JPS6291023A - A/dコンバ−タ - Google Patents
A/dコンバ−タInfo
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- JPS6291023A JPS6291023A JP23171485A JP23171485A JPS6291023A JP S6291023 A JPS6291023 A JP S6291023A JP 23171485 A JP23171485 A JP 23171485A JP 23171485 A JP23171485 A JP 23171485A JP S6291023 A JPS6291023 A JP S6291023A
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- switch
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- capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はA/Dコンバータに関するものである0
〔従来の技術〕
第5図は4ビツトの場合の従来の逐次比較型A/Dコン
バータの構成の一例を示す接続図である。
バータの構成の一例を示す接続図である。
電圧変化−電荷変化変換回路00ヲ構成するコンデ7す
@〜Mは、その容量が各々16c、8Cj4C,2C,
Cとなるように2進重み付けされており、容量16cの
コンデンサ01)と同様、その一方の極板はノードNi
に共通に接続されている。また前記コンデンサ01)〜
(至)のもう一方の極板は、コンデンサ(11)の場合
は、切り換えスイッチ(F3x) k介し、そのスイッ
チング状態によってアナログ電圧入力端子(1)(以下
「入力端子(1)」と記述する。)あるいはグランドに
接続され、また他のコンデンサ(イ)〜(至)の場合は
、各々切換えスイッチ(S2〕〜(Be) を介し、そ
のスイッチング状態によって基準電圧印加端子(2)あ
るいはグランドに接続される。電荷変化判定回路手段−
に含まれる(3)は反転増嘔器であり、その入力端はノ
ードN1に、その出力端は次段の制御/出力回路(4)
の入力端に接続される。また同時に、この反転増幅器(
3)の入力端と出力端はスイッチ(871を介して帰還
路が設けられている。制御/出力回路(4)の制御信号
出力端子(5)〜(9)C以下「制御端子」と記述する
。)は、図中破線で示したごとく、切換えスイッチ(S
2)〜(S6)を制御する。また制御/出力回路(4)
の出力端子(00)〜(U4)より所定のディジタル出
力信号を出力する。
@〜Mは、その容量が各々16c、8Cj4C,2C,
Cとなるように2進重み付けされており、容量16cの
コンデンサ01)と同様、その一方の極板はノードNi
に共通に接続されている。また前記コンデンサ01)〜
(至)のもう一方の極板は、コンデンサ(11)の場合
は、切り換えスイッチ(F3x) k介し、そのスイッ
チング状態によってアナログ電圧入力端子(1)(以下
「入力端子(1)」と記述する。)あるいはグランドに
接続され、また他のコンデンサ(イ)〜(至)の場合は
、各々切換えスイッチ(S2〕〜(Be) を介し、そ
のスイッチング状態によって基準電圧印加端子(2)あ
るいはグランドに接続される。電荷変化判定回路手段−
に含まれる(3)は反転増嘔器であり、その入力端はノ
ードN1に、その出力端は次段の制御/出力回路(4)
の入力端に接続される。また同時に、この反転増幅器(
3)の入力端と出力端はスイッチ(871を介して帰還
路が設けられている。制御/出力回路(4)の制御信号
出力端子(5)〜(9)C以下「制御端子」と記述する
。)は、図中破線で示したごとく、切換えスイッチ(S
2)〜(S6)を制御する。また制御/出力回路(4)
の出力端子(00)〜(U4)より所定のディジタル出
力信号を出力する。
次に動作について説明する。この例は6段階の動作を経
てA/D変換が実現される。その第1段階は+1準備段
階+1であり、第2段階は+1オ一バー70−検出段階
°1、第3〜第6段階で各々最上位ビット、第2.第3
.第4ピツ)?決定する。
てA/D変換が実現される。その第1段階は+1準備段
階+1であり、第2段階は+1オ一バー70−検出段階
°1、第3〜第6段階で各々最上位ビット、第2.第3
.第4ピツ)?決定する。
第1段階では、スイッチ(Sl)が入力端子(1)に接
続され、残りのスイッチ(S2)〜(S6)はグランド
に接続される。また、スイッチ(S7〕は閉じられる。
続され、残りのスイッチ(S2)〜(S6)はグランド
に接続される。また、スイッチ(S7〕は閉じられる。
この段階では反転増幅器(3)の入出力が同電位に保た
れるので、第6図に示したようにこの反転増幅器(3)
の入出力特性曲線(α)と、(入力電圧〕=(出力電圧
)を満たす直線(β)の交点(M)に入出力電圧が落ち
着く。すなわち最も感度の良い点にN1の電位がバイア
スされる。
れるので、第6図に示したようにこの反転増幅器(3)
の入出力特性曲線(α)と、(入力電圧〕=(出力電圧
)を満たす直線(β)の交点(M)に入出力電圧が落ち
着く。すなわち最も感度の良い点にN1の電位がバイア
スされる。
第2段階は、アナログ入力電圧■i。と基準電圧vr、
fの比較を行い、オーバーフローの有無を検出する段階
である。この段階において、スイッチ(S7)が開かれ
、スイッチ(S1〕がグランドに、オーバーフロー検出
用のスイッチ(S2)が基準電圧印加端子(2)に接続
される。また残ジのスイッチ(S3)〜(S6)は以前
の状態を保つ。第1段階から第2段階への移行時におけ
るスイッチ(Sl)の切フ換えによって、コンデンサG
のには、電圧変化と容量の積で与えられる電荷ΔQoす
なわち ΔQxt=(○−V1n ) ・16C=−16CV
t −(1)が新たに生成される(すなわち、電圧変化
−電荷変化変換が行われる。)。またスイッチ(S2)
の切夛換えによってコンデンサ(至)には同様に、ΔQ
lz =(Vr@、 −0) ・16c=16Cvr@
、 (2)なる電荷ΔQ12が生成される。一
方スイッチ(S7)が開かれていることによフ、このス
イッチ(S7)の経路における電荷の流入、流出は阻止
されるため、この段階までにノードMlに生じた電荷変
化はΔQll+ΔQ12 = 16C(Vrsr−Vl
o)(3)となる。したがって、もしvi n > V
r * fすなわちオーバー70−となれば、ノードN
lの電位は負方向に変化し、これが第1段階で高感度に
バイアスされた反転増幅器(3)で反転増幅され、はぼ
論理値°”III”(電源電圧Vnp )が得られる。
fの比較を行い、オーバーフローの有無を検出する段階
である。この段階において、スイッチ(S7)が開かれ
、スイッチ(S1〕がグランドに、オーバーフロー検出
用のスイッチ(S2)が基準電圧印加端子(2)に接続
される。また残ジのスイッチ(S3)〜(S6)は以前
の状態を保つ。第1段階から第2段階への移行時におけ
るスイッチ(Sl)の切フ換えによって、コンデンサG
のには、電圧変化と容量の積で与えられる電荷ΔQoす
なわち ΔQxt=(○−V1n ) ・16C=−16CV
t −(1)が新たに生成される(すなわち、電圧変化
−電荷変化変換が行われる。)。またスイッチ(S2)
の切夛換えによってコンデンサ(至)には同様に、ΔQ
lz =(Vr@、 −0) ・16c=16Cvr@
、 (2)なる電荷ΔQ12が生成される。一
方スイッチ(S7)が開かれていることによフ、このス
イッチ(S7)の経路における電荷の流入、流出は阻止
されるため、この段階までにノードMlに生じた電荷変
化はΔQll+ΔQ12 = 16C(Vrsr−Vl
o)(3)となる。したがって、もしvi n > V
r * fすなわちオーバー70−となれば、ノードN
lの電位は負方向に変化し、これが第1段階で高感度に
バイアスされた反転増幅器(3)で反転増幅され、はぼ
論理値°”III”(電源電圧Vnp )が得られる。
もしVr* f > Vtnであれば逆に反転増幅器(
3)の出力は論理値11L11が得られる。
3)の出力は論理値11L11が得られる。
第3段階は、アナログ入力電圧Vi。と基準電圧2Vr
erの比較を行い、最上位ビットを決定する段階である
。すなわち制御/出力回路(4)からの制御信号によっ
てスイッチ(S2)eグランドに接続し、スイッチ(S
a) k基準電圧印加端子(2)K接続する。
erの比較を行い、最上位ビットを決定する段階である
。すなわち制御/出力回路(4)からの制御信号によっ
てスイッチ(S2)eグランドに接続し、スイッチ(S
a) k基準電圧印加端子(2)K接続する。
また他のスイッチ(Sl)、 (F34)〜(S7)は
そのままの状態にしておく。このときスイッチ(82)
k切シ換えたことによる電荷変化ΔQ2は ΔQ2 ”16C・(0−Vrsr ) =−16c
Vraf =−ΔQ12 (3)となり、スイッチ(
S2) k基準電圧印加端子(2)に接続した場合の電
荷変化ΔQ12との和は0になる。
そのままの状態にしておく。このときスイッチ(82)
k切シ換えたことによる電荷変化ΔQ2は ΔQ2 ”16C・(0−Vrsr ) =−16c
Vraf =−ΔQ12 (3)となり、スイッチ(
S2) k基準電圧印加端子(2)に接続した場合の電
荷変化ΔQ12との和は0になる。
またスイッチ(S3)を切り換えたことによる電荷変化
ΔQ13は ΔQia = 8c(vrar −o ) = sc
Vr+ef (4)となる。したがって第
1段階から第3段階までの最終的な電荷変化は ΔQo+ΔQ12+ΔQ2+ΔQ13 = −16c v、。+ 8CWrit = 16c
(、”Irvt −Vtn ) (5)となシ、前記し
たようにこの電荷量の変化の正負に応じて又味噌幅器(
3)の出力値が決ま9最上位とットが決定される。
ΔQ13は ΔQia = 8c(vrar −o ) = sc
Vr+ef (4)となる。したがって第
1段階から第3段階までの最終的な電荷変化は ΔQo+ΔQ12+ΔQ2+ΔQ13 = −16c v、。+ 8CWrit = 16c
(、”Irvt −Vtn ) (5)となシ、前記し
たようにこの電荷量の変化の正負に応じて又味噌幅器(
3)の出力値が決ま9最上位とットが決定される。
第4段階は、前段階の結果を踏まえ、v1εXVr @
fであればTinと4 vrat 1また1Lot>V
snであればvi。とτv1.!を比較し、第2ピツ)
f決定する段階である。すなわち制御/出力回路(4)
からの制御信号によって、Vxn >シeerであれば
スイッチ(S3)をそのままの状態にしてスイッチ(S
4)を基準電圧端子(2)に接続する。また他のスイッ
チ(sl)〜(S2)z(S5)〜(S7)はそのまま
にしておく。このときスイッチ(S4)を切シ換えたこ
とによるコンデンサ■には新たに ΔQ14 = (VPsを○) −40= 40 Vr
、r (6)の電荷ΔQ14が生成される
。したがってこの場合の第1〜第4段階での最終的な電
荷変化は=1ec(−VPsをVin) (7)
で与えられ、この電荷変化の正負に応じて反転増逼器(
3)の出力値が決まν第2ビットが決定される。
fであればTinと4 vrat 1また1Lot>V
snであればvi。とτv1.!を比較し、第2ピツ)
f決定する段階である。すなわち制御/出力回路(4)
からの制御信号によって、Vxn >シeerであれば
スイッチ(S3)をそのままの状態にしてスイッチ(S
4)を基準電圧端子(2)に接続する。また他のスイッ
チ(sl)〜(S2)z(S5)〜(S7)はそのまま
にしておく。このときスイッチ(S4)を切シ換えたこ
とによるコンデンサ■には新たに ΔQ14 = (VPsを○) −40= 40 Vr
、r (6)の電荷ΔQ14が生成される
。したがってこの場合の第1〜第4段階での最終的な電
荷変化は=1ec(−VPsをVin) (7)
で与えられ、この電荷変化の正負に応じて反転増逼器(
3)の出力値が決まν第2ビットが決定される。
またiVrmt>Vs、の場合は、制御/出力回路(4
)からの制御信号によって、スイッチ(8B)/d再び
グランドに接続され、スイッチ(S4)を基準電圧端子
(2)に接続する。また他のスイッチ(Sl)〜(Sz
)、 (S5)〜(F3rンはそのままにしておく。こ
のときスイッチ(s3)の切り換えによるコンデ/す(
至)の電荷変化は、前記したようにスイッチ(Sa)
Yr:基準電圧印加端子(2)に接続した場合の電荷変
化へQlaと相殺される。スイッチ(s4)を切り換え
たことによるコンデンサ(至)の電荷変化ΔQ14は前
述したとお夕である。以上により午の場合の第1〜第4
段階での最終的な電荷変化は ΔQ11+ ΔQ14=16c (VraをVsn)
(8Jとなる。したがってこの電
荷量の符号に応じて反転増幅器(3)の出力値が決まり
、第2ビツトが決定される。
)からの制御信号によって、スイッチ(8B)/d再び
グランドに接続され、スイッチ(S4)を基準電圧端子
(2)に接続する。また他のスイッチ(Sl)〜(Sz
)、 (S5)〜(F3rンはそのままにしておく。こ
のときスイッチ(s3)の切り換えによるコンデ/す(
至)の電荷変化は、前記したようにスイッチ(Sa)
Yr:基準電圧印加端子(2)に接続した場合の電荷変
化へQlaと相殺される。スイッチ(s4)を切り換え
たことによるコンデンサ(至)の電荷変化ΔQ14は前
述したとお夕である。以上により午の場合の第1〜第4
段階での最終的な電荷変化は ΔQ11+ ΔQ14=16c (VraをVsn)
(8Jとなる。したがってこの電
荷量の符号に応じて反転増幅器(3)の出力値が決まり
、第2ビツトが決定される。
第5段階も第4段階と同様に、スイッチ(S5)を基準
電圧印加端子(2)K接続し、前段階までの結果に応じ
てスイッチ(Sa)〜(S4)の接続状態を決定して第
3ビツトを決定する。すなわちスイッチ(S5)を切夛
換えるととKよるコンデンサ(至)の電荷変化ΔQ25
は ΔQ45 =zc ’ (VPst −0) = 2C
Vrer (9)で与えられるため、第1〜第
5段階での最終的な電荷変化は ΔQ11”A1ΔQxs+A2ΔQI4+ΔQ15vr
@f Vraf vra? = 16ccAI ・+ A2・” −Vln )
Q0となり、前段階までと同様、第3ビツトが決定
される。但しここで、AIは最上位ビットの判定結果で
あり、第2段階における電荷変化判定回路手段(7)の
出力がIIHllのときA 1=l、 II Lllの
とき人!=0とする。またA2も同様であり、第2ビツ
トの判定結果を示すものとする。
電圧印加端子(2)K接続し、前段階までの結果に応じ
てスイッチ(Sa)〜(S4)の接続状態を決定して第
3ビツトを決定する。すなわちスイッチ(S5)を切夛
換えるととKよるコンデンサ(至)の電荷変化ΔQ25
は ΔQ45 =zc ’ (VPst −0) = 2C
Vrer (9)で与えられるため、第1〜第
5段階での最終的な電荷変化は ΔQ11”A1ΔQxs+A2ΔQI4+ΔQ15vr
@f Vraf vra? = 16ccAI ・+ A2・” −Vln )
Q0となり、前段階までと同様、第3ビツトが決定
される。但しここで、AIは最上位ビットの判定結果で
あり、第2段階における電荷変化判定回路手段(7)の
出力がIIHllのときA 1=l、 II Lllの
とき人!=0とする。またA2も同様であり、第2ビツ
トの判定結果を示すものとする。
以下同様にして最終段階までのビットを決定することが
できる。この間、各ビットの判定結果AO〜A4は制御
/出力回路(4)内で保持され、最終ビットが決定され
た瞬間に出力端子(万〇)〜(百4)よりディジタル信
号が出力される。なお、この例の最終段階(第6段階)
tでのノードN1の最終的な電荷は次の式で与えられる
。ここでA3は第3ビツトの判定結果であり、ΔQ1s
はスイッチ(se)を切9換えるととKよっておこるコ
ンデンサ曽の電荷変化である。
できる。この間、各ビットの判定結果AO〜A4は制御
/出力回路(4)内で保持され、最終ビットが決定され
た瞬間に出力端子(万〇)〜(百4)よりディジタル信
号が出力される。なお、この例の最終段階(第6段階)
tでのノードN1の最終的な電荷は次の式で与えられる
。ここでA3は第3ビツトの判定結果であり、ΔQ1s
はスイッチ(se)を切9換えるととKよっておこるコ
ンデンサ曽の電荷変化である。
ΔQ11+AIΔQ13+A2ΔQ14”A3ΔQ15
+ΔQ】a〔発明が解決しようとする問題点〕 従来のA/Dコンバータは以上のように電圧変化−電荷
変化変換回路が2進重み付は容量網によって構成されて
いるので、ピッ)&の増加に伴いコンデンサの総容量が
指数関数的に増加するため、コンデンサの総占有面積が
指数関数的に増大するという問題点があった。
+ΔQ】a〔発明が解決しようとする問題点〕 従来のA/Dコンバータは以上のように電圧変化−電荷
変化変換回路が2進重み付は容量網によって構成されて
いるので、ピッ)&の増加に伴いコンデンサの総容量が
指数関数的に増加するため、コンデンサの総占有面積が
指数関数的に増大するという問題点があった。
この発明は上記のよう表問題点を解消するためになされ
たもので、ビット数の増加に伴なうコンデンサの占有面
積の増加が少ないA/Dコンバータを提供することを目
的とする。
たもので、ビット数の増加に伴なうコンデンサの占有面
積の増加が少ないA/Dコンバータを提供することを目
的とする。
この発明に係るA/Dコンバータは、従来2進重み付は
容量網で構成されていた電圧変化−電荷変化変換回路′
f:C−20容量網で構成したものである。
容量網で構成されていた電圧変化−電荷変化変換回路′
f:C−20容量網で構成したものである。
この発明におけるA/Dコンバータは、ビット数の増加
に伴うコンデンサの総容量の増加を直線的増加に押える
ため、コンデンサの占有面積も直線的にしか増加しない
。
に伴うコンデンサの総容量の増加を直線的増加に押える
ため、コンデンサの占有面積も直線的にしか増加しない
。
以下、この発明の一実施例を図を参照して説明する。な
お、この実施例の説明において、従来の技術の説明と重
複する部分についてはその説明を省略する。
お、この実施例の説明において、従来の技術の説明と重
複する部分についてはその説明を省略する。
第1図は木令明の一実施例で、4ビツトの逐次比較型A
/Dコンバータの構成金量す接続図であp1電圧変化−
電荷変化変換回路00をC−20容量網で構成したこと
以外は第5図に示した構成と全く同じである。
/Dコンバータの構成金量す接続図であp1電圧変化−
電荷変化変換回路00をC−20容量網で構成したこと
以外は第5図に示した構成と全く同じである。
電圧変化−電荷変化変換回路勾に含まれる容量Cのコン
デンサ(ロ)の一方の極板はスイッチ(F3x) ’c
介し、そのスイッチング状態によシ、入力端子(1)あ
るいはグランドに接続される。また前記回路曽に含まれ
る容量Cのコンデンサ(イ)〜αQの一方の極板は、各
々、スイッチ(S2)〜(S6) ’に介し、そのスイ
ッチング状態によって、基準電圧印加端子(2)あるい
はグランドに接続される。また前記の容量Cなるコンデ
ンサαV〜αQのうち、コンデンサ(2)およびコンデ
ンサ@のもう一方の極板は共通なノード(N1)に接続
され、また残ったコンデンサ(至)〜Mのもう一方の極
板は各々、ノード(N2)〜(N5)に接続される。前
記各ノード(N1)〜(N5)は容量2Cなるコンデン
サ(至)〜#’e介して、各々隣接するノードに接続さ
れる。またノード(N1)は電荷変化判定回路手段(6
)の入力端に接続され、ノード(N5)はコンデンサα
″i)ヲ介して接地される。
デンサ(ロ)の一方の極板はスイッチ(F3x) ’c
介し、そのスイッチング状態によシ、入力端子(1)あ
るいはグランドに接続される。また前記回路曽に含まれ
る容量Cのコンデンサ(イ)〜αQの一方の極板は、各
々、スイッチ(S2)〜(S6) ’に介し、そのスイ
ッチング状態によって、基準電圧印加端子(2)あるい
はグランドに接続される。また前記の容量Cなるコンデ
ンサαV〜αQのうち、コンデンサ(2)およびコンデ
ンサ@のもう一方の極板は共通なノード(N1)に接続
され、また残ったコンデンサ(至)〜Mのもう一方の極
板は各々、ノード(N2)〜(N5)に接続される。前
記各ノード(N1)〜(N5)は容量2Cなるコンデン
サ(至)〜#’e介して、各々隣接するノードに接続さ
れる。またノード(N1)は電荷変化判定回路手段(6
)の入力端に接続され、ノード(N5)はコンデンサα
″i)ヲ介して接地される。
次に、本実施例の動作について説明する。本実施例でも
第5因で示した例と同様に6段階の動作を経てA/D変
換が実現され、その第1段階は+1準備段階1′%第2
段階は11オ一バーフロー検出段陽11であり、第3〜
第6段階で各々、最上位ビット。
第5因で示した例と同様に6段階の動作を経てA/D変
換が実現され、その第1段階は+1準備段階1′%第2
段階は11オ一バーフロー検出段陽11であり、第3〜
第6段階で各々、最上位ビット。
第2.第3.第4ビツトを決定する。
第1段階では、スイッチ(Sl)が入力端子(1)に、
他のスイッチ(S2)〜(S6)はグランドに接続され
る。
他のスイッチ(S2)〜(S6)はグランドに接続され
る。
またスイッチ(S7)は閉じられるため、第5図に説明
したのと同様、ノード(N1)の電位は、第6図に示し
た入出力特性曲線の最も感度のよい点Mに保たれる。
したのと同様、ノード(N1)の電位は、第6図に示し
た入出力特性曲線の最も感度のよい点Mに保たれる。
第2段階は、入力電圧v1nと基準電圧vr@、の比較
を行い、オーバーフローの有無を調べる段階である。こ
の段階において、スイッチ(S7)は開かれスイッチ(
Sl)がグランドに、スイッチ(S2)が基準電圧印加
端子(2)に接続される。また他のスイッチ(S2)〜
(S6)はそのままである。このときWc1段階から第
2段階への移行時におけるスイッチ(Sl)の切り換え
によるコンデンサ(2)の電荷変化ΔQ21はΔQ21
: C(0−Vln) =−cvil102で与えら
れる。またスイッチ(S2) ’c切り換えたことによ
りコンデンサ(財)には同様に ΔQ22 = C(Vrmf −0)=CVrmr
QJなる電荷変化ΔQ22が生成される。
を行い、オーバーフローの有無を調べる段階である。こ
の段階において、スイッチ(S7)は開かれスイッチ(
Sl)がグランドに、スイッチ(S2)が基準電圧印加
端子(2)に接続される。また他のスイッチ(S2)〜
(S6)はそのままである。このときWc1段階から第
2段階への移行時におけるスイッチ(Sl)の切り換え
によるコンデンサ(2)の電荷変化ΔQ21はΔQ21
: C(0−Vln) =−cvil102で与えら
れる。またスイッチ(S2) ’c切り換えたことによ
りコンデンサ(財)には同様に ΔQ22 = C(Vrmf −0)=CVrmr
QJなる電荷変化ΔQ22が生成される。
したがって、との段階までのノードN1の最終的な電荷
変化はΔQ21+ΔQ22 = C(Vrmf −Vt
n ) αΦで与えられる。この変化が反
転増幅器(3)で反転増嘔され、制御/出力回路(4)
に入力されるのは、第5図の説明で述べたとおりである
。すなわちV、、l>vrsr (オーバーフロー)の
場合は論理値+1HI+が、またLot > Vtnの
場合は論理値IILI+が制御/出力回路(4)に入力
される。
変化はΔQ21+ΔQ22 = C(Vrmf −Vt
n ) αΦで与えられる。この変化が反
転増幅器(3)で反転増嘔され、制御/出力回路(4)
に入力されるのは、第5図の説明で述べたとおりである
。すなわちV、、l>vrsr (オーバーフロー)の
場合は論理値+1HI+が、またLot > Vtnの
場合は論理値IILI+が制御/出力回路(4)に入力
される。
第3段階は、入力電圧vi、lと基準電圧−vr、、の
比較を行い最上位ビットの決定を行う段階である。
比較を行い最上位ビットの決定を行う段階である。
この段階において、スイッチ(S2)はグランドに接続
され、スイッチ(S3)は基準電圧印加端子(2)に接
続される。また他のスイッチ(Si)、 (S4)〜(
S7)はそのままである。このとき、スイッチ(Ss)
k切り換えたことによるコンデンサ(至)の電荷変化
は前例より明らかにC(Vrmf−○)である。一方、
スイッチ(S3)以外に電圧変化は起こらなかったとし
て、他のスイッチ(sl)〜(S2)、 (S4)〜(
S7)をグランドに接続して合成容量を用いてノードN
2を基準とした等節回路を考えると第2図が得られ、ノ
ードN2は第2図のノードNに相当することがわかる。
され、スイッチ(S3)は基準電圧印加端子(2)に接
続される。また他のスイッチ(Si)、 (S4)〜(
S7)はそのままである。このとき、スイッチ(Ss)
k切り換えたことによるコンデンサ(至)の電荷変化
は前例より明らかにC(Vrmf−○)である。一方、
スイッチ(S3)以外に電圧変化は起こらなかったとし
て、他のスイッチ(sl)〜(S2)、 (S4)〜(
S7)をグランドに接続して合成容量を用いてノードN
2を基準とした等節回路を考えると第2図が得られ、ノ
ードN2は第2図のノードNに相当することがわかる。
第2図において、端子(7)の電圧変化によるコンデン
サ(51)の電荷変化Δも1は、コンデンサ(52)お
よびコンデンサ(53)の電荷変化ΔQ52.ΔQs3
を誘発し、しかもであることが容易に理解できる。以上
より、コンデンサ(至)の電荷変化は、コンデンサ(至
)およびコンデンサ01に均等に分配されるため、結局
、スイッチ(S3)の切9換えたことによるコンデンサ
(ト)の電荷変化ΔQ23は、コンデンサーの電荷変化
C(Vrmf−0)の↓になる。
サ(51)の電荷変化Δも1は、コンデンサ(52)お
よびコンデンサ(53)の電荷変化ΔQ52.ΔQs3
を誘発し、しかもであることが容易に理解できる。以上
より、コンデンサ(至)の電荷変化は、コンデンサ(至
)およびコンデンサ01に均等に分配されるため、結局
、スイッチ(S3)の切9換えたことによるコンデンサ
(ト)の電荷変化ΔQ23は、コンデンサーの電荷変化
C(Vrmf−0)の↓になる。
vr、。
ΔQ23 =2 ’ C(V rs r−0) =”
2 Q*またスイッチ(B2) を切9換
えたことによるコンデンサ@の電荷変化はΔQ22であ
シ、前記ΔQ22と相殺されるから、結局この段階まで
の最終的な電荷変化は次式で与えられるO vr@、 αり ΔQ21+ΔQ23 = C(−1御Vsn)以上より
、この電荷変化の正負に応じて反転増幅器(3)の出力
値が決まり、最上位ビットが決定されるO vr@。
2 Q*またスイッチ(B2) を切9換
えたことによるコンデンサ@の電荷変化はΔQ22であ
シ、前記ΔQ22と相殺されるから、結局この段階まで
の最終的な電荷変化は次式で与えられるO vr@、 αり ΔQ21+ΔQ23 = C(−1御Vsn)以上より
、この電荷変化の正負に応じて反転増幅器(3)の出力
値が決まり、最上位ビットが決定されるO vr@。
第4段階は、前段階の結果を踏まえ、vln > 2−
c’sしはVinと−vrot kl、 Vrat >
ViaであればTinとq■r*rを比較し、第2ビ
ツトを決定する段階である。
c’sしはVinと−vrot kl、 Vrat >
ViaであればTinとq■r*rを比較し、第2ビ
ツトを決定する段階である。
まず第3段階において、Vin > 2 Vr+erで
あった場合について説明する。この場合、制御/出力回
路(4)の制御信号によって、スイッチ(B3)をその
ままにして、スイッチ(84) を基準電圧印加端子(
2)に接続する。また他のスイッチ(Sl)〜(B2)
、 (Ss)〜(S7)はそのままにしておく。このと
き、スイッチ(B4)を切り換えたことによシ、コンデ
ンサα4) K Id C(Vref−0)なる電荷変
化が起こる。ここでも前記と同様合成容量による等価回
路を考えると、コンデンサα◆に接続されたノード(N
3)は第2図にお杆るノード(N)に相当する。したが
って前記電荷変化C(Vrmr−0)が誘発するコンデ
ンサQlの電荷変化はその万となる。またこのノード(
N3)およびノード(N2)に注目して、第2図と同様
の等価回路を考えると第3図のようになるが、この図か
ら前記電荷変化および合成容量Cなるコンデンサ(54
)に均等に分配されることがわかる。したがって第1図
におけるコンデンサ(ト)の電荷変化ΔQ24は、コン
デンサα9の電荷変化の百となる。
あった場合について説明する。この場合、制御/出力回
路(4)の制御信号によって、スイッチ(B3)をその
ままにして、スイッチ(84) を基準電圧印加端子(
2)に接続する。また他のスイッチ(Sl)〜(B2)
、 (Ss)〜(S7)はそのままにしておく。このと
き、スイッチ(B4)を切り換えたことによシ、コンデ
ンサα4) K Id C(Vref−0)なる電荷変
化が起こる。ここでも前記と同様合成容量による等価回
路を考えると、コンデンサα◆に接続されたノード(N
3)は第2図にお杆るノード(N)に相当する。したが
って前記電荷変化C(Vrmr−0)が誘発するコンデ
ンサQlの電荷変化はその万となる。またこのノード(
N3)およびノード(N2)に注目して、第2図と同様
の等価回路を考えると第3図のようになるが、この図か
ら前記電荷変化および合成容量Cなるコンデンサ(54
)に均等に分配されることがわかる。したがって第1図
におけるコンデンサ(ト)の電荷変化ΔQ24は、コン
デンサα9の電荷変化の百となる。
以上より前段階においてVan >−5Vrsrでめっ
た場合の、第4段階までの最終的な電荷変化は”Q21
+ΔQ23 +ΔQ24 = −CVin ” C”
ir*r +、 CVt*t=C(Vrmt −Vij
01で与えられる。
た場合の、第4段階までの最終的な電荷変化は”Q21
+ΔQ23 +ΔQ24 = −CVin ” C”
ir*r +、 CVt*t=C(Vrmt −Vij
01で与えられる。
次に第3段階において−v、、。r)vi、であった場
合について説明する。この場合はスイッチ(B3)はグ
ランドに、またスイッチ(B4)は基準電圧印加端子(
2)に接続され、他のスイッチ(Sl)〜(82)、
(B5)〜(S7)はそのままにされる。したがって、
この場合の最終的な電荷変化は、弐〇〇に、スイッチ(
B3)を切シ換えたことによるコンデンサ(ト)の電荷
変化−ΔQ23を加えた式、すなわち ΔQ21+ΔQ24 = −CV1r+ + 、 CV
ref=CC主Vr*t −Vin ) (
1)で与えられる。第4段階においては、第3段階の結
果に応じてvinと−Lafあるいは71nと−Vrs
fO比較を行い、第2ビツトヲ決定できることがわがる
0 以下同様の動作を繰シ返すことによって、第5段階で第
3ビツト、第6段階で第4ビツトの決定ができる。最終
段階である第6段階までの電荷変化は次の式で与えられ
る。
合について説明する。この場合はスイッチ(B3)はグ
ランドに、またスイッチ(B4)は基準電圧印加端子(
2)に接続され、他のスイッチ(Sl)〜(82)、
(B5)〜(S7)はそのままにされる。したがって、
この場合の最終的な電荷変化は、弐〇〇に、スイッチ(
B3)を切シ換えたことによるコンデンサ(ト)の電荷
変化−ΔQ23を加えた式、すなわち ΔQ21+ΔQ24 = −CV1r+ + 、 CV
ref=CC主Vr*t −Vin ) (
1)で与えられる。第4段階においては、第3段階の結
果に応じてvinと−Lafあるいは71nと−Vrs
fO比較を行い、第2ビツトヲ決定できることがわがる
0 以下同様の動作を繰シ返すことによって、第5段階で第
3ビツト、第6段階で第4ビツトの決定ができる。最終
段階である第6段階までの電荷変化は次の式で与えられ
る。
ΔQ21 + BlΔQ23”B2ΔQ24+B3ΔQ
25”B4ΔQ26= C(Bl−¥Vref +13
2 ′、vr11.−をB3’s Vrat”B4 π
Vr*r−Via) @但し、
ここで31〜B4は各々最上位ビット、第2ビツト、第
3ビツト、第4ピツトの判定結果であシ、各段階におけ
る電荷変化判定回路手段−の出力がII HIIのとき
B1〜B4=1、IIJ、11のときBl −、−]3
4=Qとする。また第5図の例と同様、この判定結果B
1〜B4はオーバーフローの判定結果BQとともに制御
/出力回路(4)で保持され、最終ビットが決定された
瞬間に出力端子(Oo)〜(百4)よりディジタル信号
として出力される。
25”B4ΔQ26= C(Bl−¥Vref +13
2 ′、vr11.−をB3’s Vrat”B4 π
Vr*r−Via) @但し、
ここで31〜B4は各々最上位ビット、第2ビツト、第
3ビツト、第4ピツトの判定結果であシ、各段階におけ
る電荷変化判定回路手段−の出力がII HIIのとき
B1〜B4=1、IIJ、11のときBl −、−]3
4=Qとする。また第5図の例と同様、この判定結果B
1〜B4はオーバーフローの判定結果BQとともに制御
/出力回路(4)で保持され、最終ビットが決定された
瞬間に出力端子(Oo)〜(百4)よりディジタル信号
として出力される。
なお、上記実施例ではオーバーフローの検出機能を有す
る場合のA / Dコンバータについて示したが、これ
を設けない場合は第4図に示したように3端子切換えス
イッチ(So)を用いることによって4ピツトのA/D
コンバータを構成することができる。すなわち、容量2
Cのコンデンサ(イ)の一方の極板はスイッチ(so)
k介し、そのスイッチング状態に応じて入力端子(1
)あるいは百基準電圧印加端子σ01グランドに接続さ
れる。また容量Cのコンデンサα◆〜0Qの一方の極板
は第1図で述べたとおシ各々スイッチ(S4)〜(Ss
) ?介し、そのスイッチング状態に応じて基準電圧印
加端子(2)あるいはグランドに接続される。また前記
各コンデンサ(イ)、α4〜a*otbう一方の極板は
各に/−ド(Hl) p (N4)〜(N6)を形成し
、各ノード(N 1 ) e (N 4 )〜(N6)
は容量2Cなる3つのコンデンサa1〜(財)を介して
各々隣接するノードに接続される。またノード(N1)
は反転増幅器(3)の入力端およびスイッチ(S7)に
接続され、ノード(N6)はコンデンサαηを介して接
地される。
る場合のA / Dコンバータについて示したが、これ
を設けない場合は第4図に示したように3端子切換えス
イッチ(So)を用いることによって4ピツトのA/D
コンバータを構成することができる。すなわち、容量2
Cのコンデンサ(イ)の一方の極板はスイッチ(so)
k介し、そのスイッチング状態に応じて入力端子(1
)あるいは百基準電圧印加端子σ01グランドに接続さ
れる。また容量Cのコンデンサα◆〜0Qの一方の極板
は第1図で述べたとおシ各々スイッチ(S4)〜(Ss
) ?介し、そのスイッチング状態に応じて基準電圧印
加端子(2)あるいはグランドに接続される。また前記
各コンデンサ(イ)、α4〜a*otbう一方の極板は
各に/−ド(Hl) p (N4)〜(N6)を形成し
、各ノード(N 1 ) e (N 4 )〜(N6)
は容量2Cなる3つのコンデンサa1〜(財)を介して
各々隣接するノードに接続される。またノード(N1)
は反転増幅器(3)の入力端およびスイッチ(S7)に
接続され、ノード(N6)はコンデンサαηを介して接
地される。
次に動作について説明する。この例はオーバー70−検
出機能を持たないので、オーバーフロー検出段階を有さ
す、合計5段階の動作によってA/D変換がなされる。
出機能を持たないので、オーバーフロー検出段階を有さ
す、合計5段階の動作によってA/D変換がなされる。
準備段階である第1段階では、スイッチ(S□)カ入力
端子(1)に、スイッチ(S4)〜(S6)はグランド
に接続される。またスイッチ(S7)は接続される。こ
のときのノード(N1)の電位等については前記のとお
りである。
端子(1)に、スイッチ(S4)〜(S6)はグランド
に接続される。またスイッチ(S7)は接続される。こ
のときのノード(N1)の電位等については前記のとお
りである。
次にスイッチ(S7)が開かれ、スイッチ(So) ’
fr、 2基準電圧印加端子(10に接続する第2段階
に移る。
fr、 2基準電圧印加端子(10に接続する第2段階
に移る。
百基準電圧印加端子σQは基準電圧印加端子(2)の百
の電位、”ir+art持つ端子である。よって、この
スイッチ(S7)およびスイッチ(So)の切り換えに
よって起こるコンデンサ磐の電荷変化ΔQ、atは1
@ ΔQ31 =2Q(i7.、、−Vin )で与えられ
る。したがってWinと、、Vrarの比較を行い、最
上位ビットが決定される。
の電位、”ir+art持つ端子である。よって、この
スイッチ(S7)およびスイッチ(So)の切り換えに
よって起こるコンデンサ磐の電荷変化ΔQ、atは1
@ ΔQ31 =2Q(i7.、、−Vin )で与えられ
る。したがってWinと、、Vrarの比較を行い、最
上位ビットが決定される。
第3段階は第2段階の結果に応じて各スイッチのスイッ
チング状態が決まる。すなわちvl・>AVrstの場
合は、スイッチ(So)をその1まの状態にして、スイ
ッチ(S4)が基準電圧印加端子(2)に接続され、A
71*f> ’71nの場合はスイッチ(So)がグ
ランドに接続され、スイッチ(S4)が基準電圧印加端
子(2)に接続される。スイッチ(B<) k切り換え
たことによるコンデンサα1の電荷変化は次のように計
算できる。
チング状態が決まる。すなわちvl・>AVrstの場
合は、スイッチ(So)をその1まの状態にして、スイ
ッチ(S4)が基準電圧印加端子(2)に接続され、A
71*f> ’71nの場合はスイッチ(So)がグ
ランドに接続され、スイッチ(S4)が基準電圧印加端
子(2)に接続される。スイッチ(B<) k切り換え
たことによるコンデンサα1の電荷変化は次のように計
算できる。
すなわち、スイッチ(S4)を切シ換えたことによるコ
ンデンサ(14)の電荷変化はC(Vr、r −0)で
与えられるが、このコンデンサα第に接続されているノ
ード(N4)は第2図におけるノード(N)に相当する
ため、コンデンサα燵の電荷変化ΔQ3aはコンデンサ
α→の電荷のiとなる。
ンデンサ(14)の電荷変化はC(Vr、r −0)で
与えられるが、このコンデンサα第に接続されているノ
ード(N4)は第2図におけるノード(N)に相当する
ため、コンデンサα燵の電荷変化ΔQ3aはコンデンサ
α→の電荷のiとなる。
ΔQ33=C(Vrat −0) ’ 2
”またスイッチ(So) ’に: 2基準電圧印加
端子σ0からグランドに切り換えたことによるコンデン
サ磐の電荷変化ΔQ32は ΔQ32 = ”C(0−”raf)
Q4で与えられる。以上によりこの段階までの最終的
電荷変化は次の式で与えられる。
”またスイッチ(So) ’に: 2基準電圧印加
端子σ0からグランドに切り換えたことによるコンデン
サ磐の電荷変化ΔQ32は ΔQ32 = ”C(0−”raf)
Q4で与えられる。以上によりこの段階までの最終的
電荷変化は次の式で与えられる。
v1□>−Vrarの場合
ΔQ31+ΔQ33 = 2C(−、Vr@f ” 、
Vr@f −Vin )= 20 (−vrat −
Vtn) ’IJ2 vret )vlnの場合 ΔQ31 ”ΔQ32 +ΔQ33=2C(−;Vra
r −’h、) @したがってこの電荷変化の正負より
第2ビツトが決定される。
Vr@f −Vin )= 20 (−vrat −
Vtn) ’IJ2 vret )vlnの場合 ΔQ31 ”ΔQ32 +ΔQ33=2C(−;Vra
r −’h、) @したがってこの電荷変化の正負より
第2ビツトが決定される。
以上の動作を繰り返すことにより、第4段階で第3ビツ
ト、第5段階で第4ビツトの決定ができる。最終段階で
ある第5段階までの電荷変化は次式で与えられる。
ト、第5段階で第4ビツトの決定ができる。最終段階で
ある第5段階までの電荷変化は次式で与えられる。
ΔQ31−C1ΔQ32+C2ΔQ33”C4ΔQ34
=20(−Vr@を01°、Vrar +C21,”I
r@r ”C3’ 百Vr@f” C4’、、 vro
t −Vin ) @但しここでCI
”C4は各々最上位ビット、第2ビツト、第3ビツト、
第4ビツトの判定結果であυ、各段階における電荷変化
判定回路手段(転)の出力がIIHllのとき01〜C
4=1、IILI+のとき01〜C4=0とする。また
前記同様、この判定結果自〜C4は制御/出力回路(4
)で保持され、最終ビットが決定された瞬間に出力端子
(百り〜(万4)によりディジタル信号として出力され
る。
=20(−Vr@を01°、Vrar +C21,”I
r@r ”C3’ 百Vr@f” C4’、、 vro
t −Vin ) @但しここでCI
”C4は各々最上位ビット、第2ビツト、第3ビツト、
第4ビツトの判定結果であυ、各段階における電荷変化
判定回路手段(転)の出力がIIHllのとき01〜C
4=1、IILI+のとき01〜C4=0とする。また
前記同様、この判定結果自〜C4は制御/出力回路(4
)で保持され、最終ビットが決定された瞬間に出力端子
(百り〜(万4)によりディジタル信号として出力され
る。
以上のように4ビツトのA/Dコンバータの場合、従来
の第5図に示す2進重み付は容量網で構成された電圧変
化−電荷変化変換回路では総容量4’7Cが必要であっ
たが、C−2C容量網で構成された同変換回路を用いる
ことによシ、総容量15C(第1図)、あるいは12C
(第4図)で充分な動作が得られることがわかる。この
ような総容量の違いはA/Dコンバータのビット数が増
加するに従い、さらに顕著になることが第1表かられか
る。
の第5図に示す2進重み付は容量網で構成された電圧変
化−電荷変化変換回路では総容量4’7Cが必要であっ
たが、C−2C容量網で構成された同変換回路を用いる
ことによシ、総容量15C(第1図)、あるいは12C
(第4図)で充分な動作が得られることがわかる。この
ような総容量の違いはA/Dコンバータのビット数が増
加するに従い、さらに顕著になることが第1表かられか
る。
第 l 麦
第1表は第1図、第4図、第5図で示した3つの例で必
要な総容量をビット数ととに記述したものである。第1
表より、第5図で示した従来の例ではビット数が増加す
るごとに総容量が指数関数的に増加するが、第1図ある
いは84図で示したところのこの発明による実施例では
ビット数が増加しても総容量は直線的に増加するにすぎ
ないことがわかる。したがってコンデンサの占有面積も
、ビット数の増加に伴って指数関数的に増加していた従
来のA / Dコンバータに比べ、直線的な増加という
小さな増加に押さえることができる。
要な総容量をビット数ととに記述したものである。第1
表より、第5図で示した従来の例ではビット数が増加す
るごとに総容量が指数関数的に増加するが、第1図ある
いは84図で示したところのこの発明による実施例では
ビット数が増加しても総容量は直線的に増加するにすぎ
ないことがわかる。したがってコンデンサの占有面積も
、ビット数の増加に伴って指数関数的に増加していた従
来のA / Dコンバータに比べ、直線的な増加という
小さな増加に押さえることができる。
以上のように、この発明によれば、従来2進重み付は容
量網によって構成されていた電圧変化−電荷変化変換回
路をC−20容量網で構成したので、ビット数の増加に
伴って指数関数的に増加していたコンデンサの占有′面
積を![線的な増加に押さえることができる効果がある
。
量網によって構成されていた電圧変化−電荷変化変換回
路をC−20容量網で構成したので、ビット数の増加に
伴って指数関数的に増加していたコンデンサの占有′面
積を![線的な増加に押さえることができる効果がある
。
第1図はこの発明の一実施例である、C−2C容量網に
よって電圧変化−電荷変化変換回路を構成した4ビツト
のA / Dコンバータを示す構成図であるO N2図は第1図および第4図におけるノード(N2)〜
(Ns)’を中心におき、合成容量を用いて表した等価
回路図である。 第3図は第1図におけるノード(N3〕を解放し、ノー
ド(N2) k中心に合成容量を用いて表した等価回路
図である。 第4図はこの発明のもう1つの実施例である、3端子切
換えスイッチを用いた場合のA/Dコンバータを示す構
成図である。 第5図は電圧変化−電荷変化変換回路が2進重み付は容
量網によって構成された従来の4ビツトA/Dコンバー
タの構成図である。 第6図は反転増幅器の入出力特性図である。 図において、(1) 、 (2) 、 (10は入力端
子、(3)は反転増幅器、(4)は制御/出力回路、(
5)〜(9)は制御端子、aη〜磐および3])〜弼、
(5ユ)〜(54)はコンデンサ、(至)は電圧変化−
電荷変化変換回路、に)は電荷変化判定回路手段、(万
0)〜(五4)は出力端子、(So)〜C87)はスイ
ッチ、(α〕は反転増幅器の入出力特性曲線、(β)は
反転増幅器で(入力電圧)=(出力電圧〕を満たす直線
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
よって電圧変化−電荷変化変換回路を構成した4ビツト
のA / Dコンバータを示す構成図であるO N2図は第1図および第4図におけるノード(N2)〜
(Ns)’を中心におき、合成容量を用いて表した等価
回路図である。 第3図は第1図におけるノード(N3〕を解放し、ノー
ド(N2) k中心に合成容量を用いて表した等価回路
図である。 第4図はこの発明のもう1つの実施例である、3端子切
換えスイッチを用いた場合のA/Dコンバータを示す構
成図である。 第5図は電圧変化−電荷変化変換回路が2進重み付は容
量網によって構成された従来の4ビツトA/Dコンバー
タの構成図である。 第6図は反転増幅器の入出力特性図である。 図において、(1) 、 (2) 、 (10は入力端
子、(3)は反転増幅器、(4)は制御/出力回路、(
5)〜(9)は制御端子、aη〜磐および3])〜弼、
(5ユ)〜(54)はコンデンサ、(至)は電圧変化−
電荷変化変換回路、に)は電荷変化判定回路手段、(万
0)〜(五4)は出力端子、(So)〜C87)はスイ
ッチ、(α〕は反転増幅器の入出力特性曲線、(β)は
反転増幅器で(入力電圧)=(出力電圧〕を満たす直線
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- アナログ入力電圧が印加される少なくとも一対のアナロ
グ入力端子、各々基準電圧が印加される少なくとも一対
の基準電圧印加端子、前記アナログ入力端子および基準
電圧印加端子に切換え接続される複数個の切換えスイッ
チ、該複数個の切換えスイッチより入力かつ接続され、
入力電圧の変化を電荷変化に変換する電圧変化−電荷変
化変換回路、該電圧変化−電荷変化変換回路の出力に接
続され、電荷変化の正負を判定する電荷変化判定回路手
段、および該回路手段に接続され、複数個の出力端子と
前記複数個の切換えスイッチを制御する制御端子とを持
つ制御/出力回路を備えたA/Dコンバータにおいて、
前記電圧変化−電荷変化変換回路をC−2C容量回路網
により構成したことを特徴とするA/Dコンバータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23171485A JPS6291023A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | A/dコンバ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23171485A JPS6291023A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | A/dコンバ−タ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6291023A true JPS6291023A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=16927861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23171485A Pending JPS6291023A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | A/dコンバ−タ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6291023A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5172019A (en) * | 1992-01-17 | 1992-12-15 | Burr-Brown Corporation | Bootstrapped FET sampling switch |
EP0562564A2 (en) * | 1992-03-23 | 1993-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Analog-to-digital converter with capacitor network |
KR100415087B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환하는 장치 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP23171485A patent/JPS6291023A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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