DE4312642B4 - Verfahren und Vorrichtung zum Kontaktieren - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Herstellen fester elektrischer Verbindungen zwischen einem Halbleiterchip (2) und einem zu bondenden Gegenstand (4), wobei der Halbleiterchip eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (2a, 2b) besitzt und der zu bondende Gegenstand ein leitendes Element umfasst, wobei
(a) der zu bondende Gegenstand (4) und der Halbleiterchip (2) in einer solchen Weise abgestützt werden, dass die erste Hauptoberfläche (2a) des Halbleiterchips (2) dem leitenden Element gegenüberliegt, wobei sich ein Kontaktflecken (3) dazwischen befindet,
(b) ein Lichtstrahl von der Seite der zweiten Hauptoberfläche (2b) des Halbleiterchips (2) auf den Kontaktflecken (3) durch den Halbleiterchip gerichtet wird, und der Halbleiterchip (2) und der zu bondende Gegenstand (4) mittels einer Anpressvorrichtung aneinander gepresst werden,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Lichtstrahl ein Infrarotlichtstrahl ist und der Halbleiterchip (2) auf dem durch den Kontaktflecken (3) zu bondenden Gegenstand (4) in einer solchen Lage angebracht wird, in der die erste Hauptoberfläche (2a) des...

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung gemäß dem Oberbergriff des Anspruchs 1 bzw. gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 10.
  • Eine Vorrichtung 1, wie sie in 1 gezeigt ist, wird in großem Rahmen eingesetzt, um eine feste elektrische Verbindung zwischen einem Halbleiterchip und einer Zuleitung durch automatisches Filmbonden TAB herzustellen.
  • Die Vorrichtung 1 umfasst ein Druckwerkzeug 7, welches einen Heizmechanismus aufnimmt, und einen Fuß 6. Bei dem Bonden, unter Einsatz der Vorrichtung 1, wird ein Halbleiterchip 2 auf dem Fuß 6 aufgebracht, wobei man die Zuleitungen 4 auf erhöhte Kontaktflecken 3 in Ausrichtung hierauf aufbringt. Ein TAB-Band TP wird durch ein Isolierband 5 gebildet, und die Zuleitungen 4 haften an dem Isolierband 5. Wenn der Halbleiterchip 2 auf dem Fuß 6 aufgebracht ist und die Zuleitungen 4 auf die erhöhten Kontaktflecken 3 ausgerichtet sind, drückt das erhitzte Druckwerkzeug 7 die Zuleitungen 4 nach unten. Die Wärme des Druckwerkzeuges 7 strömt in die erhöhten Kontaktflecken 3, wobei diese Kontaktflecken 3 schmelzen. Die geschmolzenen Kontaktflecken 3 kühlen dann ab und erhärten. Als Ergebnis ist der Halbleiterchip 2 elektrisch fest mit den Zuleitungen 4 verbunden.
  • Obwohl die erhöhten Kontaktflecken im Hinblick auf die Dicke in 1 überhöht dargestellt sind, sind in Wirklichkeit die erhöhten Kontaktflecken 3 sehr dünn. Wenn dementsprechend der Halbleiterchip 2 durch das erhitzte Druckwerkzeug nach unten gedrückt wird, besitzt die obere Oberfläche des Halbleiterchips 2 im wesentlichen keinen Abstand von der Bodenfläche des Druckwerkzeuges 7. Aufgrund dieser Tatsache ermöglicht das herkömmliche Bondverfahren, wie es zuvor beschrieben wurde, daß die Wärme des Werkzeuges 7 in einem beträchtlichen Ausmaß auf den Halbleiterchip 2 über die Zuleitungen 4 und die Kontaktflecken 3 übertragen wird.
  • Dies wiederum führt dazu, daß die Temperatur des Halbleiters 2 rasch ansteigt, wodurch die elektrischen und anderen Eigenschaften des Halbleiterchips 2 verschlechtert werden.
  • Des weiteren erfordert das Bonden unter Verwendung der Vorrichtung 1 nach 1, daß der Halbleiterchip 2 unter den Zuleitungen 4 plaziert wird, d.h., mit der Chipkontaktfläche nach oben zu den Zuleitungen 4. Dies kommt daher, daß dann, wenn die Zuleitungen 4 unter den Halbleiterchip 2 plaziert würden, die Wärme des Werkzeuges 7 durch den Halbleiterchip 2 hindurchgeführt werden müßte, auf dem Weg zu den Kontaktflecken 3, was unausweichlich zu einem enormen Anstieg der Temperatur des Halbleiterchips 2 führen würde.
  • Aus der Druckschrift DD-140942 ist ein Verfahren bzw. eine Vorrichtung zum Herstellen einer festen elektrischen Verbindung zwischen einem Halbleiterchip und einem zu bondenden Gegenstand gemäß den Oberbegriffen der Ansprüche 1 und 10 bekannt. Gemäß der in dieser Druckschrift offenbarten Technik wird zum Verschweißen eines zu bondenden Gegenstands bzw. eines Trägermaterials mit einem Halbleiterchip ein Laserstrahl verwendet, dessen Wellenlänge nicht im einzelnen spezifiziert ist. Der Laserstrahl kann sowohl von der Seite des Trägermaterials als auch von der Seite des Halbleiterchips durch diese hindurch einwirken, wobei der Halbleiterchip in jedem Fall mit seiner zu verschweißenden Vorderseite nach oben gerichtet ist.
  • Aus der weiteren Druckschrift GB-2 244 374 A ist ein Verfahren zum Herstellen fester elektrischer Verbindungen bekannt, bei dem ein Wafer mit Infrarotlicht durchstrahlt wird, um Bauelemente an den Wafer anzuschweißen.
  • Aus der weiteren Druckschrift EP 0 113 895 A1 ist ein Verfahren zum Laserlöten von flexiblen Verdrahtungen bekannt, bei dem die zu verbindenden Teile durch einen Niederhalter aus lichtdurchlässigem Material zusammengehalten werden. Auf der Seite des Niederhaltes durch diesen hindurch wird mittels eines Laserstrahls Wärme zugeführt, so dass das Lot der Leiterbahnen schmilzt und nach Wegnahme der Wärmezufuhr zu einer festen Lötverbindung erstarrt.
    •
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zum Herstellen fester elektrischer Verbindungen zwischen einem Halbleiterchip und einem zu bondenden Gegenstand bei einem geringen Temperaturanstieg und bei hoher Produktivität zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch die Kombination der im Anspruch 1 bzw. Anspruch 10 definierten Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Der Schritt (b) umfaßt z.B. vorzugsweise die folgenden Stufen: (b-1) Man erzeugt einen Infrarotlichtstrahl und (b-2), man lenkt den Infrarotlichtstrahl ab, in Richtung auf den Kontaktflecken.
  • Eine bestimmte Anordnung von Kontaktflecken kann auf der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterchips ausgebildet sein. Der Schritt (b) kann darüber hinaus einen Schritt (b-3) um fassen, gemäß welchem der Infrarotlichtstrahl in einer Reihe einem nach dem anderen Kontaktflecken zugeführt wird.
  • Der Schritt (b-3) kann einen Schritt (b-3-1) umfassen, gemäß welchem der Infrarotlichtstrahl während erster Zeitabschnitte auf irgendeinen der Kontaktflecken gerichtet ist und während anderer Zeitabschnitte inaktiv ist, während der infrarote Lichtstrahl sich zwischen den Kontaktflecken bewegt.
  • Der Schritt (b) umfasst außerdem vorzugsweise einen Schritt (b-5), gemäß welchem man den infraroten Lichtstrahl durch ein konvergierendes optisches System auf die Anordnung der Kontaktflecken richtet.
  • Der Schritt (b-5) kann außerdem eine Schritt (b-5-1) umfassen, indem man den infraroten Lichtstrahl derart auf die Kontaktflecken konvergiert, dass der infrarote Lichtstrahl einen Durchmesser besitzt, der gleich oder kleiner ist als der Durchmesser der Kontaktflecken.
  • Der Schritt (b-5-1) kann außerdem einen Schritt umfassen, gemäß welchem der infrarote Lichtstrahl derart auf die Kontaktflecken konvergiert wird, dass der Lichtstrahl einen geringeren Durchmesser besitzt als der Durchmesser eines jeden der Kontaktflecken, während der Schritt (b-3-1) einen Schritt (b-3-1a) umfasst, gemäß welchem man bei dem ersten Zeitabschnitt jeden der Kontaktflecken zweidimensional mit dem infraroten Lichtstrahl abtastet.
  • Der Schritt (a) kann einen Schritt (a-1) umfassen, gemäß welchem der zu befestigende Gegenstand und der Halbleiterchip auf einem Stützelement angeordnet sind, welches aus einem Material besteht, das den infraroten Lichtstrahl überträgt oder absorbiert.
  • Das zu befestigende Element kann ein Isolierband umfassen, mit einer Mehrzahl von Zuleitungen, die sich auf dem Isolierband befinden, wobei das leitende Element eine Mehrzahl von Zuleitungen darstellt.
  • Das zu befestigende Element kann ein Isolationssubstrat umfassen sowie eine leitende Struktur, die auf dem Isolationssubstrat ausgebildet ist, wobei das leitende Element die leitende Struktur darstellt.
  • Die Beleuchtung mit infrarotem Licht umfasst: (b-1) eine Einrichtung zur Erzeugung eines infraroten Lichtstrahles und (b-2) eine Ablenkungseinrichtung, um den infraroten Lichtstrahl in Richtung auf den Kontaktflecken zu leiten.
  • Ein Muster oder eine Struktur von erhöhten Kontaktflecken kann auf der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterchips angeordnet sein. Die Vorrichtung kann auch (c) eine Steuereinrichtung umfassen zur Abgabe eines Ablenkungssteuersignals zur Strahlablenkungseinrichtung, um hiermit den infraroten Lichtstrahl auf eine Mehrzahl von Kontaktflecken nacheinander in einer Reihenfolge zu lenken.
  • Die Steuereinrichtung umfasst (c-1) vorzugsweise eine Einrichtung zur Erzeugung eines Zeitgebersignals, welches synchron ist mit dem Ablenkungssteuersignal, wobei bei einem vorgegebenen Zeitgebersignal die Einrichtung zur Erzeugung des infraroten Lichtstrahles während eines ersten Zeitabschnittes aktiviert ist, während welchem der infrarote Lichtstrahl auf einen der Kontaktflecken gerichtet ist, während im Laufe eines zweiten Zeitabschnittes die Einrichtung deaktiviert ist, wobei der infrarote Lichtstrahl sich zwischen den Kontaktflecken bewegt.
  • Die Beleuchtungseinrichtung für den infraroten Lichtstrahl kann außerdem umfassen: (b-3) einen Mechanismus zum Hinführen und Wegführen des optischen Kopfes in Richtung auf die zweite Hauptoberfläche des Halbleiterchips zu und von dieser weg.
  • Die Einrichtung zur Erzeugung des Infrarotlichtstrahles umfasst vorzugsweise: (b-1-1) eine Infrarotlichtstrahlquelle zur Erzeugung des Infrarotlichtstrahles sowie (b-1-2) ein optisches Konversionssystem zum Konvergieren des Infrarotlichtstrahles auf jeden der Kontaktflecken.
  • Das optische Konversionssystem kann (b-1-2) ein optisches Element umfassen, zum Konvergieren des Infrarotlichtstrahles derart auf die Kontaktflecken, dass der Infrarotstrahl einen Durchmesser besitzt, der gleich oder kleiner ist als der Durchmesser eines jeden der Kontaktflecken.
  • Das optische System konvergiert vorzugsweise den Infrarotlichstrahl derart auf die Kontaktflecken, dass der Infrarotlichtstrahl einen kleineren Durchmesser besitzt als der Durchmesser eines jeden der Kontaktflecken, und wobei die Steuereinrichtung (c-2) eine Einrichtung zum Erzeugen eines Ablenkungssteuersignals umfasst, unter dessen Steuerung der Infrarotlichtstrahl zweidimensional auf jeden der Kontaktflecken gerichtet wird während der ersten Zeitabschnitte.
  • Wie zuvor beschrieben wurde, nutzt die Erfindung die Eigenschaft des Infrarotlichtes, daß Infrarotlicht durch Silicium übertragen wird. Das bedeutet, daß, obwohl der Infrarotlichtstrahl durch den Halbleiterchip auf die Kontaktflecken gerichtet ist, der Halbleiterchip den Infrarotlichstrahl überträgt. Dementsprechend steigt, während die Kontaktflecken erhitzt werden und schmelzen, die Temperatur des Halbleiterchips nicht stark an. Dies macht es möglich, daß die Zuleitungen auch auf einer solchen Halbleitereinrichtung befestigt werden können, die keine hohe Wärmefestigkeit besitzt, ohne daß hieraus ein Problem entsteht.
  • Da es nicht erforderlich ist, ein erhitztes Preßwerkzeug auf den Halbleiterchip aufzupressen, ist ein Bonden mit nach unten gerichteter Fläche möglich.
  • Zusätzlich kann durch die Ablenkung des Infrarotlichtstrahles und die Ausrichtung desselben auf die Kontaktflecken eine unerwünschte Infrarotbeleuchtung abseits der Kontaktflächen vermindert werden. Durch die Anstrahlung der Kontaktflecken durch den Infrarotlichtstrahl in aufeinanderfolgender Reihenfolge, um die Zuleitungen zu bonden, können diese mit den Kontaktflecken verbunden werden, ohne daß man eine Mehrzahl von Infrarotlichtstrahlen benötigt. Es ist somit möglich, unterschiedliche Befesti gungsverfahren durchzuführen, bei welchen die Kontaktflecken eine unterschiedliche Lage besitzen, nur durch das Ablenken eines Infrarotlichtstrahles.
  • Bei einer Aufeinanderfolge der Anstrahlung des Infrarotlichtstrahles auf die Kontaktflecken werden die Strahlungsposition und die Strahlungszeit geändert. Dementsprechend lässt sich die Erfindung an unterschiedliche Chips mit unterschiedlichen Kontaktfleckenanordnungen anpassen, so dass sich dementsprechend ein weiter Anwendungsbereich ergibt. Darüber hinaus wird keine Einrichtung zur Erzeugung einer Mehrzahl von Infrarotlichtstrahlen benötigt.
  • In jedem Fall muss der zu bondende Gegenstand nicht für den Infrarotlichtstrahl transparent sein, wodurch sich ein weiterer Grund für einen großen Bereich von Anwendungen der Erfindung ergibt.
  • Es wird dementsprechend die Aufgabe gelöst, eine feste elektrische Verbindung zwischen einem Halbleiterchip und einem leitenden Element herzustellen, bei einem geringeren Temperaturanstieg des Halbleiterchips.
  • Es wird gleichzeitig eine Technik zum Bonden eines Halbleiter- chips bereitgestellt, wobei die Verbindung mit dem leitenden Element bei nach unten gerichteter Oberfläche ausgeführt wird, ohne dass der Halbleiterchip erhitzt wird.
    •
  • Weitere Vorteile und Einzelheiten ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung unterschiedlicher Ausführungsformen der Erfindung, unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen. Dabei zeigen im einzelnen:
  • 1 eine schematische Darstellung einer herkömmlichen Vorrichtung zur Herstellung fester elektrischer Verbindungen gemäß dem Stand der Technik,
  • 2 eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
  • 3 eine Darstellung der elektrischen Zuleitungen, die an einem Isolierband anhaften durch das TAB-Verfahren,
  • 4 die Darstellung der Verschiebung eines Plattenelementes,
  • 5 und 6 schematische Darstellungen einer bevorzugten Aus- führungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung,
  • 7 eine schematische Darstellung eines inneren Teils einer Einrichtung zur Erzeugung einer Infrarotlichtbeleuchtung,
  • 8 eine Darstellung, wie die erhöhten Kontaktflecken auf einem Halbleiterchip ausgebildet werden,
  • 9 eine Darstellung eines erhöhten Kontaktfleckens, der von einem Infrarotlichtstrahl beleuchtet wird,
  • 10 eine Darstellung, gemäß welcher ein erhöhter Kontaktflecken durch einen Infrarotlichtstrahl abgetastet wird,
  • 11 eine schematische Darstellung des inneren Bereiches eines anderen Ausführungsbeispiels der Vorrichtung zur Erzeugung von infrarotem Licht,
  • 12 eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
  • Die 2 zeigt eine Ansicht der Kontaktiervorrichtung 100 gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung. Die Kontaktiervorrichtung 100 dient der Herstellung fester elektrischer Verbindungen zwischen einem Halbleiterchip 2 und einer Mehrzahl elektrischer Zuleitungen 4 durch das TAB-Bondverfahren (automatisches Filmbonden). Die Details der Kontaktiervorrichtung 1 sollen nachfolgend näher erläutert werden.
  • Entsprechend der Darstellung in 3 werden die elektrischen Zuleitungen 4 auf ein Isolierband 5 aufgeklebt, wodurch ein TAB-Band TP gebildet wird. Obwohl die 3 eine relativ geringe Anzahl von Zuleitungen 4 zur Vereinfachung der Beschreibung zeigt, ist das Isolierband 5 oft mit mehr Zuleitungen 4 in Wirklichkeit versehen. Obwohl darüber hinaus 3 nur eine Einheit einer Struktur des TAB-Bandes TP zeigt, ist in der Tat eine Mehrzahl der gleichen Einheitsstrukturen in Richtung der gestrichelten Linien angeordnet. Solch ein TAB-Band TP ist „ein zu bondender Gegenstand", gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform.
  • Ein Polysiliciumsubstrat ist als Basiselement für den Halbleiterchip 2 verwendet. Der Halbleiterchip 2 ist auf seiner ersten Hauptoberfläche 2a mit einer Mehrzahl von erhöhten Kontaktflecken 3 versehen, entsprechend der Darstellung in 9. Nachdem der Halbleiterchip 2 mit den Zuleitungen 4 durch eine Struktur verbunden ist, die nachfolgend noch beschrieben werden soll, auf eine noch zu beschreibende Art und Weise, wird der Chip 2 zusammen mit den hieran be festigten Zuleitungen 4 von dem Isolierband 5 durch einen Druck auf die Zuleitungen 4 von der Rückseite des Bandes 5 gelöst, durch ausgeschnittene Bereiche der Zuleitungen 4.
  • Die Vorrichtung 100 gemäß 2 umfaßt einen Hauptkörper 200 sowie einen Chippreßmechanismus 300.
  • Der Hauptkörper 200 umfaßt ein Stützelement 202, welches auf einem Fuß 201 befestigt ist. Das Stützelement 202 besteht aus einem Material, welches infrarotes Licht überträgt oder absorbiert. Bei der hier gezeigten Ausführungsform besteht das Stützelement 202 aus Glas.
  • Zunächst wird das TAB-Band TP, bei welchem eine Mehrzahl von elektrischen Zuleitungen 4 auf das Isolierband 5 aufgeklebt ist, auf das Stützelement 202 (wird später beschrieben) aufgebracht. Andererseits wird der Halbleiterchip 2, der mit den Zuleitungen 4 verbunden werden soll, über die erhöhten Kontaktflecken 3 auf die Zuleitungen 4 gelegt. Mit anderen Worten, werden das TAB-Band TP und der Halbleiterchip 2 auf das Stützelement 202 aufgebracht und von diesem abgestützt, wobei sich die erhöhten Kontaktflecken 3 dazwischen befinden. Obwohl zur Klarheit der Beschreibung die erhöhten Kontaktflecken sehr dick gezeichnet sind, ist ihre Stärke in Wirklichkeit sehr gering.
  • Es ist auch herauszustellen, daß der Halbleiterchip 2 mit seiner Hauptoberfläche 2a während des Befestigungsvorganges nach unten gerichtet ist, entsprechend der Darstellung in 2, obwohl die erste Hauptoberfläche 2a in 8 nach oben gerichtet ist. Das bedeutet, daß die erste Hauptoberfläche 2a, mit welcher der Halbleiterchip 2 an den Zuleitungen 4 befestigt wird, oder die Befestigungsfläche des Halbleiterchips 2 nach unten gerichtet ist. Dementsprechend ist die Vorrichtung 100 gemäß 2 für das Bondverfahren mit nach unten gerichteter Hauptfläche geeignet.
  • In 2 wird ein Plattenelement 301, welches aus einem Material besteht, das Infrarotlicht überträgt, auf die zweite Hauptoberfläche 2b des Halbleiterchips 2 aufgelegt. Bei der vorliegenden Ausführungsform besteht das Plattenelement 301 aus einer transparenten Glasplatte. Das Plattenelement 301 ist eine Teil des Chippressmechanismus 300, der später im Detail näher erläutert werden soll.
  • Von oben wird eine Infrarotlichtbeleuchtungseinrichtung 210 durch einen Vor- und Rückschiebemechanismus 204 abgestützt, die sich oberhalb des Stützelements 202 befindet. Der Vor- und Rückschiebemechanismus 204 ist mit einer Funktion ausgerüstet, um die Infrarotbeleuchtungseinrichtung 210 in die Richtungen +Z und -Z gemäß 2 zu verschieben.
  • Ein Bodenbereich der Infrarotlichtbeleuchtungseinrichtung 210 ist als optischer Kopf 220 ausgebildet. Der optische Kopf 220 umfasst ein Element zur Erzeugung eines Infrarotlichtstrahles und zu dessen Ausrichtung nach unten, d. h., in Richtung auf den unteren Rand, gemäß 2 (was später noch erläutert werden soll).
  • Eine Mehrzahl von Federn 203 ist am oberen Ende der unteren Oberfläche des optischen Kopfes 220 jeweils in einer Position abseits des optischen Weges des Infrarotlichtstrahles befestigt. Die Federn 203 sind vorzugsweise in einem peripheren Bereich des optischen Kopfes 220 angeordnet und besitzen im wesentlichen die gleiche Federkonstante und die gleiche Länge. Entsprechend der Darstellung in 5 (später noch zu beschreiben) sind die unteren Enden der Federn 203 freie Enden.
  • Der Chippressmechanismus 300 umfasst das Plattenelement 301, welches eine horizontale Hauptoberfläche und einen horizontalen Arm 302 besitzt, der auf einer Seite des Plattenelementes 301 befestigt ist.
  • Der horizontale Arm 302 ist an ein Betätigungselement 305 angelenkt. Das Betätigungselement 305 gleitet entlang einem vertikalen Pfosten 304 in den Richtungen +Z und -Z und ist mit einem Antriebselement 303 ausgerüstet, welches in der Richtung 8 drehbar ist. Die 4 ist eine schematische Darstellung der X-Y-Ebene, in welcher Weise das Plattenelement 301 sich dreht mit der θ-Drehrichtung des Antriebselementes 303. Der zeitliche Ablauf der Rotation soll später erläutert werden.
  • Die Vorrichtung 100 mit dem zuvor erläuterten Aufbau stellt die elektrische Verbindung zwischen dem Halbleiterchip 2 und den elektrischen Zuleitungen 4 in der nachfolgenden Weise her.
  • Vor der Zuführung des TAB-Bandes TP und des Halbleiterchips 2 auf das Stützelement 202 befindet sich das Plattenelement 301 nicht oberhalb des Stützelementes 202 (d. h., in der Freigabeposition), entsprechend der Darstellung durch gestrichelte Linien in der X-Y-Ebene in 3. Die Infrarotlichtbeleuchtungseinrichtung 210, die durch den Vor- und Rückschiebemechanismus 204 angetrieben ist, ist oben zurückgezogen.
  • Nachdem das Plattenelement 301 in die Freigabeposition geführt ist, wird das TAB-Band TP auf dem Stützelement 202 montiert mit den elektrischen Zuleitungen 4 nach oben. Der Halbleiterchip 2, der die erhöhten Kontaktflecken 3 auf seiner Oberfläche aufweist, wird dann derart auf dem TAB-Band TP aufgebracht, dass die erhöhten Kontaktflecken und die Enden der Zuleitungen 4 einander gegenüberliegen. Das Bondverfahren in diesem Augenblick wird in 5 wiedergegeben. Entsprechend der Darstellung in 5 ist die zweite Hauptoberfläche 2b des Halbleiterchips 2 nach oben gerichtet. Das Plattenelement 301 befindet sich unter dem Halbleiterchip 2 in der Richtung senkrecht zur Zeichenebene.
  • Anschließend wird das Antriebselement 303 in Richtung 8 gedreht, um hierdurch horizontal das Plattenelement 301 unmittelbar über den Halbleiterchip 2 zu schieben. Das Plattenelement 301, welches horizontal verschoben worden ist, ist in 4 durch ausgezogene Linien wiedergegeben.
  • Das Antriebselement 303 gleitet dann entlang des vertikalen Pfostens 304. Das Plattenelement 301 gleitet auch abwärts mit der Abwärtsbewegung des Antriebselementes 303 und hält seine Abwärtsbewegung ein, wenn es in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 2b des Halbleiterchips 2 tritt. In dieser Stufe, die am besten in 6 erläutert ist, übt das Plattenelement 301 fast keinen Druck auf den Halbleiterchip 2 aus.
  • Als nächstes bewegt der Vor- und Rückschiebemechanismus 204 die Infrarotlichtbeleuchtungseinrichtung 210 nach unten, wodurch die Federn 203 mit ihren unteren Enden die zweite Hauptoberfläche 2b des Halbleiterchips 2 berühren. Die Infrarotlichtbeleuchtungseinrichtung 210 wird ein klein wenig weiter nach unten geführt und dann eingehalten. In dieser Stufe befindet sich die Vorrichtung 100 in einem Zustand, wie er in 2 wiedergegeben ist, wobei die Federn 203 den Halbleiterchip 2 gegen die elektrischen Zuleitungen 4 drücken. Die Einhaltepositionen der Abwärtsbewegung des Plattenelementes 301 und der Infrarotlichtbeleuchtungseinrichtung 210 können zuvor bestimmt werden.
  • Wenn der Halbleiterchip 2 derart gegen die elektrischen Zuleitungen 4 gedrückt wird, strahlt die Infrarotlichtbeleuchtungseinrichtung 210 einen Infrarotlichtstrahl auf die Kontaktflecken 3. Der detaillierte Aufbau und der Betrieb der Infrarotlichtbeleuchtungseinrichtung 210 wird später noch beschrieben.
  • Der Halbleiterchip 2 besteht im wesentlichen aus Silizium, welches Infrarotlicht überträgt. Infrarotlicht wird auch durch das Plattenelement 301 übertragen, welches, wie zuvor erwähnt, aus einem Material besteht, welches Infrarotlicht überträgt. Dementsprechend durchläuft der Infrarotlichtstrahl von der Infrarotlichtbeleuchtungseinrichtung 210 das Plattenelement 301 und den Halbleiterchip 2 und trifft auf die Kontaktflecken 3 auf. Die Kontaktflecken 3 bestehen beispielsweise aus einem Lötmittel, welches infrarotes Licht absorbiert. Dementsprechend wird der von dem infraroten Lichtstrahl angestrahlte Lötflecken 3 erhitzt und schmilzt, um damit eine enge Verbindung zwischen dem Halbleiterchip 2 und den Zuleitungen 4 zu bilden. Ein Anstieg der Temperatur der Kontaktflecken 3 und der hieraus resultierende Übergang eines Teils der Wärme der Kontaktflecken 3 auf den Halbleiterchip 2 führt zu praktisch keinem Anstieg der Temperatur des Halbleiterchips 2, da die Kontaktflecken 3 nur einen kleinen Bereich der ersten Hauptoberfläche 2a des Halbleiterchips 2 einnehmen und dementsprechend die Wärme, die auf den Halbleiterchip 2 übertragen wird, sehr gering ist.
  • Der infrarote Lichtstrahl wird hierauf abgestellt, und man läßt die Kontaktflecken 3 abkühlen und aushärten. Nach der Herstellung der Verbindung zwischen den Zuleitungen und dem Halbleiterchip 2 führt der Vor- und Rückschiebemechanismus 204 die Beleuchtungseinrichtung 210 für infrarotes Licht nach oben, gefolgt von einem Verschieben des Antriebselementes 303 entlang des vertikalen Pfostens 304 und dementsprechend des Plattenelementes 301. Damit ist der Bondvorgang zwischen dem Halbleiterchip 2 und den Zuleitungen 4 vervollständigt.
  • Die anderen verbleibenden Halbleiterchips werden dem gleichen Verfahren unterzogen. Nachdem alle Halbleiterchips 2 gebondet sind, werden die Halbleiterchips 2 und das TAB-Band TP aus der Vorrichtung 100 herausgenommen.
  • Als nächstes soll die Beleuchtungseinrichtung für infrarotes Licht näher beschrieben werden.
  • Die Beleuchtungseinrichtung 210 für infrarotes Licht kann eine Einrichtung vom selektiven Beleuchtungs-Typ sein, welche einen infraroten Lichtstrahl exklusiv nur auf die Kontaktflecken 3 richtet, oder es kann sich um eine Einrichtung vom Totalbeleuchtungs-Typ handeln, die den Halbleiterchip 2 über die gesamten Hauptoberflächen 2a und 2b anstrahlt. Die beiden Typen sollen nachfolgend beschrieben werden.
  • a. Selektiver Beleuchtungs-Typ
  • Die 7 ist eine Ansicht einer Beleuchtungseinrichtung 210a für infrarotes Licht vom selektiven Beleuchtungs-Typ, die als Beleuchtungseinrichtung 210 für infrarotes Licht gemäß 2 eingesetzt werden kann. Die Beleuchtungseinrichtung 210a für Infrarotlicht wird von dem optischen Kopf 220 gemäß 2 aufgenommen. Die (später zu beschreibenden) Schaltungen 211 und 212 der Einrichtung 210a können jedoch außerhalb des optischen Kopfes 220 installiert sein.
  • Die in 7 dargestellte Einrichtung 210a umfasst eine Lichtemissionsquelle 213, die einen Lichtstrahl emittiert, aufgrund eines Lichtemissionstreibersignals Se, welches von der Lichtemissionstreiberschaltung 212 empfangen wurde. Eine Xenon-Lampe, eine Halogen-Lampe und ein YAG-Laser können als Lichtemissionsquelle 213 dienen.
  • Ein Lichtstrahl L0 von der Lichtemissionsquelle 213 durchläuft ein Filter 214, bei welchem nur eine Infrarotlichtkomponente des Lichtstrahles L0 extrahiert wird. Somit läßt man nur die Infrarotlichtkomponente auf eine Konversionslinse 215 fallen, durch welche das Licht gesammelt wird zu einem Infrarotlichtstrahl L.
  • Der Infrarotlichtstrahl L wird durch einen ersten Galvanospiegel 216a reflektiert, der frei drehbar ist, um eine Achse Z in Richtung 0. Durch die Reflektion am ersten Galvanospiegel 216a wird die Fortpflanzungsrichtung des Infrarotlichtstrahles L in die X-Y-Ebene abgelenkt. Der Infrarotlichtstrahl L trifft dann auf einen zweiten Galvanospiegel 216b auf, der frei drehbar ist um eine Achse X in Richtung Ψ. Durch die Reflektion am zweiten Galvanospiegel 216b wird der Infrarotlichtstrahl in die Y-Z-Ebene abgelenkt.
  • Die Galvanospiegel 216a und 216b sind jeweils an Motoren 217a und 217b angeschlossen. Dementsprechend wird durch die Steuerung des Antriebs der Motoren 217a und 217b die Fortpflanzungsrichtung des Infrarotlichtstrahles L von dem zweiten Galvanospiegel 216b zweidimensional abgelenkt.
  • Von dem zweiten Galvanospiegel 216b trifft der infrarote Lichtstrahl L auf eine Linse Fθ 218 und tritt durch diese hindurch, von welcher aus er auf einen Kontaktflecken 3 auftrifft durch das Plattenelement 301 und den Halbleiterchip 2.
  • Informationen hinsichtlich der Anordnungen der jeweiligen Kontaktflecken werden zuvor in eine Steuerschaltung 211 der Beleuchtungseinrichtung 210 für infrarotes Licht aufgegeben. Die Steuerschaltung 211 wählt einen der Kontaktflecken 3 aus (beispielsweise der Kontaktflecken 3a der 8) und sendet Motorantriebssignale Sa und Sb ab, die den Infrarotlichtstrahl L so steuern, dass er auf den ausgewählten Kontaktflecken trifft.
  • Synchron mit diesem Vorgang schickt die Steuerschaltung 211 ein Lichtemissionssteuersignal C an die Lichtemissionsantriebsschaltung 212, um hierdurch einen Lichtstrahl von der Lichtemissionsquelle 213 einzuschalten. Somit beleuchtet der infrarote Lichtstrahl 1 den Kontaktflecken 3a.
  • Die 9 zeigt den infraroten Lichtstrahl L während er auf den Kontaktflecken 3 trifft. Der Durchmesser D des Kontaktfleckens 3 beträgt normalerweise etwa 50μm. Auf der anderen Seite ist der Durchmesser d des Infrarotlichtstrahles L auf den Kontaktflecken 3 beispielsweise 30μm. Da der Durchmesser d des Infrarotlichtstrahles L kleiner ist als der Durchmesser D des Kontaktfleckens 3, wird verhindert, daß der Infrarotlichtstrahl L eine andere Fläche als den Kontaktflecken 3 beleuchtet, auch wenn hinsichtlich der, Genauigkeit der Ausrichtung des Halbleiterchips 2 und der Genauigkeit der Ablenkung des Infrarotlichtstrahles L ein Fehler vorhanden ist. In den meisten Fällen bestehen die Kontaktflecken 3 aus einer Legierung, wie Lötzinn, und sind dementsprechend in hohem Maße thermisch leitend. Wenn dementsprechend er Infrarotlichtstrahl L nur auf einen Teil des Kontaktfleckens 3 auftrifft, wird die Wärme, die in diesem Bereich erzeugt wird, rasch auf andere Bereiche des Kontaktfleckens 3 verteilt. Aus diesem Grund bedeutet die Tatsache, daß der Infrarotlichtstrahl L nur auf einen Teilbereich des Kontaktfleckens 3 auftrifft, keinerlei Problem hinsichtlich des Schmelzens des Kontaktfleckens 3.
  • Zum Unterschied von dem Beispiel gemäß 9 kann der Durchmesser d des Infrarotlichtstrahles L auf den Kontaktflecken 3 weiterhin reduziert sein, wie dies in 10 wiedergegeben ist. In diesem Fall tastet der Infrarotlichtstrahl L den Kontaktflecken 3 zweidimensional ab. Das zweidimenionale Abtasten ist wesensmäßig gezeigt durch eine Kreuzdarstellung CR in 10. Zum leichteren Verständnis des Abtastens ist der Infrarotlichtstrahl L zu unterschiedlichen Zeiten dargestellt als Lichtstrahlen L1 und L2 in 10.
  • Wenn ein solches zweidimensionales Abtasten erwünscht ist, muß die Steuerschaltung 210 mit einer Schaltung versehen sein, die eine oszillierende Wellenform erzeugt, welche auf die Signale Sa und Sb der 7 übertragen wird.
  • Der Infrarotlichtstrahl L muß nicht notwendigerweise den gesamten Kontaktflecken 3 überstreichen, sondern er kann den Kontaktflecken 3 in unterschiedlichen Positionen in der X-Y-Ebene innerhalb des Kontaktfleckens 3 anstrahlen.
  • Sowohl das zweidimensionale Abtasten als auch die Anstrahlung sind anpaßbar auf Kontaktflecken 3 mit unterschiedlichen Größen oder streifenförmigen Ausgestaltungen. Die Kontaktflecken 3 entsprechender Größen und Ausgestaltungen können sicher geschmolzen werden.
  • Nach der Vervollständigung der Strahlung des infraroten Lichtstrahles L auf den Kontaktflecken 3a werden das Signal Sa und/oder das Signal Sb derart geändert, daß der infrarote Lichtstrahl L sich zum nächsten Kontaktflecken 3 (beispielsweise dem Kontaktflecken 3b gemäß 8) bewegt. Während der Bewegung des infraroten Lichtstrahles L von dem Kontaktflecken 3a zum Kontaktflecken 3b wird das Signal Se gemäß 8 vorzugsweise deaktiviert, synchron mit dem Antrieb der Galvanospiegel 216a und 216b, um hierdurch die Lichtemission von der Lichtemissionsquelle 213 zu unterbrechen.
  • Das Signal Se wird eingeschaltet, wenn der infrarote Lichtstrahl L abgelenkt und bereit ist, den Kontaktflecken 3b anzustrahlen, wobei der Beginn der Strahlung auf den Kontaktflecken 3b in einer ähnlichen Weise erfolgt wie bei dem Kontaktflecken 3a. Diese Betriebsablaufskette wird wiederholt, wobei die Kontaktflecken 3 in aufeinanderfolgender Reihenfolge einer nach dem anderen angestrahlt werden, entlang einer Route A gemäß 8, entlang welcher die Kontaktflecken 3 angeordnet sind, um somit die Herstellung der Ver bindung zu vervollständigen.
  • Da der Halbleiterchip 2 auf die Zuleitungen 4 durch sein eigenes Gewicht und das Plattenelement 301, welches unter dem Druck der Federn 203 (2) steht, gedrückt wird, entsteht die Verbindung zwischen der Zuleitung, die dem Kontaktflecken 3a entspricht, mit dem Halbleiterchip 2 beim Schmelzen des Kontaktfleckens 3a. Dementsprechend ergibt sich nach dem Bestrahlen des Kontaktfleckens 3a, obwohl die Temperatur des Kontaktfleckens 3a abnimmt während der nachfolgenden Anstrahlung des Infrarotstrahles L auf den nächsten Kontaktflecken 3b, kein Problem aufgrund des Temperaturabfalls des Kontaktfleckens 3a.
  • b. Totalanstrahlungs-Typ
  • Die 11 zeigt eine Ansicht der Beleuchtungseinrichtung 210b für infrarotes Licht vom Totalanstrahlungs-Typ. Ein Vergleich zwischen den 7 und 11 zeigt deutlich, daß die Einrichtung 210b weder eine Sammellinse noch einen Galvanospiegel umfaßt. Der Infrarotlichtstrahl L von der Lichtemissionsquelle 213 läuft durch den Filter 214 und wird auf die Fθ Linse 218 gerichtet und strahlt von dort den gesamten Bereich der zweiten Hauptoberfläche 2b des Halbleiterchips 2 an. Er wird dann durch das Plattenelement 301 und den Halbleiterchip 2 übertragen, und ein Teil des Infrarotlichtstrahles L erreicht die Kontaktflecken 3. Somit sind Elemente zur Ablenkung und zum Abtasten des Infrarotlichtstrahles L einfach überflüssig. Außerdem bietet die Einrichtung 210b Zeitersparnis, und eine Vervollständigung der Herstellung der elektrischen Verbindung läßt sich in einer verminderten Zeitspanne erreichen, da sie in der Lage ist, alle Kontaktflecken 3 zu schmelzen und dementsprechend alle Zuleitungen 4 auf einmal mit nur einer Anstrahlung zu bonden.
  • Die Tatsache, daß das Stützelement 202 gemäß 2 aus einem Material besteht, welches Infrarotlicht überträgt oder absorbiert, besitzt eine große Bedeutung, insbesondere, wenn die Einrichtung 210b des Totalanstrahlungs-Typs für das Bonden eingesetzt wird. Der Grund ist wie folgt.
  • In der Einrichtung 210b wird eine Komponente des Infrarotlichtstrahles L, mit welchem der Halbleiterchip 2 angestrahlt wird, in einem mittleren Bereich der Hauptoberfläche 2b nicht von den Kontaktflecken 3 absorbiert. Nachdem sie nicht von den Kontaktflecken 3 absorbiert wurde, schreitet diese Komponente weiter fort zu dem Stützelement 202, gemäß 2 als Sickerlichtstrahl LB. Wenn das Stützelement 202 aus einem Material besteht, welches infrarotes Licht reflektiert, wird dementsprechend der Lichtstrahl LB reflektiert durch das Stützelement 202 und zum Halbleiterchip 2 zurückgeführt. Obwohl Silicium als Material für den Halbleiterchip 2 infrarotes Licht überträgt, welches hindurchdringt, ist das Übertragungsausmaß nicht genau 100 %. Das bedeutet, daß der infrarote Reflektionslichtstrahl die Temperatur des Halbleiterchips in manchen Fällen erhöhen kann.
  • Wenn im Gegensatz dazu das Stützelement 202 aus einem Material besteht, welches infrarotes Licht überträgt oder absorbiert, tritt eine Temperaturerhöhung aufgrund des abgelenkten Lichtstromes nicht ein. Somit kann ein Temperaturanstieg des Halbleiterchips 2 wirkungsvoll verhindert werden. Die Auswahl eines Infrarotlicht-übertragenden oder -absorbierenden Material als Stützelement 202 ist bedeutungsvoll, auch wenn die Einrichtung 210a gemäß 7 als Infrarotlichtquelle 210 eingesetzt wird, da die Auswirkung, wie dies oben erläutert wurde, wichtig ist, wenn der Infrarotlichtstrahl L eingeschaltet bleibt bei seiner Fortbewegung von dem Kontaktflecken 3a zum nächsten Kontaktflecken 3b.
  • 2. Zweite bevorzugte Ausführungsform
  • Die Erfindung ist auch anwendbar auf ein Flip-Chip-Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips auf einer Platine, wie etwa einer Platine mit gedruckter Schaltung.
  • Die 12 zeigt eine Ansicht einer Vorrichtung 100a, die für das Flip-Chip-Verfahren geeignet ist. Bei dem Flip-Chip-Verfahren mit der Vorrichtung 100a ist der zu bondende Gegenstand eine Platine mit gedruckter Schaltung PB, auf welcher leitende Strukturen 21 auf einem Isolationssubstrat 22 ausgebildet sind. Die Platine PB besitzt eine Verbindungsstruktur zum Anschluss der Kontaktstrukturen sowie ein durchgehendes Loch durch das Isolationssubstrat 22 hindurch, wobei diese Elemente jedoch in 12 weggelassen sind.
  • Die Vorrichtung 100a ist ähnlich der Vorrichtung 100 gemäß 2 hinsichtlich des Aufbaues und des Betriebes. Dementsprechend wird eine ähnliche Beschreibung nicht wiederholt.

Claims (19)

  1. Verfahren zum Herstellen fester elektrischer Verbindungen zwischen einem Halbleiterchip (2) und einem zu bondenden Gegenstand (4), wobei der Halbleiterchip eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (2a, 2b) besitzt und der zu bondende Gegenstand ein leitendes Element umfasst, wobei (a) der zu bondende Gegenstand (4) und der Halbleiterchip (2) in einer solchen Weise abgestützt werden, dass die erste Hauptoberfläche (2a) des Halbleiterchips (2) dem leitenden Element gegenüberliegt, wobei sich ein Kontaktflecken (3) dazwischen befindet, (b) ein Lichtstrahl von der Seite der zweiten Hauptoberfläche (2b) des Halbleiterchips (2) auf den Kontaktflecken (3) durch den Halbleiterchip gerichtet wird, und der Halbleiterchip (2) und der zu bondende Gegenstand (4) mittels einer Anpressvorrichtung aneinander gepresst werden, dadurch gekennzeichnet, dass der Lichtstrahl ein Infrarotlichtstrahl ist und der Halbleiterchip (2) auf dem durch den Kontaktflecken (3) zu bondenden Gegenstand (4) in einer solchen Lage angebracht wird, in der die erste Hauptoberfläche (2a) des Halbleiterchips nach unten gerichtet ist, und der Halbleiterchip (2) mittels eines parallel zur zweiten Hauptoberfläche (2b) schwenkbaren Infrarotlicht übertragenden Plattenelements (301) und eines elastischen Elements (203) an den zu bondenden Gegenstand (4) angepresst wird, wobei das elastische Element an einem den Lichtstrahl abgebenden zum Halbleiterchip hin verfahrbaren optischen Kopf (220) angebracht ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt (b) die folgenden Schritte umfasst, nämlich: (b-1) die Erzeugung eines Infrarotlichtstrahles und (b-2) die Ablenkung des Infrarotlichtstrahles auf den Kontaktflecken.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Struktur von Kontaktflecken auf der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterchips ausgebildet ist und der Schritt (b) außerdem einen Schritt (b-3) umfasst, gemäß welchem der infrarote Lichtstrahl in einer Reihenfolge auf einen Kontaktflecken nach dem anderen gerichtet wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt (b-3) einen Schritt (b-3-1) umfasst, gemäß welchem man den infraroten Lichtstrahl während eines ersten Zeitraumes aktiviert, in welchem der Lichtstrahl auf einen der Kontaktflecken gerichtet ist, und den Infrarotlichtstrahl während zweiter Zeitabschnitte deaktiviert, in welchen sich der infrarote Lichtstrahl von einem Kontaktflecken zum nächsten bewegt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt (b) einen weiteren Schritt (b-5) umfasst, gemäß welchem der infrarote Lichtstrahl durch ein konvergierendes optisches System auf die Struktur der Kontaktflecken gesammelt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt (b-5) einen weiteren Schritt (b-5-1) umfasst, gemäß welchem der infrarote Lichtstrahl derart auf die Kontaktflecken gesammelt wird, dass der infrarote Lichtstrahl einen Durchmesser besitzt, der gleich oder kleiner ist als der Durchmesser eines jeden der Kontaktflecken.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt (b-5-1) einen weiteren Schritt umfasst, gemäß welchem man den infraroten Lichtstrahl derart auf dem Kontaktflecken sammelt, dass der infrarote Lichtstrahl einen kleineren Durchmesser als den Durchmesser eines jeden Kontaktfleckens besitzt und wobei der Schritt (b-3-1) einen Schritt (b-3-1a) umfasst, gemäß welchem man mit dem infraroten Lichtstrahl einen jeden Kontaktflecken während eines ersten Zeitabschnittes zweidimensional abtastet.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der zu bondende Gegenstand ein Isolierband umfasst, sowie eine Mehrzahl von elektrischen Zuleitungen, die auf das Isolierband aufgebracht sind, wobei das leitende Element aus einer Mehrzahl elektrischer Zuleitungen besteht.
  9. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der zu bondende Gegenstand ein Isoliersubstrat sowie eine auf dem Isoliersubstrat ausgebildete leitende Struktur umfasst, wobei das leitende Element durch die leitende Struktur gebildet wird.
  10. Vorrichtung zum Herstellen fester elektrischer Verbindungen zwischen einem Halbleiterchip (2) und einem zu bondenden Gegenstand (4), wobei der Halbleiterchip eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (2a, 2b) besitzt und der zu bondende Gegenstand ein leitendes Element umfasst, mit (a) einer Stützeinrichtung (202) zum Abstützen des zu bondenden Gegenstandes (4) und des Halbleiterchips (2) in einer solchen Weise, dass die erste Hauptoberfläche (2a) des Halbleiterchips (2) dem leitenden Element mit dazwischenliegenden erhöhten Kontaktflecken (3) gegenüberliegt, und (b) einer Beleuchtungseinrichtung (110) zum Abstrahlen eines Lichtstrahles von der zweiten Hauptoberfläche (2b) des Halbleiterchips (2) auf die Kontaktflecken (3) durch den Halbleiterchip (2), dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung eine Einrichtung zum Abstrahlen eines infraroten Lichtstrahles ist und der zu bondende Gegenstand (4) durch die Stützeinrichtung (202) so abstützbar ist, dass die erste Hauptoberfläche (2a) des Halbleiterchips (2) nach unten gerichtet ist, und der Halbleiterchip (2) mittels eines parallel zur zweiten Hauptoberfläche (2b) schwenkbaren Infrarotlicht übertragenden Plattenelements (301) und eines elastischen Elements (203) an den zu bondenden Gegenstand (4) anpressbar ist, wobei das elastische Element an einen den Lichtstrahl abgebenden zum Halbleiterchip hin verfahrbaren optischen Kopf (220) angebracht ist.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung für den infraroten Lichtstrahl die folgenden Merkmale umfasst, nämlich: (b-1) eine Erzeugereinrichtung (213) für den infraroten Lichtstrahl (L) sowie (b-2) eine Strahlablenkungseinrichtung (216) zum Ablenken des infraroten Lichtstrahles (L) in Richtung auf die Kontaktflecken (3).
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine Struktur von Kontaktflecken (3) auf der ersten Hauptoberfläche (2) des Halbleiterchips (2) ausgebildet ist, wobei die Vorrichtung außerdem (c) eine Steuereinrichtung umfasst, zur Abgabe eines Ablenkungssteuersignals für die Strahlablenkungseinrichtung zur seriellen Abtastung der Mehrzahl von Kontaktflecken (3) durch den infraroten Lichtstrahl (L).
  13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (c-1) eine Einrichtung zur Erzeugung eines Zeitgebersignals umfasst, welches synchron mit dem Ablenkungssteuersignal an die Erzeugereinrichtung für den infraroten Lichtstrahl derart abgegeben wird, dass der Lichtstrahl aktiviert ist während erster Zeitabschnitte, in welchen der Lichtstrahl einen der Kontaktflecken anstrahlt und deaktiviert wird während zweiter Zeitabschnitte, in welchen der infrarote Lichtstrahl sich zwischen den Kontaktflecken bewegt.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung für den infraroten Lichtstrahl (b-3) einen Vor- und Rückschiebemechanismus (204) zur Vor- und Rückführung des optischen Kopfes (220) zur zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips hin und von dieser weg umfasst.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Infrarotlichtstrahlerzeugereinrichtung folgende Merkmale umfasst, nämlich: (b-1-1) eine Infrarotlichtstrahlquelle zur Erzeugung des Infrarotlichtstrahles und (b-1-2) ein optisches Konversionssystem zum Sammeln des infraroten Lichtstrahles auf jeden der Kontaktflecken.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Konversionssystem (b-1-2) ein optisches Element umfasst, mittels welchem der infrarote Lichtstrahl derart auf die Kontaktflecken richtbar ist, dass der infrarote Lichtstrahl einen Durchmesser besitzt, der gleich oder kleiner ist als der Durchmesser eines jeden der Kontaktflecken.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass mittels des optischen Systems der Infrarotlichtstrahl derart auf die Kontaktflecken konvergierbar ist, dass der Infrarotlichtstrahl einen kleineren Durchmesser besitzt als der Durchmesser eines jeden Kontaktfleckens, wobei die Steuereinrichtung eine Einrichtung (c-2) umfasst, zur Erzeugung eines Ablenkungssteuersignals, unter dessen Steuerung die Kontaktflecken während der ersten Zeitabschnitte durch den Infrarotlichtstrahl zweidimensional abgetastet werden.
  18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass ein Mechanismus (d) vorgesehen ist, der (d-1) ein Betätigungselement (305) zur Bewegung des Plattenelementes (301) auf die zweite Oberfläche des Halbleiterchips umfasst.
  19. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Abstützeinrichtung (a-1-1) ein Stützelement umfasst, welches aus einem Material besteht, das den Infrarotlichtstrahl überträgt oder absorbiert, wobei das Plattenelement (301) hierauf den zu bondenden Gegenstand trägt.
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