DE4115890A1

DE4115890A1 - Elektronenemittierendes bauelement

Info

Publication number: DE4115890A1
Application number: DE4115890A
Authority: DE
Inventors: Shigeo Itoh; Teruo Watanabe; Hisashi Nakata; Toshinori Takagi
Original assignee: Futaba Corp
Current assignee: Futaba Corp
Priority date: 1990-05-17
Filing date: 1991-05-15
Publication date: 1991-11-21
Anticipated expiration: 2011-05-16
Also published as: KR920005816A; KR950007673B1; JP2634295B2; FR2662301A1; JPH0422038A; DE4115890C2; FR2662301B1; US5189341A

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronenemittierendes Bauelement des Feldemissionstyps und insbesondere ein Bauelement, das sich für die Verwendung als Elektronenquelle bei verschieden artigen Anzeigevorrichtungen, Lichtquellen, Verstärker-Bau teile, Hochgeschwindigkeitsschaltern und Sensoren eignet.

Ein vertikales elektronenemittierendes Bauteil, welches typi scherweise ein Bauteil des Feldemissionstyps ist, ist im all gemeinen wie in Fig. 11 gezeigt konstruiert. Insbesondere weist es ein Substrat 100 auf, das mit Verunreinigungen in hoher Konzentration gedopt ist, wodurch eine hohe Leitfähig keit gewährleistet wird. Auf dem Substrat 100 ist eine iso lierende Schicht 101 aus SiO₂ angeordnet, in der Hohlräume 102 ausbildet wird. In jedem der Hohlräume 102 ist ein Emit ter 103 aus Molybden (Mo) angeordnet, um als ein elektronen emittierender Bereich zu wirken. Das Bauteil weist einen Mo- Film auf, der auf der isolierenden Schicht 101 angebracht ist, um den Emitter 103 derart zu umgeben, daß dieser als Gate-Elektrode 104 wirkt.

Bei einem derartigen Bauteil wird ein elektrisches Feld von etwa 10⁶ bis 10⁷ V/cm erzeugt, das sich zwischen dem entfern ten Ende des Emitters 103 und der Gate-Elektrode 104 er streckt, wenn an die Gate-Elektrode eine Spannung im Bereich von einigen zehn bis einigen hundert Volt angelegt wird, so daß Elektronen im Umfang von einigen 100 mA von dem entfern ten Ende des Emitters 103 emittiert werden.

Fig. 12 zeigt eine herkömmliche Anzeigevorrichtung, in der ein solches Bauteil als Elektronenquelle verwendet wird. Eine derartige Anzeigevorrichtung ist beispielsweise in JP-A-3 21 783 gezeigt.

Die herkömmliche Anzeigevorrichtung ist so aufgebaut, daß eine Vielzahl von dünnen, leitenden Schichten 112 auf einem isolierenden Substrat 110 angeordnet sind, so daß sie sich entlang Spalten 111 erstrecken. Auf dem leitenden Film 112 sind kegelartige Emitter 113 des Feldemissionstyps und eine isolierende Schicht 114 vorgesehen. Auf der isolierenden Schicht 114 ist eine Gitteranordnung 116 derart angeordnet, daß sie sich entlang Reihen 115 erstreckt. Die Gitteranord nung 116 ist jeweils in den Bereichen, die den entsprechenden kegelartigen Emittern 113 gegenüberliegen, als Öffnung oder Loch ausgebildet.

Die Anzeigevorrichtung weist ebenfalls ein transparentes Sub strat 117 auf. Auf der dem isolierenden Substrat 110 gegen überliegenden Oberfläche des transparenten Substrats 117 ist ein transparenter, leitender Film 118 angebracht, und eine Phosphorschicht 119 wird nachfolgend darauf laminiert. Der leitende Film 118 und die Phosphorschicht erstrecken sich über dem gesamten Substrat 117. Das isolierende Substrat 110 und das transparente Substrat 117 laufen über Seitenflächen zusammen, um eine Kammer zu bilden, welche anschließend auf Hochvakuum evakuiert wird.

Im folgenden wird die Arbeitsweise einer herkömmlichen Anzei gevorrichtung gemäß Fig. 11 und 12 beschrieben.

Ein positives Potential wird durchgehend an den transparen ten, leitenden Film 118 angelegt. In Antwort auf ein Anzeige Signal wird eine vorbestimmte Potentialdifferenz zwischen dem leitenden Film 112 einer jeden Reihe 115 und dem Gitterbe reich 116 einer jeden der Spalten angelegt. Dies verursacht die Entstehung eines geeigneten elektrischen Feldes zwischen der Gitteranordnung 116, an welche die Potentialdifferenz angelegt wurde, und dem kegelförmigen Emitter 113, wobei Elektronen von dem spitzen, entfernten Ende des Emitters 116 emittiert werden. Die auf diese Weise emittierten Elektronen wandern durch die Öffnung der Gitteranordnung 116 und treffen anschließend auf die Phosphorschicht 119 auf, was zu einer Lichtemission oder Lumineszenz der Phosphorschicht 119 führt.

Demzufolge wird ein vom Anzeigesignal abhängiges Bild ange zeigt.

In Fig. 13 ist ein horizontales, elektronenemittierendes Bau element abgebildet, welches eine andere Ausführung eines Bau elements des Feldemissionstyps darstellt. Ein solches Bauteil ist beispielsweise in JP-A-33 833 gezeigt.

Das horizontale Bauteil weist ein isolierendes Substrat 200 auf, auf welchem ein Emitter 202 angeordnet ist, in dessem mittigen Bereich ein dreieckförmiger Vorsprung 201 vorgesehen ist. Ein Substrat 200 mit einem Gate 204 ist so angeordnet, daß das Gate 204 benachbart zum Emitter 202 angeordnet ist. Das Gate 204 weist eine Öffnung oder Loch 203 in einem dem Vorsprung 201 gegenüberliegenden Bereich auf. Das Bauteil weist ebenfalls eine sekundäre, Elektrode 205 auf, die so an geordnet ist, daß das Gate 204 zwischen Emitter 202 und der Elektrode 205 liegt und parallel zum Gate 204 verläuft.

Wird eine Spannung bei dem horizontalen Bauteil, das wie oben beschrieben konstruiert ist, zwischen Emitter 202 und Gate 204 und zwischen Gate 204 bzw. der sekundären elektronenemit tierenden Elektrode 205 angelegt, so werden Elektronen vom spitzen, entfernten Ende des Emitters 202 emittiert und tref fen durch die Öffnung 203 des Gates 204 hindurch auf die se kundäre, Elektrode 205, so daß sekundäre Elektronen von der sekundären Elektrode 205 emittiert werden.

Wenn man ein herkömmliches Bauteil des oben beschriebenen Typs in einem luftdichten oder hermetisch versiegelten Raum oder in einer Vakuumatmosphäre von etwa 10^-6 bis 10^-7 Torr be treibt, führt dies zu Nachteilen. Insbesondere verursacht die Befestigung des n Bauteils in einer luftdichten Kammer eine Verunreinigung des Emitters während des Befestigungsvorgangs, so daß das Emissionspotential des Emitters beträchtlich er höht wird. Betreibt man das Bauteil in einer Niedrig-Vakuum- Atmosphäre, führt dies dazu, daß der Emitter jedwelches in der Atmosphäre vorhandene Gas absorbiert, was zu einer Beein trächtigung in der Funktionsweise des Bauteils innerhalb kur zer Zeit führt. Dies führt zu Nachteilen, wie beispielsweise die Reduzierung der Emissionseffizienz des n Elements und/oder die Erhöhung des Emissionspotentials. Diese Nach teile treten insbesondere dann auf, wenn das Bauteil des Feldemissionstyps in einer luftdichten Kammer angeordnet ist. Feldemission-Kathoden, die in einer hermetisch abgedichteten Kammer angeordnet sind, können nicht verwendet werden, so lange diese Nachteile nicht beseitigt sind.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein elektronen emittierendes Bauelement bereitzustellen, daß in der Lage ist, gleichmäßig und gut funktionierend Elektronen über eine lange Zeitspanne hinweg in einer Niedrig-Vakuum-Atmosphäre zu emittieren. Insbesondere soll ein s Bauelement bereitgestellt werden, das in der Lage ist, auf effektive Weise Verunreini gungen am Emitter in Folge von Gasabsorption zu verhindern.

Diese Aufgabe wird durch das elektronenemittierende Bauteil nach dem Hauptanspruch gelöst, wobei vorteilhafte Ausgestal tungen der Erfindung in den Unteransprüchen gekennzeichnet sind.

Nach der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein elektronenemittierendes Bauteil bereitgestellt, das eine Vielzahl von Emittern und ein Gate aufweist. An mindestens einem der Emitter wird abwechselnd eine Spannung oder eine Elektronenemissionsspannung angelegt, die größer oder gleich der Spannung am Gate ist. Das Bauteil weist ferner ein Paar von Elektroden auf, die geeignet sind, ein elektrisches Feld zur Emission von Feldelektronen aufzubauen, das sich abwech selnd zwischen den beiden Elektroden ausbildet, so daß an eine der Elektroden eine Feldelektronen-Emissionsspannung an gelegt wird und als Emitter wirkt, und die andere der Elek troden an einer Spannung liegt, die höher als die angelegte Feldelektronen-Emissionsspannung ist und als Gate wirkt.

Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nun anhand der beiliegenden Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 ein schematischer Querschnitt eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsge mäßen, elektronenemittierenden Bauteils;

Fig. 2 eine perspektivische Darstellung eines zwei ten Ausführungsbeispiels eines erfindungsge mäßen elektronenemittierenden Bauteils.

Fig. 3 eine Seitenansicht eines dritten Ausfüh rungsbeispiels eines erfindungsgemäßen, elektronenemittierenden Bauteils;

Fig. 4 eine perspektivische Darstellung des in Fig. 3 abgebildeten elektronenemittierenden Bau teils;

Fig. 5 eine Draufsicht eines vierten Ausführungs beispiels eines erfindungsgemäßen, elektro nemittierenden Bauteils;

Fig. 6 eine schematische Darstellung einer Anzeige vorrichtung, bei welcher das in Fig. 5 abge bildete elektronenemittierende Bauteil ein gebaut ist;

Fig. 7 Wellenformen eines Signals, das an einen ausgewählten Emitter des in Fig. 6 darge stellten elektronenemittierenden Bauteils angelegt wird;

Fig. 8 einen Querschnitt einer Anzeigevorrichtung, bei welcher das in Fig. 3 dargestellte elek tronenemittierende Bauteil eingebaut ist;

Fig. 9A und 9B Querschnitte zur Erläuterung der Arbeits weise der in Fig. 8 gezeigten Anzeigevor richtung;

Fig. 10 Wellenformen eines Signals, das an eine Elektrode der in Fig. 8 gezeigten Anzeige vorrichtung angelegt wird;

Fig. 11 ein Querschnitt eines herkömmlichen, verti kalen, elektronenemittierenden Bauteils des Feldemissionstyps;

Fig. 12 eine schematische, perspektivische Darstel lung einer Anzeigevorrichtung, bei welcher das in Fig. 11 dargestellte elektronenemit tierende Bauteil benutzt wird; und

Fig. 13 eine perspektivische Darstellung eines her kömmlichen, horizontalen, elektronenemittie renden Bauteils des Feldemissionstyps.

Fig. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines elektronen emittierenden Bauteils 1, das ein Substrat 2 aufweist, auf welchem eine Vielzahl von Emitterelektroden 3 aufgeteilt oder getrennt voneinander angeordnet sind, sodaß sie ein Paar bil den. Das Element 1 weist Emitter 4 und 5, die auf den Emit terelektroden 3 angeordnet sind, isolierende Schichten 6, ein Gate 7 und einen Kollektor 8 auf.

Das Bauteil wird so betrieben, daß, wenn ein Emitter (oder eine Emittergruppe) 4, der auf einer der voneinander getrenn ten Elektroden 3 angeordnet ist, unter normalen elektrischen Feld-Bedingungen Elektronen e₁ emittiert, ein positives Po tential am anderen Emitter (Emittergruppe) 5 angelegt wird, das einen vorbestimmten Pegel aufweist, der größer oder gleich dem Pegel am Gate 7 ist. Wenn der andere Emitter, Emitter 5, Elektronen e₂ emittiert, wird ein den oben be schriebenen Pegel aufweisendes, positives Potential an den Emitter 4 angelegt.

Der oben beschriebene Betrieb des Bauteils 1 ermöglicht es, daß die vom Emitter 4 emittierten Elektronen e₁ auf den Emit ter 5 auftreffen, um den Emitter 5 zu reinigen, und daß die von anderen Emitter 5 emittierten Elektronen e₂ auf ähnliche Weise den Emitter 4 reinigen.

Wenn eine Sinus-Halbwelle, die gegenüber dem Gate 7 negativ ist, dem Emitter 4 zugeführt wird, wird eine Gleichspannung oder positive Sinus-Halbwelle, deren Pegel größer oder gleich dem Spannungspegel am Gate 7 ist, dem anderen Emitter 5 zuge führt, um eine Erhitzung durch Elektronenzusammenstöße bis zu einem gewissen Grad zu erzielen, sodaß das am Emitter 5 ab sorbierte Gas entfernt werden kann.

Das in Fig. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel weist minde stens einen Emitter 4 oder 5 auf jeder Emitterelektrode 3 auf. Wenn eine Vielzahl von Ansteuerungen so angeordnet sind, daß sie aufgeteilt oder voneinander getrennt sind, beträgt die Anzahl der Emitter (Emittergruppen) 4 oder 5 mindestens zwei. Wenn das Bauteil des beschriebenen Ausführungsbeispiels als Anzeigevorrichtung benutzt wird, kann ein Tetroden-Aufbau verwendet werden, der so konstruiert ist, daß eine Phosphor- Ablagerungsanode zusätzlich zum Kollektor 8 angeordnet wird und ein positives Potential an die Anode angelegt wird, des sen Pegel größer oder gleich dem Spannungspegel am Kollektor 8 ist. Alternativ kann ein Trioden-Aufbau eingesetzt werden, bei welchem der Kollektor 8 auch als Anode benutzt wird.

Fig. 2 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfin dungsgemäßen elekronenemittierenden Bauteils, das einen ho rizontalen Aufbau aufweist.

Das Bauteil 10 des zweiten Ausführungsbeispiels weist insbe sondere einen Substrat 11 auf, auf welchem Emitter 13 und 14 jeweils mit dreieckförmigen Vorsprüngen 12 ausgestattet und gegenüberliegend angeordnet sind, wobei ein Kollektor 17 da zwischenliegend angeordnet ist und wobei Gates 15 und 16 zwi schen Emitter 13 bzw. Kollektor 17 und zwischen Emitter 14 bzw. Kollektor 17 liegen. Das Bauelement des zweiten Ausfüh rungsbeispiels wird so angesteuert, daß einer der Emitter 13 oder 14 veranlaßt wird, Elektronen zu emittieren, während ein positives Potential, dessen vorbestimmter Spannungspegel größer oder gleich dem an den Gates 15 und 16 angelegten ist, wodurch ein Teil der vom Emitter 13 oder 14 emittierten Elek tronen auf den anderen Emitter 14 oder 13 auftreffen, um die sen zu reinigen. Dies ermöglicht, daß ein abwechselndes Emit tieren von Elektronen von dem Emittern 13 und 14 gleichmäßig durchgeführt werden kann.

Fig. 3 und 4 zeigen ein drittes Ausführungsbeispiel des n Bauelements, das ebenfalls einen horizontalen Aufbau auf weist.

Das elektronenemittierende Bauelement 20 des dritten Ausfüh rungsbeispiels weist ein Substrat 21 auf, auf welchem zwei Elektroden 22 und 23 ausgebildet sind, die jeweils einen in vertierten, trapezförmigen Querschnitt aufweisen und parallel zueinander angeordnet sind, sodaß sie als Emitter und als Gate dienen. Demzufolge sind die Elektroden 22 und 23 so an geordnet, daß deren scharfe Kanten 24 nach oben zeigen. Das Bauteil 20 weist ferner zwei Kollektoren 25 und 26 auf, die auf dem Substrat 21 außerhalb der Elektroden 22 bzw. 23, rechts und links davon, angeordnet sind und parallel zu die sen verlaufen.

Das Bauteil des oben beschriebenen dritten Ausführungsbei spiels wird so angesteuert, daß abwechselnd eine Sinus-Halb welle und eine Gate-Spannung an die Elektroden 22 und 23 oder daß positive und negative Sinuswellen abwechselnd an die Elektroden 22 und 23 angelegt werden. Eine derartige Ansteue rung erlaubt es den Elektronen e₁, die von der scharfen Kante 24 einer der als Emitter wirkenden Elektroden oder der Elek trode 22 emittiert werden, einen der Kollektoren 25 und 26 oder den Kollektor 26 zu erreichen und auf die andere Elek trode 23 aufzutreffen, wodurch die Elektrode 23 gereinigt wird. Bei Umkehrung wird die Elektrode 22 gereinigt.

Fig. 5 zeigt das vierte Ausführungsbeispiel eines elektronen emittierenden Bauteils gemäß der vorliegenden Erfindung, das ebenfalls einen horizontalen Aufbau aufweist.

Das elektronenemittierende Bauteil 30 des vierten Ausfüh rungbeispiels weist ein Substrat 31 auf, auf welchem eine Vielzahl von Doppelelektrodensätzen 32 und 33 angeordnet sind, die als Emitter und Gates wirken und teleskopartig an geordnet sind. Die Elektroden 32 und 33 weisen jeweils eine Anzahl von spitzen Vorsprüngen 34 auf, sodaß sie sägezahnför mig ausgebidet sind. Die spitzen Vorsprünge 34 der Elektroden 32 und 33 sind zueinander gegenüberliegend angeordnet. Ferner weist das Bauelement des beschriebenen Ausführungsbeispiels einen Kollektor 35 auf.

An die Elektroden 32 und 33 wird abwechselnd eine Sinus-Halb welle und eine Gate-Spannung oder eine positive und negative Sinuswelle wie im dritten Ausführungsbeispiel angelegt, das anhand der Fig. 3 und 4 erläutert wurde. Daher zeichnet sich die Ausführungsform durch die gleiche Funktionsweise und gleichen Vorteile der dritten Ausführungsform aus.

Fig. 6 zeigt beispielsweise eine Anzeigevorrichtung, bei der das Prinzip einer Fluoreszenzanzeige angewandt wird und in der das Bauelement aus Fig. 4 eingebaut ist.

In der Anzeigevorrichtung aus Fig. 6 ist eine Kombination von Elektroden 32 und 33 auf einem ersten Substrat 40 teleskopar tig angeordnet. Elektroden C_L sind miteinander verbunden, ge meinsam nach außen gezogen und werden mit einem Ansteuerungs- Signal gespeist. Die anderen Elektroden C_U, welche miteinan der verbunden und gemeinsam nach außen gezogen sind, werden mit einem Ansteuerungssignal gespeist, das synchron mit der Zuführung des Ansteuerungssignals der Elektroden C_L ist, so daß jeder erwünschte Emitter innerhalb der Matrix angewählt werden kann. Dem angewählten Emitter wird ein Signal gemäß Fig. 7 zugeführt.

Auch in dem in Fig. 6 gezeigten Beispiel wird der Kollektor 35 (Fig. 5) durch eine transparente Elektrode 42 ersetzt, die auf einem zweiten Substrat 41 ausgebildet ist, das gegenüber dem ersten Substrat 40 angeordnet ist, so daß sie als Anode wirkt. Die transparente Elektrode 42 ist streifenförmig aus gebildet, auf welcher Phosphorschichten R, G und B von roter, grüner und blauer fluoreszierenden Farbe in wiederholter Ab folge angebracht sind.

In der Anzeigevorrichtung nach Fig. 6 ermöglicht das Anlegen eines Signals, wie es in Fig. 8 gezeigt ist, an jede der Elektroden C_L und C_U, um Elektronen von den Elektroden 32 und 33 an bestimmten Positionen zu emittieren, ein Anwählen der Phosphorschichten R, G und B auf punktförmige Weise, was dazu führt, daß das Licht der angewählten Phosphorschichten ein Zeichen oder ein bestimmtes Bild anzeigen.

Fig. 8 zeigt beispielsweise eine Anzeigevorrichtung, bei der das Frinzip einer Fluoreszensanzeigevorrichtung Anwendung findet und bei der das 4. Bauteil, das gemäß den Fig. 3 und 4 konstruiert ist, eingebaut ist.

In der in Fig. 8 gezeigten Anzeigevorrichtung ist ein Paar von invertiert trapezförmigen Elektroden 52 und 53 auf einem isolierenden Substrat 50 durch eine isolierende Schicht 51 hindurch angeordnet, so daß sie parallel zueinander ver laufen. Die Anzeigevorrichtung weist ebenfalls Anoden 56 und 57 auf, welche auf dem Substrat mit Phosphorschichten 54 und 55 angebracht und außerhalb der Elektroden 52 bzw. 53 ange ordnet sind. Die Elektroden 52 und 53 sind mit Spannungsquel len E₁ und E₂ verbunden, so daß Sinuswellen, deren Phasen um 180° zueinander verschoben sind (Fig. 10), oder Rechteckwel len den Elektroden 52 bzw. 53 zugeführt werden. Den Anoden 56 und 57 wird ebenfalls eine Spannung zugeführt, welche positiv gegenüber der der Elektroden 52 und 53 ist.

Die Anzeigenvorrichtung gemäß Fig. 8 wird angesteuert, indem in Fig. 10 gezeigte Sinuswellen an die Elektroden 52 und 53 und ein positives Potential an eine der Anoden 56 und 57 an gelegt wird. Zu einem Zeitpunkt t₁ (Fig. 10) wirkt die rechte Elektrode 53 als Emitter (Fig. 9A), so daß die davon emit tierten Elektronen auf die Phosphorschicht 54 der linken An ode 56 auftreffen. Gleichzeitig trifft ein Teil der Elektro nen auf die linke Elektrode 52 auf, die als ein Gate wirkt, und reinigt diese. Zu einem Zeitpunkt t₂ wirkt die linke Elektrode 52 als Emitter (Fig. 9B) so daß die rechte Anode 57 Elektronen emittiert, wobei die rechte Elektrode 53 gerei nigt wird.

Wie aus der vorhergehenden Beschreibung ersichtlich ist, er möglicht das Bauteil, daß ein Teil der vom Emitter emittier ten Elektronen auf einen anderen Emitter, der für die Emis sion bereit ist, auftreffen, um diesen zu reinigen. Folglich verhindert die vorliegende Erfindung eine Verunreinigung des Emitters infolge von Absorption der darauf befindlichen Gase, wodurch eine gleichmäßige Emission von Elektronen über eine lange Zeitspanne hinaus und auch in einer Tief-Vakuum-Atmo sphäre sichergestellt ist.

Claims

1. Elektronenemittierendes Bauteil, gekennzeichnet durch
eine evakuierte Kammer,
eine Vielzahl von in der Kammer angeordnete Elektroden, wobei die Elektroden als Paar von Elektroden ausgebil det sind, die einen dreieckförmigen Vorsprung aufweisen und die nebeneinander in derselben Ebene angeordnet sind, und durch
eine Vorrichtung zum Anlegen einer Feldemission-Span nung an eine der beiden Elektroden, so daß diese Elek trode als Emitter wirkt und zum Anlegen einer Spannung, die höher als die Feldemission-Spannung ist, an die an dere der Elektroden, so daß diese Elektrode als Gate wirkt, wodurch ein elektrisches Feld abwechselnd zwi schen den Elektroden aufgebaut wird, das die Emission von Feldelektronen ermöglicht.

2. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an die Gate-Elektrode eine Spannung angelegt wird, die gleich der an die Emitterelektrode angelegten Feldemis sion-Spannung ist.

3. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner eine Kollektor-Elektrode aufweist, die be nachbart zum Paar von Elektroden angeordnet ist.

4. Bauteil nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß jede Elektrode des Paars von Elektroden in einer inver tiert trapezartigen Form ausgebildet ist und die Kol lektor-Elektrode so angeordnet ist, daß sie außerhalb der Elektroden auf einem Substrat angeordnet ist und parallel zu diesen verläuft.

5. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Paar von Elektroden doppelkammartig angeordnet ist.

6. Bauteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die doppelkammartig angeordneten Elektroden auf einem ersten Substrat angeordnet sind und eine transparente Elektrode, die als Anode wirkt, auf einem zweiten Sub strat vorgesehen und gegenüber dem ersten Substrat angeordnet ist.

7. Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Elektrode streifenförmig ausgebildet und mit Phosphorschichten von roter, grüner und blauer, fluoreszierender Farbe in Abfolge beschichtet ist.

8. Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Paar von Elektroden durch eine isolierende Schicht hindurch auf dem Substrat angeordnet ist, und daß auf dem Substrat Anoden mit Phosphorschichten angebracht sind, die außerhalb der Elektroden angeordnet sind.

9. Bauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß um 180° phasenverschobene Sinusspannungen oder Rechteckspannungen an die jeweiigen Elektroden angelegt werden, und daß eine Spannung, die gegenüber der der Elektroden positiv ist, an jede der Anoden angelegt wird.