DE4119200A1 - X-rom - Google Patents

X-rom

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Description

Die Erfindung betrifft einen X-ROM mit hoher Integrations­ dichte, insbesondere einen Masken-ROM und einen lösch- und programmierbaren ROM.
Üblicherweise werden in einem X-ROM-Kontaktbereich mehrere Zellen gemeinsam in Form eines X um einen im Zentrum ange­ ordneten Kontaktbereich herum angeordnet.
Die Verwendung von X-ROMS bei der Erhöhung der Integrations­ dichte ist daher weit verbreitet.
Fig. 5 zeigt die Struktur eines Standard-Masken-ROMs, der Information mittels einer Maske der herkömmlichen Art spei­ chert. Der ROM weist auf: Zellentransistoren mit einem 1 Bit-Speicher, eine Wortleitung, die mit den Zellentransisto­ ren verbunden ist, eine Erdleitung, die mit jedem Zellen­ transistor verbunden ist, Bitleitungen und Kontaktbereiche zur Verbindung jedes Zellentransistors. Im Beispiel wird ein Feldeffekttransistor (FET) als Zellentransistor verwandt.
Die Integrationsdichte des gezeigten Masken-ROMs ist jedoch erniedrigt, da ein Kontaktbereich für jeden Zellentransistor entsprechend ausgebildet ist, wie in Fig. 5 gezeigt wird.
Fig. 6 zeigt einen Lageplan (Layout) eines X-ROMs mit ver­ besserter Integrationsdichte, wobei die Wortleitungen 1 auf­ einanderfolgend in regelmäßigen Abständen in vertikaler Richtung angeordnet sind, die Zellentransistoren Q (als Zel­ lentransistor wird ein FET verwendet) aufeinanderfolgend mit den Wortleitungen 1 in regelmäßigen Abständen in horizonta­ ler Richtung verbunden sind, die austauschbaren Erdleitungen 3 und die Bitleitungen 2 aufeinanderfolgend abwechselnd und gekreuzt mit jeder Wortleitung 1 angeordnet sind und Kon­ taktbereiche 4 für jeweils vier Transistoren gemeinsam zwi­ schen den Wortleitungen ausgebildet sind. In Fig. 6 sind die schraffierten Gebiete aktive Bereiche.
Fig. 7 zeigt einen Teilschaltkreis des Abschnitts, der einer Wortleitung von den Wortleitungen 1 gemäß Fig. 6 entspricht. Zwischen den Zellentransistoren Q, die aufeinanderfolgend mit der Wortleitung 1 in regelmäßigen Abständen verbunden sind, sind die austauschbare Erdleitung 3 und die Bitleitung 2 aufeinanderfolgend, verbunden durch den Kontaktbereich 4, angeordnet.
Der Leseverstärkungszellentransistor Qc ist entsprechend mit jeder Bitleitung 2, der Treiberzellentransistor Qa entspre­ chend mit der ungeradzahligen austauschbaren Erdleitung 3 und der Treiberzellentransistor Qb mit der geradzahligen austauschbaren Erdleitung 3 verbunden.
Dementsprechend werden die erforderlichen Leitungen unter den austauschbaren Erdleitungen 3 durch die Steuersignale S1 und S2 geerdet, die an die Gates der Treiberzellentransisto­ ren Qa und Qb angelegt wurden; und die anderen Leitungen sind erdfrei oder mit der vorbestimmten Spannung des separa­ ten Schaltkreises (nicht dargestellt) vorgeladen. Dabei ha­ ben die Steuersignale S3 bis S5, die an die Gates der Lese­ verstärkungszellentransistoren Qc angelegt sind, die Auf­ gabe, nur die Ausgangssignale der Zellentransistoren Qc ent­ sprechend der bezeichneten Adresse auszugeben.
Die Erdleitung eines X-ROM im Stand der Technik wird als austauschbare bzw. auswählbare Erdleitung bezeichnet, da nur die erforderlichen Erdleitungen durch die Steuersignale S1 und S2 als Erdleitungen ausgewählt und geerdet werden.
Da ein Kontaktbereich 4 gewöhnlich für vier Zellentransisto­ ren verwendet wird, die ihn in Form eines X, mit ihm als Zentrum, umgeben (Fig. 6), ist die Integrationsdichte des X- ROM im Stand der Technik höher als die eines konventionellen H-ROMs.
In den Fig. 6 und 7 ist die Wortleitung 1 aus Polysili­ zium und die Bitleitung 2 und die austauschbare Erdleitung sind aus Metall hergestellt.
Der schraffierte Bereich in Fig. 6 stellt den aktiven Be­ reich dar, die Zellentransistoren sind nahe des aktiven Be­ reichs ausgebildet, und die Wortleitung 1, die Bitleitung 2 und die austauschbare Erdleitung 3 sind miteinander durch den aktiven Bereich verbunden.
Der Betrieb eines X-ROM im Stand der Technik mit der oben beschriebenen Struktur soll im folgenden näher beschrieben werden.
Zuerst werden, wenn die Steuersignale S1 und S2 an die Gates der Treiberzellentransistoren Qa und Qb gelegt werden, die ungeradzahligen oder geradzahligen austauschbaren Erdleitun­ gen 3 ausgewählt. Zu diesem Zeitpunkt werden die Ladungen, die zwischen dem Zellentransistor Q und der Bitleitung 2 mit der vorbestimmten Spannung durch einen separaten Schaltkreis vorgeladen wurden, über den Zellentransistor, der der ausge­ wählten austauschbaren Erdleitung 3 entspricht, zu der aus­ gewählten austauschbaren Erdleitung 3 abgeführt.
Zu diesem Zeitpunkt wird ein Spannungsabfall in der Bitlei­ tung 2 erzeugt, und der Spannungsabfall wird mit dem niedri­ gen Zustand (oder dem hohen Zustand) durch diejenigen Zel­ lentransistoren unter den Leseverstärkungszellentransistoren Qc, die mit den Ausgängen der Bitleitungen 2 verbunden sind, und die den ausgewählten austauschbaren Erdleitungen 3 ent­ sprechen, gelesen.
Das bedeutet, wenn der ROM programmiert ist, um den Strom­ fluß durch den Zellentransistor Q zu verhindern, wird der Spannungsabfall in der Bitleitung 2 nicht erzeugt, und der hohe Zustand wird in dem Leseverstärkungszellentransistor Qc gelesen.
Das Verfahren zum Programmieren der Zellentransistoren Q kann beinhalten: Entfernen des aktiven Bereichs, Erhöhung der Schwellspannung durch Ionenimplantation und Erhöhung der Schwellspannung durch Ladungsinjektion in das floatende (erdfreie) Gate, wie in einem löschbaren und programmierba­ ren ROM mit floatendem (erdfreien) Gate.
Der Teilschaltkreis des X-ROM gemäß Fig. 7 verwendet das Entfernen des aktiven Bereichs als Programmierverfahren für die Zellentransistoren.
Wie oben erwähnt wurde, kann die Struktur des X-ROMs im Stand der Technik, dargestellt in den Fig. 6 und 7, die Integrationsdichte eines Bauelements, verglichen mit einem konventionellen H-ROM verbessern, da vier mit einer Wortlei­ tung verbundene Transistoren so ausgebildet sind, daß sie einen gemeinsamen Kontaktbereich aufweisen.
Da bei dem X-ROM im Stand der Technik sowohl die Bitleitung 2 als auch die austauschbare Erdleitung 3 aus demselben Me­ tallmaterial hergestellt sind, müssen sie jedoch in regel­ mäßigen Abständen ausgebildet sein.
Dementsprechend kann, da die Reduzierung der Strukturabmes­ sungen begrenzt ist, eine wirklich hohe Integrationsdichte nicht erreicht werden.
Außerdem kann eine wirklich hohe Integrationsdichte nicht erreicht werden, da der auswählende Zellentransistor ent­ sprechend mit jeder austauschbaren Erdleitung verbunden ist.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen X-ROM mit erhöhter Integrationsdichte des Bauelements zur Verfügung zu stellen.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen der Patentansprüche ge­ löst.
Bei der Lösung geht die Erfindung von dem Grundgedanken aus, zwei verschiedene Arten von austauschbaren Erdleitungen aus­ zubilden, nämlich austauschbare metallische Erdleitungen und austauschbare Polysilizium-Erdleitungen, um den Abstand zwi­ schen einer Bitleitung aus Metall und einer austauschbaren Erdleitung zu minimieren.
Weitere Vorteile sind die Verringerung der Zellgröße in Wortleitungsrichtung, eine Erhöhung der Geschwindigkeit des X-ROMs und die Verringerung der elektrischen Kapazität einer Bitleitung.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen X-ROM sind horizontal sich erstreckende Polysilizium-Wort­ leitungen aufeinanderfolgend angeordnet. Mehrere Zellentran­ sistoren sind horizontal mit jeder Polysilizium-Wortleitung verbunden. Metallische Bitleitungen und austauschbare Erd­ leitungen sind zwischen den Zellentransistoren abwechselnd und in vertikaler Richtung gekreuzt mit den Polysilizium- Wortleitungen aufeinanderfolgend angeordnet. Jeder Kontakt­ bereich ist an einem Ort angeordnet, wo vier Zellentran­ sistoren in Form eines X um ihn als Zentrum herum ausgebil­ det sind. Die austauschbaren Erdleitungen sind als aus­ tauschbare Polysilizium-Erdleitungen oder als austauschbare metallische Erdleitungen ausgebildet, wobei je eine aus­ tauschbare metallische Erdleitung an beiden Seiten einer fe­ sten Zahl von austauschbaren Polysilizium-Erdleitungen angeordnet ist und derartige Einheiten aufeinanderfolgend angeordnet sind. Die ungeradzahligen austauschbaren Polysi­ lizium-Erdleitungen aus der festen Zahl von austauschbaren Polysilizium-Erdleitungen sind gemeinsam mit einer der aus­ tauschbaren metallischen Erdleitungen über eine der Poly­ siliziumleitungen verbunden. Die geradzahligen austausch­ baren Polysilizium-Erdleitungen sind gemeinsam mit der ande­ ren austauschbaren metallischen Erdleitung über eine andere Polysiliziumleitung verbunden. Jede austauschbare metalli­ sche Erdleitung ist über die entsprechenden Treiberzellen­ transistoren geerdet.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Layout einer erfindungsgemäßen Ausführungsform eines X-ROM,
Fig. 2 einen Teilschaltkreis des Abschnitts, der einer Wortleitung gemäß Fig. 1 entspricht,
Fig. 3 ein Strukturdiagramm einer erfindungsgemäßen aus­ tauschbaren Erdleitung,
Fig. 4 einen äquivalenten Schaltkreis des Abschnitts, der einem Punkt P gemäß Fig. 3 entspricht,
Fig. 5 einen Schaltkreis, der eine Struktur eines Standard- ROMs im Stand der Technik darstellt,
Fig. 6 ein Layout eines X-ROM im Stand der Technik, und
Fig. 7 einen Teilschaltkreis eines Abschnitts, der einer Wortleitung gemäß Fig. 6 entspricht.
Die bevorzugte erfindungsgemäße Ausführungsform wird mit Be­ zug auf die Fig. 1 bis 4 beschrieben.
Fig. 1 zeigt ein Layout eines erfindungsgemäßen X-ROM, der in folgenden Punkten mit dem X-ROM im Stand der Technik ge­ mäß Fig. 6 übereinstimmt: Wortleitungen 1, die sich horizon­ tal in Längsrichtung erstrecken, sind aufeinanderfolgend in regelmäßigen Abständen vertikal angeordnet, mehrere Zellen­ transistoren Q, die aufeinanderfolgend in regelmäßigen Ab­ ständen angeordnet sind, sind mit jeder Wortleitung 1 ver­ bunden, Bitleitungen 2 und austauschbare Erdleitungen 3 sind abwechselnd aufeinanderfolgend in vertikaler Richtung ausge­ bildet und kreuzen die Wortleitungen 1, und Kontaktbereiche 4 sind an dem Ort angeordnet, wo vier mit der jeweiligen Wortleitung 1 verbundene Zelltransistoren in Form eines X um sie herum und mit ihnen als Zentrum angeordnet sind.
Unterschiede zur Struktur des X-ROM im Stand der Technik be­ stehen darin, daß die austauschbaren Erdleitungen 3 einer­ seits als austauschbare metallische Erdleitung 3a und ande­ rerseits als austauschbare Polysilizium-Erdleitung 3b ausge­ bildet sind.
Die Wortleitungen 1 bzw. die Bitleitungen 2 sind aus Polysi­ lizium bzw. Metall hergestellt, was das gleiche Material wie im Stand der Technik ist. Das Polysilizium für die Wortlei­ tungen 1 einerseits und die austauschbaren Erdleitungen 3 andererseits weist verschiedene Widerstandskomponenten auf.
Die Wechselbeziehung zwischen einer austauschbaren metalli­ schen Erdleitung 3a und einer austauschbaren Polysilizium- Erdleitung 3b wird im folgenden näher beschrieben.
Fig. 2 zeigt einen detaillierten Schaltkreis des Abschnitts, der einer Wortleitung 1 gemäß Fig. 1 und dem erfindungsge­ mäßen X-ROM entspricht, der insofern dieselbe Struktur wie der X-ROM im Stand der Technik aufweist, daß mehrere Zellen­ transistoren Q aufeinanderfolgend in regelmäßigen Abständen horizontal angeordnet sind und die Bitleitungen 2 und die austauschbaren Erdleitungen 3 aufeinanderfolgend abwechselnd zwischen den Zellentransistoren angeordnet sind.
Der besondere Unterschied im Vergleich mit der Struktur des X-ROM im Stand der Technik ist, daß eine austauschbare me­ tallische Erdleitung 3a jeweils auf beiden Seiten von n aus­ tauschbaren Polysilizium-Erdleitungen 3b (n positive ganze Zahl) ausgebildet ist.
Die ungeradzahligen der n austauschbaren Polysilizium-Erd­ leitungen 3b sind über eine zugeordnete Polysiliziumleitung 3c gemeinsam mit einer der austauschbaren metallischen Erd­ leitungen 3a verbunden, und die geradzahligen austauschbaren Polysilizium-Erdleitungen sind über eine andere Polysili­ ziumleitung 3c gemeinsam mit der anderen austauschbaren me­ tallischen Erdleitung 3a verbunden. Die Ausgänge jeder der metallischen Bitleitungen 2 sind mit den entsprechenden Le­ severstärkungszellentransistoren Qc verbunden.
Aber nur die Ausgänge der austauschbaren metallischen Erd­ leitungen 3a unter den austauschbaren Erdleitungen 3 sind jeweils mit den Treibertransistoren Qa und Qb verbunden, de­ ren Ausgänge geerdet sind.
Im Ergebnis sind nur zwei Treiberzellentransistoren Q für n+2 austauschbare Erdleitungen erforderlich.
Da als austauschbare Erdleitungen 3 zwei austauschbare me­ tallische Erdleitungen 3a und n austauschbare Polysilizium- Erdleitungen 3b vorgesehen sind, wird nur der minimale Ab­ stand zwischen ihnen eingehalten, wenn die austauschbaren Polysilizium-Erdleitungen 3b und die metallischen Bitleitun­ gen 2 abwechselnd zwischen den Zelltransistoren Q ausgebil­ det werden.
In den Figuren bezeichnet das Bezugszeichen 4 einen Kontakt­ bereich, und die Bezugszeichen R1 bis Rn bezeichnen Wider­ standskomponenten, die im Polysilizium der n austauschbaren Polysilizium-Erdleitungen 3b enthalten sind. Diese Wider­ standskomponente ist, da sie zu vernachlässigen ist, in der austauschbaren metallischen Erdleitung 3a nicht eingetragen. Die Widerstandskomponente verursacht eine Verschlechterung der Rauschbreiten- und Geschwindigkeitscharakteristik. Das Verfahren zum Reduzieren deren Ursachen wird im folgenden näher beschrieben.
Die Arbeitsweise des X-ROM gemäß Fig. 2 ist der von Fig. 7 ähnlich. Die ungeradzahligen austauschbaren Polysilizium- Erdleitungen 3a und die geradzahligen austauschbaren Polysi­ lizium-Erdleitungen 3b werden gleichzeitig durch die ent­ sprechenden Treiberzellentransistoren Qa und Qb ausgewählt. Zu dieser Zeit werden Ladungen zu der einen oder der anderen austauschbaren metallischen Erdleitung 3a über den Zellen­ transistor Q übertragen, der der ausgewählten ungeradzahli­ gen oder geradzahligen austauschbaren Polysilizium-Erdlei­ tung 3b und den austauschbaren Polysilizium-Erdleitungen 3b entspricht, die zwischen dem Zellentransistor Q und der Bit­ leitung 2 mit der vorbestimmten Spannung durch den separaten Schaltkreis vorgeladen wurden.
Zu dieser Zeit wird in der Bitleitung 2 ein Spannungsabfall erzeugt und mit dem hohen und dem niedrigen Zustand durch die Zellentransistoren gelesen, die den ausgewählten unge­ radzahligen oder geradzahligen austauschbaren Polysilizium- Erdleitungen 3b entsprechen und zu den Leseverstärkungszel­ lentransistoren Qc gehören, die mit den Ausgängen der Bit­ leitungen 2 verbunden sind.
Fig. 3 zeigt die Beziehung zwischen den austauschbaren Poly­ silizium-Erdleitungen 3b und den austauschbaren metallischen Erdleitungen 3a, wenn die Zahl n der austauschbaren Polysi­ lizium-Erdleitungen 3b sechs ist.
Das bedeutet, wie in Fig. 2 dargestellt, daß eine Einheit, in der je eine austauschbare metallische Erdleitung 3a auf beiden Seiten von sechs austauschbaren Polysilizium-Erdlei­ tungen 3b ausgebildet ist, aufeinanderfolgend angeordnet wird, und die ungeradzahligen austauschbaren Polysilizium- Erdleitungen 3b in der Einheit gemeinsam über eine bestimmte Polysiliziumleitung 3c mit einer austauschbaren metallischen Erdleitung 3a verbunden sind, und die geradzahligen aus­ tauschbaren Polysiliziumerdleitungen 3b gemeinsam über eine weitere Polysiliziumleitung 3c mit der anderen austauschba­ ren metallischen Erdleitung 3a verbunden sind.
Die Widerstandskomponente der Polysiliziumleitung 3c ist von der der austauschbaren Polysilizium-Erdleitung 3b unter­ schiedlich, aber identisch mit der der Wortleitung 1.
Da das Polysilizium, wie oben erwähnt, eine große Wider­ standskomponente aufweist, ist es zur Reduzierung der Wider­ standskomponente vorteilhaft, daß die Verbindungsstruktur der austauschbaren metallischen Erdleitungen 3a und der aus­ tauschbaren Polysilizium-Erdleitung 3b in jedem der Zellen­ blöcke geeignet hergestellt wird. Bei einer häufigen Her­ stellung der Verbindungsstruktur wird aber die Integrations­ dichte des Bauelements gesenkt.
Die Bezugszeichen Ra, Rb, Rc und Rd in Fig. 3 stellen die individuellen Widerstandskomponenten der austauschbaren Po­ lysilizium-Erdleitungen 3b am Punkt P dar.
Fig. 4 zeigt einen äquivalenten Schaltkreis des Abschnitts, der dem Punkt P entspricht. Die Größe des Widerstandes R am Punkt P kann durch die folgende Gleichung ausgedrückt wer­ den:
R = Ra+Rb/Rc+Rd (1).
Das bedeutet, daß die austauschbare metallische Erdleitung 3a mit dem Zellentransistor Q über die Polysiliziumleitung 3c mit dem Widerstandswert Ra, die austauschbare Polysili­ zium-Erdleitung 3b mit dem Widerstandswert Rb, die Polysili­ ziumleitung 3c mit dem Widerstandswert Rc und die austausch­ bare Polysilizium-Erdleitung 3d mit dem Widerstandswert Rd verbunden ist.
Der Widerstand R verhindert, daß der Strom durch den Zellen­ transistor Q fließt und die Spannung über die Bitleitung 2 abfällt, wobei die Rauschbreitencharakteristik des Lesever­ stärkungszellentransistors Qc und die Geschwindigkeitscha­ rakteristik des X-ROM verschlechtert werden.
Fig. 3 zeigt nur den Verbindungszustand der austauschbaren Erdleitungen 3. In der Praxis sind aber die Wortleitung 1 aus Polysilizium mit einer zu der austauschbaren Polysili­ zium-Erdleitung 3b unterschiedlichen Widerstandskomponente, der Zellentransistor Q und die aus Metall hergestellte Bit­ leitung 2 zwischen den austauschbaren Polysilizium-Erdlei­ tungen 3b angeordnet.
Das Wesen der Erfindung besteht im folgenden: Die austauschbare Erdleitung wird in zweifacher Form ausge­ bildet - als austauschbare metallische Erdleitung und als austauschbare Polysilizium-Erdleitung. Dadurch wird der Ab­ stand zwischen einer metallischen Bitleitung und einer aus­ tauschbaren Erdleitung minimiert. Dementsprechend kann die Integrationsdichte eines X-ROM erhöht werden. Da der Abstand zwischen einer Bitleitung und einer austauschbaren Erdlei­ tung minimiert ist, kann die Zellgröße in Wortleitungsrich­ tung gesenkt werden. Entsprechend der Reduzierung der Wort­ leitungslänge, wird eine Hauptursache für den Geschwindig­ keitsabfall eines X-ROM, der in einer Wortleitung erzeugt wird, eingeschränkt. Proportional zur Reduktion der Zell­ größe wird die elektrostatische Kapazität einer Bitleitung gesenkt, und die Geschwindigkeit des X-ROM kann erhöht wer­ den.

Claims (6)

1. X-ROM mit sich horizontal erstreckenden und vertikal aufeinanderfolgend angeordneten Polysilizium-Wortleitun­ gen (1), mehreren horizontal mit jeder Polysilizium- Wortleitung (1) verbundenen Zellentransistoren (Q), auf­ einanderfolgend abwechselnd zwischen den Zellentran­ sistoren (Q) angeordneten metallischen Bitleitungen (2) und austauschbaren Erdleitungen (3), die mit jeder Poly­ silizium-Wortleitung (1) verbunden sind, und mit Kon­ taktbereichen (4), die jeweils wechselseitig mit der entsprechenden Bitleitung (2), einer austauschbaren Erd­ leitung (3) und einem Zellentransistor (Q) verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die austauschbaren Erdleitungen (3) als austauschbare metallische Erdlei­ tungen (3a) und als austauschbare Polysilizium-Erdlei­ tungen (3b) ausgebildet sind, wobei eine Einheit darin besteht, daß je eine austauschbare metallische Erdlei­ tung (3a) auf beiden Seiten einer festen Zahl n von aus­ tauschbaren Polysilizium-Erdleitungen (3b) angeordnet ist und derartige Einheiten aufeinanderfolgend angeord­ net sind, daß die ungeradzahligen der n austauschbaren Polysilizium-Erdleitungen (3b) über eine zugeordnete Po­ lysiliziumleitung (3c) gemeinsam mit einer austauschba­ ren metallischen Erdleitung (3a) verbunden sind, daß die geradzahligen der n austauschbaren Polysilizium-Erdlei­ tungen (3b) über eine zugeordnete Polysiliziumleitung (3c) gemeinsam mit der anderen austauschbaren metalli­ schen Erdleitung (3a) verbunden sind, und daß die zwei austauschbaren metallischen Erdleitungen (3a) über die entsprechenden Treiberzellentransistoren (Qa, Qb) mit dem Erdanschluß verbunden sind.
2. X-ROM nach Anspruch 1, wobei die Verbindungsstruktur der austauschbaren Polysilizium-Erdleitungen (3b) und der austauschbaren metallischen Erdleitungen (3a) sich wie­ derholend als jeweiliger Zellenblock ausgebildet ist, um die Widerstandskomponente des Polysiliziums zu reduzie­ ren.
3. X-ROM nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Widerstandskom­ ponente des Polysiliziums einer Wortleitung (1) iden­ tisch mit der einer zugeordneten Polysiliziumleitung (3c) und unterschiedlich zu der einer austauschbaren Po­ lysilizium-Erdleitung (3b) ist.
4. X-ROM nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei eine aus­ tauschbare Silizid-Erdleitung anstelle der austauschba­ ren Polysilizium-Erdleitung (3b) als eine austauschbare Erdleitung verwendet wird.
5. X-ROM nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die feste Zahl n der austauschbaren Polysilizium- oder Silizid- Erdleitungen ein Vielfaches von 2 ist.
6. Verfahren zum Herstellen eines X-ROMs nach einem der An­ sprüche 1 bis 5.
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