NL193919C - X-vormig ROM. - Google Patents

X-vormig ROM. Download PDF

Info

Publication number
NL193919C
NL193919C NL9101017A NL9101017A NL193919C NL 193919 C NL193919 C NL 193919C NL 9101017 A NL9101017 A NL 9101017A NL 9101017 A NL9101017 A NL 9101017A NL 193919 C NL193919 C NL 193919C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
line
variable
silicon
metal
lines
Prior art date
Application number
NL9101017A
Other languages
English (en)
Other versions
NL193919B (nl
NL9101017A (nl
Inventor
Jin Hong An
Original Assignee
Gold Star Electronics
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gold Star Electronics filed Critical Gold Star Electronics
Publication of NL9101017A publication Critical patent/NL9101017A/nl
Publication of NL193919B publication Critical patent/NL193919B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL193919C publication Critical patent/NL193919C/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices
    • G11C17/123—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices comprising cells having several storage transistors connected in series
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0491—Virtual ground arrays
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices
    • G11C17/126—Virtual ground arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

1 193919
X-vormig ROM
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een X-vormig ROM, omvattende: een aantal langwerpige polysilicium woordlijnen, die in verticale richting op regelmatige intervallen zijn aangebracht; een aantal 5 celtransistoren, die op regelmatige intervallen met elke langwerpige polysilicium woordlijn elektrisch zijn verbonden; een aantal metalen bitlijnen en selecteerbare aardlijnen, waarbij de metalen bitlijnen en de selecteerbare aardlijnen in horizontale richting afwisselend zijn aangebracht tussen de celtransistoren; een aantal eerste contactgebieden, waarbij elk eerste contactgebied elke corresponderende celtransistor verbindt met elke corresponderende metalen bitlijn; en een aantal tweede contactgebieden, waarbij elk 10 tweede contactgebied elke corresponderende celtransistor verbindt met elke corresponderende selecteerbare aardlijn.
Een dergelijke X-ROM is bijvoorbeeld bekend uit het artikel ’’Asynchronous circuits accelerate access to 256-K read-only memory” van F.A. Scherpenberg en D. Sheppard in het tijdschrift Electronics International, vol. 55, no. 11, biz. 141-145, juni 1982. De in dit artikel beschreven X-vormige ROM bestaat uit een aantal 15 langwerpige polysilicium woordlijnen, een aantal met de woordlijnen verbonden celtransistoren, een aantal metalen bitlijnen, een aantal selecteerbare aardlijnen en eerste en tweede contactgebieden, welke de corresponderende celtransistor afwisselend verbinden met de corresponderende metalen bitlijn of de corresponderende selecteerbare aardlijn.
In een X-ROM kan een contactgebied een groot aantal cellen gezamenlijk omvatten en het grote aantal 20 cellen is gerangschikt in de vorm van een X, met als middelpunt het contactgebied.
Derhalve worden X-ROMs wijd verbreid gebruikt voor het verhogen van de integratiedichtheid.
Hieronder zal onder verwijzing naar figuren 1-3 de stand van de techniek nader worden beschreven.
Figuur 1 toont een structuur van een conventionele, meest standaard masker-ROM, die de informatie 25 permanent opslaat door gebruik te maken van een masker.
De in figuur 1 weergegeven RON bevat celtransistoren met een opslag van 1 bit, een met de celtransistoren verbonden woordlijn, een met elk van de celtransistoren verbonden aardlijn, bitlijnen en contactgebieden voor het verbinden van alle celtransistoren. Hierin wordt als celtransistor een FET (Veldeffecttransistor) gebruikt. De integratiedichtheid van de masker-ROM is echter verlaagd, aangezien 30 tegen elke celtransistor een contactgebied gevormd is.
Aan de hand van de figuren 2 en 3 wordt een X-ROM beschreven, zoals die is getoond in het genoemde artikel van F.A. Scherpenberg en D. Sheppard.
Figuur 2 is een lay-out schema van een X-ROM voor het verbeteren van de integratiedichtheid, waarin de woordlijn opeenvolgend aangebracht is op regelmatige intervallen in de verticale richting. Celtransistoren 35 Q (hierin wordt een FET gebruikt als de celtransistor) zijn opeenvolgend verbonden met de woordlijnen 1 op regelmatige intervallen in de horizontale richting. De veranderlijke aardlijn 3 en de bitlijn 2 zijn achtereenvolgens aangebracht in de richting dwars op elke woordlijn 1. Tussen de woordlijnen zijn contactgebieden 4 gevormd om vier transistoren gelijktijdig en gezamenlijk te kunnen omvatten. De gearceerde gebieden vormen een actief gebied.
40 Figuur 3 is een deelcircuit van het gedeelte dat met één woordlijn 1 in figuur 2 correspondeert. Tussen de celtransistoren Q die opeenvolgend op regelmatige intervallen verbonden zijn met de woordlijn 1, zijn de veranderlijke aardlijn 3 en de bitlijn 2 afwisselend via het contactgebied 4 aangebracht.
De detectieversterkingsceltransistor Qc is respectievelijk verbonden met elke bitlijn 2; de stuurceltransistor 45 Qa is respectievelijk verbonden met de oneven veranderlijke aardlijn 3, en de stuurceltransistor Qb is verbonden met de even veranderlijke aardlijn 3.
De vereiste lijnen onder de veranderlijke aardlijnen 3 worden geaard door de aan de poortelektroden van de stuurceltransistoren Qa en Qb geleverde stuursignalen S1 en S2, en de andere lijnen zijn zwevend of voorgeladen met de vooraf bepaalde spanning van een afzonderlijke schakeling (niet weergegeven), 50 De aan de poortelektrodes van de detectieversterkingsceltransistoren Qc geleverde stuursignalen S3 t/m S5 zijn bedoeld voor het afgeven van alleen die uitgangssignalen van de celtransistoren Qc, die corresponderen met het aangewezen adres. De aardlijn van een X-ROM volgens de stand van de techniek wordt een veranderlijke aardlijn genoemd, omdat alleen de vereiste aardlijnen geselecteerd worden door stuursignalen S1 en S2 waardoor zij geaard worden.
55 Aangezien één contactgebied 4 gemeenschappelijk gebruikt wordt door vier celtransistoren, die geplaatst zijn in de vorm van een het contactgebied als middelpunt bezittende X, zoals weergegeven in figuur 2, is de integratiedichtheid van de bekende X-ROM groter dan die van een conventionele H-ROM.
193919 2
In de figuren 2 en 3 is de woordlijn 1 vervaardigd van een silicium bevattend polymeer en de bitlijn 2 en de veranderlijke aardlijn zijn vervaardigd van metaal.
Het gearceerde gebied van figuur 2 geeft het actieve gebied aan, waarbij de celtransistoren gevormd worden door het actieve gebied en de woordlijn 1, de bitlijn 2 en de veranderlijke aardlijn 3 met elkaar 5 verbonden zijn door middel van het actieve gebied.
De werking van de bekende X-ROM met de hiervoor genoemde structuur wordt hieronder in detail beschreven.
Wanneer de stuursignalen S1 en S2 geleverd worden aan de poortelektroden van de stuurceltransistoren Qa en Qb, worden de oneven of even veranderlijke aardlijnen 3 geselecteerd. Op dit ogenblik ontladen de 10 door middel van de afzonderlijke schakeling bij de voorafbepaalde spanning aangebrachte voorladingen tussen de celtransistor Q en de bitlijn 2 zich naar de geselecteerde veranderlijke aardlijn 3 via de met de veranderlijke aardlijn 3 corresponderende celtransistor.
De in de bitlijn 2 gegenereerde spanningsval wordt gedetecteerd als de lage toestand (of de hoge toestand) door de met de geselecteerde veranderlijke aardlijnen 3 corresponderende detectieversterkings-15 celtransistoren (Qc), die verbonden zijn met de uitgangen van de bitlijnen 2. Dat wil zeggen, wanneer de ROM geprogrammeerd is om te voorkomen dat de stroom loopt door de celtransistoren Q, wordt geen spanningsval in de bitlijn 2 gegenereerd en wordt de hoge toestand gedetecteerd in de detectieversterkings-celtransistoren Qc.
Mogelijke werkwijzen voor het programmeren van de celtransistoren Q zijn: het verwijderen van het 20 actieve gebied; het verhogen van de drempelspanning door ionimplantatie; en het verhogen van de drempelspanning door het injecteren van lading op de zwevende poortelektrode, zoals in een van de zwevende poortelektrode gebruikmakende wisbaar en programmeerbaar ROM.
Het in figuur 3 weergegeven gedeeltelijke circuit van de X-ROM gebruikt de methode van het verwijderen van het actieve gebied als methode voor het programmeren van de cel-transistoren.
25 Zoals hierboven vermeld, kan de in de figuren 2 en 3 weergegeven structuur van de bekende X-ROM de integratiedichtheid van de inrichting in vergelijking met een conventionele H-ROM verbeteren, aangezien vier met een woordlijn 1 verbonden transistoren zodanig geplaatst zijn, dat zij één contactgebied gezamenlijk omvatten.
Aangezien echter hetzelfde materiaal gebruikt wordt voor zowel de bitlijn 2 als de veranderlijke aardlijn 3 30 in de bekende X-ROM, dienen zij op regelmatige intervallen geplaatst te worden.
Aangezien er bovendien een limiet bestaat in het reduceren van de ontwerpafmetingen, kan een effectieve hoge integratiedichtheid niet bereikt worden.
Aangezien verder de selecterende celtransistor verbonden is met elke veranderlijke aardlijn, kan een effectieve hoge integratiedichtheid ook niet bereikt worden.
35 De uitvinding beoogt een verbeterde X-ROM te verschaffen, waarmee het mogelijk is de integratiedichtheid te verbeteren bij het vervaardigen van een masker-ROM en een wisbaar en programmeerbaar ROM.
Meer in het bijzonder beoogt de uitvinding het verschaffen van een X-ROM voor het verbeteren van de integratiedichtheid van de inrichting door het vormen van de veranderlijke aardlijnen uit twee materiaal-40 klassen, een metalen veranderlijke aardlijn en een van een silicium bevattend polymeer vervaardigde aardlijn en door het efficiënt aanbrengen van de veranderlijke aardlijnen.
Daartoe heeft een X-ROM van het bovengenoemde type volgens de uitvinding het kenmerk, dat het aantal selecteerbare aardlijnen in celblokken is onderverdeeld, waarbij elk celblok een eerste metalen lijn, een tweede metalen lijn en een vast aantal zich tussen de eerste metalen lijn en de tweede metalen lijn 45 bevindende even en oneven polysilicium lijnen omvat; dat een eerste polysilicium verbindingslijn de oneven polysilicium lijnen met de eerste metalen lijn verbindt; dat een tweede polysilicium verbindingslijn de even polysilicium lijnen met de tweede metalen lijn verbindt; dat een eerste stuurtransistor de eerste metalen lijn met een aarde-aansluiting verbindt; en dat een tweede stuurtransistor de tweede metalen lijn met de aarde-aansluiting verbindt.
50
De uitvinding zal onderstaand nader worden uitgelegd onder verwijzing naar de figuren.
Figuur 1 is een schakeling, die de structuur van een bekerde standaard ROM toont; figuur 2 is een lay-out schema van een bekerde X-ROM; figuur 3 is een schakeling van het met één woordlijn van figuur 2 corresponderende gedeelte; 55 figuur 4 is een lay-out schema van een verbeterde X-ROM volgens de uitvinding; figuur 5 is een schakeling van het met één woordlijn van figuur 4 corresponderend gedeelte; figuur 6 is een iilustratieschema van een structuur van een veranderlijk aardlijn volgens de uitvinding; 3 193919 figuur 7 is een equivalente schakeling van het met een punt P van figuur 6 corresponderend gedeelte.
De voorkeursuitvoeringsvorm van de uitvinding zal beschreven worden met verwijzing naar de figuren 4 tot 7.
5 Figuur 4 is een lay-out schema van een X-ROM volgens de uitvinding, die identiek is met die van de bekende in figuur 2 weergegeven X-ROM. De zich horizontaal uitstrekkende woordlijnen 1 zijn opeenvolgend gerangschikt op regelmatige intervallen in verticale richting, een groot aantal celtransistoren Q, die opeenvolgend gerangschikt zijn op regelmatige intervallen zijn verbonden met elke woordlijn 1, de bitlijnen 2 en de veranderlijke aardlijnen zijn achtereenvolgens afwisselend aangebracht in de verticale richting dwars 10 op de woordlijn 1, het contactgebied 4 is gepositioneerd op de plaats, van het middelpunt van vier in de vorm van een X geplaatste celtransistoren.
Deze structuur verschilt van de structuur van een bekende X-ROM daarin, dat de verarderlijke aardlijn 3 gevormd is van een metalen veranderlijke aardlijn 3a en een van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijn 3b. De woordlijn 1 en de bitlijn 2 zijn respectievelijk vervaardigd van een 15 silicium bevattend polymeer en metaal, die identiek zijn aan het materiaal gebruikt volgens de stand van de techniek en de voor de woordlijn 1 en de veranderlijke aardlijn 3 gebruikte, een silicium bevattend polymeer hebben elk een verschillende component.
De onderlinge verbindingsrelatie tussen een metalen veranderlijke aardlijn 3a en een van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijn 3b zal hierna in detail beschreven worden.
20 Figuur 5 is een gedetailleerde schakeling van het met één woordlijn 1 van figuur 4 en de X-ROM volgens de uitvinding correspondeerd gedeelte, dat dezelfde structuur heeft als de bekerde X-ROM, dat wil zeggen een groot aantal celtransistoren Q zijn achtereenvolgens op regelmatige intervallen in horizontale richting aangebracht en de bitlijn 2 en de veranderlijke aardlijn 3 zijn achtereenvolgens afwisselend tussen de celtransistoren aangebracht.
25 Het bijzondere verschil in vergelijking met de structuur van de bekende X-ROM is, dat één metalen veranderlijke aardlijn 3a gevormd is aan beide zijden van n van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijnen 3b.
Bovendien zijn de oneven lijnen van de n van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijnen 3b gemeenschappelijk verbonden met één metalen veranderlijke aardlijn 3a via de aangewezen 30 van een silicium bevattend polyneer vervaardigde lijn 3c en de even lijnen zijn gemeenschappelijk verbonden met de andere metalen veranderlijke aardlijn 3a via-de aangewezen van een siliciuin bevatterd polymeer vervaardigde lijn 3c. Uitgangen van elke van metaal vervaardigde bitlijn 2 zijn verbonden met respectieve detectie-versterkingsceltransistoren Qc. Echter alleen de uitgangen van de metalen veranderlijke aardlijnen 3a zijn respectievelijk verbonden met de stuurtransistoren Qa en Qb, waarvan de uitgangen 35 geaard zijn. Slechts twee stuurtransistoren Q tegenover n+2 veranderlijke aardlijnen zijn vereist.
Aangezien, zoals hierboven vermeld, de veranderlijke aardlijn 3 bestaat uit twee metalen veranderlijke aardlijnen 3a tegenover n veranderlijke aardlijnen 3b, behoeft, wanneer de van een silicium bevattend polyneer vervaardigde veranderlijke aardlijn 3b en de metalen bitlijn 2 afwisselend tussen de celtransistoren Q aangebracht zijn, slechts het minimale interval tussen hen in acht genomen te worden.
40 Het verwijzingscijfer 4 duidt een contactgebied aan en de niet toegelichte symbolen R1 tot Rn zijn de weerstandscomponenten, die optreden in het van een silicium bevattend polymeer vervaardigde van de n van een silicium bevattend polyneer vervaardigde veranderlijke aardlijnen 3b. Aangezien de weerstands-component niet altijd optreedt in metaal, is deze weerstandscomponent niet aangegeven in de metalen veranderlijke aardlijnen 3a. De weerstandscomponent doet de ruisverhouding en snelheidskarakteristieken 45 aantasten en de methode voor het reduceren van deze oorzaak zal hierna in detail beschreven worden.
De werking van de constructie volgens figuur 5 is nagenoeg gelijk aan die, van figuur 3. Dat wil zeggen, de oneven van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijnen 3b en de even van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijnen b worden gelijktijdig geselecteerd door de respectieve stuurceltransistoren Qa en Qb. Op dit moment worden ladingen ontladen naar de ene 50 of de andere metalen veranderlijke aardlijn 3a via de met de geselecteerde oneven of even van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijn 3b corresponderende celtransistor Q, welke ladingen aangebracht zijn tussen de celtransistor Q en de bitlijn 2, bij de voorafbepaalde spanning door de afzonderlijke schakeling.
Op dit moment wordt de spanningsval in bitlijn 2 gegenereerd en wordt gedetecteerd met de hoge 55 toestand en de lage toestand door de met de geselecteerde oneven of even van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijnen 3b corresporderende celtransistoren, order de met de uitgangen van de bitlijnen 2 verbonden detectieversterkingsceltransistoren Qc.

Claims (3)

193919 4 Figuur 6 toont de verbindingsrelatie van de van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijn 3b met de metalen veranderlijke aardlijn 3a, wanneer het aantal n van de van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardijnen 3b zes is. Eén metalen veranderlijke aardlijn 3a is respectievelijk aangebracht aan beide zijden van de zes 5 opéénvolgend geplaatste van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijnen 3b, waarbij de oneven van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijnen 3b gemeenschappelijk verbonden zijn met één metalen veranderlijke aardlijn 3a via de aangewezen van een silicium bevattend polymeer vervaardigde lijn 3c en de even van een silicium 5 bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijnen 3b gemeenschappelijk verborgen zijn net de andere metalen veranderlijke aardlijn 10 3a via de aangewezen van een silicium bevattend polymeer vervaardigde lijn 3c. De component van de aangewezen van een silicium bevattend polymeer vervaardigde lijn 3c is verschillend van die van de van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijn 3b en identiek aan de woordlijn 1. Aangezien de silicium bevattende polymeer een grote weerstandscomponent bevat, is het aan de andere 15 kant nuttig voor het reduceren van de weerstandscomponent, dat de verbindingsstructuur van de metalen veranderlijke aardlijn 3a en de van een silicium bevatterd polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijn op de juiste wijze gemaakt wordt in elk aangewezen celblok. Wanneer echter de verbindingsstructuur vaak gemaakt wordt, wordt de integratiedichtheid van de inrichting verlaagd. De niet-toegelichtte symbolen Ra, Rb, Rc en Rd in figuur 6 duiden de individuele weerstands-20 componenten van de van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijnen 3b in het punt P aan. Figuur 7 is een equivalente schakeling van bet met het punt P corresponderende gedeelte. De waarde van de weerstand R in het punt P kan uitgedrukt worden door middel van de volgende formule (1): R=Ra+Rb//Rc+Rd..........(1) 25 Dat wil zeggen, de metalen veranderlijke aardlijn 3a is verbonden met de aangewezen celtransistor Q via de van een silicium bevattend polymeer vervaardigde lijn 3c met de weerstandswaarde Ra, de van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijn 3b met de weerstandswaarde Rb, de van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijn 3c met de weerstandswaarde Rc en de van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijn 3b met de weerstandswaarde Rd. 30 De weerstandswaarde R voorkant dat de stroom loopt door de celtransistor Q en voorkant dat de spanning draait via de bitlijn 2, waardoor de ruisverhoudingskarakteristiek van de detectieversterkingceltran-sistor Qc en de snelheidskarakteristiek van de X-ROM gereduceerd wordt. Figuur 6 toont alleen de verbindingstoestand van de veranderlijke aardlijnen 3. Naar in de praktijk zijn de van silicium bevattend polymeer vervaardigde woordlijn 1 met een verschillende component ten opzichte 35 van de van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijn 3b, celtransistor Q en van metaal vervaardigde bitlijn 2 aangebracht tussen van een silicium bevattend polymeer vervaardigde veranderlijke aardlijnen 3b. Zoals hiervoor vermeld is het effect volgens de uitvinding als 10 volgt: de veranderlijk aardlijn is gevormd uit 2 klassen aardlijnen, namelijk een metalen veranderlijke aardlijn en een van een silicium bevattend 40 polymeer vervaardigde verarderlijke aardlijn, daardoor het interval tussen een van metaal vervaardigde bitlijn en een veranderlijke aardlijn minimaliserend. Overeenkomstig kan de integratiedichtheid van een X-ROM verbeterd worden. Wanneer het interval tussen een bitlijn en een veranderlijke aardlijn geminimaliseerd wordt, wordt bovendien de celgrootte van de woordlijn verkleind. Overeenkomstig de reductie van de lengte van een woordlijn, kan een in een woordlijn optredende snelheidsvertraging van de X-ROM verkleind 45 worden. Bovendien wordt in evenredigheid met de reductie van een celgrootte de elektrostatische capaciteit van een bitlijn gereduceerd en kan een verbetering van de snelheid verkregen worden. 50 Conclusies
1. X-vormige ROM, omvattende: een aantal langwerpige polysilicium woordlijnen, die in verticale richting op regelmatige intervallen zijn aangebracht; 55 een aantal celtransistoren, die op regelmatige intervallen met elke langwerpige polysilicium woordlijn elektrisch zijn verbonden; een aantal metalen bitlijnen en selecteerbare aardlijnen, waarbij de metalen bitlijnen en de selecteerbare 5 193919 aardlijnen in horizontale richting afwisselend zijn aangebracht tussen de celtransistoren; een aantal eerste contactgebieden, waarbij elk eerste contactgebied elke corresponderende celtransistor verbindt met elke corresponderende metalen bitlijn; en een aantal tweede contactgebieden, waarbij elk tweede contactgebied elke corresponderende cel-5 transistor verbindt met elke corresponderende selecteerbare aardlijn; met het kenmerk, dat het aantal selecteerbare aardlijnen (3) in celblokken is onderverdeeld, waarbij elk celblok een eerste metalen lijn (3a), een tweede metalen lijn (3a) en een vast aantal zich tussen de eerste metalen lijn (3a) en de tweede metalen lijn (3a) bevindende even en oneven polysilicium lijnen (3b) omvat; 10 dat een eerste polysilicium verbindingslijn (3c) de oneven 25 polysilicium lijnen (3b) met de eerste metalen lijn (3a) verbindt; dat een tweede polysilicium verbindingslijn (3c) de even polysilicium lijnen (3b) met de tweede metalen lijn (3a) verbindt; dat een eerste stuurtransistor (Qa) de eerste metalen lijn (3a) met een aardeaansluiting verbindt; en 15 dat een tweede stuurtransistor (Qb) de tweede metalen lijn (3a) met de aarde-aansluiting verbindt.
2. X-vormig ROM volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de langwerpige polysilicium woordlijnen zijn vervaardigd van een eerste polysiliciumsamenstelling en de selecteerbare polysilicium aardlijnen zijn vervaardigd van een tweede polysiliciumsamenstelling, die van de eerste polysiliciumsamenstelling verschilt.
3. X-vormig ROM volgens één van de conclusies 1 en 2, met het kenmerk, dat het aantal selecteerbare 20 polysilicium aardlijnen een veelvoud van twee is. Hierbij 2 bladen tekening
NL9101017A 1990-06-12 1991-06-12 X-vormig ROM. NL193919C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR900008624 1990-06-12
KR1019900008624A KR940002837B1 (ko) 1990-06-12 1990-06-12 롬 셀 구조

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL9101017A NL9101017A (nl) 1992-01-02
NL193919B NL193919B (nl) 2000-10-02
NL193919C true NL193919C (nl) 2001-02-05

Family

ID=19300014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL9101017A NL193919C (nl) 1990-06-12 1991-06-12 X-vormig ROM.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6194767B1 (nl)
JP (1) JPH0758739B2 (nl)
KR (1) KR940002837B1 (nl)
DE (1) DE4119200C2 (nl)
FR (1) FR2663148B1 (nl)
GB (1) GB2245100B (nl)
NL (1) NL193919C (nl)
RU (1) RU2134915C1 (nl)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001035941A (ja) * 1999-07-23 2001-02-09 Nec Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2004095893A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Nec Electronics Corp 半導体記憶装置及びその制御方法と製造方法
US9911693B2 (en) 2015-08-28 2018-03-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices including conductive lines and methods of forming the semiconductor devices
US10622030B1 (en) * 2018-10-28 2020-04-14 Nanya Technology Corporation Memory structure with non-straight word line

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4603341A (en) * 1983-09-08 1986-07-29 International Business Machines Corporation Stacked double dense read only memory
JPS6271264A (ja) * 1985-09-25 1987-04-01 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6194767B1 (en) 2001-02-27
NL193919B (nl) 2000-10-02
JPH0758739B2 (ja) 1995-06-21
DE4119200A1 (de) 1991-12-19
GB9112650D0 (en) 1991-07-31
JPH05343645A (ja) 1993-12-24
DE4119200C2 (de) 1994-09-08
GB2245100B (en) 1994-10-26
NL9101017A (nl) 1992-01-02
RU2134915C1 (ru) 1999-08-20
FR2663148B1 (fr) 1994-11-25
KR940002837B1 (ko) 1994-04-04
GB2245100A (en) 1991-12-18
KR920001547A (ko) 1992-01-30
FR2663148A1 (fr) 1991-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920010344B1 (ko) 반도체 메모리 어레이의 구성방법
US5559737A (en) Nonvolatile semiconductor memory capable of simultaneously equalizing bit lines and sense lines
US5825601A (en) Power supply ESD protection circuit
JPH0680560B2 (ja) 読出専用メモリ−・システム
Dang et al. Coupling capacitances for two-dimensional wires
NL193919C (nl) X-vormig ROM.
EP0227128A2 (en) Memory device including a sense amplifier
CN1649261B (zh) 有源滤波器和无线电收发机
JPH0793033B2 (ja) センスアンプ
US4207616A (en) Logic array having improved speed characteristics
US4823313A (en) Memory device with comparison function
NL9000431A (nl) Halfgeleidergeheugeninrichting.
EP0037227B1 (en) Semiconductor memory device
US7973844B2 (en) Solid state image pickup device
US4402063A (en) Flip-flop detector array for minimum geometry semiconductor memory apparatus
DE60017621T2 (de) Kapazitiv gekoppelte Treiberschaltung
CN107622779B (zh) 一种存储阵列块及半导体存储器
US5333121A (en) Dynamic semiconductor memory having local read amplifier driver circuits which are optimized with respect to their drive function
KR850001614A (ko) Eeprom형 메모리 시스템
JP3025373B2 (ja) 半導体集積回路
EP0129579A4 (en) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT.
JPH06237129A (ja) デジタルトランジスタで構成される差動アナログトランジスタ
KR100409121B1 (ko) 매트릭스형태로배열된다수의메모리셀의메모리셀장치
DE102009022153A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
CN117217157A (zh) 电流镜组的共质心布局及其布局方法

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20100101