DE4300984B4 - Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe - Google Patents

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Abstract

Analoge Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe in Form einer integrierten Schaltung, umfassend:
(a) einen Abtast-MOSFET (6), dessen Drainelektrode mit einer Ausgangsleitung (12) verbunden ist, dessen Sourceelektrode so angeschlossen ist, dass sie eine analoge Eingangsspannung (VIN1) empfängt, und der eine Gateelektrode und eine Körperelektrode aufweist, gekennzeichnet durch
(b) eine erste Einrichtung (11) zum Aufrechterhalten einer konstanten Spannung zwischen der Körperelektrode und der Sourceelektrode;
(c) eine zweite Einrichtung (21, 24), die zwischen die Gateelektrode und die Sourceelektrode geschaltet ist, um eine konstante Gate/Source-Spannung am Abtast-MOSFET als Antwort auf einen konstanten Strom (I), der durch diese zweite Einrichtung fließt, aufrechtzuerhalten; und
(d) eine dritte Einrichtung (26, 27, 31), die mit der zweiten Einrichtung verbunden ist, um zu erzwingen, dass der konstante Strom im Wesentlichen unabhängig von der analogen Eingangsspannung durch die zweite Einrichtung fließt.

Description

  • Die Erfindung betrifft MOSFET-Abtastschaltstufen, insbesondere eine Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe, die mit einer einzigen Versorgungsspannung arbeitet, ein Eingangssignal erhält, das im Bereich zwischen einem Wert über und einem Wert unter der Massespannung liegt, und die dennoch im MOSFET über den gesamten Bereich der Eingangsspannungen einen konstanten Kanalwiderstand erzeugt, was demgemäß zu niedriger harmonischer Gesamtverzerrung eines abgetasteten Eingangssignals führt.
  • Die JP-A 61099998 offenbart eine MOSFET-Abtastschaltstufe mit den Merkmalen des Oberbegriffs von Anspruch 1.
  • Eine weitere gattungsgemäße MOSFET-Abtaststufe ist aus der DE-A 41 25 411 bekannt.
  • 2 zeigt Anschlüsse während des "Nachlauf"- oder "Abtast"-Modus eines herkömmlichen analogen Abtastschalters, der einen n-Kanal-MOSFET 6 aufweist, dessen Gateelektrode mit einer Spannung +V verbunden ist, dessen Source über eine Leitung 17 so angeschlossen ist, daß sie eine analoge Eingangsspannung VIN empfängt, und dessen Drain über einen Abtastkondensator 13 mit einer Ausgangsleitung 15 verbunden ist. Die Leitung 15 ist mit einem durch ein Bezugszeichen 15 gekennzeichneten CDAC(Kondensator-D/A-Wandler)-Schaltkondensatorarray und einem Komparator verbunden, dessen Ausgang mit einem (nichtdargestellten) Register für sukzessive Approximation verbunden ist.
  • Ein Problem bei der Schaltung gemäß 2 geht dahin, daß die Gate/Source-Spannung (die teilweise den Kanalwiderstand RDS des MOSFET 6 bestimmt) relativ niedrig ist und typischerweise nur einige wenige Volt beträgt. Die Gate/Source-Spanung des MOSFET 6 ändert sich mit Änderungen der Spannung vIN beträchtlich, was dazu führt, daß sich der Kanalwiderstand des Abtast-MOSFET 6 ändert. Ferner hängt die Schwellenspannung VTH des MOSFET 6, die ebenfalls den Kanalwiderstand beeinflußt, stark von der Spannung zwischen der Sourceelektrode und der Körperelektrode ab. Die Source/Körper-Spannung schwankt mit Änderungen von VIN beträchtlich, was weitere Änderungen des Kanalwiderstandes des Abtast-MOSFET 6 als Funktion der Eingangsspannung VIN hervorruft. Demgemäß wird harmonische Verzerrung mit beträchtlichem Ausmaß im abgetasteten Wert der Spannung VIN erzeugt, die im Abtastkondensator 13 gespeichert wird, wenn dieser über den nichtlinearen Kanalwiderstand RDS des Abtast-MOSFET 6 geladen wird.
  • Wenn die Leitung 15 mit dem Kondensatorarray eines CDAC (Kondensator-D/A-Wandler) verbunden ist, erzeugt eine derartige harmonische Verzerrung Fehler im digitalen Ausgangswort, das durch den A/D-Wandler erzeugt wird, um die zeitlich variable analoge Eingangsspannung VIN zu repräsentieren.
  • Es wäre wünschenswert, eine analoge Abtastschaltstufe anzugeben, die in einem Schalt-MOSFET selbst dann einen konstanten Kanalwiderstand erzeugt, wenn die Schaltung mit einer einzigen Spannungsversorgung von 5 Volt arbeitet, und selbst dann, wenn das analoge Eingangssignal z. B. ein sinusförmiger Signalzug mit bipolaren Werten zwischen +10 Volt und –10 Volt ist.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine MOSFET-Abtastschaltstufe anzugeben, die das Einführen harmonischer Verzerrungen in die Abtastrepräsentation einer analogen Ein gangsspannung vermeidet, aber dennoch mit einer einzigen Versorgungsspannung auskommt.
  • Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, eine analoge Abtastschaltstufe für einen CDAC in einem A/D-Wandler anzugeben, der mit einer einzigen Spannungsversorgung von 5 Volt bei einer analogen Eingangsspannung arbeitet, die Werte einnimmt, die wesentlich über und unter der Massespannung liegen, wobei die von der Abtastschaltstufe in die abgetastete Spannung eingeführte harmonische Verzerrung sehr klein ist.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine Nachlaufgenauigkeit sowohl der Spannung der Körperelektrode als auch der Spannung der Gateelektrode relativ zur Spannung der Sourceelektrode des Abtast-MOSFET 6 zu erzielen, die bei der Nyquistfrequenz nur etwa 10 bis 20 Millivolt beträgt.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine Konstantstromquellenschaltung mit hoher Eingangsimpedanz anzugeben, die einen konstanten Wert des Ausgangsstroms bei sehr niedriger Ausgangsspannung von z. B. nur 0,3 Volt aufrechterhalten kann.
  • Die Erfindung ist durch die Merkmale des Anspruchs 1 gegeben.
  • Eine Ausführungsform weist drei Operationsverstärker, einen Abtast-MOSFET sowie einen ersten und einen zweiten weiteren MOSFET auf, wobei dafür gesorgt wird, daß ein konstanter Strom durch den zweiten MOSFET fließt. Dadurch hält der zweite Operationsverstärker eine konstante Gate/Source-Spannung des Abtast-MOSFET aufrecht, die im wesentlichen zu einer konstanten Gate/Source-Spannung des ersten MOSFET führt, wodurch der Kanalwiderstand des Abtast- MOSFET selbst bei sich ändernder analoger Eingangsspannung konstantgehalten wird, was zu geringer harmonischer Gesamtverzerrung innerhalb der Abtastschaltstufe führt. Bei einem Ausführungsbeispiel, wie es unten beschrieben wird, ist die Abtastschaltstufe innerhalb eines A/D-Wandlers mit sukzessiver Approximation enthalten, der ein CDAC-Schaltkondensatorarray, einen Komparator und ein Register für sukzessive Approximation aufweist.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand eines durch Figuren veranschaulichten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
  • 1 ist ein schematisches Schaltbild eines erfindungsgemäßen Bootstrap-Abtastschalters.
  • 2 ist ein schematisches Schaltbild eines herkömmlichen MOSFET-Abtastschalters.
  • 3 ist ein schematisches Schaltbild eines der Operationsverstärker in 1.
    •
  • Gemäß 1 empfängt eine Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe 1 über eine Leitung 17 eine sinusförmige Eingangsspannung VIN, die zwischen +10 Volt und –10 Volt schwankt. Ein Widerstand von 20 kOhm ist zwischen die Leitung 17 und eine Leitung 5 geschaltet. Ein Widerstand 3 von 4 kOhm ist zwischen eine Bezugsspannung von +2,5 Volt und die Leitung 5 geschaltet. Ein Widerstand 4 von 10 kOhm ist zwischen die Leitung 5 und Masse geschaltet. Von dem durch die Widerstände 2, 3 und 4 gebildeten Spannungsteiler wird aus der um ±10 Volt schwankenden Spannung VIN auf der Leitung 5 eine herabgesetzte Eingangsspannung VIN1 erzeugt, deren Signalpegel zwischen 0,3 Volt und 2,8 Volt liegen.
  • Die Sourceelektrode eines n-Kanal-Abtast-MOSFET 6 ist über die Leitung 5 mit den nichtinvertierenden Eingängen von Operationsverstärkern 11 und 21 verbunden. Eine Körperelektrode des Abtast-MOSFET 6 ist über einen Schalter 29A und eine Leitung 10 mit dem Ausgang und dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 11 verbunden. Die Draineleketrode des Abtast-MOSFET 6 ist über eine Leitung 12 mit einem Anschluß eines Abtastkondensators 13 verbunden, dessen anderer Anschluß mit der Leitung 15 verbunden ist. Die Leitung 12 ist über einen Schalter 14A mit einer Bezugsspannung VREF verbunden, die mit der oben genannten Versorgungsspannung von +2,5 Volt übereinstimmen kann oder bei der es sich um eine andere Spannung handeln kann. Die Leitung 12 ist über einen Schalter 14B mit Masse verbunden. Der Schalter 14A schließt sich auf eine Spannung VTEST1 hin, und der Schalter 14B schließt sich auf eine Spannung VTEST2 hin, um ein Testen des höchstsignifikanten Bits zu bewirken, wie dies in 1 dargestellt ist, wobei mit dem höchstsignifikanten Bit eines CDAC(Kondensator-D/A-Wandler)-Kondensatorarrays begonnen wird, das den Abtastkondensator 13 und ein Schaltkondensatorarray beinhaltet, das durch das Bezugszeichen 16 gekennzeichnet ist. Der Test wird durch den Komparator 19 und ein Register für sukzessive Approximation SAR 30 ausgeführt. Die Leitung 15 ist über einen Schalter 14C mit der Spannung +VREF verbunden, bei der es sich um dieselbe handeln kann wie die Bezugsspannung von +2,5 Volt oder um eine andere Spannung. Der Schalter 14C schließt auf eine Spannung VABTAST hin. Ein Schalter 29B verbindet die Körperelektrode des Abtast-MOSFET 6 mit Masse. Ein Schalter 29A schließt auf eine Spannung VCONTROL hin. Der Schalter 29B schließt auf die Spannun V CONTROL hin.
  • Derjenige Teil des CDAC-Arrays, das durch das Bezugszeichen 16 gekennzeichnet wird, ist zwischen die Leitung 15 und Masse geschaltet. Die Leitung 15 ist auch mit einem Komparator 19 verbunden, dessen Ausgang mit dem Register für sukzessive Approximation SAR 30 verbunden ist, das (nichtdargestellte) Schalter im Schaltkondensatorarray 16 sowie die Schalter 14A und 14B steuert, um dadurch einen A/D-Wandler zu bilden. Typischerweise vergleicht der Komparator 19 die Spannung auf der Leitung 15 beim Testen des aktuellen Bits mit einer Spannung, die von einem trimmbaren D/A-Wandler 59 geliefert wird.
  • Die Gateelektrode des Abtast-MOSFET 6 ist über eine Leitung 20 und einen Schalter 22 mit dem Ausgang des Operationsverstärkers 21 verbunden. Der Schalter 22 schließt sich auf das Steuersignal VCONTROL hin. Die Leitung ist auch über einen Schalter 23 mit Masse verbunden. Der Schalter 23 schließt sich auf das Signal V CONTROL hin. Der Ausgang des Operationsverstärkers 21 ist auch mit der Gateelektrode des n-Kanal-MOSFET 24 verbunden.
  • Die Drainelektrode des MOSFET 24 ist mit einer Leitung zur positiven Spannungsversorgung verbunden. Die Sourceelektrode des MOSFET 24 ist über eine Leitung 25 mit dem invertierenden Eingang der Operationsverstärkers 21 und mit der Drainelektrode des n-Kanal-MOSFET 26 verbunden. Die Sourceelektrode eines MOSFET 26 ist über eine Leitung 28 mit einem Anschluß eines einstellbaren Widerstandes 27 sowie mit dem invertierenden Eingang eines Operationsverstärkers 31 verbunden. Der andere Anschluß des Widerstandes ist mit Masse verbunden.
  • Der Ausgang des Operationsverstärkers 31 ist an die Gateelektrode des MOSFET 26 angeschlossen. Der nichtinvertierende Eingang des Operationsverstärkers 31 ist über eine Leitung 32 mit der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 33 und 34 verbunden, die in Reihe zwischen die Bezugsspannung von +2,5 V und Masse geschaltet sind, um auf der Leitung 32 und demgemäß auf der Leitung 28 einen Pegel von 0,2 Volt zu erzeugen. Die Bezugsspannung von 2,5 Volt kann dieselbe sein wie die Spannung VREF, oder es kann eine andere Spannung sein, und der Pegel von 0,2 Volt kann durch einen anderen Wert ersetzt werden.
  • Es ist zu beachten, daß der Kanalwiderstand des Abtast-MOSET 6 in bezug auf Änderungen von VIN sehr nichtlinear ist. Problematisch ist auch die Tatsache, daß die parasitäre Kapazität 7A von der Source des Abtast-MOSFET 6 zu ihrer p-Wanne oder ihrer Körperelektrode eine relativ große, nichtlineare pn-Übergang-Kapazität ist. Entsprechend ist die parasitäre Kapazität 7B vom Drain zur p-Wanne oder zur Körperelektrode des Abtast-MOSFET 6 eine relativ große, nichtlineare pn-Übergang-Kapazität. Auch parasitäre Kapazitäten 7C und 7D sind etwas nichtlinear. Da die parasitären Kapazitäten 7A–D groß und nichtlinear sind, wird angenommen, daß ein Teil des Eingangsstroms, der den Abtastkondensator 13 laden soll, verlorengeht, da er die parasitären Kondensatoren 7A–7D lädt.
  • Wenn im Betrieb die Schalter 14C, 22 und 29A geschlossen werden und die verbleibenden Schalter in 1 offenbleiben, führt das Abtasten der verkleinerten, sich zeitlich verändernden Eingangsspannung VIN1 auf der Leitung 5 durch den Abtast-MOSFET 6 zu einer Wiedergabe von VIN1 mit geringer Verzerrung am Abtastkondensator 13. Dies, da der Operationsverstärker 11 die Körperelektrodenspannung des Abtast-MOSFET 6 auf nahezu der Sourcespannung VIN1 hält und da der Operationsverstärker 21 die Gate/Source-Spannung des Abtast-MOSFET 6 auf einem konstanten Wert hält, der nahezu der konstanten Gate/Source-Spannung des MOSFET 24 entspricht. Das Letztere wird dadurch erzielt, daß der Operationsverstärker 21 im wesentlichen gleiche Spannungen auf den Leitungen 5 und 25 aufrechterhält.
  • Die Gate/Source-Spannung des MOSFET 24 wird trotz der sich stark ändernden Werte der Spannungen VIN und VIN1 dadurch auf einem im wesentlichen konstanten Wert gehalten, daß dafür gesorgt wird, daß der Strom I, der durch den MOSFET 24 fließt, im wesentlichen konstant ist. Der konstante Wert des Stroms I hält notwendigerweise den Kanalwiderstand und damit die Gate/Source-Spannung des MOSFET 24 nahezu konstant, solange der MOSFET 24 in seinem Stromsättigungs-Betriebsbereich verbleibt, und auch vorausgesetzt, daß die Kanallänge des MOSFET 24 ausreichend lang dafür ist, daß eine merkliche Änderung der Spannung VGS des MOSFET 24 beim konstanten Strom I vermieden wird, wenn sich die Drain/Source-Spannung des MOSFET 24 mit Änderungen der Spannung VIN1 ändert (es ist zu beachten, daß der MOSFET 24 theoretisch durch eine andere Widerstandsvorrichtung ersetzt werden könnte, die zwischen den Ausgang und den invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 21 geschaltet ist, solange der Strom I auf einem geeigneten konstanten Wert gehalten wird, damit die Spannung VGS des MOSFET 6 konstantgehalten wird.) Da der Minimalwert der Spannung VIN1 0,3 Volt beträgt, wird die Spannung auf der Leitung 28 durch den Operationsverstärker 31 auf einer niedrigeren Spannung gehalten, die zu 0,2 Volt gewählt ist, wobei der nichtinvertierende Eingang des Operationsverstärkers durch die Spannungsteilerschaltung 33, 34 auf 0,2 Volt gehalten wird. Der Operationsverstärker 31 liefert daher die erforderliche Gate/Source-Spannung für den MOSFET 26, um den konstanten Strom I zu liefern, wie er erforderlich ist, um den konstanten Spannungsabfall von 0,2 Volt am Widerstand 27 trotz großer Schwankungen der Drainspannung des MOSFET 26 auf der Leitung 25 aufrechtzuerhalten.
  • Beim beschriebenen Ausführungsbeispiel der Erfindung betragen die Breite und Länge des Kanals des Abtast/MOSFET 6 500 μm bzw. 3 μm. Die Breite und Länge des Kanals des MOSFET 24 betragen 24 μm bzw. 12 μm, wodurch eine Gate/Source-Spannung von ungefähr 1,5 Volt für einen Wert des Stroms I von ungefähr 30 μA erzeugt wird. Der MOSFET 26 weist eine Kanalbreite von 500 μm und eine Kanallänge von 3 μm auf.
  • Während des Betriebs der Schaltung von 1 im "Nachlauf"-Modus sind die Ausgänge der Operationsverstärker 11 und 21 über die Schalter 29A und 22 mit der Körperelektrode bzw. der Gateelektrode des Abtast-MOSFET 6 verbunden. Der Schalter 14C ist geschlossen, so daß die der Spannung VIN1 folgende oder "nachlaufende" Spannung auf der Leitung 12 am Abtastkondensator 13 abfällt. Die Schalter 29B, 23, 14A und 14B sind alle offen.
  • Um vom Nachlaufmodus in den "Halte"-Modus umzuschalten (bei dem der Wert der Spannung VIN1 am Abtastkondensator 13 zur Umwandlung in einen digitalen Wert genau "erfaßt" wird), wird der Schalter 14C geöffnet. Dann werden die Schalter 22 und 29A geöffnet, um die Ausgänge der Operationsverstärker 11 und 12 von der Körperelektrode bzw. der Gateelektrode des Abtast-MOSFET 6 abzutrennen. Die Schalter 23 und 29B werden geschlossen, um die Körperelektrode und die Gateelektrode des Abtast-MOSFET 6 mit Masse zu verbinden, um sicherzustellen, daß er völlig abgeschaltet ist. Dann können die Schalter 14A und 14B selektiv während herkömmlicher sukzessiver Approximation geöffnet und geschlossen werden, mit der die aktuell am Abtastkondensator 13 erfaßte Spannung Bit für Bit getestet wird, wobei mit dem höchstsignifikanten Bit begonnen wird, bis der Inhalt des SAR 30 den aktuell abgetasteten Wert der Spannung VIN1 und damit den Wert der Spannung VIN repräsentiert.
  • Es ist zu beachten, daß die abgetastete Eingangsspannung an mehr Kondensatoren als nur dem Kondensator 13 für das höchstsignifikante Bit erfaßt werden kann. Der Fachmann erkennt, daß die Schaltungsanordnung so ausgebildet werden kann, daß die Eingangsspannung an zweien oder dreien oder sogar allen Bitkondensatoren des CDAC abgetastet werden kann.
  • Es ist zu beachten, daß beim CMOS-Herstellprozeß, wie er für das Ausführungsbeispiel von 1 verwendet wird, kein p-Kanal-Sourcefolgertransistor statt des Operationsverstärkers 11 verwendet werden könnte, da die Körperelektrode eines solchen p-Kanal-Sourcefolger-MOSFET auf +5 Volt liegen würde. Daher würde eine beträchtliche Schwankung in der Source/Körper-Spannung und demgemäß in der Schwellenspannung des Sourcefolger-MOSFET bei Änderungen von VIN vorliegen, was zu beträchtlicher Nichtlinearität und harmonischer Verzerrung der abgetasteten Ausgangsspannung führen würde. Der Lösungsansatz zum Erzielen von Linearität des Kanalwiderstandes eines analogen Abtastschalters, wie er in der oben genannten Anmeldung beschrieben wurde, kann nicht verwendet werden, wenn asynchrones Schalten des Abtast-MOSFET erforderlich ist, solange nicht eine freilaufende Taktschaltung bereitgestellt wird, um die Bootstrap-Schaltung zu betreiben, die in jener Patentanmeldung offenbart wird.
  • Die Realisierung der drei Operationsverstärker 11, 21 und 31 ist unkompliziert. 3 zeigt eine Realisierung für den Operationsverstärker 21. In 3 bilden p-Kanal-MOSFETs 40 und 41 ein Differenzbildungs-Eingangspaar mit Lastvorrichtungen, die von n-Kanal-MOSFETs 42 bzw. 43 in Diodenschaltung gebildet werden. Der Strom durch den MOSFET 43 wird vom n-Kanal-MOSFET 54 so gespiegelt, daß er durch einen n-Kanal-Kaskode-MOSFET 53 fließt, dessen Drainelektrode mit einer Ausgangsleitung 57 verbunden ist. Ein Kondensator 55 und ein Widerstand 56 mit 5 kOhm bilden ein Kompensationsnetzwerk. Der Strom durch den Last-MOSFET 42 in Diodenschaltung wird von einem n-Kanal-MOSFET 45 durch einen Kaskode-MOSFET 46 einen p-Kanal-MOSFET 47 in Diodenschaltung gespiegelt, bei dem es sich um die Steuereinrichtung eines pnp-Stromspiegels mit dem p-Kanal-MOSFET 52 handelt. Der Drain des MOSFET 52 ist mit der Ausgangsleitung 57 verbunden. Diese Konfiguration sorgt für hohe Ausgangsimpedanz auf der Leitung 57, was erwünscht ist, um die Leerlauf schleifenverstärkung des Operationsverstärkers zu erhöhen, um die Nachführung der Spannungen der Körperelektrode und der Gateelektrode des MOSFET 6 relativ zu seiner Sourcespannung zu verbessern. Die p-Kanal-MOSFETs 48, 44 und 51 bilden einen Stromspiegel, um einen konstanten Ruhestrom IBIAS durch die n-Kanal-MOSFETs 49 und 50 in Diodenschaltung zu erzeugen, die die Kaskode-MOSFETs 46 und 53 mit Ruhestrom versorgen.
  • Das oben beschriebene Ausführungsbeispiel der Erfindung gibt eine Abtastschaltung mit einer einzigen Versorgungsspannung an, welche Schaltung sehr genaues Bootstrapping einer analogen Eingangsspannung VIN1 an die Körperelektrode und die Gateelektrode des Abtast-MOSFET 6 innerhalb einer Abweichung von nur 10 bis 20 Millivolt von der analogen Eingangsspannung VIN1 bei der Nyquistfrequenz ergibt, ohne daß es zu übermäßiger harmonischer Verzerrung kommt, wie sie bei einer Änderung des Kanalwiderstandes des Abtast-MOSFET beim herkömmlichen Lösungsansatz wie in 2 hervorgerufen würde. Dieses Ergebnis wird selbst dann erzielt, wenn sich die Eingangsspannung sowohl über als auch unter die Massespannung ändert.

Claims (4)

  1. Analoge Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe in Form einer integrierten Schaltung, umfassend: (a) einen Abtast-MOSFET (6), dessen Drainelektrode mit einer Ausgangsleitung (12) verbunden ist, dessen Sourceelektrode so angeschlossen ist, dass sie eine analoge Eingangsspannung (VIN1) empfängt, und der eine Gateelektrode und eine Körperelektrode aufweist, gekennzeichnet durch (b) eine erste Einrichtung (11) zum Aufrechterhalten einer konstanten Spannung zwischen der Körperelektrode und der Sourceelektrode; (c) eine zweite Einrichtung (21, 24), die zwischen die Gateelektrode und die Sourceelektrode geschaltet ist, um eine konstante Gate/Source-Spannung am Abtast-MOSFET als Antwort auf einen konstanten Strom (I), der durch diese zweite Einrichtung fließt, aufrechtzuerhalten; und (d) eine dritte Einrichtung (26, 27, 31), die mit der zweiten Einrichtung verbunden ist, um zu erzwingen, dass der konstante Strom im Wesentlichen unabhängig von der analogen Eingangsspannung durch die zweite Einrichtung fließt.
  2. Analoge Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe in Form einer integrierten Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Einrichtung einen ersten MOSFET (24) aufweist, der an die Einrichtung zum Erzwingen des konstanten Stroms angeschlossen ist, um die konstante Gate/Source-Spannung am Abtast-MOSFET während der Abtastperiode zu erzeugen.
  3. Analoge Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe in Form einer integrierten Schaltung nach Anspruch 1, wobei (i) eine Spannungsteiferschaltung (2, 3, 4) ein analoges Eingangssignal (VIN) an die Sourceelektrode (5) des Abtast-MOSFET koppelt; (ii) die erste Einrichtung einen ersten Operationsverstärker (11) einschließt, dessen nichtinvertierender Eingang mit der Sourceelektrode des Abtast-MOSFET verbunden ist und dessen invertierender Eingang mit seinem Ausgang und einer Körperelektrode des Abtast-MOSFET verbunden ist; (iii) die zweite Einrichtung einen zweiten Operationsverstärker (21) einschließt, dessen Ausgang mit der Gateelektrode des Abtast-MOSFET verbunden ist und dessen nichtinvertierender Eingang an die Sourceelektrode des Abtast-MOSFET angeschlossen ist; (iv) die zweite Einrichtung ferner einen ersten MOSFET (24) einschließt, dessen Gateelektrode mit der Gateelektrode des Abtast-MOSFET verbunden ist, dessen Drainelektrode so angeschlossen ist, dass sie eine positive Versorgungsspannung empfängt, und dessen Sourceelektrode mit dem invertierenden Eingang des zweiten Operationsverstärkers verbunden ist; und (v) die dritte Einrichtung einen zweiten MOSFET (26} einschließt, dessen Drainelektrode mit der Sourceelektrode des ersten MOSFET verbunden ist; einen Widerstand (27), der zwischen die Sourceelektrode des zweiten MOSFET und eine Bezugsspannungsleitung geschaltet ist; und einen dritten Operationsverstärker (31), dessen Ausgang mit der Gateelektrode des zweiten MOSFET verbunden ist, dessen nichtinvertierender Eingang mit einer Vorspannungsquelle verbunden ist, und dessen invertierender Eingang mit der Sourceelektrode des zweiten MOSFET verbunden ist; wodurch ein konstanter Strom (I) durch den ersten MOSFET fließt und dessen Gate/Source-Spannung konstanthält, wodurch die Gate/Source-Spannung des Abtast-MOSFET selbst bei großen Schwankungen des analogen Eingangssignals konstantgehalten wird.
  4. Analoge Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe in Form einer integrierten Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsteilerschaltung einen ersten Widerstand (2), der das analoge Eingangssignal an die Sourceelektrode des Abtast-MOSFET koppelt, einen zweiten Widerstand (4), der die Sourceelektrode des Abtast-MOSFET mit einer Massespannungsleitung verbindet, und einen dritten Widerstand (3) aufweist, der die Sourceelektrode des Abtast-MOSFET mit einer Bezugsspannungsleitung verbindet.
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