanschluß 5 ist in den ge­ öffneten Zustand versetzt.

Im Unterschied zur Voralterungseinrichtung 9a ist ein Teil des Eingangsanschlusses 4 des IC 1 (IC 8) nicht nur mit dem VCC-Anschluß 10 oder dem GND-Anschluß 11 der Voralterungs­ einrichtung 9b, sondern auch mit dem Wechselstromsignalan­ schluß 13 verbunden. Der Wechselstromsignalanschluß 13 ist mit einem externen Wellenformgenerator 12 verbunden. Bei ei­ ner dynamischen Voralterung ist der Wellenformgenerator 12 dazu ausgelegt, eine Wellenform zu erzeugen, mit welcher der Funktionsblock 7 effektiver arbeitet, sowie die Wellenform an das Teil des Eingangsanschlusses zu legen, um die Anzahl der belasteten Elemente erheblich zu vergrößern.

Was solch eine Halbleitervorrichtung betrifft, so unter­ scheiden sich die Arten von verkapselten Produkten unterein­ ander in der Anzahl von Eingangsstiften, deren Anordnung, und der Anordnung des VCC-Anschlusses und des GND-Anschlus­ ses. Beispielweise muß Voraltern bei diesen unterschiedli­ chen Arten von Produkten durch unterschiedliche Verbindung einer Voralterungseinrichtung an eine verkapselte Halbleitervorrichtung durchgeführt werden, auch wenn sie offen­ sichtlich in genau gleicher Konfiguration verkapselt sind.

Aus diesem Grund können auch in der gleichen Konfiguration verkapselte Voralterungseinrichtungen nicht standardisiert werden, was den Nachteil hat, daß alle Produkte kostspielige Voralterungseinrichtungen und Wellenformgeneratoren erfor­ dern.

Außerdem wird Voraltern gewöhnlich an verkapselten Produkten durchgeführt, was den Nachteil hat, daß das Voraltern nicht an einem Wafer durchgeführt werden kann, welcher eine Kehr­ zahl von Chips umfaßt. Obwohl die gesteigerte Nachfrage nach Belieferung mit Chips (Belieferung der Verbraucher mit nicht-verkapselten Chips) diesen Nachteil umgeht, sind Pro­ dukte in "Chip"-Form nicht ausreichend, um Verläßlichkeit zu gewährleisten.

Folglich ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung zu stellen, bei welcher eine Voralterungseinrichtung in jeder Verkapselung standar­ disiert werden kann, sowie ein Verfahren zur Herstellung der Voralterungseinrichtung, sowie einen Halbleiterwafer zur Verfügung zu stellen, welcher in "Wafer"-Form geprüft werden kann, sowie ein hierfür geeignetes Herstellungsverfahren.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, einen Halbleiterwafer gemäß Anspruch 20, ein Verfahren zur Verstellung eines Halbleiterwafer gemäß Anspruch 27, und eine Prüfeinrichtung gemäß Anspruch 30 und 31.

Ein erster Aspekt einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrich­ tung weist auf: (a) eine Halbleiterschaltung, welche den Ge­ genstand einer Prüfung darstellt, (b) einen Eingangsan­ schluß, welcher während des üblichen Betriebs ein Eingangs­ signal an die Halbleiterschaltung erhält, (c) einen Aus­ gangsanschluß, welcher während des üblichen Betriebs ein Ausgangssignal von der Halbleiterschaltung erhält, (d) einen Leistungsanschluß, welcher während des üblichen Betriebs ein bestimmtes Potential an die Halbleiterschaltung legt, und (e) eine zwischen den Eingangsanschluß und die Halbleiter­ schaltung eingeschobene Modusumschaltung zum Umschalten ihres Betriebs von der Prüfung auf den üblichen Betrieb. Weiterhin legt die Modusumschaltung (e-1) das am Eingangsan­ schluß erhaltene Eingangssignal während des üblichen Be­ triebs an die Halbleiterschaltung und (e-2) legt während der Prüfung einen bestimmten, vorgegebenen Wert an die Halblei­ terschaltung.

Vorzugsweise erhält die Modusumschaltung ein Prüfsignal, welches während der Prüfung aktiviert und während des übli­ chen Betriebs deaktiviert ist.

Vorzugsweise weist der Eingangsanschluß einen ersten und einen zweiten Eingangsanschluß auf, der bestimmte vorgege­ bene Wert umfaßt einen ersten und einen zweiten vorgegebenen Wert, die Modusumschaltung weist auf: (e-3) ein erstes Gat­ ter für die Ausgabe des ersten vorgegebenen Werts unabhängig von einem Wert eines während der Prüfung an den ersten Ein­ gangsanschluß gelegten Signals, und (e-4) ein zweites Gatter für die Ausgabe des zweiten vorgegebenen Werts unabhängig von einem Wert eines während der Prüfung an den ersten Ein­ gangsanschluß gelegten Signals.

Vorzugsweise nimmt das Prüfsignal bei seiner Aktivierung den ersten vorgegebenen Wert, und ansonsten bei seiner Deakti­ vierung den zweiten vorgegebenen Wert an.

Vorzugsweise entsprechen der erste und der zweite vorgege­ bene Wert dem logischen Wert "1" bzw. "0", (e-2-1) das erste Gatter weist auf: ein mit dem ersten Eingangsanschluß ver­ bundenes erstes Eingangsende, ein das Prüfsignal erhaltendes zweites Eingangsende, und ein Ausgangsende, welches ein lo­ gisches Produkt aus einem an sein erstes Eingangs ende geleg­ ten logischen Wert und einem invertierten logischen Wert des Prüfsignals an die Halbleiterschaltung ausgibt, und (e-3-1) das zweite Gatter weist auf: ein erstes Eingangsende, wel­ ches mit dem zweiten Eingangsanschluß verbunden ist, ein zweites Eingangsende, welches das Prüfsignal erhält, und ein Ausgangsende, welches eine logische Summe von logischen Wer­ ten seines ersten und zweiten Eingangsendes an die Halblei­ terschaltung ausgibt.

Bei einem ersten Aspekt einer Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung legt eine Modusumschaltung einen be­ stimmten, vorgegebenen Wert an eine Halbleiterschaltung un­ abhängig von einem während einer Prüfung an einen Eingangs­ anschluß gelegten Potential. Somit kann die Prüfung zweck­ mäßig, unabhängig von einer Verbindung des Eingangsanschlus­ ses, durchgeführt werden.

Wenn daher einfach eine Stiftanordnung eines Leistungsan­ schlusses der Halbleitervorrichtung befestigt wird, kann eine Voralterungseinrichtung auf der Basis jeder einzelnen Verkapselung standardisiert werden.

Gemäß einem zweiten Aspekt einer Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung weist der Eingangsanschluß des weiteren einen dritten Eingangsanschluß mehr als bei dem er­ sten Aspekt einer Halbleitervorrichtung auf, und die Halb­ leitervorrichtung weist des weiteren (f) ein Signalerzeu­ gungsmittel auf, welches zwischen den dritten Eingangsan­ schluß und die Halbleiterschaltung eingeschoben ist, um ein bestimmtes Wechselstromsignal unabhängig von einem Wert ei­ nes während der Prüfung an den dritten Eingangsanschluß ge­ legten Signals auszugeben.

Vorzugsweise weist das Signalerzeugungsmittel auf: (f-1) einen Wellenformgenerator für die Ausgabe des bestimmten Wechselstromsignals, (f-2) einen Selektor, welcher mit dem Wellenformgenerator verbunden ist und das Prüfsignal erhält, um einen Ausgang vom Wellenformgenerator an die Halbleiter­ schaltung zu legen, wenn das Prüfsignal aktiviert ist, oder ansonsten ein am dritten Eingangsanschluß erhaltenes Signal anzulegen, wenn das Prüfsignal deaktiviert ist.

Vorzugsweise weist das Signalerzeugungsmittel des weiteren (f-3) einen Oszillator auf, um ein Basissignal, welches wäh­ rend der Prüfung eine Grundlage für das bestimmte Wechsel­ stromsignal darstellt, an den Wellenformgenerator zu legen.

Vorzugsweise beinhaltet der Wellenformgenerator einen Nur- Lese-Speicher.

Bei einem zweiten Aspekt der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung legt das Signalerzeugungsmittel ein bestimmtes Wechselstromsignal an eine Halbleiterschaltung, unabhängig von einem während einer Prüfung an einen Ein­ gangsanschluß gelegten Potential. Somit kann die Prüfung mit einem beliebigen, mit einem beliebigen Eingangsanschluß ver­ bundenen Anschluß einer Voralterungseinrichtung angemessen durchgeführt werden, und zusätzlich wird das Signalerzeu­ gungsmittel, welches herkömmlicherweise für jede Funktion der Vorrichtung benötigt wird, überflüssig. Insbesondere kann eine für jede Funktion einer jeden Vorrichtung ge­ eignete Wellenform durch Einbringen eines Oszillators und eines Wellenformgenerators, welcher einen Nur-Lese-Speicher beinhaltet, programmiert werden.

Ein extern angeschlossenes Signalerzeugungsmittel ist somit nicht nötig. Zusätzlich kann eine Prüfung von Halbleitervor­ richtungen mit verschiedenen Funktionen in der gleichen Vor­ alterungseinrichtung durchgeführt werden.

Gemäß einem dritten Aspekt einer Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung weist das Signalerzeugungsmittel des weiteren über den zweiten Aspekt einer Halbleitervor­ richtung hinaus auf: (f-4) ein Bestätigungsmittel, welches zwischen dem Oszillator und dem Wellenformgenerator ange­ schlossen ist, um den Betrieb des Oszillators und des Wel­ lenformgenerators zu bestätigen.

Vorzugsweise weist das Bestätigungsmittel auf: (f-4-1) eine erste Bestätigungseinheit zur Bestätigung des Betriebs des Wellenformgenerators, und (f-4-2) eine zweite Bestätigungs­ einheit zur Bestätigung des Betriebs des Oszillators.

Vorzugsweise (f-4-1-1) legt die erste Bestätigungseinheit den Ausgang des Oszillators an den Wellenformgenerator, wenn das Prüfsignal aktiviert ist, und (f-4-1-2) weist die erste Bestätigungseinheit einen Externsignalanschluß auf, um ein externes Signal von außen an den Wellenformgenerator zu le­ gen, wenn das Prüfsignal deaktiviert ist; der Wellenformge­ nerator weist einen ersten Überwachungsanschluß auf, an den ein auf dem externen Signal basierender Ausgang gelegt wird.

Vorzugsweise weist die zweite Bestätigungseinheit auf: (f-4- 2-1) ein Schieberegister zum sequentiellen Speichern von Os­ zillatorausgängen, wenn das Prüfsignal aktiviert ist, und (f-4-2-2) einen zweiten Überwachungsanschluß zur Bestätigung des Schieberegisterausgangs.

Bei einem dritten Aspekt der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung können Bestätigungsmittel den Betrieb sowohl eines Wellenformgenerators als auch eines Oszillators bestätigen. Weiterhin kann durch Ausschluß einer Halbleiter­ vorrichtung, an welcher kein bei einer Prüfung benötigtes Wechselstromsignal gelegt wird, ein sehr verläßliches Prü­ fergebnis erhalten werden. Insbesondere legt ein Schiebere­ gister in einer zweiten Bestätigungseinheit seinen Ausgang an einen zweiten Überwachungsanschluß, nachdem eine Flanke eines Oszillatorausgangs mehrere Male erfaßt wird, und daher kann die Verläßlichkeit der Prüfung bestätigt werden.

Somit überprüft das Bestätigungsmittel den Betrieb des Si­ gnalerzeugungsmittels, und folglich kann eine Prüfung mit hoher Verläßlichkeit durchgeführt werden.

Gemäß einem vierten Aspekt einer Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung weist die Halbleitervorrichtung des weiteren über den dritten Aspekt einer Halbleitervor­ richtung hinaus (g) eine mit dem Leistungsanschluß verbun­ dene erste Sicherung auf.

Vorzugsweise weist die Halbleitervorrichtung des weiteren (h) eine zweite Sicherung auf, welche mit der Modusumschal­ tung verbunden ist, um es zu ermöglichen, daß das Prüfsignal darin fließt.

Vorzugsweise weist die Halbleitervorrichtung des weiteren auf: (i) eine mit der zweiten Sicherung verbundene Verdrah­ tung, und (j) eine zweite Verdrahtung für die Übertragung des Prüfsignals an die erste Verdrahtung.

Vorzugsweise handelt es sich bei der Prüfung um Voraltern ("burn-in").

Bei einem vierten Aspekt einer Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung wird eine solche unerwünschte Halbleitervorrichtung, in welcher ein Überstrom fließt, na­ türlich nicht geprüft, da ein in einer Sicherung fließender vorgegebener Strom ihr Schmelzen verursacht, und es besteht insbesondere keine Notwendigkeit für den Schritt, solch eine Halbleitervorrichtung vor der Prüfung zu entfernen.

Somit sind Halbleitervorrichtungen mit Defekten bei einem darin fließenden Überstrom natürlich von den Aufgaben der Prüfung ausgenommen.

Der Leistungsanschluß kann ein Potential, welches sich von dem bestimmten Potential während der Prüfung unterscheidet, an die Halbleiterschaltung legen, und die Halbleitervorrich­ tung kann des weiteren (k) eine Spannungserfassungsschaltung aufweisen, welche mit dem Leistungsanschluß verbunden ist, um das Prüfsignal auszugeben, dessen Aktivie­ rung/Deaktivierung von einem Potential des Leistungsan­ schlusses abhängt.

Vorzugsweise weist die Halbleitervorrichtung des weiteren (1) einen Prüfanschluß auf, welcher das Prüfsignal erhält und dessen Anordnung festgelegt ist.

Somit gibt eine Spannungserfassungsschaltung ein Prüfsignal in Abhängigkeit von einem Potential des Leistungsanschlusses aus, und es ist überflüssig, einen neuen Prüfanschluß vorzu­ sehen.

Die vorliegende Erfindung betrifft auch einen Halbleiterwa­ fer, dessen erster Aspekt aufweist: (a) eine Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen, von denen jede aufweist: (a-1) eine Halbleiterschaltung, welche den Gegenstand einer Prüfung darstellt, (a-2) einen Eingangsanschluß, welcher während ei­ nes gewöhnlichen Betriebs ein Eingangssignal an die Halblei­ terschaltung erhält, (a-3) einen Ausgangsanschluß, welcher während des gewöhnlichen Betriebs ein Ausgangssignal von der Halbleiterschaltung erhält, (a-4) einen Leistungsanschluß, welcher während des gewöhnlichen Betriebs ein bestimmtes Po­ tential an die Halbleiterschaltung legt, (a-5) eine Modusum­ schaltung, welche zwischen den Eingangsanschluß und die Halbleiterschaltung eingeschoben ist und ein während der Prüfung aktiviertes und während des gewöhnlichen Betriebs deaktiviertes Prüfsignal erhält, um seinen Betrieb in Abhän­ gigkeit von dem Prüfsignal umzuschalten, sowie (a-6) eine erste Verdrahtung zum Anlegen des Prüfsignals an die Mo­ dusumschaltung, und (b) eine zweite Verdrahtung, welche die ersten Verdrahtungen der Mehrzahl von Halbleitervorrichtun­ gen gemeinsam verbindet, wobei daß die Modusumschaltung (a- 5-1) das am Eingangsanschluß erhaltene Eingangssignal wäh­ rend des gewöhnlichen Betriebs an die Halbleiterschaltung legt, (a-5-2) während der Prüfung einen bestimmten, festen Wert an die Halbleiterschaltung legt.

Vorzugsweise weist die erste Verdrahtung eine erste Siche­ rung auf.

Bei einem ersten Aspekt eines Halbleiterwafers gemäß der vorliegenden Erfindung verbindet eine zweite Verdrahtung ge­ meinsam erste Verdrahtungen, welche zum Anlegen eines Prüf­ signals an eine Modusumschaltung durch eine Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen verbindet, und daher kann die Mehr­ zahl von Halbleitervorrichtungen in Chips unter Beibehaltung der Wafer-Form geprüft werden. Leistung kann während der Prüfung von der Rückseite des Wafers zugeführt werden.

Somit kann eine Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen in Chips unter Beibehaltung des Wafer-Zustands geprüft werden.

Nach einem zweiten Aspekt eines Halbleiterwafers, welcher auf dem ersten beruht, weist der Eingangsanschluß einen Wechselstromsignalanschluß auf, wobei der Halbleiterwafer des weiteren aufweist: (c) eine Trennungslinie, welche die Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen voneinander trennt, und (d) ein zwischen dem Wechselstromsignalanschluß und der Halbleiterschaltung eingeschobenes Signalerzeugungsmittel, welches unabhängig von dem Wert eines während der Prüfung an den Wechselstromsignalanschluß gelegten Signals ein bestimm­ tes Wechselstromsignal ausgibt und in der Trennungslinie ge­ bildet ist.

Vorzugsweise weist der Halbleiterwafer des weiteren (e) eine zwischen das Signalerzeugungsmittel und die Halbleiterschal­ tung eingeschobene Sicherung auf.

Vorzugsweise weist das Signalerzeugungsmittel auf: (d-1) einen Wellenformgenerator zum Ausgeben des bestimmten Wech­ selstromsignals, und (d-2) einen mit dem Wellenformgenerator verbundenen Selektor, welcher das Prüfsignal erhält und den Ausgang des Wellenformgenerators oder ein an den Wechsel­ stromsignalanschluß gelegtes Signal an die Halbleiterschal­ tung legt, wenn das Prüfsignal aktiviert bzw. deaktiviert ist.

Vorzugsweise weist das Signalerzeugungsmittel des weiteren (d-3) einen Oszillator auf, um ein Basissignal, bei welchem es sich um die Basis eines bestimmten Wechselstromsignals handelt, während der Prüfung an den Wellenformgenerator zu legen.

Vorzugsweise weist das Signalerzeugungsmittel des weiteren (d-4) ein Bestätigungsmittel auf, welches zwischen dem Os­ zillator und dem Wellenformgenerator verbunden ist, um den Betrieb des Oszillators und des Wellenformgenerators zu be­ stätigen.

Bei einem zweiten Aspekt eines Halbleiterwafers nach der vorliegenden Erfindung erübrigt sich ein für jede Funktion der Vorrichtung erforderlicher Wellenformgenerator, da das Signalerzeugungsmittel ein bestimmtes Wechselstromsignal un­ abhängig von dem Wert eines an einen Wechselstromsignalan­ schluß gelegten Signals ausgibt. Zusätzlich ist das Si­ gnalerzeugungsmittel in einer Trennungslinie hergestellt, und daher kann eine Prüfung einer Mehrzahl von Halbleiter­ vorrichtungen in Chips ohne Verschlechterung der Integrati­ onsdichte durchgeführt werden. Der auf den zweiten Aspekt des Halbleiterwafers der vorliegenden Erfindung bezogene Wechselstromsignalanschluß entspricht dem dritten Eingangs­ anschluß im zweiten Aspekt der Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf ein Verfah­ ren zur Herstellung eines Halbleiterwafers, welches die Schritte umfaßt: (a) Bilden einer Mehrzahl von Halbleiter­ vorrichtungen, von denen jede aufweist: (a-1) eine den Ge­ genstand einer Prüfung darstellende Halbleiterschaltung, (a- 2) einen Eingangsanschluß, welcher während eines gewöhnli­ chen Betriebs ein Eingangssignal an die Halbleiterschaltung erhält, (a-3) einen Ausgangsanschluß, welcher während des gewöhnlichen Betriebs ein Ausgangssignal von der Halbleiter­ schaltung erhält, (a-4) einen Leistungsanschluß, welcher während des gewöhnlichen Betriebs ein bestimmtes Potential an die Halbleiterschaltung legt, (a-5) eine Modusumschal­ tung, welche zwischen den Eingangsanschluß und die Halblei­ terschaltung eingeschoben ist und ein Prüfsignal erhält, welches während der Prüfung aktiviert und während des ge­ wöhnlichen Betriebs deaktiviert ist, um ihren Betrieb in Ab­ hängigkeit von dem Prüfsignal umzuschalten, und (a-6) eine Sicherung zum Anlegen des Prüfsignals an die Modusumschal­ tung, (b) Bilden einer Prüfverdrahtung, welche die ersten Verdrahtungen der Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen ge­ meinsam verbindet, und (c) Durchführung der Prüfung an der Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen, wobei die Modusum­ schaltung (a-5-1) das während des gewöhnlichen Betriebs am Eingangsanschluß erhaltene Eingangssignal an die Halbleiter­ schaltung legt, (a-5-2) während der Prüfung einen bestimm­ ten, festen Wert an die Halbleiterschaltung legt.

Vorzugsweise umfaßt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers des weiteren den Schritt (d) der selektiven Entfernung der Prüfverdrahtung, so daß die Prüfverdrahtung nach dem Schritt (c) an einer Verbindungsstelle zwischen der Prüfverdrahtung verbleibt.

Vorzugsweise umfaßt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers des weiteren die Schritte: (f) Bilden eines Passivierungsfilms auf der Halbleitervorrichtung, und (g) Frei legen des Eingangsanschlusses und des Ausgangsanschlus­ ses.

Da bei einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwa­ fers nach der vorliegenden Erfindung eine Prüfverdrahtung so gebildet ist, daß sie eine Sicherung, welche ein Prüfsignal an eine Modusumschaltung legt, gemeinsam mit einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen verbindet, kann ein Halbleiter­ wafer erhalten werden, bei dem eine Mehrzahl von Halbleiter­ vorrichtungen in Chips gemeinsam geprüft wird. Die Prüfver­ drahtung, welche sich auf das Verfahren zur Herstellung ei­ nes Halbleiterwafers nach der vorliegenden Erfindung be­ zieht, entspricht der zweiten Verdrahtung, welche sich auf den ersten Aspekt des Halbleiterwafers der vorliegenden Er­ findung bezieht. Insbesondere nach Ausführung der Prüfung ereignen sich keine unerwünschten Kurzschlüsse beim Trennen der Chips voneinander aufgrund von selektiver Ätzung der Prüfverdrahtung. Andererseits ereignen sich beim Trennen der Chips, wenn die Sicherung mit Hilfe eines Lasers eingestellt wird, keine unerwünschten Kurzschlüsse, obwohl sich die An­ zahl der Schritte beim Ätzen einer Metallverdrahtung auf dem Halbleiterwafer verringert.

Gemäß einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers nach der vorliegenden Erfindung kann eine Prüfung einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen an Chips durchgeführt werden. Insbesondere durch Vorsehen einer Sicherung, welche nach der Beendigung der Prüfung eingestellt wird, können un­ erwünschte Kurzschlüsse nach der Trennung verhindert werden.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf eine Voral­ terungseinrichtung für eine Halbleitervorrichtung, und ein erster Aspekt davon ist die Durchführung einer Prüfung einer Halbleitervorrichtung mit (a) einer Halbleiterschaltung, welche den Gegenstand einer Prüfung darstellt, (b) einem Eingangsanschluß, welcher während eines gewöhnlichen Be­ triebs ein Eingangssignal an die Halbleiterschaltung erhält, (c) einem Ausgangsanschluß, welcher während des gewöhnlichen Betriebs ein Ausgangssignal von der Halbleiterschaltung er­ hält, (d) einem Leistungsanschluß, welcher während des ge­ wöhnlichen Betriebs ein bestimmtes Potential an die Halblei­ terschaltung legt, (e) einer Modusumschaltung, welche zwi­ schen den Eingangsanschluß und die Halbleiterschaltung ein­ geschoben ist und ein Prüfsignal erhält, welches während der Prüfung aktiviert und während des gewöhnlichen Betriebs deaktiviert ist, um ihren Betrieb in Abhängigkeit von dem Prüfsignal umzuschalten, und (f) einer Sicherung zum Anlegen des Prüfsignals an die Modusumschaltung, wobei die Modusum­ schaltung (e-1) während des gewöhnlichen Betriebs das am Eingangsanschluß erhaltene Eingangssignal an die Halbleiter­ schaltung legt, und (e-2) während der Prüfung einen bestimm­ ten, festen Wert an die Halbleiterschaltung legt. Die Voral­ terungseinrichtung für die Halbleitervorrichtung umfaßt einen Prüf-Leistungsanschluß, um ein Prüfpotential nur an den Leistungsanschluß zu legen.

Bei einem ersten Aspekt einer Voralterungseinrichtung nach der vorliegenden Erfindung legt ein Prüf-Leistungsanschluß ein Prüfpotential nur an einen Leistungsanschluß einer Halb­ leitervorrichtung, und daher wirkt sich eine Anordnung von anderen Eingangsanschlüssen der Halbleitervorrichtung nicht auf die Durchführung der Prüfung aus.

Bei einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung dient eine Voralterungseinrichtung einer Halbleitervorrichtung dazu, eine Prüfung an einer Halbleitervorrichtung durch­ zuführen, welche aufweist: (a) eine Halbleiterschaltung, welche einen Gegenstand einer Prüfung darstellt, (b) einen Eingangsanschluß, welcher während eines gewöhnlichen Be­ triebs ein Eingangssignal an die Halbleiterschaltung erhält, (c) einen Ausgangsanschluß, welcher während des gewöhnlichen Betriebs ein Ausgangssignal von der Halbleiterschaltung er­ hält, (d) einen Leistungsanschluß, welcher während des ge­ wöhnlichen Betriebs ein bestimmtes Potential an die Halblei­ terschaltung legt, (e) einen Prüfanschluß, welcher ein Prüf­ signal erhält, welches während der Prüfung aktiviert und während des gewöhnlichen Betriebs deaktiviert ist, (f) eine Modusumschaltung, welche zwischen den Eingangsanschluß und die Halbleiterschaltung eingeschoben ist, um ihren Betrieb in Abhängigkeit von dem Prüfsignal umzuschalten, und (g) eine Sicherung, um das Prüfsignal an die Modusumschaltung zu legen, wobei die Modusumschaltung (f-1) während des gewöhn­ lichen Betriebs das am Eingangsanschluß erhaltene Eingangs­ signal an die Halbleiterschaltung legt und (f-2) während der Prüfung einen bestimmten, festen Wert an die Halbleiter­ schaltung legt. Die Voralterungseinrichtung umfaßt einen Prüf-Leistungsanschluß, um ein Prüfpotential nur an den Lei­ stungsanschluß und den Prüfanschluß zu legen.

Bei einem zweiten Aspekt einer Voralterungseinrichtung nach der vorliegenden Erfindung legt ein Prüf-Leistungsanschluß ein Prüfpotential nur an einen Leistungsanschluß und einen Prüfanschluß der Halbleitervorrichtung, und daher wirkt sich eine Anordnung von anderen Eingangsanschlüssen der Halblei­ tervorrichtung nicht auf die Durchführung der Prüfung aus.

Bei einem ersten und einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann eine Voralterungseinrichtung, welche keine daran angebrachte Eingangsverdrahtung erfordert und welche einfach und mit geringen Kosten hergestellt wird, auf der Grundlage jeder Verkapselung standardisiert werden.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung.

Es zeigt:

Fig. 1 und 2 Blockschaltbilder einer ersten bevorzugten Ausführungsform nach der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 3 und 4 Blockschaltbilder einer zweiten bevorzugten Ausführungsform nach der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 5 ein Blockschaltbild einer dritten bevorzug­ ten Ausführungsform nach der vorliegenden Erfindung;

Fig. 6 und 7 Blockschaltbilder einer vierten bevorzugten Ausführungsform nach der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 8 und 9 Draufsichten auf eine fünfte bevorzugte Aus­ führungsform nach der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 10, 11 und 12 Draufsichten auf eine sechste bevorzugte Ausführungsform nach der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 13 ein Ablaufdiagramm einer siebten bevorzugten Ausführungsform nach der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 14 eine Draufsicht auf die siebte bevorzugte Ausführungsform nach der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 15 bis 18 Schnittansichten von Verfahrensschritten der siebten bevorzugten Ausführungsform nach der vorliegenden Erfindung;

Fig. 19 eine Draufsicht auf die siebte bevorzugte Ausführungsform nach der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 20 ein Blockschaltbild einer achten bevorzugten Ausführungsform nach der vorliegenden Erfin­ dung; und

Fig. 21, 22 und 23 Blockschaltbilder einer Halbleitervor­ richtung.

Erste bevorzugte Ausführungsform

Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild einer Struktur eines IC 100 einer Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung. Der IC 100 weist einen VCC-Anschluß 2, einen GND-Anschluß 3, Eingangsanschlüsse 4a und 4b und Ausgangsanschlüsse 5, sowie zusätzlich einen Voralterungseinrichtungseinstellanschluß 14 auf. Eingangssignale, welche an den Eingangsanschlüssen 4a und 4b erhalten werden, werden über eine Modusumschaltung 15 an einen Funktionsblock 7 übertragen, um darin verarbeitet zu werden. Der Funktionsblock 7 legt Ausgangssignale an die Ausgangsanschlüsse 5. Zur Vereinfachung ist die Verdrahtung, welche den VCC-Anschluß 2 und den GND-Anschluß 3 mit dem Funktionsblock 7 verbindet, weggelassen.

Die Modusumschaltung 15 besteht aus einer Gruppe von Gattern 16a mit jeweils zwei Eingängen, welche mit dem Eingangsan­ schluß 4a und dem Voralterungseinrichtungseinstellanschluß 14 verbunden sind, und einer Gruppe von Gattern 16b mit je­ weils zwei Eingängen, welche mit dem Eingangsanschluß 4b und dem Voralterungseinrichtungseinstellanschluß 14 verbunden sind.

Der Voralterungseinrichtungseinstellanschluß 14 erhält ein Prüfsignal von einer (später erläuterten) Voralterungsein­ richtung für die Prüfung des IC 100. Das Prüfsignal nimmt bei der Durchführung des Voralterns ein logisches Hoch und an­ sonsten ein logisches Niedrig an.

Jedes der Gatter 16a führt eine logische Inversion relativ zu dem Voralterungseinrichtungseinstellanschluß 14 durch und kombiniert dann das Ergebnis mit dem am Eingangsanschluß 4a erhaltenen Signal, um ein Logikprodukt UND zu erstellen. So­ mit wird bei der Durchführung des Voralterns eine an den Eingangsanschluß 4a gelegte Logik entsprechend als Niedrig festgelegt, um sie an den Funktionsblock 7 zu legen. Jedes der Gatter 16b kombiniert Signale, welche am Voralterungs­ einrichtungseinstellanschluß 14 und am Eingangsanschluß 4b erhalten werden, um eine logische Summe ODER zu erstellen. Somit wird im Fall der Durchführung von Voraltern eine an den Eingangsanschluß 4b gelegte Logik entsprechend als Hoch festgelegt, um sie an den Funktionsblock 7 zu legen. Wenn andererseits kein Voraltern durchgeführt wird, wird ein ent­ weder am Eingangsanschluß 4a oder 4b erhaltenes Signal unter Beibehaltung seiner gegenwärtigen Logik an den Funktions­ block 7 gelegt.

Fig. 2 zeigt eine Verbindung zwischen einer als Prüfeinrich­ tung für eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendeten Voralterungseinrichtung 90 und ICs 81 für die Verkapselung der IC 100. Der VCC-Anschluß 2 und der GND-Anschluß 3 jedes IC 100 (IC 81) ist mit einem VCC-Anschluß 10 bzw. einem GND-Anschluß 11 der Voralterungseinrichtung 90 verbunden, und ihre Ausgänge sind in den geöffneten Zustand versetzt. Ein an den VCC-Anschluß 10 und den GND-Anschluß 11 der Voralterungseinrichtung 90 gelegter Potentialunterschied ist so angelegt, daß er größer ist als der bei normaler Ver­ wendung an den VCC-Anschluß 2 und den GND-Anschluß 3 des IC 100 (IC 81) gelegter, und daß keine Zerstörung von Bautei­ len verursacht wird, während die Umgebungstemperatur erhöht wird, um eine Voralterungsprüfung durchzuführen.

Wenn der wie obig dargestellte strukturierte IC 100 einem Voraltern unterzogen wird, kann lediglich durch Anlegen ei­ nes Prüfsignals an den Voralterungseinrichtungseinstellan­ schluß 14 eine bestimmte Logik unabhängig von an den Ein­ gangsanschlüssen 4a und 4b erhaltenen Signalen an den Funk­ tionsblock 7 gelegt werden. Da, was das Prüfsignal betrifft, das logische Hoch angelegt wird, ist der Voralterungsein­ richtungseinstellanschluß 14 gemeinsam mit dem VCC-Anschluß 2 verbunden.

Wenn es also nicht erforderlich ist, die bei der Durchfüh­ rung des Voralterns verwendete Voralterungseinrichtung mit einem Eingangsanschluß zu verbinden, und wenn nur eine Stiftanordnung von VCC-Anschluß, GND-Anschluß 3 und Voralte­ rungseinrichtungseinstellanschluß 14 des IC 81 standardisiert und bestimmt wird, wird Voraltern unabhängig von einer un­ terschiedlichen Stiftanordnung der Eingangsanschlüsse 4a und 4b durchgeführt. Somit kann die Voralterungseinrichtung 90 durch Verwendung des IC 100 in jeder Verkapselung standardi­ siert werden.

Wenn darüber hinaus der IC 100 nicht einem Voraltern unterzo­ gen wird, werden an die Eingangsanschlüsse 4a und 4b gelegte Signale unter Beibehaltung ihres gegenwärtigen Status an den Funktionsblock 7 gelegt, weshalb er als gewöhnliches Bauteil eingesetzt werden kann.

Zweite bevorzugte Ausführungsform

Fig. 3 zeigt ein Blockschaltbild einer Struktur eines IC 101 einer Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung. Der IC 101 weist eine Struktur auf, in welcher ein Eingangs­ anschluß 4c, ein Oszillator 17, ein Wellenformgenerator 18 und ein Selektor 19 zusätzlich zu den Bestandteilen des in der ersten bevorzugten Ausführungsform beschriebenen IC 100 vorhanden sind.

In Fig. 3 unterbricht der Oszillator die Schwingung, wenn eine Logik eines von dem Voralterungseinrichtungseinstellan­ schluß 14 erhaltenen Prüfsignals Niedrig ist und schwingt, wenn die Logik Hoch ist. Der Wellenformgenerator 18 erhält einen Ausgang von dem Oszillator 17, um ein bestimmtes Wech­ selstromsignal für dynamisches Voraltern an einen A-Eingang eines Selektors 19 zu legen. Der B-Eingang des Selektors 19 ist mit dem Eingangsanschluß 4c verbunden. Der Selektor 19 gibt selektiv ein Eingangssignal des Eingangsanschlusses 4c aus, wenn eine Logik des Prüfsignals Niedrig ist, oder einen bestimmtes Wechselstromsignalausgang vom Wellenformgenerator 18, wenn die Logik Hoch ist.

Somit legt der IC 101 nicht nur gleichwertig die an die Ein­ gangsanschlüsse 4a und 4b gelegten Logikwerte als Niedrig bzw. Hoch fest, um sie an den Funktionsblock 7 zu legen, wenn er ähnlich wie der IC 100 einem Voraltern unterzogen wird, sondern legt unabhängig von dem am Eingangsanschluß 4c erhaltenen Signal ein bestimmtes Wechselstromsignal an den Funktionsblock 7.

Bei dem wie vorstehend beschrieben strukturierten IC 101 kann lediglich durch Bestimmung einer Stiftanordnung von VCC-An­ schluß 2, GND-Anschluß 3 und Voralterungseinrichtungsein­ stellanschluß 14 ein Voraltern unabhängig von einer anderen Stiftanordnung der Eingangsanschlüsse 4a, 4b und 4c durchge­ führt werden. Somit kann die Voralterungseinrichtung 90, ähnlich wie im Fall der Verwendung des IC 100, für jede Ver­ kapselung standardisiert werden. Da es des weiteren nicht nötig ist, ein bestimmtes Wechselstromsignal extern in die Voralterungseinrichtung 90 einzuführen, sind ein externer Anschluß und ein damit verbundener Wellenformgenerator über­ flüssig. Mit anderen Worten bedeutet dies, daß die Voralte­ rungseinrichtung 90 allein angewendet werden kann, um entwe­ der statisches oder dynamisches Voraltern durchzuführen.

Fig. 4 zeigt ein Blockschaltbild einer Struktur des Wellen­ formgenerators 18. Ein Ausgang vom Oszillator 17 wird über einen Takteingangsanschluß 20 an eine ROM-Adressenerzeu­ gungsschaltung 23 gelegt. Der ROM ("Read Only Memory" / Nur- Lese-Speicher) 22 ist mit einer ROM-Adressenerzeugungsschal­ tung 23 verbunden, um in ihm gespeicherte Werte in Abhängig­ keit von Adressen, welche der ROM-Adressenerzeugungsschal­ tung 23 bestimmt, sequentiell an einen ROM-Ausgangsanschluß 21 zu legen.

Auf diese Weise ermöglicht der Wellenformgenerator 18, wel­ cher den ROM 22 beinhaltet, eine Wellenform, welche mit je­ der der zu programmierenden Funktionen jedes IC 101 vereinbar ist. Somit kann eine Mehrzahl der ICs 101, von welchen jeder eine von den anderen unterschiedliche Funktion besitzt, gleichzeitig unter Verwendung der Voralterungseinrichtung 90 geprüft werden, wenn nur eine identische Verkapselung ver­ wendet wird und die Stiftanordnung von VCC-Anschluß 2, GND- Anschluß 3 und Voralterungseinrichtungseinstellanschluß 14 standardisiert und bestimmt ist.

Es ist auch möglich, einen Takteingang von außen direkt an den Wellenformgenerator zu legen, ohne daß der Oszillator 17 in der Struktur enthalten wäre.

Dritte bevorzugte Ausführungsform

Fig. 5 zeigt ein Blockschaltbild einer Struktur eines IC 102 eines Halbleiters gemäß der vorliegenden Erfindung. Der IC 102 weist eine Anordnung auf, in der eine Sicherung 27 zu­ sätzlich zu der Struktur des in der ersten Ausführungsform beschriebenen IC 100 vorhanden ist.

Da die Sicherung 27 mit dem VCC-Anschluß 2 verbunden ist, verursacht ein darin fließender vorgegebener Strom ihr Durchschmelzen, wodurch ein von dem VCC-Anschluß 2 an den Funktionsblock 7 zu legendes Potential unterbrochen wird. Das Fließen des vorgegebenen Stroms zeigt an, daß ein Faktor als Ursache einer Störung vorhanden ist, welcher einen Über­ strom bedingt, und solch ein IC 102 braucht keinem Voraltern unterzogen zu werden.

Durch Einbringen der Sicherung 27 ist das Vorhandensein ei­ nes Störfaktors im IC 102 selbstverständlich ausgeschlossen, und der zusätzliche Schritt der Entfernung solch eines nicht konformierenden IC 102 wird überflüssig.

Wie schon in der ersten bevorzugten Ausführungsform erklärt, ist es aufgrund des während der Voralterungsoperation (Fig. 2) gemeinsam mit dem VCC-Anschluß 2 verbundenen Voralte­ rungseinrichtungseinstellanschlusses 14 von Nutzen, die Si­ cherung 27 zwischen dem Voralterungseinrichtungseinstellan­ schluß 14 und der Modusumschaltung wie in Fig. 5 vorzusehen, um die Wirkungen der dritten bevorzugten Ausführungsform zu verbessern.

Vierte bevorzugte Ausführungsform

Fig. 6 zeigt ein Blockschaltbild einer Struktur eines IC 103 einer Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung. Der IC 103 weist eine Struktur auf, in welcher eine Test­ schaltung 50, ein externer Takteingangsanschluß 34, ein Os­ zillatorüberwachungsanschluß 38 und ein Wellenformgenerator­ überwachungsanschluß 36 zusätzlich zu den Bestandteilen des in der zweiten bevorzugten Ausführungsform beschriebenen IC 101 vorhanden sind.

Die Testschaltung 50 ist zwischen dem Oszillator 17 und dem Wellenformgenerator 18 vorgesehen, um ihren jeweiligen Be­ trieb zu testen, und die Ergebnisse können im Oszillator­ überwachungsanschluß 38 bzw. im Wellenformgeneratorüberwa­ chungsanschluß 36 bestätigt werden.

Fig. 7 zeigt ein Blockschaltbild eines Anschlußverhältnisses zwischen der Testschaltung 50, dem Oszillator 17, dem Wel­ lenformgenerator 18 und ihrer Umgebung. Die Testschaltung 50 besteht aus dem Selektor 19 und einem n-stufigen Schiebere­ gister 37. Der B-Eingang und der A-Eingang des Selektors 19 sind mit dem externen Takteingangsanschluß 34 bzw. dem Os­ zillator 17 verbunden, und der Y-Ausgang des Selektors ist mit dem Wellenformgenerator 18 verbunden. Das Schieberegi­ ster 37 besteht aus Flip-Flops in vielstufiger Reihenverbin­ dung zwischen dem Oszillator 17 und dem Oszillatorüberwa­ chungsanschluß 38. Der Wellenformgeneratorüberwachungsan­ schluß 36 ist mit dem Wellenformgenerator 18 verbunden.

Wenn die Logik eines an den Voralterungseinrichtungsein­ stellanschluß 14 gelegten Prüfsignals Hoch ist, wird Voral­ tern durchgeführt und ein Betrieb des Oszillators 17 über­ prüft, und wenn die Logik Niedrig ist, wird gewöhnlicher Be­ trieb durchgeführt und ein Betrieb des Wellenformgenerators 18 überprüft.

Wenn anfangs die Logik des Voralterungseinrichtungseinstell­ anschlusses 14 Niedrig ist, wählt der Selektor 19 seinen B- Eingang so, daß ein externer Takt, welcher am externen Tak­ teingangsanschluß 34 erhalten wird, an den Wellenformgenera­ tor 18 gelegt wird. Der Wellenformgenerator 18 arbeitet syn­ chron mit dem externen Takt. Somit kann der Betrieb des Wel­ lenformgenerators 18 durch externen Anschluß eines Prüfge­ räts an den externen Takteingangsanschluß 34 im Wellenform­ generatorüberwachungsanschluß 36 bestätigt werden, wenn kein Voraltern durchgeführt wird.

Da es tatsächlich nicht nötig ist, den Wellenformgenerator 18 zu betreiben, wenn der IC 103 als normales Bauteil verwen­ det wird, braucht der externe Takt nicht an den externen Takteingangsanschluß 34 gelegt zu werden.

Wenn dann die Logik des an den Voralterungseinrichtungsein­ stellanschluß 14 gelegten Prüfsignals Hoch wird, wählt der Selektor 19 seinen A-Eingang so, daß ein Ausgang vom Oszil­ lator 17 an den Wellenformgenerator 18 gelegt wird. Wenn die Logik des Prüfsignals jedoch Hoch ist, unterbricht der Os­ zillator 17, das Schieberegister 37 wird initialisiert, und der Oszillatorüberwachungsanschluß 38 gibt einen Niedrig-Pe­ gel aus. Wenn sich die Logik des Prüfsignals von Niedrig zu Hoch verändert, beginnt der Oszillator 17 zu arbeiten, und eine Logik eines Flip-Flop der ersten Stufe ändert sich von Niedrig zu Hoch in Abhängigkeit einer ersten ansteigenden Flanke des Ausgangs vom Oszillator.

Bei einem zweiten Anstieg des Ausgangs vom Oszillator 17 setzt sich ein logisches Hoch zu einem Flip-Flop der zweiten Stufe fort, und bei einem n-ten Anstieg des Ausgangs vom Os­ zillator 17 setzt sich das logische Hoch zu einem Flip-Flop der n-ten Stufe (der letzten Stufe) fort. Somit kann durch Überwachung einer Logik des Oszillatorüberwachungsanschlus­ ses 38 in Abhängigkeit davon, ob das logische Hoch nach ei­ ner entsprechenden Periode von Zeitabläufen aufscheint, be­ stätigt werden, ob der Betrieb des Oszillators annehmbar ist.

Da sich das Schieberegister 37 aus größeren Stufen von Flip- Flops zusammensetzt, kann die Annehmbarkeit/Unannehmbarkeit des Oszillators mit größerer Sicherheit erkannt werden, wo­ bei es aber auch möglich ist, die Anzahl von Stufen auf der Basis von früheren Erfahrungen zu reduzieren.

Bei Voraltern erzeugt der Wellenformgenerator 18 ein be­ stimmtes Wechselstromsignal aus seinem Ausgangsanschluß 35, um es an den Funktionsblock 7 zu legen.

Fünfte bevorzugte Ausführungsform

In der ersten bis vierten Ausführungsform wurden Ausfüh­ rungsformen in Bezug auf eine Halbleitervorrichtung nach der Verkapselung beschrieben. Der Halbleiterwafer gemäß der vor­ liegenden Erfindung kann jedoch im Chip-Zustand einem Voral­ tern unterzogen werden. Zuerst wird ein Fall beschrieben, in dem ein IC 102a mit einer ähnlichen Struktur wie der in der dritten bevorzugten Ausführungsform beschriebene IC 102 in einem Halbleiterwafer 24 gebildet wird. Der Unterschied zwi­ schen dem IC 102a und dem IC102 wird ebenfalls später be­ schrieben.

Fig. 8 zeigt ein Schemadiagramm der Struktur des Halbleiter­ wafers 24 gemäß der vorliegenden Erfindung. Auf dem Halblei­ terwafer 24 sind eine Mehrzahl von ICs 102a gebildet, welche durch eine Trennungslinie 30 voneinander getrennt sind. Bei dem Halbleiterwafer 24 ist eine Metallverdrahtung 25a auf einer Oberfläche gebildet, auf der die ICs 102a wie in Fig. 8 gezeigt gebildet sind. Im Vergleich zu dem IC 102 weisen die ICs 102a zwar keinen Voralterungseinrichtungseinstellan­ schluß 14, aber die Metallverdrahtung 25a auf. Die Metall­ verdrahtung 25a entspricht dem in Fig. 5 beschriebenen Vor­ alterungseinrichtungseinstellanschluß 14 und erhält ein Prüfsignal. Die Metallverdrahtung 25a ist über ein Kontakt­ loch 26 mit der Mehrzahl von ICs 102a gemeinsam verbunden.

In Fig. 9 ist eine vergrößerte Ansicht des Kontaktlochs 26 und seiner Umgebung gezeigt, um ein Anschlußverhältnis zwi­ schen der Metallverdrahtung 25a und dem IC 102 darzustellen. Die Metallverdrahtung 25a ist über eine Verdrahtung 29a mit der Sicherung 27 verbunden. Ein in einem Chip entwickeltes Potential VCC ist über eine Verdrahtung 29a mit der Siche­ rung 27 verbunden. Die Verbindung zwischen der Metallver­ drahtung 25a und der Verdrahtung 29a besteht in dem Kontakt­ loch 26, während die Verbindung von gegenüberliegenden An­ schlüssen der Sicherung 27 im Kontaktloch 28 besteht.

Ein Pad 60 ist eine Elektrode, welche gleichwertig mit den in Fig. 5 gezeigten Eingangsanschlüssen 4a und 4b und den Ausgangsanschlüssen 5 ist. Die Verdrahtungen 29a und 29b, die Sicherung 27, und der Pad 60 sind in einer Seite eines Substrats 24a des Halbleiterwafers 24 gebildet und stellen zusammen einen Teil des IC 102a dar.

Erneut mit Bezug auf Fig. 8 verbindet die Metallverdrahtung 25a gemeinsam die ICs 102a, welche alle im Halbleiterwafer 24 gebildet sind, und daher kann ein Prüfsignal überall an die Metallverdrahtung 25a gelegt werden. Ein weiteres gege­ benes Potential kann an die andere (Rück-)Seite des Sub­ strats 24a gelegt werden. Es ist möglich, eine solche Opera­ tion durchzuführen, wenn der angebrachte Halbleiterwafer 24 leitend ist.

Wenn es sich zum Beispiel bei dem Substrat 24a um ein P-Sub­ strat handelt, kann das Potential VCC an die Metallverdrah­ tung 25a und das Potential GND (die Erdung) von der Rück­ seite her an das Substrat 24a gelegt werden. Falls es sich bei dem Substrat 24a um ein N-Substrat handelt, können die angelegten Potentiale umgekehrt sein.

Somit werden die ICs 102a in dem Halbleiterwafer 24 im Chip- Zustand, d. h. ohne verkapselt zu sein, einem Voraltern un­ terzogen. Nach dem Voraltern werden die ICs 102a durch einen Schnitt entlang der Trennungslinie 30 voneinander getrennt. Als Ergebnis ist ein durch die Verdrahtung 25a verursachter, unerwünschter Kurzschluß zu erwarten, da die Verdrahtungs­ leitung 25a an einem Querschnitt eines jeden IC 102a freige­ legt ist. Um dies zu vermeiden, kann ein Pfad zwischen dem IC 102a und der Verdrahtung 25a durch Abtrennen der Sicherung 27 unterbrochen werden.

Wenn die Sicherung 27 (zum Einstellen) mit einem Laser ge­ schnitten wird, kann das Einstellen ohne Erhöhung der Anzahl von Metallätzungsvorgängen durchgeführt werden. Die Siche­ rung 27 kann sich ferner auf der Trennungslinie 30 befinden.

Sechste bevorzugte Ausführungsform

Ein Halbleiterwafer gemäß der vorliegenden Erfindung kann in einem Fall angewendet werden, in dem des weiteren der Oszil­ lator 17 und der Wellenformgenerator 18 des IC 101 wie in der zweiten bevorzugten Ausführungsform vorgesehen sind.

Fig. 10 zeigt zeigt ein vergrößertes Diagramm des Kontaktl­ ochs 26 und seiner Umgebung auf dem Halbleiterwafer nach der vorliegenden Erfindung. Eine in Fig. 10 gezeigte Struktur besteht darin, daß der Oszillator 17 und der Wellenformgene­ rator auf die Trennungslinie 30 aufgesetzt werden. Sie sind über die Verdrahtungen 25b und 29c mit der Verdrahtung 29b verbunden. Die Verdrahtungen 25b und 29c sind so angeordnet, daß sie den Oszillator 17 und den Wellenformgenerator 18 mit Leistung versorgen.

Der Halbleiterwafer 24 wird mit darin vorgesehenen Chips wie in der zweiten bevorzugten Ausführungsform beschrieben im Chip-Zustand, d. h. ohne Verkapselung, einem dynamischen Vor­ altern unterzogen.

Der Oszillator 17 und der Wellenformgenerator 18 sind bei gewöhnlichem Betrieb unnötig und können nach beendetem Vor­ altern entfernt werden. Somit sind sie auf der Trennungsli­ nie 30 oder einem später zu entfernenden Teil angeordnet, so daß eine verringerte IC-Integration vermieden werden kann.

In dieser Ausführungsform kann unerwünschter Kurzschluß, welcher durch Freilegen der Verdrahtung 25a beim Durch­ schneiden der Trennungslinie 30 verursacht wird, durch Ein­ stellen der Sicherung 27 vermieden werden.

Weiterhin kann unerwünschter Kurzschluß, welcher durch Frei­ legen der Verdrahtungen beim Durchschneiden der Trennungsli­ nie verursacht wird, durch Vorsehen der Sicherung 27 an ei­ nem Ausgangsanschluß 35 des Wellenformgenerators und im Ver­ lauf der Verdrahtung 29c vermieden werden.

Auf diese Weise können des weiteren die im nachfolgenden be­ schriebenen Wirkungen durch Vorsehen des Oszillators 17 und des Wellenformgenerators 18 in der Trennungslinie 30 er­ reicht werden. Wie beispielsweise in Fig. 11 gezeigt, kann der in der Trennungslinie 30 vorgesehene Wellenformgenerator 18 ein bestimmtes Wechselstromsignal über die Trennungslinie 30 an eine Mehrzahl von benachbarten ICs übertragen.

Ebenso ist es wie in Fig. 12 gezeigt möglich, eine Test­ schaltung 50 in der Trennungslinie 30 vorzusehen, und dyna­ misches Voraltern kann ohne verschlechterte Integration durchgeführt werden.

Siebte bevorzugte Ausführungsform

Fig. 13 zeigt ein Ablaufdiagramm, welches ein Herstellungs­ verfahren für einen Halbleiterwafer nach der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Verfahrensschritte bei der Her­ stellung des Halbleiterwafers sind in der Fig. 14 bis 18 entsprechenden Reihenfolge erklärt.

Zuerst werden Chips mit einer für die Durchführung eines ge­ wöhnlichen Betriebs benötigten Struktur hergestellt (Schritt S1). Beispielsweise ist, wie in Fig. 14 gezeigt, die Tren­ nungslinie im Substrat 24a gebildet, und die ICs 102a sind durch die Trennungslinie unterteilt hergestellt. Jeder der ICs 102a ist mit dem Pad 60, der Verdrahtung 29a und der Si­ cherung 27 versehen. Dies ist in einer Schnittansicht von Fig. 15 gezeigt.

Dann wird, wie in Fig. 16 gezeigt, das Kontaktloch 26 geöff­ net, um einen Teil der Verdrahtung 29a freizulegen (Schritt S2). Danach wird, wie in Fig. 17 gezeigt, die Verdrahtung 25a im Kontaktloch 26 gebildet (Schritt S3). Wie in der fünften und sechsten bevorzugten Ausführungsform beschrieben ist, wird in dieser Situation Voraltern durchgeführt (Schritt S4).

Danach wird die Verdrahtung 25a selektiv entfernt (Schritt S5), ein Passivierungsfilm 32 wird wie in Fig. 18 gezeigt aufgetragen, und ein Loch 33 wird hergestellt, um den Pad 60 freizulegen (Schritt S6). Danach wird der Halbleiterwafer 24 entlang der Trennungslinie 30 durchgeschnitten.

Da die Verdrahtungen 25a und 25b in der siebten bevorzugten Ausführungsform selektiv entfernt werden, kann ein uner­ wünschter Kurzschluß, welcher durch Freilegen dieser Ver­ drahtungen beim Durchschneiden der Trennungslinie 30 verur­ sacht wird, ohne Einstellen der Sicherung 27 vermieden wer­ den. Die Verdrahtungen 25a und 25b müssen jedoch, wie es in Fig. 18 gezeigt ist, in der Nähe des Kontaktlochs 26 ver­ bleiben, um das Kontaktloch 26 zu füllen. Fig. 19 ist eine Draufsicht auf die verbleibenden Verdrahtungen 25a und 25b.

Achte bevorzugte Ausführungsform

Fig. 20 zeigt ein Blockschaltbild einer Struktur eines IC 104 einer Halbleitervorrichtung nach der vorliegenden Erfindung. Bei dem IC 104 ist zusätzlich zu dem in der ersten bevorzug­ ten Ausführungsform beschriebenen IC 100 noch eine Spannungs­ erfassungsschaltung 60 vorhanden. Der Voralterungseinrich­ tungseinstellanschluß 14 ist jedoch nicht vorgesehen.

Die Spannungserfassungsschaltung 60 ist zwischen den VCC-An­ schluß 2 und die Modusumschaltung 15 eingeschoben, und ein Prüfsignal wird in Abhängigkeit von einem an den VCC-An­ schluß 2 gelegten Potential an die Modusumschaltung 15 ge­ legt. Wie schon beschrieben wurde, wird zwischen ihnen bei der Durchführung des Voralterns eine Spannung angelegt, wel­ che höher ist als der bei gewöhnlicher Verwendung an den VCC-Anschluß 2 und den GND-Anschluß 3 gelegte Potentialun­ terschied. Damit ist auch bei der Durchführung des Voral­ terns, wenn ein an den GND-Anschluß gelegtes Potential das gleiche ist wie bei gewöhnlichem Betrieb (d. h. die Erdung), das bei der Durchführung des Voralterns an den VCC-Anschluß 2 gelegte Potential höher als das bei gewöhnlichem Betrieb an den VCC-Anschluß 2 gelegte.

Die Spannungserfassungsschaltung 60 erfaßt den Unterschied zwischen diesen Potentialen, und ein Prüfsignal Niedrig wird an die Modusumschaltung 15 gelegt, wenn entschieden wird, daß es sich um gewöhnlichen Betrieb handelt, und ansonsten wird ein Prüfsignal Hoch an die Modusumschaltung 15 gelegt, wenn entschieden wird, daß es sich um Voraltern handelt.

Auf diese Weise ist der IC 104 ohne den Voralterungseinrich­ tungseinstellanschluß 14 betriebsbereit, und ein beim Voral­ tern eingesetzter Voralterungseinrichtungseinstellanschluß kann wie in der ersten bevorzugten Ausführungsform standar­ disiert werden.

Claims (31)

1. Halbleitervorrichtung mit:
(a) einer Halbleiterschaltung, welche den Gegenstand einer Prüfung darstellt,
(b) einem Eingangsanschluß, welcher während des übli­ chen Betriebs ein Eingangssignal an die Halbleiter­ schaltung erhält,
(c) einem Ausgangsanschluß, welcher während des übli­ chen Betriebs ein Ausgangssignal von der Halbleiter­ schaltung erhält,
(d) einem Leistungsanschluß, welcher während des übli­ chen Betriebs ein bestimmtes Potential an die Halblei­ terschaltung legt, und
(e) einer zwischen den Eingangsanschluß und die Halb­ leiterschaltung eingeschobenen Modusumschaltung zum Um­ schalten ihres Betriebs von der Prüfung auf üblichen Betrieb; wobei
die Modusumschaltung (e-1) das am Eingangsanschluß er­ haltene Eingangssignal während des üblichen Betriebs an die Halbleiterschaltung legt und
(e-2) während der Prüfung einen bestimmten, festen Wert an die Halbleiterschaltung legt.

2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Modusumschaltung ein Prüfsignal er­ hält, welches während der Prüfung aktiviert und während des üblichen Betriebs deaktiviert ist.

3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Eingangsanschluß einen ersten und einen zweiten Eingangsanschluß aufweist,
und daß der bestimmte feste Wert einen ersten und einen zweiten festen Wert umfaßt, und
die Modusumschaltung aufweist: (e-3) ein erstes Gatter für die Ausgabe des ersten festen Werts unabhängig von einem Wert eines während der Prüfung an den ersten Ein­ gangsanschluß gelegten Signals und (e-4) ein zweites Gatter für die Ausgabe des zweiten festen Werts unab­ hängig von einem Wert eines während der Prüfung an den ersten Eingangsanschluß gelegten Signals.

4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Prüfsignal bei seiner Aktivierung den ersten festen Wert, und ansonsten bei seiner Deaktivie­ rung den zweiten festen Wert annimmt.

5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der erste und der zweite vorgegebene Wert dem logischen Wert "1" bzw. "0" entspricht,
(e-2-1) das erste Gatter aufweist: ein mit dem ersten Eingangsanschluß verbundenes erstes Eingangsende, ein das Prüfsignal erhaltendes zweites Eingangsende, und ein Ausgangsende, welches ein logisches Produkt aus ei­ nem an sein erstes Eingangsende gelegten logischen Wert und einem invertierten logischen Wert des Prüfsignals an die Halbleiterschaltung ausgibt, und
(e-3-1) das zweite Gatter aufweist: ein erstes Ein­ gangsende, welches mit dem zweiten Eingangsanschluß verbunden ist, ein zweites Eingangsende, welches das Prüfsignal erhält, und ein Ausgangsende, welches eine logische Summe von logischen Werten seines ersten und zweiten Eingangsendes an die Halbleiterschaltung aus­ gibt.

6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Eingangsanschluß des weiteren einen dritten Eingangsanschluß aufweist; und daß die Halblei­ tervorrichtung des weiteren (f) ein Signalerzeugungs­ mittel aufweist, welches zwischen den dritten Eingangs­ anschluß und die Halbleiterschaltung eingeschoben ist, um ein bestimmtes Wechselstromsignal unabhängig von ei­ nem Wert eines während der Prüfung an den dritten Ein­ gangsanschluß gelegten Signals auszugeben.

7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Signalerzeugungsmittel aufweist:
(f-1) einen Wellenformgenerator für die Ausgabe des be­ stimmten Wechselstromsignals, und
(f-2) einen Selektor, welcher mit dem Wellenformgenera­ tor verbunden ist und das Prüfsignal erhält, um Ausgang vom Wellenformgenerator an die Halbleiterschaltung zu legen, wenn das Prüfsignal aktiviert ist, oder anson­ sten ein am dritten Eingangsanschluß erhaltenes Signal anzulegen, wenn das Prüfsignal deaktiviert ist.

8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Signalerzeugungsmittel des weiteren
(f-3) einen Oszillator aufweist, um ein Basissignal, welches während der Prüfung eine Grundlage für das be­ stimmte Wechselstromsignal darstellt, an den Wellen­ formgenerator zu legen.

9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Wellenformgenerator einen Nur-Lese- Speicher beinhaltet.

10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Signalerzeugungsmittel des weiteren
(f-4) ein Bestätigungsmittel aufweist, welches zwischen dem Oszillator und dem Wellenformgenerator angeschlos­ sen ist, um den Betrieb des Oszillators und des Wellen­ formgenerators zu bestätigen.

11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Bestätigungsmittel aufweist:
(f-4-1) eine erste Bestätigungseinheit zur Bestätigung des Betriebs des Wellenformgenerators, und
(f-4-2) eine zweite Bestätigungseinheit zur Bestätigung des Betriebs des Oszillators.

12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß
(f-4-1-1) die erste Bestätigungseinheit den Ausgang des Oszillators an den Wellenformgenerator legt, wenn das Prüfsignal aktiviert ist, und
(f-4-1-2) die erste Bestätigungseinheit einen Externsi­ gnalanschluß aufweist, um ein externes Signal von außen an den Wellenformgenerator zu legen, wenn das Prüfsi­ gnal deaktiviert ist;
der Wellenformgenerator einen ersten Überwachungsan­ schluß aufweist, an den ein auf dem externen Signal ba­ sierender Ausgang gelegt wird.

13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die zweite Bestätigungseinheit aufweist:
(f-4-2-1) ein Schieberegister zum sequentiellen Spei­ chern von Oszillatorausgängen, wenn das Prüfsignal ak­ tiviert ist, und
(f-4-2-2) einen zweiten Überwachungsanschluß zur Bestä­ tigung des Schieberegisterausgangs.

14. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß sie des weiteren
(g) eine mit dem Lei­ stungsanschluß verbundene erste Sicherung aufweist.

15. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Halbleitervorrichtung des weiteren
(h) eine zweite Sicherung aufweist, welche mit der Mo­ dusumschaltung verbunden ist, um es zu ermöglichen, daß das Prüfsignal darin fließt.

16. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Halbleitervorrichtung des weiteren aufweist:
(i) eine mit der zweiten Sicherung verbundene Verdrah­ tung, und
(j) eine zweite Verdrahtung für die Übertragung des Prüfsignals an die erste Verdrahtung.

17. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß es sich bei der Prüfung um Voraltern ("burn-in") handelt.

18. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Leistungsanschluß ein Potential, wel­ ches sich von dem bestimmten Potential während der Prü­ fung unterscheidet, an die Halbleiterschaltung legt, und die Halbleitervorrichtung des weiteren
(k) eine Span­ nungserfassungsschaltung aufweist, welche mit dem Lei­ stungsanschluß verbunden ist, um das Prüfsignal auszu­ geben, dessen Aktivierung/Deaktivierung von einem Po­ tential des Leistungsanschlusses abhängt.

19. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß sie des weiteren (1) einen Prüfanschluß aufweist, welcher das Prüfsignal erhält und dessen An­ ordnung festgelegt ist.

20. Halbleiterwafer mit:
(a) einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen, von denen jede aufweist:
(a-1) eine Halbleiterschaltung, welche den Gegenstand einer Prüfung darstellt,
(a-2) einen Eingangsanschluß, welcher während eines ge­ wöhnlichen Betriebs ein Eingangssignal an die Halblei­ terschaltung erhält,
(a-3) einen Ausgangsanschluß, welcher während des ge­ wöhnlichen Betriebs ein Ausgangssignal von der Halblei­ terschaltung erhält,
(a-4) einen Leistungsanschluß, welcher während des ge­ wöhnlichen Betriebs ein bestimmtes Potential an die Halbleiterschaltung legt,
(a-5) eine Modusumschaltung, welche zwischen den Ein­ gangsanschluß und die Halbleiterschaltung eingeschoben ist und ein während der Prüfung aktiviertes und während des gewöhnlichen Betriebs deaktiviertes Prüfsignal er­ hält, um seinen Betrieb in Abhängigkeit von dem Prüfsi­ gnal umzuschalten, sowie
(a-6) eine erste Verdrahtung zum Anlegen des Prüfsi­ gnals an die Modusumschaltung, und
(b) eine zweite Verdrahtung, welche die ersten Verdrah­ tungen der Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen gemein­ sam verbindet, wobei
die Modusumschaltung
(a-5-1) das am Eingangsanschluß erhaltene Eingangssi­ gnal während des gewöhnlichen Betriebs an die Halblei­ terschaltung legt,
(a-5-2) während der Prüfung einen bestimmten, festen Wert an die Halbleiterschaltung legt.

21. Halbleiterwafer nach Anspruch 20, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste Verdrahtung eine erste Sicherung aufweist.

22. Halbleiterwafer nach Anspruch 19, dadurch gekennzeich­ net, daß der Eingangsanschluß einen Wechselstromsignal­ anschluß aufweist,
wobei der Halbleiterwafer des weiteren aufweist:
(c) eine Trennungslinie, welche die Mehrzahl von Halb­ leitervorrichtungen voneinander trennt, und
(d) ein zwischen dem Wechselstromsignalanschluß und der Halbleiterschaltung eingeschobenes Signalerzeugungsmit­ tel, welches unabhängig von dem Wert eines während der Prüfung an den Wechselstromsignalanschluß gelegten Si­ gnals ein bestimmtes Wechselstromsignal ausgibt und in der Trennungslinie gebildet ist.

23. Halbleiterwafer nach Anspruch 22, dadurch gekennzeich­ net, daß der Halbleiterwafer des weiteren (e) eine zwi­ schen das Signalerzeugungsmittel und die Halbleiter­ schaltung eingeschobene Sicherung aufweist.

24. Halbleiterwafer nach Anspruch 21, dadurch gekennzeich­ net, daß das Signalerzeugungsmittel aufweist:
(d-1) einen Wellenformgenerator zum Ausgeben des be­ stimmten Wechselstromsignals, und
(d-2) einen mit dem Wellenformgenerator verbundenen Se­ lektor, welcher das Prüfsignal erhält und den Ausgang des Wellenformgenerators oder ein an den Wechselstrom­ signalanschluß gelegtes Signal an die Halbleiterschal­ tung legt, wenn das Prüfsignal aktiviert bzw. deakti­ viert ist.

25. Halbleiterwafer nach Anspruch 22, dadurch gekennzeich­ net, daß das Signalerzeugungsmittel des weiteren
(d-3) einen Oszillator aufweist, um ein Basissignal, bei welchem es sich um die Basis eines bestimmten Wech­ selstromsignals handelt, während der Prüfung an den Wellenformgenerator zu legen.

26. Halbleiterwafer nach Anspruch 24, dadurch gekennzeich­ net, daß das Signalerzeugungsmittel des weiteren
(d-4) ein Bestätigungsmittel aufweist, welches zwischen dem Oszillator und dem Wellenformgenerator verbunden ist, um den Betrieb des Oszillators und des Wellenform­ generators zu bestätigen.

27. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers nach Anspruch 26, welches die Schritte umfaßt:
(a) Bilden einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen, von denen jede aufweist:
(a-1) eine den Gegenstand einer Prüfung darstellende Halbleiterschaltung,
(a-2) einen Eingangsanschluß, welcher während eines ge­ wöhnlichen Betriebs ein Eingangssignal an die Halblei­ terschaltung erhält,
(a-3) einen Ausgangsanschluß, welcher während des ge­ wöhnlichen Betriebs ein Ausgangssignal von der Halblei­ terschaltung erhält,
(a-4) einen Leistungsanschluß, welcher während des ge­ wöhnlichen Betriebs ein bestimmtes Potential an die Halbleiterschaltung legt,
(a-5) eine Modusumschaltung, welche zwischen den Ein­ gangsanschluß und die Halbleiterschaltung eingeschoben ist und ein Prüfsignal erhält, welches während der Prü­ fung aktiviert und während des gewöhnlichen Betriebs deaktiviert ist, um ihren Betrieb in Abhängigkeit von dem Prüfsignal umzuschalten, und
(a-6) eine Sicherung zum Anlegen des Prüfsignals an die Modusumschaltung,
(b) Bilden einer Prüfverdrahtung, welche die ersten Verdrahtungen der Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen gemeinsam verbindet, und
(c) Durchführung der Prüfung an der Mehrzahl von Halb­ leitervorrichtungen, wobei
die Modusumschaltung
(a-5-1) das während des gewöhnlichen Betriebs am Ein­ gangsanschluß erhaltene Eingangssignal an die Halblei­ terschaltung legt,
(a-5-2) während der Prüfung einen bestimmten, festen Wert an die Halbleiterschaltung legt.

28. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers nach Anspruch 26, welches des weiteren den Schritt (d) der selektiven Entfernung der Prüfverdrahtung um­ faßt, so daß die Prüfverdrahtung nach dem Schritt (c) an einer Verbindungsstelle zwischen der Prüfverdrahtung verbleibt.

29. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers nach Anspruch 28, welches des weiteren die Schritte umfaßt:
(f) Bilden eines Passivierungsfilms auf der Halbleiter­ vorrichtung, und
(g) Freilegen des Eingangsanschlusses und des Ausgangs­ anschlusses.

30. Prüfeinrichtung für eine Halbleitervorrichtung zur Durchführung einer Prüfung einer Halbleitervorrichtung mit
(a) einer Halbleiterschaltung welche den Gegenstand einer Prüfung darstellt,
(b) einem Eingangsanschluß, welcher während eines ge­ wöhnlichen Betriebs ein Eingangssignal an die Halblei­ terschaltung erhält,
(c) einem Ausgangsanschluß, welcher während des gewöhn­ lichen Betriebs ein Ausgangssignal von der Halbleiter­ schaltung erhält,
(d) einem Leistungsanschluß, welcher während des ge­ wöhnlichen Betriebs ein bestimmtes Potential an die Halbleiterschaltung legt,
(e) einer Modusumschaltung, welche zwischen den Ein­ gangsanschluß und die Halbleiterschaltung eingeschoben ist und ein Prüfsignal erhält, welches während der Prü­ fung aktiviert und während des gewöhnlichen Betriebs deaktiviert ist, um ihren Betrieb in Abhängigkeit von dem Prüfsignal umzuschalten, und
(f) einer Sicherung zum Anlegen des Prüfsignals an die Modusumschaltung, wobei die Modusumschaltung
(e-1) während des gewöhnlichen Betriebs das am Ein­ gangsanschluß erhaltene Eingangssignal an die Halblei­ terschaltung legt, und
(e-2) während der Prüfung einen bestimmten, festen Wert an die Halbleiterschaltung legt, wobei die Prüfeinrich­ tung für die Halbleitervorrichtung einen Prüf-Lei­ stungsanschluß umfaßt, um ein Prüfpotential nur an den Leistungsanschluß zu legen.

31. Prüfeinrichtung einer Halbleitervorrichtung zur Durch­ führung einer Prüfung an einer Halbleitervorrichtung, welche aufweist:
(a) eine Halbleiterschaltung, welche einen Gegenstand einer Prüfung darstellt,
(b) einen Eingangsanschluß, welcher während eines ge­ wöhnlichen Betriebs ein Eingangssignal an die Halblei­ terschaltung erhält,
(c) einen Ausgangsanschluß, welcher während des gewöhn­ lichen Betriebs ein Ausgangssignal von der Halbleiter­ schaltung erhält,
(d) einen Leistungsanschluß, welcher während des ge­ wöhnlichen Betriebs ein bestimmtes Potential an die Halbleiterschaltung legt,
(e) einen Prüfanschluß, welcher ein Prüfsignal erhält, welches während der Prüfung aktiviert und während des gewöhnlichen Betriebs deaktiviert ist,
(f) eine Modusumschaltung, welche zwischen den Ein­ gangsanschluß und die Halbleiterschaltung eingeschoben ist, um ihren Betrieb in Abhängigkeit von dem Prüfsi­ gnal umzuschalten, und
(g) eine Sicherung, um das Prüfsignal an die Modusum­ schaltung zu legen,
wobei die Modusumschaltung
(f-1) während des gewöhnlichen Betriebs das am Ein­ gangsanschluß erhaltene Eingangssignal an die Halblei­ terschaltung legt und
(f-2) während der Prüfung einen bestimmten, festen Wert an die Halbleiterschaltung legt, wobei die Prüfeinrich­ tung einen Prüf-Leistungsanschluß umfaßt, um ein Prüf­ potential nur an den Leistungsanschluß und den Prüfan­ schluß zu legen.