DE4300984A1 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft MOSFET-Abtastschaltstufen, insbeson
dere eine Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe, die mit einer
einzigen Versorgungsspannung arbeitet, ein Eingangssignal
erhält, das im Bereich zwischen einem Wert über und einem
Wert unter der Massespannung liegt, und die dennoch im
MOSFET über den gesamten Bereich der Eingangsspannungen
einen konstanten Kanalwiderstand erzeugt, was demgemäß zu
niedriger harmonischer Gesamtverzerrung eines abgetasteten
Eingangssignals führt.
Fig. 2 zeigt Anschlüsse während des "Nachlauf"- oder "Ab
tast"-Modus eines herkömmlichen analogen Abtastschalters,
der einen n-Kanal-MOSFET 6 aufweist, dessen Gateelektrode
mit einer Spannung +V verbunden ist, dessen Source über eine
Leitung 17 so angeschlossen ist, daß sie eine analoge Ein
gangsspannung VIN empfängt, und dessen Drain über einen Ab
tastkondensator 13 mit einer Ausgangsleitung 15 verbunden
ist. Die Leitung 15 ist mit einem durch ein Bezugszeichen 16
gekennzeichneten CDAC (Kondensator-D/A-Wandler) -Schaltkonden
satorarray und einem Komparator verbunden, dessen Ausgang
mit einem (nichtdargestellten) Register für sukzessive Ap
proximation verbunden ist.
Ein Problem bei der Schaltung gemäß Fig. 2 geht dahin, daß
die Gate/Source-Spannung (die teilweise den Kanalwiderstand
RDS des MOSFET 6 bestimmt) relativ niedrig ist und typi
scherweise nur einige wenige Volt beträgt. Die Gate/Source-
Spannung des MOSFET 6 ändert sich mit Änderungen der Spannung
VIN beträchtlich, was dazu führt, daß sich der Kanalwider
stand des Abtast-MOSFET 6 ändert. Ferner hängt die Schwel
lenspannung VTH des MOSFET 6, die ebenfalls den Kanalwider
stand beeinflußt, stark von der Spannung zwischen der
Sourceelektrode und der Körperelektrode ab. Die Source/Kör
per-Spannung schwankt mit Änderungen von VIN beträchtlich,
was weitere Änderungen des Kanalwiderstandes des Abtast-
MOSFET 6 als Funktion der Eingangsspannung VIN hervorruft.
Demgemäß wird harmonische Verzerrung mit beträchtlichem Aus
maß im abgetasteten Wert der Spannung VIN erzeugt, die im
Abtastkondensator 13 gespeichert wird, wenn dieser über den
nichtlinearen Kanalwiderstand RDS des Abtast-MOSFET 6 gela
den wird.
Wenn die Leitung 15 mit dem Kondensatorarray eines CDAC
(Kondensator-D/A-Wandler) verbunden ist, erzeugt eine der
artige harmonische Verzerrung Fehler im digitalen Ausgangs
wort, das durch den A/D-Wandler erzeugt wird, um die zeit
lich variable analoge Eingangsspannung VIN zu repräsentie
ren.
Es wäre wünschenswert, eine analoge Abtastschaltstufe anzu
geben, die in einem Schalt-MOSFET selbst dann einen konstan
ten Kanalwiderstand erzeugt, wenn die Schaltung mit einer
einzigen Spannungsversorgung von 5 Volt arbeitet, und selbst
dann, wenn das analoge Eingangssignal z. B. ein sinusförmi
ger Signalzug mit bipolaren Werten zwischen +10 Volt und
10 Volt ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine MOSFET-Ab
tastschaltstufe anzugeben, die das Einführen harmonischer
Verzerrungen in die Abtastrepräsentation einer analogen Ein
gangsspannung vermeidet, aber dennoch mit einer einzigen
Versorgungsspannung auskommt.
Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, eine analoge Ab
tastschaltstufe für einen CDAC in einem A/D-Wandler anzuge
ben, der mit einer einzigen Spannungsversorgung von 5 Volt
bei einer analogen Eingangsspannung arbeitet, die Werte ein
nimmt, die wesentlich über und unter der Massespannung lie
gen, wobei die von der Abtastschaltstufe in die abgetastete
Spannung eingeführte harmonische Verzerrung sehr klein ist.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine Nachlaufge
nauigkeit sowohl der Spannung der Körperelektrode als auch
der Spannung der Gateelektrode relativ zur Spannung der
Sourceelektrode des Abtast-MOSFET 6 zu erzielen, die bei der
Nyquistfrequenz nur etwa 10 bis 20 Millivolt beträgt.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine Konstant
stromquellenschaltung mit hoher Eingangsimpedanz anzugeben,
die einen konstanten Wert des Ausgangsstroms bei sehr nied
riger Ausgangsspannung von z. B. nur 0,3 Volt aufrechterhal
ten kann.
Die Erfindung ist in einer allgemeineren und einer speziel
leren Erscheinungsform durch die Merkmale der unabhängigen
Ansprüche 1 bzw. 3 gegeben.
Die speziellere Erscheinungsform weist drei Operationsver
stärker, einen Abtast-MOSFET sowie einen ersten und einen
zweiten weiteren MOSFET auf, wobei dafür gesorgt wird, daß
ein konstanter Strom durch den zweiten MOSFET fließt. Da
durch hält der zweite Operationsverstärker eine konstante
Gate/Source-Spannung des Abtast-MOSFET aufrecht, die im we
sentlichen zu einer konstanten Gate/Source-Spannung des ers
ten MOSFET führt, wodurch der Kanalwiderstand des Abtast-
MOSFET selbst bei sich ändernder analoger Eingangsspannung
konstantgehalten wird, was zu geringer harmonischer Gesamt
verzerrung innerhalb der Abtastschaltstufe führt. Bei einem
Ausführungsbeispiel, wie es unten beschrieben wird, ist die
Abtastschaltstufe innerhalb eines A/D-Wandlers mit sukzes
siver Approximation enthalten, der ein CDAC-Schaltkondensa
torarray, einen Komparator und ein Register für sukzessive
Approximation aufweist.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines durch Figuren
veranschaulichten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Fig. 1 ist ein schematisches Schaltbild eines erfindungsge
mäßen Bootstrap-Abtastschalters.
Fig. 2 ist ein schematisches Schaltbild eines herkömmlichen
MOSFET-Abtastschalters.
Fig. 3 ist ein schematisches Schaltbild eines der Opera
tionsverstärker in Fig. 1.
Gemäß Fig. 1 empfängt eine Bootstrap-MOSFET-Abtastschalt
stufe 1 über eine Leitung 17 eine sinusförmige Eingangsspan
nung VIN, die zwischen +10 Volt und -10 Volt schwankt. Ein
Widerstand von 20 kOhm ist zwischen die Leitung 17 und eine
Leitung 5 geschaltet. Ein Widerstand 3 von 4 kOhm ist zwi
schen eine Bezugsspannung von +2,5 Volt und die Leitung 5
geschaltet. Ein Widerstand 4 von 10 kOhm ist zwischen die
Leitung 5 und Masse geschaltet. Von dem durch die Widerstän
de 2, 3 und 4 gebildeten Spannungsteiler wird aus der um
±10 Volt schwankenden Spannung VIN auf der Leitung 5 eine
herabgesetzte Eingangsspannung VIN1 erzeugt, deren Signal
pegel zwischen 0,3 Volt und 2,8 Volt liegen.
Die Sourceelektrode eines n-Kanal-Abtast-MOSFET 6 ist über
die Leitung 5 mit den nichtinvertierenden Eingängen von Ope
rationsverstärkern 11 und 21 verbunden. Eine Körperelektrode
des Abtast-MOSFET 6 ist über einen Schalter 29A und eine
Leitung 10 mit dem Ausgang und dem invertierenden Eingang
des Operationsverstärkers 11 verbunden. Die Drainelektrode
des Abtast-MOSFET 6 ist über eine Leitung 12 mit einem An
schluß eines Abtastkondensators 13 verbunden, dessen anderer
Anschluß mit der Leitung 15 verbunden ist. Die Leitung 12
ist über einen Schalter 14A mit einer Bezugsspannung VREF
verbunden, die mit der oben genannten Versorgungsspannung
von +2,5 Volt übereinstimmen kann oder bei der es sich um
eine andere Spannung handeln kann. Die Leitung 12 ist über
einen Schalter 14B mit Masse verbunden. Der Schalter 14A
schließt sich auf eine Spannung VTEST1 hin, und der Schalter
14B schließt sich auf eine Spannung VTEST2 hin, um ein Te
sten des höchstsignifikanten Bits zu bewirken, wie dies in
Fig. 1 dargestellt ist, wobei mit dem höchstsignifikanten
Bit eines CDAC (Kondensator-D/A-Wandler) -Kondensatorarrays
begonnen wird, das den Abtastkondensator 13 und ein Schalt
kondensatorarray beinhaltet, das durch das Bezugszeichen 16
gekennzeichnet ist. Der Test wird durch den Komparator 19
und ein Register für sukzessive Approximation SAR 30 ausge
führt. Die Leitung 15 ist über einen Schalter 14C mit der
Spannung +VREF verbunden, bei der es sich um dieselbe han
deln kann wie die Bezugsspannung von +2,5 Volt oder um eine
andere Spannung. Der Schalter 14C schließt auf eine Spannung
VABTAST hin. Ein Schalter 29B verbindet die Körperelektrode
des Abtast-MOSFET 6 mit Masse. Ein Schalter 29A schließt auf
eine Spannung VCONTROL hin. Der Schalter 29B schließt auf
die Spannung CONTROL hin.
Derjenige Teil des CDAC-Arrays, das durch das Bezugszeichen
16 gekennzeichnet wird, ist zwischen die Leitung 15 und Mas
se geschaltet. Die Leitung 15 ist auch mit einem Komparator
19 verbunden, dessen Ausgang mit dem Register für sukzessive
Approximation SAR 30 verbunden ist, das (nichtdargestellte)
Schalter im Schaltkondensatorarray 16 sowie die Schalter 14A
und 14B steuert, um dadurch einen A/D-Wandler zu bilden.
Typischerweise vergleicht der Komparator 19 die Spannung auf
der Leitung 15 beim Testen des aktuellen Bits mit einer
Spannung, die von einem trimmbaren D/A-Wandler 59 geliefert
wird.
Die Gateelektrode des Abtast-MOSFET 6 ist über eine Leitung
20 und einen Schalter 22 mit dem Ausgang des Operationsver
stärkers 21 verbunden. Der Schalter 22 schließt sich auf das
Steuersignal VCONTROL hin. Die Leitung ist auch über einen
Schalter 23 mit Masse verbunden. Der Schalter 23 schließt
sich auf das Signal VCONTROL hin. Der Ausgang des Opera
tionsverstärkers 21 ist auch mit der Gateelektrode des n-
Kanal-MOSFET 24 verbunden.
Die Drainelektrode des MOSFET 24 ist mit einer Leitung zur
positiven Spannungsversorgung verbunden. Die Sourceelektrode
des MOSFET 24 ist über eine Leitung 25 mit dem invertieren
den Eingang des Operationsverstärkers 21 und mit der Drain
elektrode des n-Kanal-MOSFET 26 verbunden. Die Sourceelek
trode eines MOSFET 26 ist über eine Leitung 28 mit einem An
schluß eines einstellbaren Widerstandes 27 sowie mit dem in
vertierenden Eingang eines Operationsverstärkers 31 verbun
den. Der andere Anschluß des Widerstandes ist mit Masse ver
bunden.
Der Ausgang des Operationsverstärkers 31 ist an die Gate
elektrode des MOSFET 26 angeschlossen. Der nichtinvertieren
de Eingang des Operationsverstärkers 31 ist über eine Lei
tung 32 mit der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen
33 und 34 verbunden, die in Reihe zwischen die Bezugsspan
nung von +2,5 V und Masse geschaltet sind, um auf der Lei
tung 32 und demgemäß auf der Leitung 28 einen Pegel von
0,2 Volt zu erzeugen. Die Bezugsspannung von 2,5 Volt kann
dieselbe sein wie die Spannung VREF, oder es kann eine ande
re Spannung sein, und der Pegel von 0,2 Volt kann durch
einen anderen Wert ersetzt werden.
Es ist zu beachten, daß der Kanalwiderstand des Abtast-
MOSFET 6 in bezug auf Änderungen von VIN sehr nichtlinear
ist. Problematisch ist auch die Tatsache, daß die parasitäre
Kapazität 7A von der Source des Abtast-MOSFET 6 zu ihrer p-
Wanne oder ihrer Körperelektrode eine relativ große, nicht
lineare pn-Übergang-Kapazität ist. Entsprechend ist die pa
rasitäre Kapazität 7B vom Drain zur p-Wanne oder zur Körper
elektrode des Abtast-MOSFET 6 eine relativ große, nichtli
neare pn-Übergang-Kapazität. Auch parasitäre Kapazitäten 7C
und 7D sind etwas nichtlinear. Da die parasitären Kapazitä
ten 7A-D groß und nichtlinear sind, wird angenommen, daß
ein Teil des Eingangsstroms, der den Abtastkondensator 13
laden soll, verlorengeht, da er die parasitären Kondensato
ren 7A-7D lädt.
Wenn im Betrieb die Schalter 14C, 22 und 29A geschlossen
werden und die verbleibenden Schalter in Fig. 1 offenblei
ben, führt das Abtasten der verkleinerten, sich zeitlich
verändernden Eingangsspannung VIN1 auf der Leitung 5 durch
den Abtast-MOSFET 6 zu einer Wiedergabe von VIN1 mit gerin
ger Verzerrung am Abtastkondensator 13. Dies, da der Opera
tionsverstärker 11 die Körperelektrodenspannung des Abtast-
MOSFET 6 auf nahezu der Sourcespannung VIN1 hält und da der
Operationsverstärker 21 die Gate/Source-Spannung des Abtast-
MOSFET 6 auf einen konstanten Wert hält, der nahezu der kon
stanten Gate/Source-Spannung des MOSFET 24 entspricht. Das
Letztere wird dadurch erzielt, daß der Operationsverstärker
21 im wesentlichen gleiche Spannungen auf den Leitungen 5
und 25 aufrechterhält.
Die Gate/Source-Spannung des MOSFET 24 wird trotz der sich
stark ändernden Werte der Spannungen VIN und VIN1 dadurch
auf einem im wesentlichen konstanten Wert gehalten, daß
dafür gesorgt wird, daß der Strom I, der durch den MOSFET 24
fließt, im wesentlichen konstant ist. Der konstante Wert des
Stroms I hält notwendigerweise den Kanalwiderstand und damit
die Gate/Source-Spannung des MOSFET 24 nahezu konstant, so
lange der MOSFET 24 in seinem Stromsättigungs-Betriebsbe
reich verbleibt, und auch vorausgesetzt, daß die Kanallänge
des MOSFET 24 ausreichend lang dafür ist, daß eine merkliche
Änderung der Spannung VGS des MOSFET 24 beim konstanten
Strom I vermieden wird, wenn sich die Drain/Source-Spannung
des MOSFET 24 mit Änderungen der Spannung VIN1 ändert (es
ist zu beachten, daß der MOSFET 24 theoretisch durch eine
andere Widerstandsvorrichtung ersetzt werden könnte, die
zwischen den Ausgang und den invertierenden Eingang des Ope
rationsverstärkers 21 geschaltet ist, solange der Strom I
auf einen geeigneten konstanten Wert gehalten wird, damit
die Spannung VGS des MOSFET 6 konstantgehalten wird.)
Da der Minimalwert der Spannung VIN1 0,3 Volt beträgt, wird
die Spannung auf der Leitung 28 durch den Operationsverstär
ker 31 auf einer niedrigeren Spannung gehalten, die zu
0,2 Volt gewählt ist, wobei der nichtinvertierende Eingang
des Operationsverstärkers durch die Spannungsteilerschaltung
33, 34 auf 0,2 Volt gehalten wird. Der Operationsverstärker
31 liefert daher die erforderliche Gate/Source-Spannung für
den MOSFET 26, um den konstanten Strom I zu liefern, wie er
erforderlich ist, um den konstanten Spannungsabfall von
0,2 Volt am Widerstand 27 trotz großer Schwankungen der
Drainspannung des MOSFET 26 auf der Leitung 25 aufrechtzuer
halten.
Beim beschriebenen Ausführungsbeispiel der Erfindung betra
gen die Breite und Länge des Kanals des Abtast-MOSFET 6
500 µm bzw. 3 µm. Die Breite und Länge des Kanals des MOSFET
24 betragen 24 µm bzw. 12 µm, wodurch eine Gate/Source-Span
nung von ungefähr 1,5 Volt für einen Wert des Stroms I von
ungefähr 30 µA erzeugt wird. Der MOSFET 26 weist eine Kanal
breite von 500 µm und eine Kanallänge von 3 µm auf.
Während des Betriebs der Schaltung von Fig. 1 im "Nachlauf"-
Modus sind die Ausgänge der Operationsverstärker 11 und 21
über die Schalter 29A und 22 mit der Körperelektrode bzw.
der Gateelektrode des Abtast-MOSFET 6 verbunden. Der Schal
ter 14C ist geschlossen, so daß die der Spannung VIN1 fol
gende oder "nachlaufende" Spannung auf der Leitung 12 am Ab
tastkondensator 13 abfällt. Die Schalter 29B, 23, 14A und
14B sind alle offen.
Um vom Nachlaufmodus in den "Halte"-Modus umzuschalten (bei
dem der Wert der Spannung VIN1 am Abtastkondensator 13 zur
Umwandlung in einen digitalen Wert genau "erfaßt" wird),
wird der Schalter 14C geöffnet. Dann werden die Schalter 22
und 29A geöffnet, um die Ausgänge der Operationsverstärker
11 und 12 von der Körperelektrode bzw. der Gateelektrode des
Abtast-MOSFET 6 abzutrennen. Die Schalter 23 und 29B werden
geschlossen, um die Körperelektrode und die Gateelektrode
des Abtast-MOSFET 6 mit Masse zu verbinden, um sicherzustel
len, daß er völlig abgeschaltet ist. Dann können die Schal
ter 14A und 14B selektiv während herkömmlicher sukzessiver
Approximation geöffnet und geschlossen werden, mit der die
aktuell am Abtastkondensator 13 erfaßte Spannung Bit für Bit
getestet wird, wobei mit dem höchstsignifikanten Bit begon
nen wird, bis der Inhalt des SAR 30 den aktuell abgetasteten
Wert der Spannung VIN1 und damit den Wert der Spannung VIN
repräsentiert.
Es ist zu beachten, daß die abgetastete Eingangsspannung an
mehr Kondensatoren als nur dem Kondensator 13 für das
höchstsignifikante Bit erfaßt werden kann. Der Fachmann er
kennt, daß die Schaltungsanordnung so ausgebildet werden
kann, daß die Eingangsspannung an zweien oder dreien oder
sogar allen Bitkondensatoren des CDAC abgetastet werden
kann.
Es ist zu beachten, daß beim CMOS-Herstellprozeß, wie er für
das Ausführungsbeispiel von Fig. 1 verwendet wird, kein p-
Kanal-Sourcefolgertransistor statt des Operationsverstärkers
11 verwendet werden könnte, da die Körperelektrode eines
solchen p-Kanal-Sourcefolger-MOSFET auf +5 Volt liegen wür
de. Daher würde eine beträchtliche Schwankung in der Source/
Körper-Spannung und demgemäß in der Schwellenspannung des
Sourcefolger-MOSFET bei Änderungen von VIN vorliegen, was zu
beträchtlicher Nichtlinearität und harmonischer Verzerrung
der abgetasteten Ausgangsspannung führen würde. Der Lösungs
ansatz zum Erzielen von Linearität des Kanalwiderstandes
eines analogen Abtastschalters, wie er in der oben genannten
Anmeldung beschrieben wurde, kann nicht verwendet werden,
wenn asynchrones Schalten des Abtast-MOSFET erforderlich
ist, solange nicht eine freilaufende Taktschaltung bereitge
stellt wird, um die Bootstrap-Schaltung zu betreiben, die in
jener Patentanmeldung offenbart wird.
Die Realisierung der drei Operationsverstärker 11, 21 und 31
ist unkompliziert. Fig. 3 zeigt eine Realisierung für den
Operationsverstärker 21. In Fig. 3 bilden p-Kanal-MOSFETs 40
und 41 ein Differenzbildungs-Eingangspaar mit Lastvorrich
tungen, die von n-Kanal-MOSFETs 42 bzw. 43 in Diodenschal
tung gebildet werden. Der Strom durch den MOSFET 43 wird vom
n-Kanal-MOSFET 54 so gespiegelt, daß er durch einen n-Kanal-
Kaskode-MOSFET 53 fließt, dessen Drainelektrode mit einer
Ausgangsleitung 57 verbunden ist. Ein Kondensator 55 und ein
Widerstand 56 mit 5 kOhm bilden ein Kompensationsnetzwerk.
Der Strom durch den Last-MOSFET 42 in Diodenschaltung wird
von einem n-Kanal-MOSFET 45 durch einen Kaskode-MOSFET 46
einen p-Kanal-MOSFET 47 in Diodenschaltung gespiegelt, bei
dem es sich um die Steuereinrichtung eines pnp-Stromspiegels
mit dem p-Kanal-MOSFET 52 handelt. Der Drain des MOSFET 52
ist mit der Ausgangsleitung 57 verbunden. Diese Konfigura
tion sorgt für hohe Ausgangsimpedanz auf der Leitung 57, was
erwünscht ist, um die Leerlaufschleifenverstärkung des Ope
rationsverstärkers zu erhöhen, um die Nachführung der Span
nungen der Körperelektrode und der Gateelektrode des MOSFET
6 relativ zu seiner Sourcespannung zu verbessern. Die p-Ka
nal-MOSFETs 48, 44 und 51 bilden einen Stromspiegel, um
einen konstanten Ruhestrom IBIAS durch die n-Kanal-MOSFETs
49 und 50 in Diodenschaltung zu erzeugen, die die Kaskode-
MOSFETs 46 und 53 mit Ruhestrom versorgen.
Das oben beschriebene Ausführungsbeispiel der Erfindung gibt
eine Abtastschaltung mit einer einzigen Versorgungsspannung
an, welche Schaltung sehr genaues Bootstrapping einer analo
gen Eingangsspannung VIN1 an die Körperelektrode und die
Gateelektrode des Abtast-MOSFET 6 innerhalb einer Abweichung
von nur 10 bis 20 Millivolt von der analogen Eingangsspan
nung VIN1 bei der Nyquistfrequenz ergibt, ohne daß es zu
übermäßiger harmonischer Verzerrung kommt, wie sie bei einer
Änderung des Kanalwiderstandes des Abtast-MOSFET beim her
kömmlichen Lösungsansatz wie in Fig. 2 hervorgerufen würde.
Dieses Ergebnis wird selbst dann erzielt, wenn sich die Ein
gangsspannung sowohl über als auch unter die Massespannung
ändert.
Claims (4)
1. Analoge Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe in Form
einer integrierten Schaltung, gekennzeichnet durch:
- a) einen Abtast-MOSFET (6), dessen Drainelektrode mit einer Ausgangsleitung (12) verbunden ist, dessen Sourceelektrode so angeschlossen ist, daß sie eine analoge Eingangsspannung (VIN1) empfängt, und der eine Gateelektrode und eine Körper elektrode aufweist;
- b) eine erste Einrichtung (11) zum Aufrechterhalten einer konstanten Spannung zwischen der Körperelektrode und der Sourceelektrode;
- c) eine zweite Einrichtung (21, 24), die zwischen die Gate elektrode und die Sourceelektrode geschaltet ist, um eine konstante Gate/Source-Spannung am Abtast-MOSFET aufrechtzu erhalten, wenn ein konstanter Strom (I) durch diese zweite Einrichtung fließt; und
- d) eine Einrichtung (26, 27, 31), die mit der zweiten Ein richtung verbunden ist, um zu erzwingen, daß der konstante Strom im wesentlichen unabhängig von der analogen Eingangs spannung durch die zweite Einrichtung fließt.
2. Schaltstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Einrichtung einen ersten MOSFET (24) auf
weist, der zwischen die Gateelektrode und die Sourceelektro
de des Abtast-MOSFET (6) geschaltet ist und der auch an die
Einrichtung zum Erzwingen des konstanten Stroms angeschlos
sen ist, um die konstante Gate/Source-Spannung am Abtast-
MOSFET während der Abtastperiode zu erzeugen.
3. Analoge Bootstrap-MOSFET-Abtastschaltstufe, gekenn
zeichnet durch:
- a) einen Abtast-MOSFET (6), dessen Drainelektrode mit einer Ausgangsleitung (12) verbunden ist;
- b) eine Spannungsteilerschaltung (3, 4), die ein analoges Eingangssignal (VIN) an die Sourceelektrode (5) des Abtast- MOSFET koppelt;
- c) einen ersten Operationsverstärker (11), dessen nichtin vertierender Eingang mit der Sourceelektrode des Abtast- MOSFET verbunden ist und dessen invertierender Eingang mit seinem Ausgang und einer Körperelektrode des Abtast-MOSFET verbunden ist;
- d) einen zweiten Operationsverstärker (21), dessen Ausgang mit der Gateelektrode des Abtast-MOSFET verbunden ist und dessen nichtinvertierender Eingang an die Sourceelektrode des Abtast-MOSFET angeschlossen ist;
- e) einen ersten MOSFET (24), dessen Gateelektrode mit der Gateelektrode des Abtast-MOSFET verbunden ist, dessen Drain elektrode so angeschlossen ist, daß sie eine positive Ver sorgungsspannung empfängt, und dessen Sourceelektrode mit dem invertierenden Eingang des zweiten Operationsverstärkers verbunden ist;
- f) einen zweiten MOSFET (26) dessen Drainelektrode mit der Sourceelektrode des ersten MOSFET verbunden ist;
- g) einen ersten Widerstand (27), der zwischen die Source elektrode des zweiten MOSFET und eine Bezugsspannungsleitung geschaltet ist; und
- h) einen dritten Operationsverstärker (31), dessen Ausgang mit der Gateelektrode des zweiten MOSFET verbunden ist, des sen nichtinvertierender Eingang mit einer Vorspannungsquelle verbunden ist, und dessen invertierender Eingang mit der Sourceelektrode des zweiten MOSFET verbunden ist;
- - wodurch ein konstanter Strom (I) durch den ersten MOSFET fließt und dessen Gate/Source-Spannung konstant hält, wodurch die Gate/Source-Spannung des Abtast-MOSFET selbst bei großen Schwankungen des analogen Eingangssignals konstantgehalten wird.
4. Schaltstufe nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Spannungsteilerschaltung einen ersten Widerstand
(2), der das analoge Eingangssignal an die Sourceelektrode
des Abtast-MOSFET koppelt, einen zweiten Widerstand (4), der
die Sourceelektrode des Abtast-MOSFET mit einer Massespan
nungsleitung verbindet, und einen dritten Widerstand (3)
aufweist, der die Sourceelektrode des Abtast-MOSFET mit
einer Bezugsspannungsleitung verbindet.
Applications Claiming Priority (2)
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