DE2811074A1

DE2811074A1 - Komplementaere, leistungslose komparator/inverter-schaltung

Info

Publication number: DE2811074A1
Application number: DE19782811074
Authority: DE
Inventors: Robert Russel Beutler
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1977-03-25
Filing date: 1978-03-14
Publication date: 1978-10-05
Also published as: HK40882A; FR2385269A1; MY8300193A; FR2385269B1; GB1596226A; JPS53119647A; US4103190A; DE2811074C2; JPS603249B2

Description

Dipl.-Phys. O.E. Weber d-8 München 71

Patentanwalt Hofbrunnstraße 47

Telefon: (089)7915050

Telegramm: monopolweber münctien

M 658

MOTOROLA INC.
East Algonquin Road
Schaumburg, 111. 60196
USA

Komplementäre, leistungslose Komparator/Inverter-Scnaltung

809840/072 6 ORIGiNAL INSPECTED

Die Erfindung betrifft eine komplementäre, leistungslose Komparat or/Invert er-S ehaltung.

Herkömmliche CMOS-Inverter haben einen P-Kanal-MOSFET und einen N-Kanal-MOSi¹ET, welche zwischen einer positiven und einer negativen Energieversorgung angeordnet ist. Die Gate-Elektroden des P-Kanal- und des N-Kanal-MOSFET sind miteinander verbunden, um einen Eingang zu bilden. Die Drain-Anschlüsse sind ebenfalls miteinander verbunden, um einen Ausgang zu bilden. Der Übergangspunkt, welcher als diejenige EingangsSpannung definiert werden kann, welche erforderlich ist, um zu bewirken, daß das Ausgangssignal gleich der Hälfte der Energieversorgungsspannung wird, ist durch eine Anzahl von Parametern festgelegt, zu denen auch das Verhältnis der relativen Kanallänge zu der Kanalbreite des P-Kanal-MOSS¹ET und des N-Kanal-MOSZET gehört. Der Übergangspunkt wird teilweise durch die Größen der Schwellenspannungen des N-Kanal-MOSEET und des P-Kanal-MOSFET festgelegt. Die Mobilität in den Kanalbereichen des F-Kanal-MOSFET und des P-Kanal-MOSFET sind auch Parameter, welche den Übergangspunkt beeinflussen. Bei herkömmlichen Herstellungsverfahren kann die Veränderung in dem übergangspunkt eines CMOS-Inverters bei einer 10-V-Energieversorgung" in der Größenordnung von - 1 Volt gegenüber einem Nennwert des Übergangspunktes schwanken. Bei bestimmten Anwendungsfällen, insbesondere bei einem Komparator, ist ein viel schärfer festgelegter Übergangspunkt erwünscht, der viel weniger von Veränderungen der Fertigungsparameter abhängt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine komplementäre Komparatorschaltung zu schaffen, welche einen Übergangspunkt hat, der von Schwankungen der Herstellungs- oder Verarbeitungsparameter im wesentlichen unabhängig ist.

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'.= 1074

Zur Lösung dieser Aufgabe dienen insbesondere die im Patentbegehren niedergelegten Merkmale.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Erfindungsgegenstandes ist vorgesehen, daß eine Eingangseinrichtung vorhanden ist, um ein Eingangssignal aufzunehmen, daß weiterhin eine erste und eine zweite Spannungsleitung vorgesehen ist, daß weiterhin eine Bezugseinrichtung zwischen der ersten und der zweiten Spannungsleitung angeordnet ist, um eine Bezugsspannung zu erzeugen, daß weiterhin eine erste Verstärkereinrichtung vorhanden ist, welche an die Bezugseinrichtung angeschlossen ist, um in Reaktion auf das Eingangssignal ein verstärktes Signal zu erzeugen, welches einen ersten Übergangspunkt aufweist, der durch die Bezugsspannung festgelegt ist, daß weiterhin eine zweite Verstärkereinrichtung mit der ersten Verstärkereinrichtung verbunden ist, um ein verstärktes invertiertes Ausgangssignal zu erzeugen, welches einen zweiten Übergangspunkt hat, der durch den ersten Übergangspunkt in Reaktion auf das verstärkte Signal bestimmt wird, daß weiterhin eine erste Energiesteuereinrichtung vorgesehen ist, um in selektiver Weise die Bezugseinrichtung elektrisch mit der ersten der der zweiten Energieleitung zu verbinden, und zwar in Reaktion auf das Eingangssignal, und daß eine zweite Energiesteuereinrichtung vorhanden ist, welche dazu dient, in selektiver Weise die erste Verstärkereinrichtung elektrisch mit der ersten oder der zweiten Energieleitung zu verbinden, und zwar in Reaktion auf das Eingangssignal.

Gemäß der Erfindung ist der wesentliche Vorteil erreichbar, daß der Übergangspunkt der Schaltung in erster Linie durch eine Bezugsspannung exakt festgelegt werden kann.

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o74

In einer -weit er en bevorzugten Ausführungsform werden komplementäre Feldeffekttransistoren dazu verwendet, die Bezugsschaltung, den ersten Verstärker und den zweiten Verstärker gerätetechniseh zu realisieren. Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausfünrungsform werden die Bezugsspannung und der erste Verstärker mit Hilfe von Feldeffekttransistoren miteinander verbunden , .welche ..in Reaktion auf das Eingangssignal eine Verbindung zu der JEnergieversorgungsspannung herstellen, so daß die gesamte Schaltung leistungslos wird, wenn das Eingangssignal auf einem bestimmten Spannungspegel liegt, .'...--. - "--";"'

Die Erfindung wird nachfolgend beispielsweise anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigen:

Fig. T ein Schaltschema einer bevorzugten Ausführungsform des Erfindungsgegenstandes,

Fig. 2 ein Schaltschema einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des Erfindungsgegenstandes und

Fig..3 ein Schaltschema einer dritten bevorzugten Ausfüh- ,\ rungsform des Erfindungsgegenstandes.

Die Fig. 1. zeigt eine leistungslose Komparator/InverterSchaltung mit einem einzelnen Eingang. Die Schaltung 10 weist einen Eingang 12 auf, der mit Vg.^ bezeichnet ist, und hat einen Ausgang 14, der mit V_AUS bezeichnet ist. Werterhin^ ist die^^ Schaltung zwischen einer mit V_DD bezeichneten Leitung 18 und einer Masseleitung 16 angeordnet. Die Schaltung 10 besteht aus einem Differenzverstärker 20, einer Bezugsschaltung 22 und einem Inverter 24. Der Inverter 24 ist ein herkömmlicher CMOS-Eonverter, welcher einen

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P-Kanal-MOSFET 74 und einen N-Kanal-MOSFET 76 aufweist, welche in Reihe zwischen Y^ und der Masse angeordnet sind. Die Drain-Anschlüsse der MOSFET-Elemente 74 und 76 sind an VjjjQ angeschlossen und die Gate-Elektroden sind gemeinsam an den Knoten 56 angeschlossen. Die Bezugsschaltung 22 weist MOSEET-Elemente 69j 72 und 64 sowie Widerstände 65 und 68 auf. Die Widerstände 68 und 65, welche mit R1 bzw. E2 bezeichnet sind, können diskrete Präzisionswiderstände sein, können jedoch auch diffundierte Widerstände oder Dünnfilmwiderstände sein, beispielsweise polykristalline Siliziumwiderstände. Die Bezugsschaltung 22 erzeugt am Knoten 66 eine Bezugsspannung V₅₂J₁. Der P-Kanal-MOSFET 69 ist zwischen V_DD und dem Knoten 70 angeordnet, und sein Gate ist an V-g·™- angeschlossen. Der Widerstand 68 ist zwischen dem Knoten 66 und dem Knoten 70 angeordnet. Der Widerstand 65 ist zwischen dem Knoten 66 und dem Knoten 63 angeordnet. Der N-Kanal-MOSFET 64 hat ein Gate, welches an V"·™-™· angeschlossen ist, während seine Drain mit dem Knoten 63 verbunden ist und seine Source an Masse gelegt ist. Der Differenzverstärker 20 weist eine Stromquellenschaltung auf, welche die MOSFET-Elemente 26, 30, 35, 42 und 44 sowie den Widerstand 28 enthält. Der P-Kanal-MOSFET 26 ist zwischen V_DD und dem Knoten 32 angeordnet, und sein Gate ist mit V-r.-™- verbunden. Der Widerstand 28 ist zwischen dem Knoten 32 und dem Knoten'34 angeordnet. Das Gate und die Drain des MOSFET 30 sind mit dem Knoten 34 verbunden, und seine Source ist mit dem Knoten verbunden. Das Gate des N-Kanal-MOSFET 35 ist mit V_EI]J verbunden, seine Source ist an Masse gelegt und seine Drain ist mit dem Knoten 36 verbunden. Das Gate des N-Kanal-MOSFET ist mit dem Knoten 34 verbunden, seine Source ist mit dem Knoten 36 verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 46 verbunden. Das Gate des N-Kanal-MOSFET 44 ist mit dem Knoten 63 verbunden, seine Source ist an Masse gelegt und seine Drain ist mit dem Knoten 46 verbunden. Der Verstärkungsteil

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des Differenzverstärkers 20 weist N-Kanal-MOSFET-Elemente 38 und 40 sowie P-Kanal-MOSFET-Elemente 48 und 42 auf, und hat Leistungssteuer-MOSFET-Elemente 50, 60, 61 und 62. Das Gate des MOSFET 38 ist mit V_EIN verbunden, seine Source ist mit dem Knoten 46 verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 54 verbunden. Das Gate des MOSFET 40 ist mit dem Knoten 66 verbunden, seine Source ist mit dem Knoten 46 verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 56 verbunden. Die Source des MOSFET 48 ist mit dem Knoten 58 verbunden, sein Gate ist mit dem Knoten 54 verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 54 verbunden. Die Drain des MOSFET 52 ist mit dem Knoten 56 verbunden, sein Gate ist mit dem Knoten 54 verbunden und seine Source ist mit dem Knoten 58 verbunden. Das Gate des P-Kanal-MOSFET 50 ist mit dem Knoten 57 verbunden, seine Source ist mit dem Knoten 58 verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 54 verbunden. Die Source des P-Kanal-MOSFET 60 ist mit dem Knoten V_DD verbunden, sein Gate ist mit V-g-™· verbunden und seine Drain ist mit dem Knoten 58 verbunden. Der P-Kanal-MOSFET 61 und der N-Kanal-MOSFET 62 bilden einen CMOS-Inverter, dessen Ausgang mit dem Knoten 57 verbunden ist und dessen Eingang mit dem Knoten 63 verbunden ist.

Die Fig. 2 veranschaulicht eine Komparator/Inverter-Schaltung mit einem einzelnen Eingang, welche im wesentlichen mit der Schaltung gemäß Fig. 1 identisch ist, mit der Ausnahme, daß die MOSFET-Elemente 26, 60 und 69 nicht vorhanden sind und die Widerstände 28 und 68 und der Knoten 58 jeweils direkt mit Y^ verbunden sind. Die Schaltung gemäß Fig. 2 ist nur dann leistungslos, wenn V-g-™ auf Massepotential liegt, jedoch nicht, wenn V-g-j^ *>ei V^ Volt liegt. Diese Ausführungsform ist für viele Anwendungsfälle geeignet, in welchen eine Leistungsverminderung erforderlich ist, und sie ist weniger kompliziert und teuer als die Ausführungsform gemäß Fig. 1.

ORiGINAL fNSPECTFD 0-9 840/0726 ' *~ied

Die Pig. 3iist ein Schaltschema einer Komparator/Inverter-Schaltung mit zwei Eingängen. Die Bezugsschaltung, der Differenzverstärker und der Ausgangsinverter sind im wesentlichen der Schaltung gemäß Fig. 1 ähnlich. Jedoch ist "bei der Schaltung gemäß Fig. 3 die Eingangsschaltung hinzugefügt, um ein gewünschtes Ansprechverhalten auf zwei Eingangssignale zu erreichen. Die Fig. 3 weist einen Eingang 12A auf, welcher mit V-g-j-j™ bezeichnet ist und sie hat einen weiteren Eingang 12B, welcher mit Vg₁^₂ "bezeichnet ist. Die P-Kanal-MOSFET-Elemente 102 und 104 sind in Seihe zwischen V^ und dem Knoten 106 angeordnet. Das Gate des MOSFET 102 ist an den Eingang 12A angeschlossen, und das Gate des HOSFET 104- ist an den Eingang 12B angeschlossen. Die N-Kanal-MOSFET-Elemente 114 und 116 sind parallel zwischen der Masse und dem Knoten 118 angeordnet. Das Gate des MOSFET 114 ist mit V-gjj^ verbunden und das Gate des MOSFET 116 ist mit V_EIH2 verbunden. Der P-Kanal-MOSFET 110 und der N-Kanal-MOSFET 108 sind derart geschaltet, daß ein Inverter zwischen V-^ und der Masse gebildet ist. Das Gate des MOSFET 110 und des MOSFET 108 ist jeweils mit dem Knoten 106 verbunden. Es ist zu bemerken, daß die entsprechenden MOSFET-Elemente gemäß Fig. 1 dieselben Bezugszeichen haben wie bei der Fig. 3· Der Knoten 106 ist auch mit dem Gate des P-Kanal-MOSFET 72 verbunden. Die Drain des MOSFET 108 und des MOSFET 110 ist jeweils mit 112 verbunden, und von dort aus ist jeweils eine Verbindung an die Eingänge der MOSFET-Elemente 26 und 60 geführt.

Der P-Kanal-MOSFET 120 und der N-Kanal-MOSFET 122 bilden einen weiteren Inverter, welcher zwischen Y^ und der Masse angeordnet ist. Das Gate des MOSFET 120 und des MOSFET 122 ist jeweils mit dem Knoten 118 verbunden, während die entsprechenden Drain-Anschlüsse mit den Knoten 124 verbunden sind. Der Knoten 124 ist mit dem Gate des MOSFET 35 und dem Gate des MOSFET 50 verbunden. Der Widerstand R1 der Bezugsschaltung ist zwischen dem Knoten 66 und dem Knoten 106

809840/0726 " /v^l^AL INSPEC \ tD

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angeordnet. Der Widerstand R2 ist zwischen dem Knoten 66 und dem Knoten 118 angeordnet.

Es ist ersichtlich, daß die Anordnung gemäß Fig. 1 im wesentlichen zu einem CMOS-Inverter äquivalent ist, der einen sehr genauen Übergangspunkt aufweist. Weiterhin ist die Anordnung äquivalent zu einem CMOS-Inverter, bei welchem der Gleichstrom des Inverters auf Null abfällt, wenn das Eingangssignal bei Vp₁J oder auf Massepotential liegt. Bei dieser Schaltung ist der Übergangspunkt fast unabhängig von den Verarbeitungsveränderungen oder Betriebsveränderungen. Dies ist bei einem normalen CMOS-Inverter nicht der Fall. DerDbergangspunkt ist definiert als derjenige Wert von V^,^, welcher erforderlich ist, damit das Ausgangssignal gleich der Hälfte von V-jjjj ist. 3¹Ur herkömmliche CMOS-Herstellungsverfahren kann der Ubergangspunkt eines CMOS-Inverters eines bestimmten Entwurfs~um - 1 Volt gegenüber einem Nennwert schwanken, und zwar für V_DD gleich 10 Volt. Die Schaltung gemäßι J¹Ig. 1 !Überwindet diesen Nachteil dadurch, daß ihr Übergangspunkt für V^ gleich 10 Volt nur etwa - 50 Millivolt über dem üblichen Fertigungsverarbeitungsbereich liegt. Die Schaltung/gemäß Fig. 1 ist nahezu unabhängig von VeEarbeitungsveränderungen und relativen Impedanzen der verschiedenen B-Kanal-Einrichtungen und N-Kanal-Einrichtungen. Es ist, wichtig, daß das Paar von N-Kanal-MOSFET-Elementen, welches aus dem N-Kanal-MOSFET-Elementen 38 und 40 gebildet wird, sowie das Paar von P-Kanal-MOSFET-Elementen 48 und 52 eine so geringe Versatzspannung wie möglich aufweisen (das heißt, Differenz in der Schwellenspannung). Bei einer integrierten Schaltung kann die Versatzspannungsschwankung durch geeignete topografische Ausbildung auf ein Minimum gebracht werden.

Die ,Schaltung gemäß Fig. 1 weist im wesentlichen eine Stromspiegel-Energiequelle, einen Differenzverstärker, einen

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Ausgangspuffer und zugehörige Schaltereinrichtungen auf, um die Schaltung für die logische "O" und die logische "1" als Eingangssignale leistungslos werden zu lassen.

Die Schaltung gemäß Fig. 1 arbeitet folgendermaßen: Zunächst sei angenommen, daß V-g™ gleich 0 Volt ist. Dann ist der MOSFET 35 abgeschaltet und es fließt kein Strom im Knoten 34 der Stromquelle. Der FiOSFET 38 des Differenzverstärkers ist ebenfalls abgeschaltet, so daß kein Strom durch diesen Zweig des Differenzverstärkers 20 fließt. Aufgrund der Wirkung der Lasteinrichtungen 48 und 52 ist der MOSFET 52 im Zustand einer sehr hohen Impedanz. Um zu gewährleisten, daß der FiOSFET 52 abgeschaltet ist, bringt der MOSFET 50 den Knoten 5^ auf Y^. Da der MOSFET 64 abgeschaltet ist, gehen der Knoten 63 und der Knoten 66 auf V^. Der MOSFET 40 und der MOSFET 44 werden eingeschaltet, wodurch gewährleistet wird, daß der Knoten 56 auf Massepotential bleibt, wodurch wiederum bewirkt wird, daß V. ^g auf V^ Volt bleibt.

Venn V-^_1n anzusteigen beginnt, und die N-Kanal-Schwelle überschreitet, werden der MOSFET 35 und der MOSFET 64 eingeschaltet. Dann fließt Strom in der Stromquelle. Es wird angenommen, daß der in der Stromquelle fließende Strom im wesentlichen durch den Widerstand R-, bestimmt wird. Es wird auch

der Knoten 33 auf Masse gebracht. Es wird weiterhin angenommen, daß die Reihenschaltung aus den Widerständen R1 und R2 einen wesentlich größeren Widerstandswert hat als der Widerstand des MOSFET 64 und des MOSFET 69 im eingeschalteten Zustand. Der Knoten 66 befindet sich dann auf V^-,= [R2/(H1+Ii2)] V_DIJ. Da die MOSFET-E lern on te 50 und 44 nun abgeschaltet sind, ist der Differenzverstärker in seinem aktiven Bereich. Wenn ^VlN ^s^-^cn ^uVV ⁿähert, befindet sich der Differenzverstärker im Bereich hoher Verstärkung, und der Knoten 56 nähert sich mit einem steilen Anstieg ^VTm· Während dieses Übergangs geht

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copy

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der Knoten 56 durch den Übergangspunkt des Ausgangspuffers, welcher durch den MOSFET 74 und den MOSFET 76 gebildet wird. ^VAUS Seht von V^ auf Massepotential.

Venn die Größe von V-g^-V^ kleiner wird als die P-Kanal-Schwellenspannung, werden der MOSFET 26 und der MOSFET 60 abgeschaltet, wodurch der Strom durch die Stromquelle und den Differenzverstärker abgeschaltet wird. Der MOSFET 69 wird abgeschaltet, wodurch die Knoten 66 und 70 auf Massepotential gebracht werden. Dadurch wird der MOSFET 72 durchlässig, wodurch gewährleistet ist, daß der Knoten 56 auf ^DD ^⁰I* bleibt. Deshalb wirkt die Schaltung wie ein außerordentlich genauer Übergangspunkt-Komparator/Inverter, welcher leistungslos ist, wenn das Eingangssignal V_Ej_N entweder auf Massepotential oder bei V_DD Volt liegt.

Die Fig. 2 zeigt dieselbe Schaltung wie Fig. 1, mit der Ausnahme, daß diese Schaltung nur leistungslos wird, wenn Vg-™-auf Massepotential liegt. Diese Schaltung könnte beispielsweise für eine integrierte Großschaltung zweckmäßig sein, bei welcher eine monostabile Schaltung oder ein Oszillator mit einem einzigen Anschluß wünschenswert ist, so daß ein Bereitschafts-Null-Energie-Modus gebildet wird.

Die Schaltung gemäß Fig. 3 ist im wesentlichen zu der Schaltung in der Fig. 1 äquivalent, mit der Ausnahme, daß ein weiterer Eingang vorhanden ist. Der Ausgang der Schaltung wird tiefgelegt, wenn einer der beiden Eingänge oder beide Eingänge ein Eingangssignal V-ptjx haben, welches größer ist als. Vryrvni· Diese Schaltung ist anwendbar, wenn sie in Verbindung mit dem Komparator mit einem einzigen Eingang gemäß Fig. Λ arbeitet.

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Es sei zunächst angenommen, daß bei der Schaltung gemäß

Fig. 3 ^EIlTI ¹^ ^VEIN2 ^{beicie aui} Massepotential liegen. ;

Weil der MOSFET 114 und der MOSI¹ET 116 abgeschaltet sind,
befinden sich die Knoten 118 und 106 auf V^. Deshalb ist \

der Knoten 66 bei V^ Volt, und es fließt kein Strom durch
die Bezugswiderstände E1 und R2. Die Knoten 124 und 112
sind auf Massepotential, deshalb ist der MOSFET 35 abgeschal- ^! tet, wodurch verhindert wird, daß ein Strom durch die Stromquelle des Differenzverstärkers fließt. Der MOSFET 40 und
der MOSFET 44 sind eingeschaltet, und deshalb liegt der j

Knoten 56 auf Massepotential, was dazu führt, daß der Aus- j

gang auf V_DD liegt. ₍

Wenn entweder V-p-q™ oder Vvttj? ^anzus"^teigen beginnt und die ι

iT-Kanal-Schwellenspannung überschreitet, wird der Knoten j

118 auf Massepotential gebracht. Es sei angenommen, daß die j

Summe der Widerstände der Bezugswiderstände R1 und R2 viel J

größer ist als der Einschaltwiderstand der MOSFET-Elemente

114, 116, 104 und 102. Der Knoten 66 wird von V_DD Volt auf

das Potential V-p-r.™ gebracht, welches durch die obige

Gleichung vorgegeben ist. Der Knoten 124 geht auf V_DD Volt, j

wodurch der MOSFET 35 eingeschaltet wird und der Differenz- |

verstärkerteil aktiviert wird. Wenn V_Ej|j-j oder V_Ejjj2 ^sicil

V-O-C.-C nähert, befindet sich der Differenzverstärker in seinem

Bereich hoher Verstärkung, und der Knoten 56 nähert sich

V_DD sehr steil, was der Verstärkung des Differenzverstärker- j teils entspricht. Der Knoten 56 geht durch den Ubergangs-

punkt des Ausgangspuffers, welcher aus den MOSFET-Elementen

74 und 76 besteht, und V"atj_S geht von V_DD auf Massepotential. j

Wenn die Größe von ^eIN~^DD Springer wird als die P-Kanal- j

Schwellenspannung, werden die Knoten 118 und 106 auf Masse- j

potential gelegt. Der Bezugsknoten 66 geht auch auf Masse- i

potential. Der Knoten 112 geht auf V_DI), wodurch die MOSFET- ... __ J Elemente 26 und 60 abgeschaltet werden, wodurch wiederum . ι

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INSPECTED

verhindert wird, daß irgendein Strom durch die Stromquelle des Differenzverstärkers fließt. Der MOSFET 72 wird eingeschaltet und gewährleistet, daß der Knoten 56 hochgelegt bleibt, wodurch bewirkt wird, daß Va π ü tief bleibt. Für alle Kombinationen der Eingangssignale, welche V^y. sind oder dem Massepotential entsprechen, ist die Schaltung leistungslos.

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copy T_.

ORiGlNAL INSPECTHO

Claims

Patentansprüche

Λ. Schaltungsanordnung mit einem Übergangspunkt, dadurch g e k e η η ζ e i c h η e t, daß eine Eingangseinrichtung (12) vorhanden ist, um ein Eingangssignal aufzunehmen, daß weiterhin eine erste (18) und eine zweite (16) Spannungsleitung vorgesehen ist, daß weiterhin eine Bezugseinrichtung (65 > 68) zwischen der ersten und der zweiten Spannungsleitung angeordnet ist, um eine Bezugsspannung zu erzeugen, daß weiterhin eine erste Verstärkereinrichtung (38, 40) vorhanden ist, welche an die Bezugseinrichtung angeschlossen ist, um in Reaktion auf das Eingangssignal ein verstärktes Signal zu erzeugen, welches einen ersten ITbergangspunkt aufweist, der durch die Bezugsspannung festgelegt ist, daß weiterhin eine zweite Verstärkereinrichtung (74-» 76) mit der ersten Verstärkereinrichtung verbunden ist, um ein verstärktes invertiertes Ausgangssignal zu erzeugen, welches einen zweiten Übergangspunkt hat, der durch den ersten Übergangspunkt in Reaktion auf das verstärkte Signal "bestimmt wird, daß weiterhin eine erste Energiesteuereinrichtung (69» 64) vorgesehen ist, um in selektiver Weise die Bezugseinrichtung elektrisch mit der ersten oder der zweiten Energieleitung zu verbinden, und zwar in Reaktion auf das Eingangssignal, und daß eine zweite Energiesteuereinrichtung (44, 60) vorhanden ist, welche dazu dient, in selektiver Weise die erste Verstärkereinrichtung elektrisch mit der ersten oder der zweiten Energieleitung zu verbinden, und zwar in Reaktion auf das Eingangssignal.

80 9 8 40/07 2 θ ^0RIGfNAL inspected
2. Komplementäre MOS-Komparatorschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste (18) und eine zweite (16) Spannungseinrichtung vorgesehen sind, daß weiterhin eine Eingangseinrichtung (12) vorhanden ist, um ein Eingangssignal aufzunehmen, daß weiterhin eine Bezugseinrichtung (65 > 68) mit der ersten und der zweiten Spannungseinrichtung verbunden ist und auch mit der Eingangseinrichtung verbunden ist, um eine Bezugsspannung zu erzeugen, wenn das Eingangssignal größer ist als eine erste Schwellenspannung, daß weiterhin eine Differenzverstärkereinrichtung (38, 40) mit der Eingangseinrichtung und mit der Bezugseinrichtung verbunden ist, um ein erstes Ausgangssignal zu erzeugen, welches im wesentlichen gleich der Spannung der ersten Spannungseinrichtung unter der Bedingung ist, daß das Eingangssignal tiefer liegt als die Bezugsspannung, und welches im wesentlichen unter der Bedingung gleich der Spannung der zweiten Spannungseinrichtung ist, daß das Eingangssignal größer ist als die Bezugsspannung.
3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Einrichtung (26, 69) mit der ersten und der zweiten Spannungseinrichtung sowie mit der Bezugseinrichtung und der Differenzverstärkereinrichtung verbunden ist und auf das Eingangssignal anspricht, um sowohl die Bezugseinrichtung als auch die Differenzverstärkereinrichtung elektrisch mit der ersten Spannungseinrichtung zu verbinden und die Bezugseinrichtung sowie die Differenzverstärkereinrichtung elektrisch von der zweiten Spannungseinrichtung zu trennen, wenn das Eingangssignal auf einer Spannung liegt, welche im wesentlichen gleich der Spannung der zweiten Spannungseinrichtung ist.

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M-. ScHaItung nach Anspruch 3i dadurcli gekennzeichnet, daß eine zweite Einrichtung (60, 35) mit der ersten und der zweiten Sp.annungseinrichtung sowie mit der Bezugseinrichtung und der Differenzverstärkereinrichtung verbunden ist, welche auf das Eingangssignal anspricht, um sowohl die Bezugseinrichtung als auch die Differenzverstärkereinrichtung mit der zweiten Spannungseinrichtung zu verbinden und auch die Bezugseinrichtung und die Differenzverstarkereinrichtung elektrisch von der Spannungseinrichtung zu trennen, wenn das Eingangssignal auf .einer Spannung liegt, welche im wesentlichen

..." gleich der Spannung der ersten Spannungseinrichtung ist.

5· Schaltung p.aeh Anspruch "3-, dadurch gekennzeichnet, daß ein komplementärer MOS-Inverter (74, 76) vorgesehen ist, welcher mit der Differenzverstarkereinrichtung verbunden ist, um ein invertiertes zweites Ausgangssignal in Reaktion auf das erste Ausgangssignal zu erzeugen.

- ORiGiMAL INSPECTED

BO 9 8 4.0 /07 2 B