DE4221431A1 - Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator - Google Patents
Herstellverfahren für einen SchlüsselkondensatorInfo
- Publication number
- DE4221431A1 DE4221431A1 DE4221431A DE4221431A DE4221431A1 DE 4221431 A1 DE4221431 A1 DE 4221431A1 DE 4221431 A DE4221431 A DE 4221431A DE 4221431 A DE4221431 A DE 4221431A DE 4221431 A1 DE4221431 A1 DE 4221431A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- capacitor
- bowl
- auxiliary layer
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
- H01L28/91—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4221431A DE4221431A1 (de) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator |
TW082104683A TW230844B (ja) | 1992-06-30 | 1993-06-12 | |
PCT/DE1993/000551 WO1994000874A1 (de) | 1992-06-30 | 1993-06-24 | Herstellungsverfahren für einen schüsselkondensator |
EP93912618A EP0647356A1 (de) | 1992-06-30 | 1993-06-24 | Herstellungsverfahren für einen schüsselkondensator |
JP6501947A JPH07508136A (ja) | 1992-06-30 | 1993-06-24 | 深皿形コンデンサの製造方法 |
KR1019940704838A KR950702339A (ko) | 1992-06-30 | 1994-12-30 | 크라운 캐패시터용 제조방법 및 장치(process for producing a dish capacitor) |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4221431A DE4221431A1 (de) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4221431A1 true DE4221431A1 (de) | 1994-01-05 |
Family
ID=6462140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4221431A Withdrawn DE4221431A1 (de) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0647356A1 (ja) |
JP (1) | JPH07508136A (ja) |
KR (1) | KR950702339A (ja) |
DE (1) | DE4221431A1 (ja) |
TW (1) | TW230844B (ja) |
WO (1) | WO1994000874A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4221432A1 (de) * | 1992-06-30 | 1994-01-05 | Siemens Ag | Globales Planarisierungsverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen oder mikromechanische Bauteile |
DE4442432A1 (de) * | 1993-12-01 | 1995-06-08 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren in Halbleiterspeichervorrichtungen |
WO1997013272A1 (en) * | 1995-10-04 | 1997-04-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | An efficient and economical method of planarization of multilevel metallization structures in integrated circuits using cmp |
US5714779A (en) * | 1992-06-30 | 1998-02-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor memory device having a transistor, a bit line, a word line and a stacked capacitor |
DE19710961A1 (de) * | 1997-03-07 | 1998-09-24 | United Microelectronics Corp | Polysilizium-CMP-Prozeß für DRAM-Zellen-Strukturen mit hoher Dichte |
US5939747A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Capacitor produced in a semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998028789A1 (fr) * | 1996-12-20 | 1998-07-02 | Hitachi, Ltd. | Dispositif memoire a semi-conducteur et procede de fabrication associe |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2524862B2 (ja) * | 1990-05-01 | 1996-08-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
US5162248A (en) * | 1992-03-13 | 1992-11-10 | Micron Technology, Inc. | Optimized container stacked capacitor DRAM cell utilizing sacrificial oxide deposition and chemical mechanical polishing |
-
1992
- 1992-06-30 DE DE4221431A patent/DE4221431A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-06-12 TW TW082104683A patent/TW230844B/zh active
- 1993-06-24 EP EP93912618A patent/EP0647356A1/de not_active Withdrawn
- 1993-06-24 JP JP6501947A patent/JPH07508136A/ja active Pending
- 1993-06-24 WO PCT/DE1993/000551 patent/WO1994000874A1/de not_active Application Discontinuation
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940704838A patent/KR950702339A/ko active IP Right Grant
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4221432A1 (de) * | 1992-06-30 | 1994-01-05 | Siemens Ag | Globales Planarisierungsverfahren für integrierte Halbleiterschaltungen oder mikromechanische Bauteile |
US5623164A (en) * | 1992-06-30 | 1997-04-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrated semiconductor circuit or micromechanical component and process therefore |
US5714779A (en) * | 1992-06-30 | 1998-02-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor memory device having a transistor, a bit line, a word line and a stacked capacitor |
DE4442432A1 (de) * | 1993-12-01 | 1995-06-08 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren in Halbleiterspeichervorrichtungen |
DE4442432C2 (de) * | 1993-12-01 | 2000-11-23 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren in Halbleiterspeichervorrichtungen |
WO1997013272A1 (en) * | 1995-10-04 | 1997-04-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | An efficient and economical method of planarization of multilevel metallization structures in integrated circuits using cmp |
US5840623A (en) * | 1995-10-04 | 1998-11-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Efficient and economical method of planarization of multilevel metallization structures in integrated circuits using CMP |
US5939747A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Capacitor produced in a semiconductor device |
DE19710961A1 (de) * | 1997-03-07 | 1998-09-24 | United Microelectronics Corp | Polysilizium-CMP-Prozeß für DRAM-Zellen-Strukturen mit hoher Dichte |
DE19710961C2 (de) * | 1997-03-07 | 2002-02-28 | United Microelectronics Corp | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung mit einem Kondensator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0647356A1 (de) | 1995-04-12 |
TW230844B (ja) | 1994-09-21 |
JPH07508136A (ja) | 1995-09-07 |
WO1994000874A1 (de) | 1994-01-06 |
KR950702339A (ko) | 1995-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10228118A1 (de) | Ferroelektrische Speichervorrichtungen mit erweiterten Plattenleitungen und Herstellungsverfahren dafür | |
DE19935947A1 (de) | Verfahren zum Ausbilden einer Mehrebenen-Zwischenverbindung in einem ferroelektrischen Speicherbauelement | |
DE19930295C2 (de) | Säulenförmiger Speicherknoten eines Kondensators und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE19838741A1 (de) | Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators | |
DE10236682A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE10302377B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Metall-Isolator-Metall-Kondensatoren | |
DE4442432A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren in Halbleiterspeichervorrichtungen | |
EP0648374B1 (de) | Planarisierungverfahren für integrierte halbleiterschaltungen | |
DE10053170C2 (de) | Speicherkondensator und zugehörige Kontaktierungsstruktur sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE4221431A1 (de) | Herstellverfahren für einen Schlüsselkondensator | |
EP0647355B1 (de) | Herstellungsverfahren fur eine halbleiterspeicheranordnung | |
DE4102184C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer DRAM-Zelle | |
DE4208129C2 (de) | Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE10039185A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit einer Potentialsicherung, sowie Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102004004584A1 (de) | Halbleiterspeicherzelle sowie zugehöriges Herstellungsverfahren | |
DE10057806B4 (de) | Ferroelektrische Speicheranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE4430963B4 (de) | Kondensator für einen dynamischen Direktzugriffspeicher sowie Verfahren zur Herstellung desselben | |
WO2001084605A1 (de) | Verfahren zur herstellung von kondensatorstrukturen | |
DE10338252B4 (de) | Bitleitung einer Halbleitervorrichtung mit einer nippelförmigen Abdeckschicht und Verfahren zur Herstellung derselben | |
EP1390978B1 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung sowie verfahren zu deren herstellung | |
DE10134101B4 (de) | Integrierter Halbleiterspeicher und Herstellungsverfahren | |
DE102019118100A1 (de) | VERFAHREN UND STRUKTUREN BEZÜGLICH VERBESSERTEN FERROELEKTRISCHEN DIREKTZUGRIFFSSPEICHERS (FeRAM) | |
DE10232002A1 (de) | Integrierter Halbleiterspeicher und Herstellungsverfahren | |
DE10219841A1 (de) | Kontaktplugausbildung für Bauelemente mit gestapelten Kondensatoren | |
DE10249216B3 (de) | Herstellungsverfahren für ein Kontaktloch in einer Halbleiterstruktur |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |