DE2811074C2

DE2811074C2 - Komplementäre, leistungslose Komparator/Inverter-Schaltung

Info

Publication number: DE2811074C2
Application number: DE2811074A
Authority: DE
Inventors: Robert Russel Beaverton Oreg. Beutler
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1977-03-25
Filing date: 1978-03-14
Publication date: 1983-10-27
Also published as: DE2811074A1; MY8300193A; GB1596226A; JPS53119647A; JPS603249B2; HK40882A; FR2385269B1; FR2385269A1; US4103190A

Description

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Die Erfindung betrifft eine Komparator/Inverter-Schaltung mit einem exakten Übergangspunkt und mit einer Eingangsstufe zur Aufnahme eines Eingangssignals, einer ersten Spannungsklemme und einer zweiten Spannungsklemme, einer Bezugseinrichtung zwischen der ersten und der zweiten Spannungsklemme, um eine Bezugsspannung zu erzeugen, einer ersten Verstärkereinrichtung, welche an die Bezugseinrichtung angeschlossen ist, um in Reaktion auf das Eingangssignal ein verstärktes Signal zu erzeugen, welches einen ersten «> Übergangspunkt aufweist, der durch die Bezugsspannung festgelegt ist, einer zweiten Verstärkereinrichtung die mit der ersten Verstärkereinrichtung verbunden ist, um ein verstärktes invertiertes Ausgangssignal zu erzeugen, welches einen zweiten Übergangspunkt hat, der durch den ersten Übergangspunkt in Reaktion auf das verstärkte Signal bestimmt ist, mit ferner einer ersten und zweiten Energiesteuervorrichtung zum selektiven Verbinden der Bezugseinrichtung und der ersten Verstärkereinrichtung mit den Spannungsklemmen, wobei die erste Energiesteuereinrichtung die Bezugseinrichtung in selektiver Weise elektrisch mit der ersten oder der zweiten Spannungsklemme verbindet

Eine solche Schaltung ist aus der US-PS 40 04 158 bekannt

Diese Schaltung erfordert zusätzlich zum eigentlichen Eingangssigna!, das den Komparator ansteuert, ein Steuersignal, welches die dort vorgesehene Bezugseinrichtung und Verstärkereinrichtung durchschaltet und sperrt Bei einer Ausführung dieser Schaltungsanordnung als zusammenhängender Baustein wäre zur Zuführung dieses zusätzlichen Steuersignals ein eigener Bausteinanschluß erforderlich.

Herkömmliche CMOS-Inverter haben einen P-Kanal-MOSFET und einen N-Kanal-MOSFET, welche zwischen einer positiven und einer negativen Versorgungsspannung angeordnet sind. Die Gate-Elektroden des P-Kanal- und des N-Kanal-MOSFET sind miteinander verbunden und bilden den Eingang. Die Drain-Anschlüsse sind ebenfalls miteinander verbunden und bilden den Ausgang. Die Schaltschwelle bzw. der Übergangspunkt, welcher als diejenige Eingangsspannung definiert werden kann, welche erforderlich ist, damit das Ausgangssignal gleich der Hälfte der Versorgungsspannung wird, ist durch eine Anzahl von Parametern festgelegt, zu denen auch das Verhältnis der Kanallänge zur Kanalbreite des P-Kanal-MOSFET und des N-Kanal-MOSFET gehört Weiterhin wird der Übergangspunkt durch die Größen der Schwellenspannung des N-Kanal-MOSFET und des P-Kanal-MOSFET sowie durch die Mobilität in den Kanalbereichen der beiden MOSFETs beeinflußt. Bei herkömmlichen Herstellungsverfahren kann die Veränderung in dem Übergangspunkt eines CMOS-Inverters bei einer 10-V-Spannungsversorgung in der Größenordnung von ± 1 Volt gegenüber dem Nennwert des Übergangspunktes schwanken. Bei bestimmten Anwendungsfällen, insbesondere bei einem Komparator, ist ein viel schärfer festgelegter Übergangspunkt erwünscht, der wesentlich weniger stark von Veränderungen der Fertigungsparameter abhängt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine in CMOS-Technik aufgebaute Komparator/Inverter-Schaltung zu schaffen, die ohne die Notwendigkeit zusätzlicher Steuersignale ausschlie31ich durch das Eingangssignal geschaltet wird und deren Übergangspunkt von Schwankungen der Herstellungs- oder Verarbeitungsparameter im wesentlichen unabhängig ist.

Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor, daß die erste Energiesteuereinrichtung in selektiver Weise die Bezugseinrichtung elektrisch mit der ersten oder der zweiten Spannungsklemme in Reaktion auf das Eingangssignal verbindet und daß die zweite Energiesteuereinrichtung in selektiver Weise die erste Verstärkereinrichtung mit der ersten und der zweiten Spannungsklemme in Reaktion auf das Eingangssignal verbindet.

Mit der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ist der wesentliche Vorteil erreichbar, daß der Übergangspunkt der Schaltung in erster Linie durch eine Bezugsspannung exakt festgelegt werden kann und daß die Schaltungsanordnung außerhalb der Schaltübergänge, d. h. in einem der beiden Schaltzustände, praktisch ohne Leistungsverbrauch arbeitet.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in

den Unteransprüchen dargelegt

Die Erfindung wird nachfolgend beispielsweise anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt

F i g. 1 ein Schaltschema einer bevorzugten Ausführungsform des Erfindungsgegenstandes,

F i g. 2 ein Schaltschema einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des Erfindungsgegenstandes und

Fig.3 ein Schaltschema einer dritten bevorzugten Ausführungsform des Erfindungsgegenstandes.

Die F i g. 1 zeigt eine leistungslose Komparator/Inverter-Schaltung mit einem einzelnen Eingang. Die Schaltung 10 weist einen Eingang 12 auf, der mit Vein bezeichnet ist, und hat einen Ausgang 14, der mit V_Aus bezeichnet ist Weiterhin ist die Schaltung zwischen einer mit Vdd bezeichneten Leitung 18 und einer Masseleitung 16 angeordnet Die Schaltung 10 besteht aus einem Differenzverstärker 20, einer Bezugsschaltung 22 und einem Inverter 24. Der Inverter 24 ist ein herkömmlicher CMOS-Konverter, welcher einen P-Kanal-MOSFET 74 und einen N-Kanal-MOSFET 76 aufweist welche in Reihe zwischen Vdd und der Masse angeordnet sind. Die Drain-Anschlüsse der MOSFET-Elemente 74 und 76 sind an Vaus angeschlossen und die Gate-Elektroden sind gemeinsam an den Knoten 56 angeschlossen. Die Bezugsschaltung 22 weist MOSFET-Elemente 69, 72 und 64 sowie Widerstände 65 und 68 auf. Die Widerstände 68 und 65, welche mit R 1 bzw. R 2 bezeichnet sind, können diskrete Präzisionswiderstände sein, können jedoch auch diffundierte Widerstände oder Dünnfilmwiderstände sein, beispielsweise polykristalline Siliziumwiderstände. Die Bezugsschaltung 22 erzeugt am Knoten 66 eine Bezugsspannung Vref- Der P-Kanal-MOSFET69 ist zwischen Vbound dem Knoten 70 angeordnet, und sein Gate ist an Vein angeschlossen. Der Widerstand 68 ist zwischen dem Knoten 66 und dem Knoten 70 angeordnet. Der Widerstand 65 ist zwischen dem Knoten 66 und dem Knoten 63 angeordnet. Der N-Kanal-MOSFET 64 hat ein Gate, welches an Vein angeschlossen ist, während seine Drain mit dem Knoten 63 verbunden ist und seine Source an Masse gelegt ist. Der Differenzverstärker 20 weist eine Stromqueilenschaltung auf, weiche die MOSFET-EIemente 26, 30, 35, 42 und 44 sowie den Widerstand 28 enthält. Der P-Kanal-MOSFET26 ist zwischen Vdd und dem Knoten 32 angeordnet, und sein Gate ist mit Vein verbunden. Der Widerstand 28 ist zwischen dem Knoten 32 und dem Knoten 34 angeordnet. Das Gate und die Drain des MOSFET 30 sind mit dem Knoten 34 verbunden, und seine Source ist mit dem Knoten 36 verbunden. Das Gate des N-Kanal-MOSFET 35 ist mit Vein verbunden, seine Source ist an Masse gelegt und seine Drain ist mit dem Knoten 36 verbunden. Das Gate des N-Kanal-MOSFET 42 ist mit dem Knoten 34 verbunden, seine Source ist mit dem Knoten 36 verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 46 verbunden. Das Gate des N-Kanal-MOSFET 44 ist mit dem Knoten 63 verbunden, seine Source ist an Masse gelegt und seine Drain ist mit dem Knoten 46 verbunden. Der Verstärkungsteil des Differenzverstärkers 20 weist N-Kanal-MOSFET-Elemente 38 und 40 sowie P-Kanal-MOSFET-Elemente 48 und 42 auf, und hat Leistungssteuer-MOSFET-Elemente 50, 60, 61 und 62. Das Gate des MOSFET 38 ist mit Vein verbunden, seine Source ist mit dem Knoten 46 verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 54 verbunden. Das Gate des MOSFET 40 ist mit dem Knoten 66 verbunden, seine Source ist mit dem Knoten 46 verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 56 verbunden. Die Source des MOSFET 48 ist mit dem Knoten 58 verbunden, sein Gate ist mit dem Knoten 54 verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 54 verbunden. Die Drain des MOSFET 52 ist mit dem Knoten 56 verbunden, sein Gate üt mit dem Knoten 54 verbunden und seine Source ist mit dem Knoten 58 verbunden. Das Gate des P-Kanal-MOSFET 50 ist mit dem Knoten 57 verbunden, seine Source ist mit dem Knoten 58 verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 54 verbunden. Die Source des

ίο P-Kanal-MOSFET 60 ist mit dem Knoten Vdd verbunden, sein Gate ist mit Vein verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 58 verbunden. Der P-Kanal-MOSFET 61 und der N-Kanal-MOSFET 62 bilden einen CMOS-Inverter, dessen Ausgang mit dem Knoten 57 verbunden ist und dessen Eingang mit dem Knoten 63 verbunden ist

Die Fig.2 veranschaulicht eine Komparator/Inverter-Schaltung mit einem einzelnen Eingang, welche im wesentlichen mit der Schaltung gemäß F i g. 1 identisch ist, mit der Ausnahme, daß die MOSFET-Elemente 26, 60 und 69 nicht vorhanden sind und die Widerstände 28 und 68 und der Knoten 58 jeweils direkt mit Vdd verbunden sind. Die Schaltung gemäß Fig.2 ist nur dann leistungslos, wenn Vein auf Massepotential liegt, jedoch nicht, wenn Vein bei Vdd Volt liegt. Diese Ausführungsform ist für viele Anwendungsfälle geeignet in welchen eine Leistungsverminderung erforderlich ist, und sie ist weniger kompliziert und teuer als die Ausführungsform gemäß F i g. 1.

Die F i g. 3 ist ein Schaltschema einer Komparator/Inverter-Schaltung mit zwei Eingängen. Die Bezugsschaltung, der Differenzverstärker und der Ausgangsinverter sind im wesentlichen der Schaltung gemäß F i g. 1 ähnlich. Jedoch ist bei der Schaltung gemäß F i g. 3 die Eingangschaltung hinzugefügt, um ein gewünschtes Ansprechverhalten auf zwei Eingangssignale zu erreichen. Die Fig.3 weist einen Eingang 12Λ auf, welcher mit VfWi bezeichnet ist und sie hat einen weiteren Eingang 125, welcher mit Vein2 bezeichnet ist Die P-Kanal-MOSFET-Elemente 102 und 104 sind in Reihe zwischen Vdd und dem Knoten 106 angeordnet. Das Gate des MOSFET 102 ist an den Eingang 12Λ angeschlossen, und das Gate des MOSFET 104 ist an den Eingang 12Ä angeschlossen. Die N-Kanal-MOS-FET-Elemente 114 und 116 sind parallel zwischen der Masse und dem Knoten 118 angeordnet. Das Gate des MOSFET 114 ist mit Vein ι verbunden und das Gate des MOSFET 116 ist mit Vein 2 verbunden. Der P-Kanal-MOSFET 110 und der N-Kanal-MOSFET 108 sind derartgeschaltet, daß ein Inverter zwischen Vdd und der Masse gebildet ist. Das Gate des MOSFET 110 und des MOSFET 108 ist jeweils mit dem Knoten 106 verbunden. Es ist zu bemerken, daß die entsprechenden MOSFET-Elemente gemäß F i g. 1 dieselben Bezugszeichen haben wie bei der Fi g. 3. Der Knoten 106 ist auch mit dem Gate des P-Kanal-MOSFET 72 verbunden. Die Drain des MOSFET 108 und des MOSFET 110 ist jeweils mit 112 verbunden, und von dort aus ist jeweils eine Verbindung an die Eingänge der MOSFET-EIemente 26 und 60 geführt.

■ Der P-Kanal-MOSFET 120 und der N-Kanal-MOSFET 122 bilden einen weiteren Inverter, welcher zwischen Vdd und der Masse angeordnet ist. Das Gate des MOSFET 120 und des MOSFET 122 ist jeweils mit dem Knoten 118 verbunden, während die entsprechenden Drain-Anschlüsse mit den Knoten 124 verbunden sind. Der Knoten 124 ist mit dem Gate des MOSFET 35 und dem Gate des MOSFET 50 verbunden. Der

Widerstand R1 der Bezugsschaltung ist zwischen dem Knoten 66 und dem Knoten 106 angeordnet. Der Widerstand R 2 ist zwischen dem Knoten 66 und dem Knoten 118 angeordnet.

Es ist ersichtlich, daß die Anordnung gemäß F i g. 1 im wesentlichen zu einem CMOS-Inverter äquivalent ist, der einen sehr genauen Übergangspunkt aufweist. Weiterhin ist die Anordnung äquivalent zu einem CMOS-Inverter, bei welchem der Gleichstrom des Inverters auf Null abfällt, wenn das Eingangssignal bei Vdd oder auf Massepotential liegt. Bei dieser Schaltung ist der Obergangspunkt fast unabhängig von den Verarbeitungsveränderungen oder Betriebsveränderungen. Dies ist bei einem normalen CMOS-Inverter nicht der Fall. Der Übergangspunkt ist definiert als derjenige Wert von Vein, welcher erforderlich ist, damit das Ausgangssignal gleich der Hälfte von Vdd ist. Für herkömmliche CMOS-Herstellungsverfahren kann der Übergangspunkt eines CMOS-Inverters eines bestimmten Entwurfs um ± 1 Volt gegenüber einem Nennwert schwanken, und zwar für Vdd gleich 10 Volt. Die Schaltung gemäß Fig. 1 überwindet diesen Nachteil dadurch, daß ihr Übergangspunkt für Vdd gleich 10 Volt nur etwa ±50 Millivolt über dem üblichen Fertigungsverarbeitungsbereich liegt. Die Schaltung gemäß F i g. 1 ist nahezu unabhängig von Verarbeitungsveränderungen und relativen Impedanzen der verschiedenen P-Kanal-Einrichtungen und N-Kanal-Einrichtungen. Es ist wichtig, daß das Paar von N-Kanal-MOSFET-Elementen, welches aus dem N-Kanal-MOSFET-Elementen 38 und 40 gebildet wird, sowie das Paar von P-Kanal-MOSFET-EIementen 48 und 52 eine so geringe Versatzspannung wie möglich aufweisen (das heißt, Differenz in der Schwellenspannung). Bei einer integrierten Schaltung kann die Versatzspannungs-Schwankung durch geeignete topografische Ausbildung auf ein Minimum gebracht werden.

Die Schaltung gemäß F i g. 1 weist im wesentlichen eine Stromspiegel-Energiequelle, einen Differenzverstärker, einen Ausgangspuffer und zugehörige Schaltereinrichtungen auf. um die Schaltung für die logische »0« und die logische »1« als Eingangssignale leistungslos werden zu lassen.

Die Schaltung gemäß F i g. 1 arbeitet folgendermaßen: Zunächst sei angenommen, daß Vein gleich 0 Voit ist Dann ist der MOSFET 35 abgeschaltet und es fließt kein Strom im Knoten 34 der Stromquelle. Der MOSFET 38 des Differenzverstärkers ist ebenfalls abgeschaltet, so daß kein Strom durch diesen Zweig des Differenzverstärkers 20 fließt Aufgrund der Wirkung der Lasteinrichtungen 4» und 52 ist der MOSFET 52 im Zustand einer sehr hohen Impedanz. Um zu gewährleisten, daß der MOSFET 52 abgeschaltet ist, bringt der MOSFET 50 den Knoten 54 auf V_DD. Da der MOSFET 64 abgeschaltet ist, gehen der Knoten 63 und der Knoten 66 auf VpD- Der MOSFET 40 und der MOSFET 44 werden eingeschaltet wodurch gewährleistet wird, daß der Knoten 56 auf Massepotential bleibt wodurch wiederum bewirkt wird, daß V_Aus&uf Vb₀VoIt bleibt

Wenn Vein anzusteigen beginnt, und die N-Kanal-Schwelle überschreitet werden der MOSFET 35 und der MOSFET 64 eingeschaltet Dann fließt Strom in der Stromquelle. Es wird angenommen, daß der in der Stromquelle fließende Strom im wesentlichen durch den Widerstand R^ bestimmt wird. Es wird auch der Knoten auf Masse gebracht Es wird weiterhin angenommen, daß die Reihenschaltung aus den Widerständen R 1 und R 2 einen wesentlich größeren Widerstandswert hat als der Widerstand des MOSFET 64 und des MOSFET 69 im eingeschalteten Zustand. Der Knoten 66 befindet sich dann auf Vref = [R 21(R 1 + R 2)] V_DD.

Da die MOSFET-Elemente 50 und 44 nun abgeschaltet sind, ist der Differenzverstärker in seinem aktiven Bereich. Wenn Vein sich Vref nähert, befindet sich der Differenzverstärker im Bereich hoher Verstärkung, und der Knoten 56 nähert sich mit einem steilen Anstieg Vdd· Während dieses Übergangs geht der Knoten 56 durch den Übergangspunkt des Ausgangspuffers, welcher durch den MOSFET 74 und den MOSFET 76 gebildet wird. V/ti/sgehtvon VOc auf Massepotential.

Wenn die Größe von Vein — Vdd kleiner wird als die P-Kanal-Schwellenspannung, werden der MOSFET 26 und der MOSFET 60 abgeschaltet, wodurch der Strom durch die Stromquelle und den Differenzverstärker abgeschaltet wird. Der MOSFET 69 wird abgeschaltet, wodurch die Knoten 66 und 70 auf Massepotential gebracht werden. Dadurch wird der MOSFET 72 durchlässig, wodurch gewährleistet ist, daß der Knoten 56 auf Vdd Volt bleibt. Deshalb wirkt die Schaltung wie ein außerordentlich genauer Übergangspunkt-Komparator/Inverter, welcher leistungslos ist, wenn das Eingangssignal Vein entweder auf Massepotentiai oder bei Vdd Volt liegt.

Die Fig.2 zeigt dieselbe Schaltung wie Fig. 1, mit der Ausnahme, daß diese Schaltung nur leistungslos wird, wenn Vein auf Massepotential liegt. Diese Schaltung könnte beispielsweise für eine integrierte Großschaltung zweckmäßig sein, bei welcher eine monostabile Schaltung oder ein Oszillator mit einem einzigen Anschluß wünschenswert ist, so daß ein Bereitschafts-Null-Energie-Modus gebildet wird.

Die Schaltung gemäß F i g. 3 ist im wesentlichen zu der Schaltung in der F i g. 1 äquivalent, mit der Ausnahme, daß ein weiterer Eingang vorhanden ist Der Ausgang der Schaltung wird tiefgelegt, wenn einer der beiden Eingänge oder beide Eingänge ein Eingangssignal Vfw haben, welches größer ist als Vref- Diese Schaltung ist anwendbar, wenn sie in Verbindung mit dem Komparator mit einem einzigen Eingang gemäß F i g. 1 arbeitet.

Es sei zunächst angenommen, daß bei der Schaltung gemäß F i g. 3 Vein\ und Veini beide auf Massepotential liegen. Weil der MOSFET 114 und der MOSFET 116 abgeschaltet sind, befinden sich die Knoten 118 und 106 auf Vdd- Deshalb ist der Knoten 66 bei Vdd Volt und es fließt kein Strom durch die Bezugswiderstände R 1 und R 2. Die Knoten 124 und 112 sind auf Massepotential, deshalb ist der MOSFET 35 abgeschaltet wodurch verhindert wird, daß ein Strom durch die Stromquelle des Differenzverstärkers fließt. Der MOSFET 40 und der MOSFET 44 sind eingeschaltet, und deshalb liegt der Knoten 56 auf Massepotential was dazu führt daß der Ausgang auf Vdd liegt

Wenn entweder V_Em\ oder V_Ein2 anzusteigen beginnt und die N-Kanal-Schwellenspannung überschreitet, wird der Knoten 118 auf Massepotential gebracht. Es sei angenommen, daß die Summe der Widerstände der Bjzugswiderstände Al und R2 viel größer ist als der Einschaltwiderstand der MOSFET-Elemente 114, 116, 104 und 102. Der Knoten 66 wird von Vdd Volt auf das Potential Vref gebracht welches durch die obige Gleichung vorgegeben ist Der Knoten 124 geht auf Vdd Volt wodurch der MOSFET 35 eingeschaltet wird und der Differenzverstärkerteil aktiviert wird. Wenn Veini oder Vein2 sich Vref nähert befindet sich der

Differenzverstärker in seinem Bereich hoher Verstärkung, und der Knoten 56 nähert sich Vdd sehr steil, was der Verstärkung des Differenzverstärkerteils entspricht. Der Knoten 56 geht durch den Übergangspunkt des Ausg.ingspuffers, welcher aus den MOSFET-Elementen 74 und 76 besteht, und Vaus geht von Vdd auf Massepotential. Wenn die Größe von Vein — Vdd geringer wird als die P-Kanal-Schwellenspannung, werden die Knoten 118 und 106 auf Massepotential gelegt. Der Bezugsknoten 66 geht auch auf Massepotential. Der Knoten 112 geht auf Vdd, wodurch die MOSFET-Elemente 26 und 60 abgeschaltet werden, wodurch wiederum verhindert wird, daß irgendein Strom durch die Stromquelle des Differenzverstärkers fließt. Der MOSFET 72 wird eingeschaltet und gewährleistet, daß der Knoten 56 hochgelegt bleibt, wodurch bewirkt wird, daß Vaus tief bleibt. Für alle Kombinationen der Eingangssignale, welche VOo sind oder dem Massepotential entsprechen, ist die Schaltung leistungslos.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung mit einem exakten Übergangspunkt und mit einer Eingangsstufe zur Aufnahme eines Eingangssignals, einer ersten Spannungsklemme und einer zweiten Spannungsklemme, einer Bezugseinrichtung zwischen der ersten und der zweiten Spannungsklemme, um eine Bezugsspannung zu erzeugen, einer ersten Verstärkereinrichtung, welche an die Bezugsemrichtung angeschlossen ist, um in Reaktion auf das Eingangssignal ein verstärktes Signal zu erzeugen, welches einen ersten Obergangspunkt aufweist, der durch die Bezugsspannung festgelegt ist, einer zweiten Verstärkereinrichtung die mit der ersten Verstärkereinrichtung verbunden ist, um ein verstärktes invertiertes Ausgangssignal zu erzeugen, welches einen zweiten Obergangspunkt hat, der durch den ersten Übergangspunkt in Reaktion auf das verstärkte Signal bestimmt ist, mit ferner einer ersten und zweiten Energiesteuervorrichtung zum selektiven Verbinden der Bezugseinrichtung und der ersten Verstärkereinrichtung mit den Spannungsklemmen, wobei die erste Energiesteuereinrichtung die Bezugseinrichtung in selektiver Weise elektrisch mit der ersten oder der zweiten Spannungsklemme verbindet, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Energiesteuereinrichtung (69, 64) in selektiver Weise die Bezugseinrichtung (65, 68) elektrisch mit der ersten oder der zweiten Spannungsklemme in Reaktion auf das Eingangssignal verbindet und daß die zweite Energiesteuereinrichtung (44, 60) in selektiver Weise die erste Verstärkereinrichtung (38,40) mit der ersten und der zweiten Spannungsklemme in Reaktion auf das Eingangssignal verbindet.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Verstärkereinrichtung (38, 40) als Differenzverstärker ausgebildet ist, dem die Bezugsspannung an einem ersten Steuereingang zugeführt wird und dem das Eingangssignal an einem zweiten Steuereingang zugeführt wird.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Verstärkereinrichtung (74,76) als komplementärer MOS-Inverter ausgebildet ist.