JPH0422038A - 電子放出素子 - Google Patents
電子放出素子Info
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- JPH0422038A JPH0422038A JP2125435A JP12543590A JPH0422038A JP H0422038 A JPH0422038 A JP H0422038A JP 2125435 A JP2125435 A JP 2125435A JP 12543590 A JP12543590 A JP 12543590A JP H0422038 A JPH0422038 A JP H0422038A
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- electron
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界放出型の電子放出素子に関するものである
。本発明の電子放出素子は、各種表示素子、光源、増幅
素子、高速スイッチング素子、センサー等における電子
源として有用である。
。本発明の電子放出素子は、各種表示素子、光源、増幅
素子、高速スイッチング素子、センサー等における電子
源として有用である。
電界放出型の電子放出素子の代表的な構造例である縦型
の構造を第11図に示す。図中100は、不純物か高濃
度にトープされて高伝導率をもつ基板てあり、この基板
100上に形成されたSiO□の絶縁層101中に形成
されたキャピテイ102内には、電子放出部としてMO
からなるエミッタ103か形成されている。さらにこの
エミッタ103を囲んてゲート?Tj M 104とな
るMO薄膜か絶縁層101上に被着されている。
の構造を第11図に示す。図中100は、不純物か高濃
度にトープされて高伝導率をもつ基板てあり、この基板
100上に形成されたSiO□の絶縁層101中に形成
されたキャピテイ102内には、電子放出部としてMO
からなるエミッタ103か形成されている。さらにこの
エミッタ103を囲んてゲート?Tj M 104とな
るMO薄膜か絶縁層101上に被着されている。
この電子放出素子によれば、例えば基板100に対して
ゲート電極104を数10Vから数100vの範囲てバ
イアスすることにより、エミッタ103の先端とゲート
TL棒104間に10 ’ V 、、、’ c m 〜
10 ’ V / c m f)度の電界を生しさせ、
エミッタ103の先端よりトータルとして数100mA
の電子成田を得ることかてきる。
ゲート電極104を数10Vから数100vの範囲てバ
イアスすることにより、エミッタ103の先端とゲート
TL棒104間に10 ’ V 、、、’ c m 〜
10 ’ V / c m f)度の電界を生しさせ、
エミッタ103の先端よりトータルとして数100mA
の電子成田を得ることかてきる。
第12図には、このような電子放出素子を電子源に利用
した従来の表示装置の概略斜視図を示す(特開昭61−
221783号参照)。
した従来の表示装置の概略斜視図を示す(特開昭61−
221783号参照)。
第12図において、絶縁体基板110上には、列111
の方向に沿って複数の導電膜112が設けられ、該導電
膜!12上には円錐形電界放射エミッタ113および絶
縁層114か設けられている。この絶縁層114上て、
且つ行115の方向に沿って複数のグリッド116か設
けられている。このクリット116の円錐形電界放射エ
ミッタ113に対面する位置には孔か設けられている。
の方向に沿って複数の導電膜112が設けられ、該導電
膜!12上には円錐形電界放射エミッタ113および絶
縁層114か設けられている。この絶縁層114上て、
且つ行115の方向に沿って複数のグリッド116か設
けられている。このクリット116の円錐形電界放射エ
ミッタ113に対面する位置には孔か設けられている。
方、透明基板117には、前記絶縁体基板110と対向
する面に、透明導電膜118、蛍光体層119かそれぞ
れへ夕状に積層被着されている。そして絶縁体基板11
0及び透明基板117は、図示しない側面部材とともに
、真空外囲器を構成している。
する面に、透明導電膜118、蛍光体層119かそれぞ
れへ夕状に積層被着されている。そして絶縁体基板11
0及び透明基板117は、図示しない側面部材とともに
、真空外囲器を構成している。
以上の如く構成された表示装置の動作は以下の通っであ
る。
る。
前記透明導電膜118には常時正の電位か印加されてい
る。表示信号に応答して、各列111及び各行115の
導電@112とクリット116間に、所定の電位差を付
与する。該電位差が付与されたグリッド’ 116と断
記円錐形電界放射エミッタ113の間に適当な電界が形
成され1円錐形状の先端部より電子が放出される。該電
子は、グリッド116の孔から放出され、対面する蛍光
体層119に射突し、該蛍光体層119は発光する。
る。表示信号に応答して、各列111及び各行115の
導電@112とクリット116間に、所定の電位差を付
与する。該電位差が付与されたグリッド’ 116と断
記円錐形電界放射エミッタ113の間に適当な電界が形
成され1円錐形状の先端部より電子が放出される。該電
子は、グリッド116の孔から放出され、対面する蛍光
体層119に射突し、該蛍光体層119は発光する。
以上の動作により、表示信号に応した画像が表示される
。
。
第13図は、特開昭64−33833号て開示された電
界放出型電子放出素子の他の構造例である横型の構造図
である。
界放出型電子放出素子の他の構造例である横型の構造図
である。
絶縁基板200上には、中央に突端部201を備えたエ
ミッタ202が設けらゎている。このエミッタ202に
隣接して、前記突端部201に対応する開口部203を
備えたゲート204が設けられている。そして、このゲ
ート204を間にして前記エミッタ202と反対側の絶
縁基板200上には、ゲート204と平行に2次電子放
出電極205か設けられている。
ミッタ202が設けらゎている。このエミッタ202に
隣接して、前記突端部201に対応する開口部203を
備えたゲート204が設けられている。そして、このゲ
ート204を間にして前記エミッタ202と反対側の絶
縁基板200上には、ゲート204と平行に2次電子放
出電極205か設けられている。
ここて、エミッタ202とゲート204の間、及びゲー
ト204と2次電子放出電極205との間にそわそわ所
定の電位差を付与すると、エミッタ202の突端部20
1から放出された電子がゲート204の開口部203を
経て2次電子放出電極205に射突し、この2次電子放
出電極205からは2次電子か放出される。
ト204と2次電子放出電極205との間にそわそわ所
定の電位差を付与すると、エミッタ202の突端部20
1から放出された電子がゲート204の開口部203を
経て2次電子放出電極205に射突し、この2次電子放
出電極205からは2次電子か放出される。
1rlf述し、たような従来の電子放出素子にJ:わば
、密閉気密容器内や低真空度(例えば10−5〜1O−
6Torr)て駆動すると、次にような不都合か生して
いた。即ち、気密容器の場合には、容器内に実装する工
程中てエミッタか汚染してしまう為、エミッション放出
しきい値か高いという問題点かある。また、低真空度の
場合には、ガスを吸着してしまう為、短時間で電子放出
素子の仕事関数か高くなり、エミッション放出効率か低
下したり、しきい値電圧か高くなるという問題かあった
。これらの問題点は、電界放出型の電子放出素子を気密
容器内に実装して応用する場合には特に重要であり、こ
の問題を解決しなけわば、FEカソードを真空気密容器
内に実装した形て使用することは極めて困難となる。
、密閉気密容器内や低真空度(例えば10−5〜1O−
6Torr)て駆動すると、次にような不都合か生して
いた。即ち、気密容器の場合には、容器内に実装する工
程中てエミッタか汚染してしまう為、エミッション放出
しきい値か高いという問題点かある。また、低真空度の
場合には、ガスを吸着してしまう為、短時間で電子放出
素子の仕事関数か高くなり、エミッション放出効率か低
下したり、しきい値電圧か高くなるという問題かあった
。これらの問題点は、電界放出型の電子放出素子を気密
容器内に実装して応用する場合には特に重要であり、こ
の問題を解決しなけわば、FEカソードを真空気密容器
内に実装した形て使用することは極めて困難となる。
請求項1記載の電子放出素子は、複数のエミッタとゲー
トを有する電子放出素子において、ゲート電圧以上の電
圧又は電界電子放出電圧か交互に加えられる一方又は他
方のエミッタを備えたことを特徴としている。
トを有する電子放出素子において、ゲート電圧以上の電
圧又は電界電子放出電圧か交互に加えられる一方又は他
方のエミッタを備えたことを特徴としている。
請求項2記載の電子放出素子は、電界電子放出電圧か与
えられた電極かエミッタとして機能し、これよりも高い
電圧か与えられた電極がゲートとして機能するように、
電界電子放出可能電界か交互に互いの電極間に形成され
る少なくとも一対の電極を有することを特徴としている
。
えられた電極かエミッタとして機能し、これよりも高い
電圧か与えられた電極がゲートとして機能するように、
電界電子放出可能電界か交互に互いの電極間に形成され
る少なくとも一対の電極を有することを特徴としている
。
(作 用〕
請求項!記載の電子放出素子によれば、電界電子放出電
圧か加えられた一方のエミッタからは電子か放出され、
その一部はゲート電圧以上の電圧か加えられている他方
のエミッタに射突してこれをクリーニングする。この作
用か交互に繰返さ耽れば、各エミッタは常に清浄に保た
れる。
圧か加えられた一方のエミッタからは電子か放出され、
その一部はゲート電圧以上の電圧か加えられている他方
のエミッタに射突してこれをクリーニングする。この作
用か交互に繰返さ耽れば、各エミッタは常に清浄に保た
れる。
請求項2記載の電子放出素子によれば、電界電子放出電
圧が加えられた一方の電極かエミッタとして機能し、電
子を放出する。この時、これよりも高い電圧か加えられ
た他方の電極はゲートとして機能し、放出された前記電
子の一部はゲートとしての該電極に射突してこれをクリ
ーニングする。この作用か交互に繰返されれば、エミッ
タとしても機能する各電極は常に清浄に保たれる。
圧が加えられた一方の電極かエミッタとして機能し、電
子を放出する。この時、これよりも高い電圧か加えられ
た他方の電極はゲートとして機能し、放出された前記電
子の一部はゲートとしての該電極に射突してこれをクリ
ーニングする。この作用か交互に繰返されれば、エミッ
タとしても機能する各電極は常に清浄に保たれる。
第1図は、縦型に構成された第1実施例の電界放出型の
電子放出素子1である。
電子放出素子1である。
基板2上に形成されたエミッタ電極3は、対になるよう
に複数に分割しである。1柱4,5は各エミッタ電極2
ごとに設けられたエミッタ、6は絶縁層、7はゲート、
8はコレクタである。
に複数に分割しである。1柱4,5は各エミッタ電極2
ごとに設けられたエミッタ、6は絶縁層、7はゲート、
8はコレクタである。
上記の構成において、分割された一方のエミッタ電極3
に設けられたエミッタ4(又はエミッタ群)か正規の電
界条件で電子e1を放出した時、こむと対を成す他方の
エミッタ5(又はエミッタ群)には少くともゲート7と
同電位以上の正電位か印加されるようにする。そして、
他方のエミッタ5のエミッション時には、一方のエミッ
タ4に前記所定の正電位を与える。
に設けられたエミッタ4(又はエミッタ群)か正規の電
界条件で電子e1を放出した時、こむと対を成す他方の
エミッタ5(又はエミッタ群)には少くともゲート7と
同電位以上の正電位か印加されるようにする。そして、
他方のエミッタ5のエミッション時には、一方のエミッ
タ4に前記所定の正電位を与える。
このように駆動すれば、一方のエミッタ4から放出され
た電子e、か他方のエミッタ5に射突してこれをクリー
ニングし、他方のエミッタ5からの放出電子e2かエミ
ッタ4をクリーニングする。
た電子e、か他方のエミッタ5に射突してこれをクリー
ニングし、他方のエミッタ5からの放出電子e2かエミ
ッタ4をクリーニングする。
ここで、ゲート7に対して負となる半波正弦波を一方の
エミッタ4にかける場合には、他方のエミッタ5に物理
吸着しているガスを脱離させるに十分な電子線衝撃加熱
を与える為、この他方のエミッタ5には少くとも前記ゲ
ート電圧以上の直流又は正の半波正弦波等をかける。
エミッタ4にかける場合には、他方のエミッタ5に物理
吸着しているガスを脱離させるに十分な電子線衝撃加熱
を与える為、この他方のエミッタ5には少くとも前記ゲ
ート電圧以上の直流又は正の半波正弦波等をかける。
エミッタ4.5は、複数に分割されたエミッタ電極3ご
とに少くとも1個以上あればよい。また駆動系統が分割
されたエミッタ(又はエミッタ群)は、2個又は2群以
上あればよい。なお、このような電子放出素子をティス
プレィに用いる場合には、第1図に示したコレクタ8以
外に蛍光体を塗布したアノードを設け、これにコレクタ
電圧以上の正電位を与えるようにした四極管構造てもよ
いし、コレクタ8をアノードに兼用した三極管構造でも
よい。
とに少くとも1個以上あればよい。また駆動系統が分割
されたエミッタ(又はエミッタ群)は、2個又は2群以
上あればよい。なお、このような電子放出素子をティス
プレィに用いる場合には、第1図に示したコレクタ8以
外に蛍光体を塗布したアノードを設け、これにコレクタ
電圧以上の正電位を与えるようにした四極管構造てもよ
いし、コレクタ8をアノードに兼用した三極管構造でも
よい。
第2図は、横型に構成された第2実施例の電界放出型の
電子放出素子10である。
電子放出素子10である。
基板11上には、突端部12を有するエミッタ13.1
4とゲート15.16か、共通のコレクタ17を間に挟
んて対向して配置されている。第1実施例と同様に、一
方のエミッタ13か電子を放出した時、他方のエミッタ
14にゲート電圧以上の正電位を与えておき、放出され
た電子の一部を他方のエミッタ14に射突させてクリー
ニングさせるようにすわば、各エミッタ13.14によ
る交互の電子放出を安定的に行わせることかてきる。
4とゲート15.16か、共通のコレクタ17を間に挟
んて対向して配置されている。第1実施例と同様に、一
方のエミッタ13か電子を放出した時、他方のエミッタ
14にゲート電圧以上の正電位を与えておき、放出され
た電子の一部を他方のエミッタ14に射突させてクリー
ニングさせるようにすわば、各エミッタ13.14によ
る交互の電子放出を安定的に行わせることかてきる。
第3図及び第4図は、横型に構成された第3実施例の電
界放出型の電子放出素子20である。
界放出型の電子放出素子20である。
基板21上には、エミッタ及びゲートとして機能する断
面台形状の電極22.23か尖端縁24を上にして2本
並設されており、その外側にはコレクタ25.26かそ
4それ並設されている。
面台形状の電極22.23か尖端縁24を上にして2本
並設されており、その外側にはコレクタ25.26かそ
4それ並設されている。
各電極22.23に、半波正弦波及びゲート電圧を交互
に印加するか、又は正負の正弦波か各電極22.23に
交互に印加されるように駆動する。このようにすれば、
エミッタとして機能した力の電極22の尖端縁24から
放出さおた電子e1は、一方のコレクタ26に到達する
と共に他方の電極23に射突してこれをクリーニングし
、逆の場合には同様に一方の電極22かクリーニングさ
れる。
に印加するか、又は正負の正弦波か各電極22.23に
交互に印加されるように駆動する。このようにすれば、
エミッタとして機能した力の電極22の尖端縁24から
放出さおた電子e1は、一方のコレクタ26に到達する
と共に他方の電極23に射突してこれをクリーニングし
、逆の場合には同様に一方の電極22かクリーニングさ
れる。
第5図は、横型に構成された第4実施例の電界放出型の
電子放出素子30である。
電子放出素子30である。
基板31上には、エミッタ及びゲートとして機能する2
個1組の電極32.33か入れ千秋に配設されている。
個1組の電極32.33か入れ千秋に配設されている。
各電極32.33にはそれぞれ鋸歯状となるように多数
の突端部34か形成されており、各突端部34は対向す
るようになっている。また、図中35はコレクタである
。
の突端部34か形成されており、各突端部34は対向す
るようになっている。また、図中35はコレクタである
。
第3図及び第4図の第3実施例と同様、本実施例の各電
極32.33にも、半波正弦波及びゲート電圧を交互に
印加し、又は正負の正弦波を交互に印加する。このよう
にすれば、第3実施例と同様の作用効果を得ることがで
きる。
極32.33にも、半波正弦波及びゲート電圧を交互に
印加し、又は正負の正弦波を交互に印加する。このよう
にすれば、第3実施例と同様の作用効果を得ることがで
きる。
第6図は、第5図に示した第4実施例の電子放出素子3
0を、蛍光表示管の原理を用いた表示装置に応用した第
5実施例である。
0を、蛍光表示管の原理を用いた表示装置に応用した第
5実施例である。
この例ては、第4実施例で示した入れ早秋の電極32.
33の組合せか第1基板40上にマトリクス状に配設さ
れており、共通に接続されて引出された各一方の電極C
Lに駆動信号が与えられ、同しく各他方の電極CUに同
期した駆動信号か与えられてマトリクス内の任意のエミ
ッタを選択てきるようになっている。なお、選択中のエ
ミッタには、第7図に示す信号か印加される。
33の組合せか第1基板40上にマトリクス状に配設さ
れており、共通に接続されて引出された各一方の電極C
Lに駆動信号が与えられ、同しく各他方の電極CUに同
期した駆動信号か与えられてマトリクス内の任意のエミ
ッタを選択てきるようになっている。なお、選択中のエ
ミッタには、第7図に示す信号か印加される。
また、本例では、第4実施例のコレクタ35のかわりに
、電極32.33か設けられた第1基板40に対向する
透明な第2基板41上に、アノードとして透明電極42
か設けである。透明電極42は帯状であり、赤、緑、青
に発光する蛍光体R,G、Bかそれぞれ2本おきに被着
されている。
、電極32.33か設けられた第1基板40に対向する
透明な第2基板41上に、アノードとして透明電極42
か設けである。透明電極42は帯状であり、赤、緑、青
に発光する蛍光体R,G、Bかそれぞれ2本おきに被着
されている。
上記の構成において、各電極CL、Cuに適切なタイミ
ングて第7図に示すような信号を印加して所望の位置に
ある電極32.33がら電子を放出させれば、第2基板
41の透明電極42に設けられた各蛍光体R,G、Bを
ドツト状に選択して発光させることかてき、任意の文字
・図形を表示させることがてきる。この例ても、選択さ
れた各電極32.33においては、正負の相反する駆動
信号か交互に印加されることにより、電子の射突による
クリーニング効果を得ることかできる。
ングて第7図に示すような信号を印加して所望の位置に
ある電極32.33がら電子を放出させれば、第2基板
41の透明電極42に設けられた各蛍光体R,G、Bを
ドツト状に選択して発光させることかてき、任意の文字
・図形を表示させることがてきる。この例ても、選択さ
れた各電極32.33においては、正負の相反する駆動
信号か交互に印加されることにより、電子の射突による
クリーニング効果を得ることかできる。
第8図は、第3図及び第4図に示した第3実施例の電子
放出素子20を、蛍光表示管の原理を用いた表示装置に
応用した第6実施例である。
放出素子20を、蛍光表示管の原理を用いた表示装置に
応用した第6実施例である。
この例では、絶縁基板50上に絶縁層51を介して一対
の逆台形状の電極52.53が並設されており、各電極
52.53の外方には、蛍光体層54.55を有す−る
アノード電極56.57かそわそわ配設されている。
の逆台形状の電極52.53が並設されており、各電極
52.53の外方には、蛍光体層54.55を有す−る
アノード電極56.57かそわそわ配設されている。
各電極52.53には、第10図に示すような180°
位相かずれた正弦波又は図示しない矩形波か印加される
ーように電源E、、E2か接続されている。また、両ア
ノード電極56.57には、画電極52.53に対して
正の電圧か選択的に印加されるよになっている。
位相かずれた正弦波又は図示しない矩形波か印加される
ーように電源E、、E2か接続されている。また、両ア
ノード電極56.57には、画電極52.53に対して
正の電圧か選択的に印加されるよになっている。
上記の構成において、各電極52.53に第10図のよ
うな正弦波を印加すると共にアノード電極56.57の
一方に正電位を与える。第10図における1=1.ては
、第9図(A)に示すように、右側の電極かエミッタと
して機能し、表示信号か与えられた左側のアノード56
の蛍光体層54に電子か射突すると共に、ゲートとして
機能している左側の電極52に電子の一部か射突してこ
れをクリーニングする。第10図におけるt=t2ては
、第9図(B)に示すように、逆に左側の電極52かエ
ミッタとなり、右側のアノード57か点灯するとともに
右側の電極53かクリーニングされる。
うな正弦波を印加すると共にアノード電極56.57の
一方に正電位を与える。第10図における1=1.ては
、第9図(A)に示すように、右側の電極かエミッタと
して機能し、表示信号か与えられた左側のアノード56
の蛍光体層54に電子か射突すると共に、ゲートとして
機能している左側の電極52に電子の一部か射突してこ
れをクリーニングする。第10図におけるt=t2ては
、第9図(B)に示すように、逆に左側の電極52かエ
ミッタとなり、右側のアノード57か点灯するとともに
右側の電極53かクリーニングされる。
〔発明の効果)
本発明の電子放出素子によりば、エミッタから放出され
た電子の一部か、エミッション状態にない他のエミッタ
に射突してこれをクリ一二ンクするようにしているのて
、ガス吸着による電界放出エミッタの汚染が防止され、
表示管等の気密容器のような低真空雰囲気においても長
期間安定したエミッション放出を行えるという効果かあ
る。
た電子の一部か、エミッション状態にない他のエミッタ
に射突してこれをクリ一二ンクするようにしているのて
、ガス吸着による電界放出エミッタの汚染が防止され、
表示管等の気密容器のような低真空雰囲気においても長
期間安定したエミッション放出を行えるという効果かあ
る。
第1図は本発明の第1実施例を示す断面図、第2図は同
第2実施例を示す斜視図、第3図は同第3実施例の側面
図、第4図は同斜視図、第5図は同第4実施例の平面図
、第6図は同第5実施例の構成を示す模式図、第7図は
第6図における選択中のエミッタに印加する信号の波形
図、第8図は同第6実施例の構成を示す断面図、第9図
(A)、第9図(B)はそれぞれ同実施例における作用
を示す断面図、第10図は同実施例て電極に与える信号
の波形図、第11図は縦型の電界電子放出素子の断面図
、第12図は縦型の電界電子放出素子を用いた表示装置
の構造説明図、第13図は横型の電界電子放出素子の斜
視図である。 1.10,20.30・・・電子放出素子、4.5.1
3.14−・・エミッタ、 7.15.16・・・ゲート、 22.23,32,33,52.53−・・電極。 特許出願人 双葉電子工業株式会社 代理人・弁理士 西 村 教 先竿 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図(A) 第 図(B) 第101 第 図 第12 IXl 第 13図
第2実施例を示す斜視図、第3図は同第3実施例の側面
図、第4図は同斜視図、第5図は同第4実施例の平面図
、第6図は同第5実施例の構成を示す模式図、第7図は
第6図における選択中のエミッタに印加する信号の波形
図、第8図は同第6実施例の構成を示す断面図、第9図
(A)、第9図(B)はそれぞれ同実施例における作用
を示す断面図、第10図は同実施例て電極に与える信号
の波形図、第11図は縦型の電界電子放出素子の断面図
、第12図は縦型の電界電子放出素子を用いた表示装置
の構造説明図、第13図は横型の電界電子放出素子の斜
視図である。 1.10,20.30・・・電子放出素子、4.5.1
3.14−・・エミッタ、 7.15.16・・・ゲート、 22.23,32,33,52.53−・・電極。 特許出願人 双葉電子工業株式会社 代理人・弁理士 西 村 教 先竿 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図(A) 第 図(B) 第101 第 図 第12 IXl 第 13図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数のエミッタとゲートを有する電子放出素子にお
いて、ゲート電圧以上の電圧又は電界電子放出電圧が交
互に加えられる一方又は他方のエミッタを備えた電子放
出素子。 2、電界電子放出電圧が与えられた電極がエミッタとし
て機能し、これよりも高い電圧が与えられた電極がゲー
トとして機能するように、電界電子放出可能電界が交互
に互いの電極間に形成される少くとも一対の電極を有す
る電子放出 素子。
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FR9106002A FR2662301B1 (fr) | 1990-05-17 | 1991-05-17 | Element emetteur d'electrons. |
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- 1991-05-17 FR FR9106002A patent/FR2662301B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-17 KR KR1019910008061A patent/KR950007673B1/ko not_active IP Right Cessation
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