DE19731954C2

DE19731954C2 - Verfahren zur Erkennung von fehlprogrammierten Speicherzellen eines Speichers

Info

Publication number: DE19731954C2
Application number: DE19731954A
Authority: DE
Inventors: Peter Grosshans
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1997-07-24
Filing date: 1997-07-24
Publication date: 2000-08-24
Anticipated expiration: 2017-07-25
Also published as: JPH1186578A; GB2328536B; US5898620A; GB2328536A; FR2767956B1; FR2767956A1; GB9815642D0; DE19731954A1

Description

STAND DER TECHNIK

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erken nung von fehlprogrammierten Speicherzellen eines Speichers, und insbesondere zur Erkennung von überprogrammierten Spei cherzellen eines Flash-Halbleiterspeichers, wobei der Spei cher eine Vielzahl von Speicherzellen aufweist. Die Spei cherzellen sind in eine Anzahl von als Einheit löschbaren Blöcken unterteilbar. Die Blöcke sind in eine Gruppe von als Einheit programmierbaren Unterblöcken (Pages) unter teilbar. Die Fehlprogrammierung einer Speicherzelle eines Unterblocks bewirkt, daß jeder Unterblock einer durch eine Fehlprogrammierungs-Untergruppe der Gruppe darstellbaren Anzahl von Unterblöcken eine entsprechende fehlprogrammier te Speicherzelle aufweist.

Aus der DE 42 13 731 A1 sind ein nicht-flüchtiges Halblei terspeicherbauelement in Form eines Flash-EEPROM und ein Verfahren zur Erkennung von fehlprogrammierten Speicherzel len und insbesondere überprogrammierten Speicherzellen be kannt.

Obwohl prinzipiell auf sich kollektiv fortpflanzende Fehl programmierungen beliebiger Speicher anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Pro blematik in bezug auf überprogrammierte Speicherzellen ei nes Flash-Halbleiterspeichers erläutert.

Der Begriff "fehlprogrammiert" soll dabei also im allgemei nen Sinne verstanden werden, nämlich in dem Sinne einer Fehlprogrammierung einer Speicherzelle eines Unterblocks, welche eine Fehlprogrammierung der entsprechenden Speicher zellen in einer Untergruppe von Unterblöcken bewirkt.

Halbleiterspeicher lassen sich allgemein in Tabellenspei cher und Funktionsspeicher einteilen. Die vorliegende Er findung betrifft speziell die Tabellenspeicher, welche eine Vielzahl von Speicherzellen aufweisen, denen jeweils eine bestimmte Adresse zugeordnet ist. Bei den Tabellenspeichern unterscheidet man Schreib-Lese-Speicher (RAMs) und Fest wertspeicher (ROMS).

Besondere Festwertspeicher sind EPROMs und EEPROMs, die sich vom Anwender nicht nur programmieren, sondern auch wieder löschen lassen, und zwar die EPROMs hinsichtlich Blöcken von Speicherzellen mittels ultraviolettem Licht und die EEPROMs hinsichtlich ausgewählter Speicherzellen (z. B. byteweise) mit einem elektrischen Spannungsimpuls.

Flash-Speicher (auch als Flash-EEPROMS oder als Flash-RAMs bezeichnet) stellen ein Mittelding zwischen den EPROMs und den EEPROMS dar. Sie sind zwar elektrisch löschbar, aber nicht byteweise wie die EEPROMs, sondern blockweise ähnlich wie die EPROMs. Allerdings ermöglichen jüngere Entwicklun gen eine stetige Verkleinerung dieser löschbaren Blöcke bei den Flash-EEPROMs.

Flash-Speicher lassen sich preisgünstiger herstellen als EEPROMs, weisen eine höhere Datendichte auf. Daher sind sie besonders bei Anwendungen gefragt, wo wenig Platz zur Ver fügung steht, z. B. in Laptops, Notebooks oder High- Performance-Mikrokontroller-Chips.

Dabei ist das Flash-Speicherarray zur besseren Ausnutzung der Chipfläche in der Regel in Blöcke und Untergruppen der Blöcke, sogenannte Pages, unterteilt.

Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Problematik besteht allgemein darin, daß beim Löschen und Programmieren von Teilen des Flash-Speichers Fehler auftreten können, welche zu Datenverlusten oder Fehlprogrammierungen in ande ren Teilen des Flash-Speichers führen können (kollektive Fehlerfortpflanzung). Dabei ist es bei gewissen Fehlern, wie z. B. der Überprogrammierung, sowohl schwierig, den Feh ler überhaupt zu erkennen, als auch aufwendig, ihn zu be seitigen.

Die Überprogrammierung wird anhand eines konkreten Bei spiels eines Mikrokontrollers näher erläutert.

In diesen Mikrokontroller ist ein nicht-flüchtiger Spei cherchip in Form eines Flash-Speicherarrays implementiert. Dieses Flash-Speicherarray ist in 32 kB große löschbare Blöcke unterteilt, und die Blöcke wiederum sind in jeweils 8 Worte (1 Wort = 32 Bit) große Pages unterteilt.

Das Löschen von gespeicherten Daten ist also nur in den 32 kB großen Blöcken möglich, wohingegen das Programmieren der Daten in den 8 Wort großen Pages möglich ist.

Wird eine Speicherzelle (1 Bit) einer Page vom nicht- programmierten (gelöschten) Zustand in den programmierten Zustand überführt, dann kann es durch die Eigenschaften der Speicherzelle, oder genauer gesagt durch die Eigenschaften des entsprechenden Feldeffekt-Transistors, vorkommen, daß diese Zelle einen Zustand erreicht, der als überprogram miert bezeichnet wird. Dieser überprogrammierte Zustand zeichnet sich dadurch aus, daß die Zelle ständig ihre ge speicherte Information nach außen preisgibt, und zwar auch ohne zusätzliche Aktivierung der Speicherzelle beim Ausle sen der betreffenden Page.

Durch die besondere Struktur des Flash-Speicherarrays wer den durch die überprogrammierte Speicherzelle auch Auslese vorgänge auf den übrigen Pages gestört. Dadurch werden die Daten, die sich in den übrigen Pages befinden, gestört und daher eventuell falsch nach außen gegeben.

Eine überprogrammierte Speicherzelle kann in diesem Flash- Speicherarrray wieder in den gelöschten Zustand überführt werden, indem der gesamte 32 kB-Block, in dem sich die über programmierte Speicherzelle befindet, gelöscht wird.

Welche Pages durch eine überprogrammierte Speicherzelle ge stört werden, hängt von der Struktur des Speicherarrays ab. Häufig werden nicht alle weiteren Pages gestört, sondern nur die Speicherzellen der Pages, die sich in einer gemein samen Spalte des Speicherarrays befinden. Der Fehler tritt dann im periodischen Abstand der Page mit der überprogram mierten Zelle im Flash-Speicherarray auf.

Ohne die Historie des Flash-Speicherarrays zu kennen, ist die Erkennung solcher überprogrammierten Zellen nicht mög lich.

VORTEILE DER ERFINDUNG

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Erkennung von fehlpro grammierten Speicherzellen eines Halbleiterspeichers weist den besonderen Vorteil auf, daß es eine einfache und siche re Erkennungsmöglichkeit für fehlprogrammierte Zellen bie tet, die sich die systemtische Art der Fehlerfortpflanzung zu Nutze macht. Außerdem ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren im Falle der Feststellung, daß die programmierten Speicherzellen eines Nutzungs-Unterblocks oder eines pro grammierten Referenz-Unterblocks mindestens eine fehlpro grammierte Speicherzelle aufweisen, eine Reparatur zu einem frühen Zeitpunkt. Es kann dann nämlich sofort ein Löschvor gang stattfinden, ohne daß zunächst weitere Unterblöcke oder Pages unnötigerweise programmiert werden.

Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee be steht darin, daß ein Referenz-Unterblock bzw. eine Refe renz-Page für einen oder mehrere Nutzungs-Unterblöcke bzw. Nutzungs-Pages in jeder festgelegten ersten Fehlprogrammie rungs-Untergruppe bestimmt wird. Durch Löschen der Speicherzellen des Referenz-Unterblocks vor dem Programmie ren der Speicherzellen eines jeweiligen Nutzungs-Unter blocks mit Nutzungsdaten und Auslesen der gelöschten Speicherzellen des Referenz-Unterblocks nach dem Programmieren kann fest gestellt werden, ob die programmierten Speicherzellen des jeweiligen Nutzungs-Unterblocks ein oder mehrere fehlpro grammierte Speicherzellen aufweisen. Mit anderen Worten liegt dann eine Fehlprogrammierung vor, wenn sich gleich zeitig zur Speicherzelle im Nutzungs-Unterblock auch die entsprechende Speicherzelle im Referenz-Unterblock von ge löscht (z. B. logisch "0") auf programmiert (z. B. logisch "1") ändert.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbil dungen und Verbesserungen des in Anspruch 1 angegebenen Verfahrens.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung werden die Schritte des Programmierens der Speicherzellen eines ersten Nut zungs-Unterblocks, des Auslesens der gelöschten Speicherzellen des Referenz-Unterblocks und des Feststel lens, ob die programmierten Speicherzellen des ersten Nut zungs-Unterblocks ein oder mehrere fehlprogrammierte Spei cherzellen aufweisen, basierend auf dem Ausleseresultat für alle weiteren Nutzungs-Unterblöcke der festgelegten ersten Fehlprogrammierungs-Untergruppe wiederholt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird der Block im Falle der Feststellung, daß die programmierten Speicherzellen irgendeines Nutzungs-Unterblocks mindestens eine fehlprogrammierte Speicherzelle aufweisen, gelöscht und neuprogrammiert.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird be stimmt, ob in den programmierten Nutzungs-Unterblöcken nicht-programmierte Speicherzellen entsprechend einer je weiligen Speicherzelle des Referenz-Unterblocks vorliegen; und, falls ja, wird jeweils eine nicht-programmierte Spei cherzelle für jede betreffende Speicherzelle des Referenz- Unterblocks festgelegt. Dieses Vorgehen ermöglicht vorteil hafterweise ein kontrolliertes Programmieren der Referenz- Page mit Nutzungsdaten.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die Speicherzellen des Referenz-Unterblocks mit Nutzungsdaten programmiert; wer den die festgelegten nicht-programmierten Speicherzellen ausgelesen; und wird basierend auf dem Ausleseresultat festgestellt, ob die programmierten Speicherzellen des Re ferenz-Unterblocks ein oder mehrere fehlprogrammierte Spei cherzellen aufweisen.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird der Block im Falle der Feststellung, daß die programmierten Speicherzellen des Referenz-Unterblocks mindestens eine fehlprogrammierte Speicherzelle aufweisen, gelöscht und neuprogrammiert.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden alle weiteren Fehlprogrammierungs-Untergruppen des Blocks und die entsprechenden Referenz-Unterblöcke und Nutzungs- Unterblöcke festgelegt, bis zumindest jeder Unterblock von einer Fehlprogrammierungs-Untergruppe erfaßt ist; und wer den die Unterblöcke der weiteren Fehlprogrammierungs- Untergruppen entsprechend programmiert. Dieses Vorgehen stellt sicher, daß aufgrund des Wissens über den Aufbau des Speichers fehlprogrammierte Speicherzellen in jedem Fall erkannt werden.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird der Gruppe eine Matrix zugeordnet und werden die Reihen und Spalten der Matrix so zugeordnet, daß die zu einem jeweili gen Unterblock gehörige Untergruppe eine Spalte der Matrix ist. Dieses Vorgehen erleichtert die Datenverarbeitung bei der Fehlprogrammierungserfassung.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden in der letzten Zeile der Matrix sämtliche für sie erforderli chen Referenz-Unterblöcke festgelegt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird der ak tuelle Inhalt eines Nutzungs-Unterblocks vor seiner Pro grammierung in einem Hilfsspeicher oder in einem anderen unbenutzten Unterblock desselben oder eines anderen Blocks gesichert. Dies ermöglicht ein schrittweises Programmieren der Pages.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird minde stens ein Programmierparameter, insbesondere Programmierim pulsanzahl oder Programmierimpulshöhe, im Falle der Fest stellung, daß die programmierten Speicherzellen eines Nut zungs-Unterblocks oder eines programmierten Referenz- Unterblocks mindestens eine fehlprogrammierte Speicherzelle aufweisen, geändert. Dieses Vorgehen ermöglicht eine Opti mierung der Programmierparameter.

ZEICHNUNGEN

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er läutert.

Fig. 1 zeigt einen Flash-Speicher mit vier Blöcken und n × k Pages, wobei n und k natürliche Zahlen sind, an dem das erfindungsgemäße Verfahren prak tizierbar ist.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

In Fig. 1 bezeichnet 10 allgemein den Flash-Speicher, 20a bis 20d einen ersten bis vierten Block und P11 bis Pnk eine erste bis n × k-te Page (Unterblock), wobei n und k natür liche Zahlen sind und beispielsweise n von 1 bis 128 läuft und k von 1 bis 8 läuft. Die einzelnen Pages P11 bis Pnk enthalten jeweils 8 Worte zu je 4 Byte, d. h. 32 Byte oder 256 Bit. Mit anderen Worten bilden die Pages P11 bis Pnk eine Matrix mit 128 Zeilen und 8 Spalten, also sind 1024 Pages insgesamt in jedem Block 20a bis 20d des Flash- Speichers 10 enthalten.

Die Blöcke 20a bis 20d bilden jeweils die kleinste löschba re Einheit im Flash-Speicher 10, und die Pages P11 bis Pnk jeweils die kleinste programmierbare Einheit.

Bei diesem Beispiel des Flash-Speichers 10 würde eine über programmierte Speicherzelle in der Page P11 dazu führen, daß jede Page P11, P21, P31, P41, . . ., P(n-3)1, P(n-2)1, P(n-1)1, Pn1 eine entsprechende überprogrammierte Speicher zelle aufweist. D. h. in allen diesen Pages P11-Pn1 oder in der ersten Spalte der Matrix erscheint das betreffende Bit als programmiert, obwohl es nur in der Page P11 tatsächlich programmiert wurde. Dieser Fehler kann nur durch Löschen des gesamten Blocks 20b rückgängig gemacht werden.

Doch zuerst muß das erfindungsgemäße Verfahren angewandt werden, mit dem das Auftreten dieses Fehlers schnell und sicher erkannt werden kann.

Das Verfahren macht sich zu Nutze, daß die überprogrammier ten Zellen durch eine Fehlprogrammierungs-Untergruppe von Pages darstellbar sind, nämlich durch die jeweiligen Spal ten bzw. Spaltenvektoren der Matrix, wobei dies im voraus durch den speziellen Aufbau des Flash-Speichers 10 vorgege ben ist.

Zur Durchführung des Verfahrens wird für jede Spalte also Fehlprogrammierungs-Untergruppe der Matrix eine Referenz- Page festgelegt, und zwar beim vorliegenden Ausführungsbei spiel jeweils die letzte Page Pn1, Pn2, Pn3, Pn4, . . ., Pn(k-2), Pn(k-1), Pnk. Die weiteren Pages jeder Spalte der Matrix sind Nutzungs-Pages, d. h. sie werden zur eigentli chen Datenspeicherung verwendet.

Dann werden die Speicherzellen der Referenz-Pages Pn1, Pn2, Pn3, Pn4, . . ., Pn(k-2), Pn(k-1), Pnk und der Nutzungs-Pages allesamt durch eine Blocklöschoperation für den Block 20b gelöscht.

Als nächstes erfolgt ein Programmieren der Speicherzellen einer ersten Nutzungs-Page, also beispielsweise der Page P11. Anschließend werden die vorprogrammierten (d. h. ge löschten) Speicherzellen der Referenz-Page der ersten Spal te, also der Page Pn1, ausgelesen.

Anhand des Ausleseresultats läßt sich feststellen, ob die programmierten Speicherzellen der ersten Nutzungs-Page P11 ein oder mehrere überprogrammierte Speicherzellen aufwei sen. Dies ist nämlich gerade dann der Fall, wenn eine oder mehrere Speicherzellen der Referenz-Page Pn1 nicht mehr ge löscht (logisch "0"), sondern programmiert (logisch "1") sind. In solch einem Fall erfolgt ein sofortiges Löschen und Neuprogrammieren des gesamten Blocks 20b.

Dann werden die vorherigen Schritte für alle weiteren Nut zungs-Pages, d. h. P11 bis P1k, P21 bis P2k, . . . und P(n-1)1 bis P(n-1)k durchgeführt. Die Referenz-Pages bleiben bei diesem Ausführungsbeispiel reserviert, d. h. werden nicht zur eigentlichen Datenspeicherung benutzt.

Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel des erfindungsge mäßen Verfahrens werden auch die Referenz-Pages zur eigent lichen Datenspeicherung benutzt, allerdings erfordert dies zusätzliche Maßnahmen.

Es wird dabei davon ausgegangen, daß alle Nutzungs-Pages P11 bis P1k, P21 bis P2k, . . . und P(n-1)1 bis P(n-1)k ord nungsgemäß programmiert sind.

Vor der Programmierung der ersten Referenz-Page Pn1 wird bestimmt, ob in den programmierten Nutzungs-Pages P11 bis P(n-1)1 nicht-programmierte Speicherzellen entsprechend ei ner jeweiligen Speicherzelle der ersten Referenz-Page Pn1 vorliegen.

Falls ja, wird jeweils eine solche nicht-programmierte Speicherzelle für jede betreffende Speicherzelle der ersten Referenz-Page Pn1 festgelegt.

Sollte für irgendeine Speicherzelle der zu programmierenden ersten Referenz-Page Pn1 keine nicht-programmierte Spei cherzelle in einer der programmierten Pages P11 bis P(n-1)1 auffindbar sein, so stört dies nicht, denn sogar eine Über programmierung würde dann keinen Fehler bzw. Datenverlust hervorrufen.

Dann erfolgt das Programmieren der Speicherzellen der er sten Referenz-Page Pn1 und anschließend das Auslesen der festgelegten nicht-programmierten Speicherzellen der pro grammierten Nutzungs-Pages P11 bis P(n-1)1.

Das Feststellen, ob die programmierten Speicherzellen der Referenz-Page ein oder mehrere fehlprogrammierte Speicher zellen aufweisen, erfolgt analog wie bei der Programmierung der Nutzungs-Pages.

Auch bei dieser zweiten Ausführungsform erfolgt ein Löschen und Neuprogrammieren des Blocks 20b im Falle der Feststel lung, daß die programmierten Speicherzellen der ersten Re ferenz-Page Pn1 mindestens eine fehlprogrammierte Speicher zelle aufweisen.

Das Programmieren der weiteren Referenz-Pages Pn2 bis Pnk erfolgt in gleicher Weise.

Die obige Beschreibung der ersten und zweiten Ausführungs form ging davon aus, daß die Daten für den zu programmie renden Block 20b während der pageweisen Programmierung kom plett zur Verfügung stehen. Ist dies nicht der Fall, muß der aktuelle Inhalt einer Nutzungs-Page vor seiner Program mierung in einem Hilfsspeicher, z. B. einem RAM, oder in ei nem andern unbenutzten Unterblock desselben Blocks 20b oder eines anderen Blocks 20a, 20c oder 20d gesichert werden.

Die Ursache für eine überprogrammierte Speicherzelle liegt in zu vielen oder zu hohen Programmierimpulsen bei der Pro grammierung. Deshalb sieht eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens eine Änderung mindestens eines solchen Programmierparameters, insbesondere der erwähnten Programmierimpulsanzahl oder Programmierimpulshöhe, im Fal le der Feststellung vor, daß die programmierten Speicher zellen einer Nutzungs-Page oder einer programmierten Refe renz-Page mindestens eine überprogrammierte Speicherzelle aufweisen.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels vorstehend beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise mo difizierbar.

Insbesondere müssen die Unterblöcke und die Fehlprogrammie rungs-Untergruppe nicht in Matrix bzw. Vektorform vorlie gen, sondern andere Darstellungen, wie z. B. tensorielle oder analytische Darstellungen sind ebenfalls möglich.

Obwohl bei der beschriebenen ersten und zweiten Ausfüh rungsform in der letzten Zeile der Matrix sämtliche für sie erforderlichen Referenz-Pages festgelegt wurden, ist das nicht notwendig, sondern können beliebige Pages der dafür festgelegt werden, wobei im allgemeinen Fall dafür gesorgt werden muß, daß für jede Nutzungs-Zelle mindestens eine Re ferenz-Zelle vorhanden ist.

Schließlich ist die Erfindung nicht auf irgendeinen Spei chertyp oder Programmierfehlertyp beschränkt, sondern kann für beliebige sich kollektiv ausbreitende Programmierfehler in beliebigen Speichern angewendet werden.

BEZUGSZEICHENLISTE

10

Flash-Speicher

20

a bis

20

d Blöcke
P11 bis Pnk Pages
n = 1, . . ., 128 Laufindex Zeilen
k = 1, . . ., 8 Laufindex Spalten

Claims

1. Verfahren zur Erkennung von fehlprogrammierten Spei cherzellen eines Speichers (10), und insbesondere zur Er kennung von überprogrammierten Speicherzellen eines Flash- Halbleiterspeichers, wobei der Speicher (10) eine Vielzahl von Speicherzellen aufweist, welche in eine Anzahl von als Einheit löschbaren Blöcken (20a-20d) unterteilbar sind, die wiederum in eine Gruppe von als Einheit programmierbaren Unterblöcken (P11-Pnk) unterteilbar sind, und wobei die Fehlprogrammierung einer Speicherzelle eines Unterblocks bewirkt, daß jeder Unterblock einer durch eine Fehlprogram mierungs-Untergruppe der Gruppe darstellbaren Anzahl von Unterblöcken eine entsprechende fehlprogrammierte Speicher zelle aufweist; mit folgenden Schritten:

a) Festlegen einer ersten Fehlprogrammierungs-Untergruppe (P11-Pn1) eines Blocks (20b);
b) Festlegen eines Referenz-Unterblocks (Pn1) und eines oder mehrerer Nutzungs-Unterblöcke (P11-P(n-1)1) in der festgelegten ersten Fehlprogrammierungs-Untergruppe (P11- Pn1);
c) Löschen der Speicherzellen des Referenz-Unterblocks (Pn1)
d) Programmieren der Speicherzellen eines ersten Nut zungs-Unterblocks (P11) mit Nutzungsdaten;
e) Auslesen der gelöschten Speicherzellen des Referenz- Unterblocks P(n1); und
f) Feststellen, ob die programmierten Speicherzellen des ersten Nutzungs-Unterblocks (P11) ein oder mehrere fehlpro grammierte Speicherzellen aufweisen, basierend auf dem Aus leseresultat.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte d), e) und f) für alle weiteren Nutzungs- Unterblöcke (P21-P(n-1)1) der festgelegten ersten Fehlprogrammierungs-Untergruppe (P11-Pn1) wiederholt wer den.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch die zusätzlichen Schritte:

a) Löschen und Neuprogrammieren des Blocks (20b) im Falle der Feststellung in Schritt f), daß die programmierten Speicherzellen irgendeines Nutzungs-Unterblocks mindestens eine fehlprogrammierte Speicherzelle aufweisen.

4. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die zusätzlichen Schritte:

a) Bestimmen, ob in den programmierten Nutzungs- Unterblöcken (P11-P(n-1)1) nicht-programmierte Speicherzel len entsprechend einer jeweiligen Speicherzelle des Refe renz-Unterblocks (Pn1) vorliegen; und
b) falls ja, Festlegen von jeweils einer nicht-program mierten Speicherzelle für jede betreffende Speicherzelle des Referenz-Unterblocks (Pn1).

5. Verfahren nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch die zusätzlichen Schritte:

a) Programmieren der Speicherzellen des Referenz- Unterblocks (Pn1) mit Nutzungsdaten;
b) Auslesen der festgelegten nicht-programmierten Spei cherzellen; und
c) Feststellen, ob die programmierten Speicherzellen des Referenz-Unterblocks (Pn1) ein oder mehrere fehlprogram mierte Speicherzellen aufweisen, basierend auf dem Auslese resultat.

6. Verfahren nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch die zusätzlichen Schritte:

a) Löschen und Neuprogrammieren des Blocks (20b) im Falle der Feststellung in Schritt 1), daß die programmierten Speicherzellen des Referenz-Unterblocks (Pn1) mindestens eine fehlprogrammierte Speicherzelle aufweisen.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ge kennzeichnet durch die zusätzlichen Schritte:

a) Festlegen aller weiteren Fehlprogrammierungs- Untergruppen (P12-Pn2, . . ., P1k-Pnk) des Blocks (20b) und der entsprechenden Referenz-Unterblöcke (Pn2, . . ., Pnk) und Nutzungs-Unterblöcke (P12-P(n-1)2, . . ., P1k-P(n-1)k), bis zumindest jeder Unterblock von einer Fehlprogrammierungs- Untergruppe erfaßt ist; und
b) entsprechendes Programmieren der Unterblöcke der wei teren Fehlprogrammierungs-Untergruppen (P12-Pn2, . . ., P1k- Pnk) mit Nutzungsdaten.

8. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Gruppe eine Matrix (P11-Pnk) zuge ordnet wird und daß die Reihen und Spalten der Matrix (P11- Pnk) so zugeordnet werden, daß die zu einem jeweiligen Un terblock gehörige Untergruppe eine Spalte der Matrix (P11- Pnk) ist.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß in der letzten Zeile der Matrix (P11-Pnk) sämtliche für sie erforderlichen Referenz-Unterblöcke (Pn1-Pnk) festgelegt werden.

10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet, daß der aktuelle Inhalt eines Nut zungs-Unterblocks vor seiner Programmierung in einem Hilfs speicher oder in einem anderen unbenutzten Unterblock des selben oder eines anderen Blocks gesichert wird.

11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ge kennzeichnet durch den zusätzlichen Schritt:

a) Ändern mindestens eines Programmierparameters, insbe sondere Programmierimpulsanzahl oder Programmierimpulshöhe, im Falle der Feststellung, daß die programmierten Speicher zellen eines Nutzungs-Unterblocks oder eines programmierten Referenz-Unterblocks mindestens eine fehlprogrammierte Speicherzelle aufweisen.