JPS61221783A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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JPS61221783A
JPS61221783A JP60165606A JP16560685A JPS61221783A JP S61221783 A JPS61221783 A JP S61221783A JP 60165606 A JP60165606 A JP 60165606A JP 16560685 A JP16560685 A JP 16560685A JP S61221783 A JPS61221783 A JP S61221783A
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cathode
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/15Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen with ray or beam selectively directed to luminescent anode segments
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    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
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    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123Flat display tubes
    • H01J31/125Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group

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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ1発明の背景 本発明は電界放出で励起される陰極線ルミネセンスによ
る表示装置に係る。特に、静止せる像又は絵画の表示を
可能ならしめる簡単なディスプレーの製造に係り、又テ
レビジョン画像など動く絵のディスプレーを可能ならし
める合成多重送信型スクリーンの製造に係る。
陰極線ルミネセンス表示装置は周知のものであり、熱電
子放出を利用する。この装置の詳細構造は第1図に概略
的に示されているように、陰極線発光物質又は蛍光物質
2を被覆し絶縁支持体4上に平行列をなして配置した複
数個の陽極と、加熱時エレクトロンを放出できかつ隙楊
として働く複数本のフィラメント6とより構成されてお
り、これらのフィラメントは陽極に平行な列状に配され
ている。複数個のグリッド8が陽極とフィラメントの間
に置かれ平行な行に配され、これらの行はライン又は列
に対して直角である。これら陽極、フィラメント及びグ
リッドにより構成される装置は透明箱又はケーシング1
0内に露出されており、ケーシングは支持体4にシール
接続されている。
加熱されると、フィラメント6は電子を放出し、フィラ
メントとグリッド及び陽極の適宜極性形成によりそのフ
ィラメントから放出された電子が陽極に衝突することが
でき、陽極は光放出を受ける。
陽極の列とグリッドの行をマトリックスアドレッシング
することにより透明ケーシング10を通して見える像又
は画を作り出すことが可能である。
このような表示装置には、その形成可能な像の鮮明度が
高品位ではなく装置そのものは製造上複雑をきわめ、し
かもフィラメント加熱の必要上電力消費が大きいという
欠点がともなっている。
電界効果による電子放出の原理も又周知のものであり、
これは「電界放出」又は「冷陰極放出」とも呼ばれる。
この原理は視覚表示とは係りない用途に既に使用されて
いる。第2図に概略図示するように、陰極として働く金
属ポイント12が支持体14上におかれ全体として頁空
に形成され、金属ポイントとこれに向かい合った位置の
陽極16との間に適正電圧がかけられるとポイント状の
陰極から電子が放出される。
O0発明の要約 本発明の目的は、前述の如き原理による電界放出利用の
表示装置を提案することによる既述の欠点を除くことで
ある。
特に、本発明は、それぞれvA糧線ルミネセンス陽極と
電子を放出できる陰極を有する複数個の要素的パターン
で構成される表示装置に係り、各陰極には陰極が対応す
る陽極に対しマイナスになった時電界効果による電子放
出を受ける複数個の電気的に相互接続せる微小ポイント
が含まれ、電子は陽極に衝突し次に陽極は光放出を受け
る構成になっている。それぞれの陽極は対応する陰極に
集積ができ電気的には陰極と絶縁している。
事実、電子放出は一定の成極限界値を超えた場合にだけ
大きくなり、それ以下だと放出は低く従って得られる光
の量は小さいことになる。
このようにして、要素的パターンを適宜成穫することに
よる全体の光像を得ることが可能である。
さまざまな成極形成を一定時間にわたり一定に保つ時、
得られる像は固定しているが、又一定時間にわたる成極
形成を適宜に変えることにより動く像又は絵画を得るC
とも可能である。
本発明により、前述の公知装置と同様に低電圧の下で作
動する平面スクリーンを得ることが可能となる。しかし
ながら、本発明による装置で得られる画像ははるかに良
好な鮮明度をもっている。
従って、きわめて小さい微小ポイントを平方履当たり2
,3万個の割でこれを作ることが可能であり、これによ
りきわめて小さい面をもつ要素的陰橋を作るのが可能と
なり、その結果非常に小さい陰極線ルミネセンス陽極を
励起することが可能である。
更に、本発明による装置の場合加熱を要せざる冷線極が
用いられるので上述の先行技術による装置より電力消費
がはるかに低い。
要素的パターンに相当する陰極の表面はそのパターンの
陽極の表面に等しいかもしくはそれ以下である。平方履
当たり多数個の微小ポイントを作り出すのが可能なので
、それぞれの陽極をきわめて多数個の微小ポイントによ
り励起することが可能である。要素的パターンの光放出
は全部の対応する微小ポイントの平均放出特性に対応す
る。若し少数個の微小ポイントが機能しない場合、この
平均特性はほぼ変わらずに保たれ、これは本発明の重要
な利点を構成する。
本発明による装置の特別実施例によれば、パターンにそ
れぞれ関連する複数個の電導性グリッドも含まれ、それ
ぞれのグリッドは陽極と対応する陰極との間に位置し、
陰極から電気的に絶縁され、陰極に対しプラスに成極さ
れ陽極に対してはマイナスに成極され又は陽極の電位に
上げられるように構成されている。
構造により、陽極はグリッドとしても機能できるように
形成される。
本発明の装置のもう一つの実施例によれば、各陽極は対
応する陰極に向かい合う透明な支持体上におかれる。
別の実施例によれば、それぞれの陽極は対応する陰極に
集積結合されそれから電気的に絶縁され、それぞれの陰
極の微小ポイントは対応する陽極の全面をカバーしてい
る。換言すれば、これら微小ポイントにより占められる
面がwA極で占められる面上に突起する度合いはほぼ陽
極に合致する。
更に別の実施例によると、それぞれの陽極は対応する陰
極に集8!I結合されそれから電気的に絶縁されており
、それぞれのパターンの微小ポイントはIliの活動部
分から切離された同−域にグループ化されている。換言
すれば、陽極より見ると微小ポイントで占められる領域
と陽極の陰極線ルミネセンス域は別々である。
上記2つの実施例において本発明装置が既述のグリッド
を有する場合グリッドもそれぞれ対応する陰極に集積結
合され対応する陽極から電気的に絶縁することができる
この場合、もしくはそれずれの陽極が対応する陰極に向
かい合った透明支持体上におかれるような場合、それぞ
れの陽極は陰極線ルミネセンス物質と対応する陰極に面
する電導性フィルムをルミネセンス物質上においた層、
又は電導性かつ透明な被覆材とこの被覆上においた陰極
線ルミネセンス物質の被覆材を対応陰極に而して形成し
て有す。
本発明の特別な実施例の場合、それぞれの陽極は電導性
陰極線ルミネセンス物質の被覆材を有することができる
前述の2つの実施例即ちそれぞれの陽極が対応する陰極
に集積結合されている場合、既述のグリッドが使用され
るとき、それぞれのグリッドも対応する陰極に集積され
、それぞれの陽極は対応するグリッドの電位又はプラス
のグリッドの電位より高い電位に上げられた陰樵線ルミ
ネセンス物質を有している。
問題の2つの特別実施例の場合1本発明装置は陽極に面
する薄く透明な電極を透明支持体上に設けてなることも
できる。
前述のグリッド使用の本発明の一実施例によれば、陰極
は互いに平行な列にそいグループ化されており、同じ列
の陰極は電気的に相互接続され、グリッドは列に直角な
平行な行にそってグループ化され、同じ列のグリッドは
電気的に相互接続され、装置には又この行列の7トリツ
クスアドレツシングを行うためのエレクトロニックコン
ト0−ル装置が設けられている。それぞれの陽極及びこ
れに対応するグリッドが電気的絶縁性の被覆材により分
離された時は、lt極の全部は電気的に相互接続がで−
きる。
最後に、上記の2つの実施例のいずれか1つに相当し陽
極のそれぞれが対応陰極に集積結合され陽極は又それぞ
れグリッドの機能を果たすべく陰極線ルミネセンス及び
電導性の両方を具えもしくはグリッドが設けられそれぞ
れ対応する陽極に電気的に接続されているような他の特
別実施例によれば、陰極は平行な列にそいグループ化さ
れ同じ列の陰極は電気的に相互接続され陽極ならびに陽
極に任意に関連するグリッドは列と直角な平行な行に集
められ、同じ行のグリッドは電気的に相互接続され同じ
行の陽極も父方いに電気的に接続され、装置には又行と
列のマトリックスアドレッシングを実施するためのエレ
クトロニックコントロール装置が設けられている。
集積技術により陰極及びグリッドを得る可能性により、
本発明による装置を既述の公知表示装置の場合に比べよ
り簡単な方法で製作することが可能となる。
更に、後にあげたものは陽極・グリッド装置のマトリッ
クスアドレッシングの使用によりコントロールされるこ
とが判明している。既述の如く、ある特定の構造の場合
本発明による装置は、本発明における陰極の応答時間が
きわめて迅速なので陰極及びグリッドのマトリックスア
ドレッシングを行うことによりコントロールすることが
できる。
このため上述の従来の表示装置に比較して本発明による
装置の構造が更に容易となる。
ハ、好適実施 の詳細な説明 第3図に本発明による装置上に形成した要素的パターン
の特別実施例を概略図示している。本例においては、そ
れぞれの要素的パターンは対応する陰極に向かい合う低
電圧励起可能の隘極線ルミネセンス発光被陰極を有し、
この発光体の被覆材はその励起と反対の側から観察され
る。
詳しく述べると、この第3図に概略図示せる実施例の場
合、要素的パターンはそれぞれ陰極18と電極線ルミネ
ンス発光体陽v&20をもっている。
陰極18は電導性被覆材24上に形成した複数個の電導
性微小ポイント22を有し、被i材24自体は電気的に
絶縁体の基板26上に付着されている。被覆材24は電
導体でなく半導体のものでも良い。
微小ポイント22は電気的に絶縁体の被覆材28により
互いに切り離されている。それぞれの要素的パターンに
は又グリッド30が含まれる。
グリッドは絶縁被覆材28上におかれた複数個の電導性
被覆材32より構成されており、絶縁被覆材28はほぼ
同一の厚みを有し、この厚みはそれぞれの微小ポイント
の頂点がグリッド30を形成する電導性被覆材32とほ
ぼ同じレベルになるように選ばれている。
陽極20は透明平面状の支持体36上に付着された低電
圧励起可能の陰極線ルミネセンス発光体の被覆材34が
これに平行のグリッド30に向かい合って位置しており
、発光体被覆材34はグリッドに直接向かい合う支持体
の面上に付着されている。又、陽極20には陰極線ルミ
ネセンス発光体被覆材34上に付着された電導体の薄膜
38があり、これはグリッド30に直接向かい合ってい
る。グリッド30は微小ポイントに向かい合う穴より穴
あけされた連続状被覆材の形態をとることができる。同
様に、絶縁被覆材28は微小ポイントで横切られた穴に
より穴あけされた単一の連続状被覆を形成することがで
きる。
一例として述べると、基板26は硝子より作られ、被覆
材24はアルミニウムかシリコンより作られる。微小ポ
イント22はランタンへキサポライド又はニオブ、ハフ
ニウム、シリコニウム及びモリブデンの群から選んだ金
属より作られる。発光体被覆材34は硫化亜鉛又は硫化
カドミュウムよりなる。透明支持体36は硝子より作ら
れ、電導性被覆材38はアルミニウム又は金より作られ
、絶縁被覆材28はシリカより作られ、グリッド30は
ニオビウム又はモリブデンより作られ、微小ポインi〜
は円錐形状をしておりその底部直径は約2ミクロンで高
さは約1.7ミクロンである。
グリッドの厚みは0.4ミクロンでそのもっている穴の
直径は約2ミクロンである。最後に、電導薄膜38は約
50から100オングストローム(50−100X 1
0’Cm)の厚みをもつ。
実際には、一枚のガラス基板26と一枚の透明ガラス支
持体36が要素的パターンのすべてに使用され、パター
ン要素が後述の方法で製作される時陽橘と陰極との間に
真空が形成され、基板26と透明支持体36はシール形
成で相互接続されている。
要素的パターンは陽極、グリッド及び陰極の同時成極に
より励起される。この中の1つ例えばグリッドは基準電
位として用いられアースされる。
陽極はグリッドの電位に上げられ、もしくは電圧供給部
40によりグリッドに対しプラスの極性を与えることが
できる。陰極は電圧供給部42を利用しグリッドに対し
マイナスの極性を与えられる次に要素パターンのそれぞ
れのポイントが電子を放出しこれにより発光体被覆材が
励起され、この際電導性液i1 u 38は電子をスト
ップさせないよう出来るだけ薄く作られており、この励
起された発光体被覆材は光を放出し光は透明支持体36
を通して観察ができる。グリッドと陰極との間の約10
0ボルトという低電圧により微小ポイント当たり数マイ
クロアンペアの電子流が得られ、従って平方姻当たり非
常に多数個(数万個)の微小ポイントを有する完全な全
パターンに対し平方順当たり数ミリアンペアなる電子流
密度が得ることが可能となる。
第4図の変更例の場合、電導性被覆材はもはや微小ポイ
ントに向かい合わず、その代りに透明支持体36と発光
体被覆材340間におかれ、そこで発光体被覆材は直接
微小ポイントに向かい合っている。この場合、電導体薄
膜38は発光体の光放出を透すように選ばれる。このた
め、薄膜38は例えば錫ドープの酸化インジウム被覆材
である。
第5図による更に他の変更例においては、電導体薄膜3
8は省略され、透明支持体36上に付着された発光体被
覆材34が電気的に導体になるように選ばれる。この目
的のため、亜鉛ドープの酸化亜鉛被覆材などが使用され
る。
もう一つの特別実施例の場合、発光体はグリッド上に(
被覆材の挿入を除いて)付着され、陰極とグリッド及び
陽極より形成された装置体が同一の基板上に集積統合さ
れ、発光体はその励起する側から観察され、これにより
発光体を通ずる通路に帰因しかつ第3図、第4図及び第
5図の実施例において発生するような光の損失を無くす
ことが可能となる。
更に詳述すると、第6図に概略図示せる要素的パターン
の別の実施例において、陰極18には微小ポイント22
が電導性被覆材24上に設けられ、被覆材は絶縁基板2
6上に付着され、微小ポイントはグリッド30が付着し
ている電気的に絶縁性の被覆材28により分離されてい
る。
電気絶縁性波144例えばシリカよりなる被覆材がグリ
ッド被覆材30上に付着され、グリッド被覆材に形成し
た孔に相当する孔を有し、微小ポイント22が現われて
いる。
陽極2oには例えば金やアルミニウムなどの電導性被覆
材39が絶縁被覆材44上に付着され、又発光体被覆材
34が電導性被覆材39上に付着されて設けられている
。当然ながらこれら被覆材34.39には微小ポイント
22が現われるよう孔37があり、この被覆材の積み重
ねより得られる複合被覆材は孔あけ微小ポイントの出現
を可能ならしめる被覆材を構成している。
更に、これらの微小ポイントは、その占める面が発光性
被覆材の占める面とほぼ合致し発光体被覆材の観察時微
小ポイントによりカバーされて見えるように規則正しく
分布されるのが好ましい。
透明支持体36はこれと平行な発行体液覆材34に向か
い合って位置し基板との間にいったん真空が形成された
後この基板26に密封接続される。
既述の如く、陽極は電圧供給部40によりグリッドと同
じ電位もしくはグリッドに対してプラスの電位に上げる
ことができ、他方陰極は電圧供給部42によりグリッド
に対しマイナスの電位に上げられ、グリッドは基準電位
として見做されアース接続されている。
これらの状態の下で、それぞれの微小ポイント22は電
子を放出しこの電子は当該ポイントに相当する孔を通り
抜は通路を発光体被覆材34の方向に曲げられその結果
電子は発光体被覆材に衝突し、そこで被覆材により光が
放出されこの光は透明支持体36を通して観察すること
ができる。
図示省略の実施例では、発光体被覆材34は直接絶縁被
覆材44上に付着され、次に電導被覆材39が発光体被
1!134上に付着され、この発光体被覆材で放出され
る光に透明なように選ばれる。
第7図のもう一つの変更例の場合、電導性被覆材39は
省かれ発光体被覆材34が直接絶縁被覆材44上に付着
され、発光体被覆材は電導性のものに選ばれる。
第8図に概略図示せるもう一つの変更例においては、絶
縁性被覆材44は省かれ発光体被覆材34が直接グリッ
ド被覆材30上に付着され、グリッド電位に上げられ、
電圧供給部46によりグリッドに対しマイナスに陰極を
上げることにより要素パターンの励起が行われるもので
あり、グリッドはアース接続されている。
第9図に概略図示せる変更例の場合、グリッドは省かれ
電気的に伝導性を示すよう選んだ発光体被覆材34が又
グリッドとして働く。そこで陰極がアース接続された発
光体被覆材に対しマイナス電位に上げられる。
陽極と陰極が同一基板上に集積されている場合に相当す
る特別実施例においては、電導性の透明被覆材48(第
7図)が陽極20に直接向かい合うように透明支持体3
6の面上に付着されている。
この電導性の透明支持体48は浮動状態に保ったり又は
電圧供給部50(第10図)により微小ポイントの放出
電子に対し反発電位に上げることができる。
第11図は要素的パターンのもう一つの実施例を概略図
示せるもので、陽極とグリッド及び陰極が同一基板上に
集積されている場合に相当する既述の実施例と比べた唯
一の相違点は、微小ポイント22が発光体被覆材34上
方より見て被覆材34全体をカバーするように現われて
はいないことある。この場合:微小ポイントは同じ領域
に集結されている。第11図の実施例によると、微小ポ
イントは電導性被覆材24上の同一領域64内に配室さ
れ、被覆材自体は絶縁性基板26上に付着されている。
絶縁性被覆材28は電導性被覆材24上に付着され、一
方微小ポインドは互いに切り離され微小ポイントに相当
する孔のあるグリッド被覆材30は絶縁被1iic42
8上に付着され、発光体被覆材34が微小ポイントの集
中した領域上方を除いてグリッド被覆材上に付着されて
おり、グリッドと同じ電位に上げられる。(第8図の説
明に述べた如く。) 変更例として、絶縁性被覆材28上に孔あきのグリッド
被覆材を付着せしめ次いでもう一つの絶縁被覆材を上記
領域64を除いてグリッド被覆材上に付着せしめ、最後
に上記もう一つの絶縁被覆材上に陽極として動く適宜合
成の被覆材を付着させることが可能であり、陽極液N林
は発光体被覆材に関連する電導性の被覆材により構成さ
せたり(第6図について述べた如く)もしくは単に電導
性の発光体被覆材で構成させる(第7図について述べた
如く)。
もう一つの変更例によると、陽極及びグリッドの両方の
働きを行い微小ポイントに相当する孔を明けた電導性発
光被覆材を絶縁性被覆材28上に付着せしめることも可
能である。
当然ながら、透明支持体36は陽極に向かい合う位置に
保たれ、選択的に電導性被覆材が設けられ既述のように
浮動状態に保たれるかもしくは適宜電位に上げられる。
第8図は本発明による表示装置の特別実施例を概略図示
しており、この場合要素的パターンは第3図の説明によ
り作り出され第4図及び第5図で述べた変更が可能であ
る。更に、陰極は平行列52に従い集められ同一の絶縁
性基板26上に形成されている。更に、各列において陰
極は連続状即ち1つの陰極から他の陰極に移るのに妨げ
がないように構成されている。
グリッドは列52に直角な平行の行54にそってグルー
プ化されている。各行において、グリッドは連続即ち隣
合ったグリッド間には妨げがないよう構成されている。
微小ポイントは2つの行を分ける空隙に相当するどんな
領域においてもなんら有用な働きを示さない。
更に、陽極は単一の発光体被覆材34を電導性でない時
車−の電導性被覆材38に関連するように構成された連
続系を形成し、上記の2つの被覆材は一枚の透明支持体
36上に付着される。被覆材38の特性は第3図及び第
4図の説明で上記被覆材の状態の函数として述べた。従
って、それぞれの要素的パターン56は1本の列と1本
の行の交差に相当する。
第12図に示す表示装置には又各列及び各行のマトリッ
クスアドレッシングを行うためのエレクトロニックコン
トロール装置が設けられている。
かかる装置は静止画像を得たい場合及び動く画像が慾し
い場合の両方で当業分野では周知のものである。
それぞれの要素的パターンに対し、プラスの開始電圧V
Sを追える電位差がグリッドと当該パターンの陰極との
間にがかる時電界放出が主に行ねれ、パターンの陽極は
グリッドの電位に少なくとも等しい電位に上げられる。
静止又は動く画像を形成するため、下記の操作が最初の
列に対し次いで第2の列に対し以下その順に最終列に対
し実施される。問題の列を電位−V/2に上げ(電位■
は■8に等しいかそれより大きくかつ2V6より小さい
)他方その他全部の列は浮動にまかせもしくはゼロ電位
に上げ、これはエレクトロニック装置の一部を構成する
第1装置58により行われ、同時に、問題の列上の励起
されるべき要素的パターンに対応する行のすべ■ でか電位 /2に上げられ他方その他の行は浮動にまか
しもしくはゼロ電位に上げ、これはエレクトロニック装
置の一部を構成する第2装置60により行われ、陽極は
適当な電圧供給部62により少なくともv/2に等しい
電位に保たれる。
又、要素的パターンを第6図から第10図について述べ
た要領で形成することにより本発明による装置を作り出
すことも可能である。この場合、各列は既述のように形
成され、陽極はそれらが関連するグリッドに電気的に接
続するか又はグリッドとして働く時打にそい配置され、
同一行の陽極分離されない。
陽極とグリッドが絶縁被覆材で分離されている時装置の
陽極全部は電気的に相互接続することができる。
そこで、既述のものと同じエレクトロニツクストリック
スアドレッシング装置を用いることが可能である。この
場合、各行において陰極極が対応するグリッドから電気
的に絶縁せねばならぬ時この陽極は少なくともv/2に
等しい電位に一定に保たれる。
本発明による装置のもう一つの特別実施例を第11図に
示す。この例に含まれる要素的パターン61のそれぞれ
には第11図について既述したように微小ポイントが同
一領域64内に集められている。陰極は平行列52に集
められ、陽極はそれらが関連するグリッドに電気的に接
続するか又はグリッドとして働く時は既述の如く相互に
平行にして列に直角な行54にそいすべての可能なグリ
ッドと共に一緒に集められる。列と行の交差は中心に上
記領域64の配置された要素的パターンに相当する。第
11図の表示装置は第12図に対して述べた装置と同じ
ようにコントロールされる。
当然ながら、絶縁基板26と透明支持体36は要素的パ
ターンの全部に共通なものである。陽極及びグリッドが
絶縁被覆材により分離される時は、装置の陽極のすべて
は電気的に相互接続ができる。
電導性被覆材24上に絶縁被覆材28による切り離しに
よる微小ポイント22の形成は5業分野には周知であり
、スタンフォード研究状のスビンツ(Spindt)に
より(視覚表示に係りない応用として)研究されている
。第11図及び第12図に示す装置の生産には既知のマ
イクロエレクトロニックエ法が用いられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は熱電子放出により励起される陰極線ルミネセン
スによる既知の表示装置の概略図、第2図は電界放出原
理を示す概略図、 第3図は本発明による表示装置上に設けた要素的パター
ンの二実施例を示す概略図、 第4図及び第5図は本発明に用いられる陰極線ルミネセ
ンス陽極の特殊例を示す概略図、第6図と第7図、第8
図及び第9図は本発明による装置に用いられる要素パタ
ーンの更に別の特殊例を示す概略図で、同一の要素パタ
ーンの陰極とグリッド及び陽極は同一基板上に集積され
ており、第9図の溝では陽極がグリッドの動きを兼ねて
おり、 第10図は陰極線ルミネセンス陽極に向かい合う薄い透
明電極を用いた本発明の更に他の特殊実施例を示す概略
図、 第11図は同一の要素的パターンの微小ポイントが同一
の分野又は領域に集められている本発明装置の特殊実施
例を承り概略図、 第12図は同じパターンの微小ポイントが対応するグリ
ッドの完全表面を「カバー」する更に他の特殊実施例を
示す概略図である。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)それぞれ陰極線ルミネセンス陽極と電子を放出で
    きる陰極を有する複数個の要素的パターンを包含し、そ
    れぞれの陰極は、該陰極が対応する陽極に対しマイナス
    に成極された時電界効果による電子放出を受ける複数個
    の電気的に相互接続せる微小ポイントを包含し、電子は
    陽極に衝突し該陽極は光放出を受け、かつ、それぞれの
    陽極は対応する陰極に集積されそれより電気的に絶縁さ
    れている表示装置。
  2. (2)それぞれパターンに関連する複数個の電導性のグ
    リッドをも包含し、それぞれのグリッドは対応する陰極
    に集積され、陰極と対応陽極の間におかれ、該陰極から
    電気的に絶縁され、陰極に対しプラスに成極され、かつ
    陽極に対しマイナスに成極されもしくは陽極の電位に上
    げられるように企図されている特許請求の範囲第1項に
    よる表示装置。
  3. (3)それぞれの陰極の微小ポイントは対応する陽極の
    完全面をカバーする特許請求の範囲第1項による表示装
    置。
  4. (4)それぞれのパターンの微小ポイントは陽極の活動
    部分により切り離された同一領域に集められている特許
    請求の範囲第1項による表示装置。
  5. (5)それぞれのグリッドも対応する陽極から電気的に
    絶縁されている特許請求の範囲第2項による表示装置。
  6. (6)それぞれの陽極は陰極線ルミネセンス物質の被覆
    材と該被覆材上におかれ対応する陰極に向かい合う電導
    性の薄膜を包含する特許請求の範囲第5項による表示装
    置。
  7. (7)それぞれの陽極は電導性にして透明な薄膜と該薄
    膜上におかれた陰極線ルミネセンス物質を対応する陰極
    に向かい合つて包含する特許請求の範囲第5項による表
    示装置。
  8. (8)それぞれの陽極は電導性陰極線ルミネセンス物質
    を包含する特許請求の範囲第1項による表示装置。
  9. (9)それぞれの陽極は対応するグリッドの電位もしく
    は該グリッドの電位より高い電位に導かれた陰極線ルミ
    ネセンス物質の被覆材を包含する特許請求の範囲第2項
    による表示装置。
  10. (10)薄く透明な電極をも透明支持体上の陽極に向か
    い合つて包含する特許請求の範囲第1項による表示装置
  11. (11)陰極は平行列にそい集められ、同じ列の陰極は
    電気的に相互接続され、グリッドは列に直角な平行な行
    にそい集められ、同じ行のグリッドは電気的に相互接続
    され、かつ装置には列と行のマトリックスアドレッシン
    グを行うためのエレクトロニックコントロール装置も包
    含される特許請求の範囲第2項による表示装置。
  12. (12)陰極は平行列にそつて集められ、同じ列の陰極
    は電気的に相互接続され、陽極は互いに平行にして列に
    直角な行にそつて集められ、同じ行の陽極も電気的に相
    互接続され、かつ装置には列と行のマトリックスアドレ
    ッシングを行うためのエレクトロニックコントロール装
    置も包含される特許請求の範囲第8項による表示装置。
  13. (13)陰極は平行列にそつて集められ、同じ列の陰極
    は電気的に相互接続され、陽極及びグリッドは列に直角
    な行にそつて集められ、同じ行のグリッドは電気的に相
    互接続され、同じ行の陽極も電気的に相互接続され、か
    つ装置には列と行のマトリックスアドレッシングを行う
    ためのエレクトロニックコントロール装置も包含される
    特許請求の範囲第9項による表示装置。
  14. (14)それぞれの陽極は電導性にして陰極線ルミネセ
    ンス物質の被覆材を包含し、陰極は平行列にそい集めら
    れ、同じ列の陰極は電気的に相互接続され、陽極及びグ
    リッドは互いに平行にして列に直角な行にそい集められ
    、同じ行のグリッドは電気的に相互接続され、同じ行の
    陽極も電気的に相互接続され、かつ装置には列と行のマ
    トリックスアドレッシングを行うためのエレクトロニッ
    クコントロール装置も包含される特許請求の範囲第2項
    による表示装置。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63105437A (ja) * 1986-10-22 1988-05-10 Canon Inc 画像形成装置
JPS63237340A (ja) * 1987-03-26 1988-10-03 Canon Inc 表示装置
JPS63236240A (ja) * 1987-03-24 1988-10-03 Canon Inc 電子放出装置
DE4112078A1 (de) * 1990-04-12 1991-10-17 Futaba Denshi Kogyo Kk Anzeigevorrichtung
DE4115890A1 (de) * 1990-05-17 1991-11-21 Futaba Denshi Kogyo Kk Elektronenemittierendes bauelement
JPH03276543A (ja) * 1990-03-27 1991-12-06 Agency Of Ind Science & Technol 画像表示装置
US5160871A (en) * 1989-06-19 1992-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flat configuration image display apparatus and manufacturing method thereof
DE4242595A1 (de) * 1992-04-29 1993-11-04 Samsung Electronic Devices Verfahren zum herstellen einer feldemissionsanzeigevorrichtung
JPH07105830A (ja) * 1993-02-10 1995-04-21 Futaba Corp 電界放出素子およびその製造方法
US5470265A (en) * 1993-01-28 1995-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Multi-electron source, image-forming device using multi-electron source, and methods for preparing them
US5480843A (en) * 1994-02-10 1996-01-02 Samsung Display Devices Co., Ltd. Method for making a field emission device
EP0899770A1 (en) * 1997-08-28 1999-03-03 Matsushita Electronics Corporation Image display apparatus
US6917155B1 (en) 1999-05-18 2005-07-12 Sony Corporation Cathode panel for a cold cathode field emission display and cold cathode field emission display, and method of producing cathode panel for a cold cathode field emission display
JP2008091279A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Fuji Heavy Ind Ltd 発光装置
JP2009231289A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Qinghua Univ 電界放出表示装置

Families Citing this family (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2593953B1 (fr) * 1986-01-24 1988-04-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ
US4857799A (en) * 1986-07-30 1989-08-15 Sri International Matrix-addressed flat panel display
FR2607623B1 (fr) * 1986-11-27 1995-02-17 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons polarises de spin, utilisant une cathode emissive a micropointes, application en physique des interactions electrons-matiere ou electrons-particules, physique des plasmas, microscopie electronique
US5176557A (en) * 1987-02-06 1993-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Electron emission element and method of manufacturing the same
EP0278405B1 (en) * 1987-02-06 1996-08-21 Canon Kabushiki Kaisha Electron emission element and method of manufacturing the same
US5201681A (en) * 1987-02-06 1993-04-13 Canon Kabushiki Kaisha Method of emitting electrons
GB8720792D0 (en) * 1987-09-04 1987-10-14 Gen Electric Co Plc Vacuum devices
FR2633763B1 (fr) * 1988-06-29 1991-02-15 Commissariat Energie Atomique Ecran fluorescent trichrome a micropointes
US5225820A (en) * 1988-06-29 1993-07-06 Commissariat A L'energie Atomique Microtip trichromatic fluorescent screen
FR2634059B1 (fr) * 1988-07-08 1996-04-12 Thomson Csf Microcomposant electronique autoscelle sous vide, notamment diode, ou triode, et procede de fabrication correspondant
JP2623738B2 (ja) * 1988-08-08 1997-06-25 松下電器産業株式会社 画像表示装置
FR2641108A1 (en) * 1988-12-23 1990-06-29 Thomson Csf Display device having a cathode ray tube screen
GB2228822A (en) * 1989-03-01 1990-09-05 Gen Electric Co Plc Electronic devices.
US4956574A (en) * 1989-08-08 1990-09-11 Motorola, Inc. Switched anode field emission device
JP2745814B2 (ja) * 1989-09-29 1998-04-28 モトローラ・インコーポレイテッド 電解放出デバイスを用いる平面パネル・ディスプレイ
US5019003A (en) * 1989-09-29 1991-05-28 Motorola, Inc. Field emission device having preformed emitters
US5055077A (en) * 1989-11-22 1991-10-08 Motorola, Inc. Cold cathode field emission device having an electrode in an encapsulating layer
US5412285A (en) * 1990-12-06 1995-05-02 Seiko Epson Corporation Linear amplifier incorporating a field emission device having specific gap distances between gate and cathode
US5007873A (en) * 1990-02-09 1991-04-16 Motorola, Inc. Non-planar field emission device having an emitter formed with a substantially normal vapor deposition process
US5142184B1 (en) * 1990-02-09 1995-11-21 Motorola Inc Cold cathode field emission device with integral emitter ballasting
US5030921A (en) * 1990-02-09 1991-07-09 Motorola, Inc. Cascaded cold cathode field emission devices
US5079476A (en) * 1990-02-09 1992-01-07 Motorola, Inc. Encapsulated field emission device
US5148078A (en) * 1990-08-29 1992-09-15 Motorola, Inc. Field emission device employing a concentric post
US5461280A (en) * 1990-08-29 1995-10-24 Motorola Field emission device employing photon-enhanced electron emission
US5103145A (en) * 1990-09-05 1992-04-07 Raytheon Company Luminance control for cathode-ray tube having field emission cathode
US5157309A (en) * 1990-09-13 1992-10-20 Motorola Inc. Cold-cathode field emission device employing a current source means
US5136764A (en) * 1990-09-27 1992-08-11 Motorola, Inc. Method for forming a field emission device
US5281890A (en) * 1990-10-30 1994-01-25 Motorola, Inc. Field emission device having a central anode
FR2669124B1 (fr) * 1990-11-08 1993-01-22 Commissariat Energie Atomique Dispositif electrooptique bistable, ecran comportant un tel dispositif et procede de mise en óoeuvre de cet ecran.
US5173634A (en) * 1990-11-30 1992-12-22 Motorola, Inc. Current regulated field-emission device
US5173635A (en) * 1990-11-30 1992-12-22 Motorola, Inc. Bi-directional field emission device
US5432407A (en) * 1990-12-26 1995-07-11 Motorola, Inc. Field emission device as charge transport switch for energy storage network
EP0714114A1 (en) * 1990-12-28 1996-05-29 Sony Corporation A method of manufacturing a flat panel display apparatus
CA2058504C (en) * 1990-12-28 1998-10-06 Naoto Nakamura Image forming apparatus
US5075595A (en) * 1991-01-24 1991-12-24 Motorola, Inc. Field emission device with vertically integrated active control
US5212426A (en) * 1991-01-24 1993-05-18 Motorola, Inc. Integrally controlled field emission flat display device
US5218273A (en) * 1991-01-25 1993-06-08 Motorola, Inc. Multi-function field emission device
EP0497627B1 (en) * 1991-02-01 1997-07-30 Fujitsu Limited Field emission microcathode arrays
US5347201A (en) * 1991-02-25 1994-09-13 Panocorp Display Systems Display device
US5140219A (en) * 1991-02-28 1992-08-18 Motorola, Inc. Field emission display device employing an integral planar field emission control device
US5142256A (en) * 1991-04-04 1992-08-25 Motorola, Inc. Pin diode with field emission device switch
WO1992019005A1 (de) * 1991-04-19 1992-10-29 Hertz Inst Heinrich Elektronenoptisches bild-endgerät auf der basis einer kaltkathode
US5818500A (en) * 1991-05-06 1998-10-06 Eastman Kodak Company High resolution field emission image source and image recording apparatus
JP3235172B2 (ja) * 1991-05-13 2001-12-04 セイコーエプソン株式会社 電界電子放出装置
US5283501A (en) * 1991-07-18 1994-02-01 Motorola, Inc. Electron device employing a low/negative electron affinity electron source
US5227699A (en) * 1991-08-16 1993-07-13 Amoco Corporation Recessed gate field emission
JP3072809B2 (ja) * 1991-10-08 2000-08-07 キヤノン株式会社 電子放出素子と該素子を用いた電子線発生装置及び画像形成装置
US5536193A (en) * 1991-11-07 1996-07-16 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making wide band gap field emitter
DE69217829T2 (de) * 1991-11-08 1997-06-12 Fujitsu Ltd Feldemissionsanordnung und Reinigungsverfahren dafür
US5237180A (en) * 1991-12-31 1993-08-17 Eastman Kodak Company High resolution image source
FR2687841B1 (fr) * 1992-02-21 1994-04-08 Commissariat A Energie Atomique Ecran cathodoluminescent comprenant une source matricielle d'electrons.
US5449970A (en) * 1992-03-16 1995-09-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Diode structure flat panel display
US6127773A (en) * 1992-03-16 2000-10-03 Si Diamond Technology, Inc. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5679043A (en) * 1992-03-16 1997-10-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter
US5543684A (en) 1992-03-16 1996-08-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Flat panel display based on diamond thin films
US5675216A (en) * 1992-03-16 1997-10-07 Microelectronics And Computer Technololgy Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5548185A (en) * 1992-03-16 1996-08-20 Microelectronics And Computer Technology Corporation Triode structure flat panel display employing flat field emission cathode
US5686791A (en) * 1992-03-16 1997-11-11 Microelectronics And Computer Technology Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5763997A (en) * 1992-03-16 1998-06-09 Si Diamond Technology, Inc. Field emission display device
JP2661457B2 (ja) * 1992-03-31 1997-10-08 双葉電子工業株式会社 電界放出形カソード
US5459480A (en) * 1992-04-07 1995-10-17 Micron Display Technology, Inc. Architecture for isolating display grid sections in a field emission display
US5410218A (en) * 1993-06-15 1995-04-25 Micron Display Technology, Inc. Active matrix field emission display having peripheral regulation of tip current
US5210472A (en) * 1992-04-07 1993-05-11 Micron Technology, Inc. Flat panel display in which low-voltage row and column address signals control a much pixel activation voltage
US5581159A (en) * 1992-04-07 1996-12-03 Micron Technology, Inc. Back-to-back diode current regulator for field emission display
US5616991A (en) * 1992-04-07 1997-04-01 Micron Technology, Inc. Flat panel display in which low-voltage row and column address signals control a much higher pixel activation voltage
US5721472A (en) * 1992-04-07 1998-02-24 Micron Display Technology, Inc. Identifying and disabling shorted electrodes in field emission display
US5638086A (en) * 1993-02-01 1997-06-10 Micron Display Technology, Inc. Matrix display with peripheral drive signal sources
US5477105A (en) * 1992-04-10 1995-12-19 Silicon Video Corporation Structure of light-emitting device with raised black matrix for use in optical devices such as flat-panel cathode-ray tubes
US5424605A (en) * 1992-04-10 1995-06-13 Silicon Video Corporation Self supporting flat video display
KR0129678B1 (en) * 1992-05-22 1998-04-06 Futaba Denshi Kogyo Kk Fluorescent display device
DE4216938A1 (de) * 1992-05-22 1993-11-25 Philips Patentverwaltung Mittels Permanentmagneten erregbarer elektrischer Motor
US5347292A (en) * 1992-10-28 1994-09-13 Panocorp Display Systems Super high resolution cold cathode fluorescent display
US5313140A (en) * 1993-01-22 1994-05-17 Motorola, Inc. Field emission device with integral charge storage element and method for operation
FR2702869B1 (fr) * 1993-03-17 1995-04-21 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'affichage à micropointes et procédé de fabrication de ce dispositif.
US5717285A (en) * 1993-03-17 1998-02-10 Commissariat A L 'energie Atomique Microtip display device having a current limiting layer and a charge avoiding layer
US5856812A (en) 1993-05-11 1999-01-05 Micron Display Technology, Inc. Controlling pixel brightness in a field emission display using circuits for sampling and discharging
KR0156032B1 (ko) * 1993-05-28 1998-10-15 호소야 레이지 전자방출소자 및 그 전자방출소자를 이용한 화상표시장치, 화상표시 장치의 구동장치, 화상표시장치의 화상표시 구동회로
US5469021A (en) * 1993-06-02 1995-11-21 Btl Fellows Company, Llc Gas discharge flat-panel display and method for making the same
US5686790A (en) * 1993-06-22 1997-11-11 Candescent Technologies Corporation Flat panel device with ceramic backplate
US6034480A (en) * 1993-07-08 2000-03-07 Micron Technology, Inc. Identifying and disabling shorted electrodes in field emission display
US5909203A (en) * 1993-07-08 1999-06-01 Micron Technology, Inc. Architecture for isolating display grids in a field emission display
JP3252545B2 (ja) * 1993-07-21 2002-02-04 ソニー株式会社 電界放出型カソードを用いたフラットディスプレイ
US5462467A (en) * 1993-09-08 1995-10-31 Silicon Video Corporation Fabrication of filamentary field-emission device, including self-aligned gate
US5340997A (en) * 1993-09-20 1994-08-23 Hewlett-Packard Company Electrostatically shielded field emission microelectronic device
TW272322B (ja) * 1993-09-30 1996-03-11 Futaba Denshi Kogyo Kk
US5404070A (en) * 1993-10-04 1995-04-04 Industrial Technology Research Institute Low capacitance field emission display by gate-cathode dielectric
US5999149A (en) * 1993-10-15 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Matrix display with peripheral drive signal sources
WO1995012835A1 (en) * 1993-11-04 1995-05-11 Microelectronics And Computer Technology Corporation Methods for fabricating flat panel display systems and components
JP3267432B2 (ja) * 1993-12-20 2002-03-18 双葉電子工業株式会社 ディスプレイ装置
GB2285168B (en) * 1993-12-22 1997-07-16 Marconi Gec Ltd Electron field emission devices
JP3387617B2 (ja) * 1994-03-29 2003-03-17 キヤノン株式会社 電子源
US5509839A (en) * 1994-07-13 1996-04-23 Industrial Technology Research Institute Soft luminescence of field emission display
EP0783762A1 (en) * 1994-09-30 1997-07-16 Polaroid Corporation Film recorder light source based on field emission cathode
WO1996018204A1 (en) * 1994-12-05 1996-06-13 Color Planar Displays, Inc. Support structure for flat panel displays
US5595519A (en) * 1995-02-13 1997-01-21 Industrial Technology Research Institute Perforated screen for brightness enhancement
JP2926612B2 (ja) * 1995-02-28 1999-07-28 双葉電子工業株式会社 電界放出型素子、電界放出型画像表示装置、およびその駆動方法
FR2732159B1 (fr) * 1995-03-22 1997-06-13 Pixtech Sa Ecran plat de visualisation a double grille
JP3239038B2 (ja) * 1995-04-03 2001-12-17 シャープ株式会社 電界放出型電子源の製造方法
US5628659A (en) * 1995-04-24 1997-05-13 Microelectronics And Computer Corporation Method of making a field emission electron source with random micro-tip structures
US6296740B1 (en) 1995-04-24 2001-10-02 Si Diamond Technology, Inc. Pretreatment process for a surface texturing process
US5630741A (en) * 1995-05-08 1997-05-20 Advanced Vision Technologies, Inc. Fabrication process for a field emission display cell structure
US5644188A (en) * 1995-05-08 1997-07-01 Advanced Vision Technologies, Inc. Field emission display cell structure
US5543691A (en) * 1995-05-11 1996-08-06 Raytheon Company Field emission display with focus grid and method of operating same
US5644327A (en) * 1995-06-07 1997-07-01 David Sarnoff Research Center, Inc. Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate
US5721560A (en) * 1995-07-28 1998-02-24 Micron Display Technology, Inc. Field emission control including different RC time constants for display screen and grid
US5910791A (en) * 1995-07-28 1999-06-08 Micron Technology, Inc. Method and circuit for reducing emission to grid in field emission displays
US5610478A (en) * 1995-10-30 1997-03-11 Motorola Method of conditioning emitters of a field emission display
US5831384A (en) * 1995-10-30 1998-11-03 Advanced Vision Technologies, Inc. Dual carrier display device
US5669802A (en) * 1995-10-30 1997-09-23 Advanced Vision Technologies, Inc. Fabrication process for dual carrier display device
US6118417A (en) * 1995-11-07 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Field emission display with binary address line supplying emission current
US6252347B1 (en) 1996-01-16 2001-06-26 Raytheon Company Field emission display with suspended focusing conductive sheet
JP3765901B2 (ja) * 1996-02-26 2006-04-12 株式会社東芝 プラズマディスプレイ及びプラズマ液晶ディスプレイ
US5880554A (en) * 1996-02-26 1999-03-09 Industrial Technology Research Institute Soft luminescence of field emission display
US5831382A (en) * 1996-09-27 1998-11-03 Bilan; Frank Albert Display device based on indirectly heated thermionic cathodes
US5847515A (en) * 1996-11-01 1998-12-08 Micron Technology, Inc. Field emission display having multiple brightness display modes
FR2756969B1 (fr) * 1996-12-06 1999-01-08 Commissariat Energie Atomique Ecran d'affichage comprenant une source d'electrons a micropointes, observable a travers le support des micropointes, et procede de fabrication de cette source
JP3764906B2 (ja) * 1997-03-11 2006-04-12 独立行政法人産業技術総合研究所 電界放射型カソード
JP3457162B2 (ja) 1997-09-19 2003-10-14 松下電器産業株式会社 画像表示装置
US6630782B1 (en) 1997-12-01 2003-10-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus having electrodes comprised of a frame and wires
US6236381B1 (en) 1997-12-01 2001-05-22 Matsushita Electronics Corporation Image display apparatus
US6278235B1 (en) 1997-12-22 2001-08-21 Matsushita Electronics Corporation Flat-type display apparatus with front case to which grid frame with extended electrodes fixed thereto is attached
US6897855B1 (en) 1998-02-17 2005-05-24 Sarnoff Corporation Tiled electronic display structure
US6255772B1 (en) * 1998-02-27 2001-07-03 Micron Technology, Inc. Large-area FED apparatus and method for making same
US6137212A (en) * 1998-05-26 2000-10-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Field emission flat panel display with improved spacer architecture
KR100277691B1 (ko) * 1998-09-17 2001-02-01 정선종 단파장 광전소자 제조용 장치 및 그를 이용한 단파장 광전소자제조방법
US6498592B1 (en) 1999-02-16 2002-12-24 Sarnoff Corp. Display tile structure using organic light emitting materials
FR2821982B1 (fr) * 2001-03-09 2004-05-07 Commissariat Energie Atomique Ecran plat a emission electronique et a dispositif integre de commande d'anode

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50107858A (ja) * 1974-01-30 1975-08-25
JPS55143756A (en) * 1979-04-23 1980-11-10 Siemens Ag Gas discharge type display unit
JPS6123479A (ja) * 1984-03-09 1986-01-31 ラボラトワ−ル・デエテユド・ド・スユルフアス 平らな表示スクリーンを動作させる方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2926286A (en) * 1958-09-19 1960-02-23 Tung Sol Electric Inc Cold cathode display device
US3500102A (en) * 1967-05-15 1970-03-10 Us Army Thin electron tube with electron emitters at intersections of crossed conductors
US3581148A (en) * 1969-06-04 1971-05-25 Roger Raoul Brignet Direct current static transformer
US3622828A (en) * 1969-12-01 1971-11-23 Us Army Flat display tube with addressable cathode
US3755704A (en) * 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
US3634714A (en) * 1970-02-16 1972-01-11 G T Schijeldahl Co Electroluminescent display device with apertured electrodes
JPS4889678A (ja) * 1972-02-25 1973-11-22
JPS5325632B2 (ja) * 1973-03-22 1978-07-27
US3921022A (en) * 1974-09-03 1975-11-18 Rca Corp Field emitting device and method of making same
US4020381A (en) * 1974-12-09 1977-04-26 Texas Instruments Incorporated Cathode structure for a multibeam cathode ray tube
US4149147A (en) * 1976-04-15 1979-04-10 Futaba Denshi Kogyo K.K. Luminescent character display device
JPS53121454A (en) * 1977-03-31 1978-10-23 Toshiba Corp Electron source of thin film electric field emission type and its manufacture
US4178531A (en) * 1977-06-15 1979-12-11 Rca Corporation CRT with field-emission cathode
FR2443085A1 (fr) * 1978-07-24 1980-06-27 Thomson Csf Dispositif de microlithographie par bombardement electronique
US4377769A (en) * 1978-09-27 1983-03-22 Smiths Industries Public Limited Company Cathodoluminescent display device including conductive or semiconductive coating on the phosphor
JPS57162692U (ja) * 1981-04-03 1982-10-13
US4513308A (en) * 1982-09-23 1985-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy p-n Junction controlled field emitter array cathode
DE3243596C2 (de) * 1982-11-25 1985-09-26 M.A.N. Maschinenfabrik Augsburg-Nürnberg AG, 8000 München Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Bildern auf einen Bildschirm

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50107858A (ja) * 1974-01-30 1975-08-25
JPS55143756A (en) * 1979-04-23 1980-11-10 Siemens Ag Gas discharge type display unit
JPS6123479A (ja) * 1984-03-09 1986-01-31 ラボラトワ−ル・デエテユド・ド・スユルフアス 平らな表示スクリーンを動作させる方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63105437A (ja) * 1986-10-22 1988-05-10 Canon Inc 画像形成装置
JPS63236240A (ja) * 1987-03-24 1988-10-03 Canon Inc 電子放出装置
JPS63237340A (ja) * 1987-03-26 1988-10-03 Canon Inc 表示装置
US5160871A (en) * 1989-06-19 1992-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flat configuration image display apparatus and manufacturing method thereof
JPH03276543A (ja) * 1990-03-27 1991-12-06 Agency Of Ind Science & Technol 画像表示装置
DE4112078A1 (de) * 1990-04-12 1991-10-17 Futaba Denshi Kogyo Kk Anzeigevorrichtung
DE4112078C2 (de) * 1990-04-12 1998-07-02 Futaba Denshi Kogyo Kk Anzeigevorrichtung
DE4115890A1 (de) * 1990-05-17 1991-11-21 Futaba Denshi Kogyo Kk Elektronenemittierendes bauelement
JPH0422038A (ja) * 1990-05-17 1992-01-27 Futaba Corp 電子放出素子
US5189341A (en) * 1990-05-17 1993-02-23 Futaba Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha Electron emitting element
US5277638A (en) * 1992-04-29 1994-01-11 Samsung Electron Devices Co., Ltd. Method for manufacturing field emission display
DE4242595A1 (de) * 1992-04-29 1993-11-04 Samsung Electronic Devices Verfahren zum herstellen einer feldemissionsanzeigevorrichtung
DE4242595C2 (de) * 1992-04-29 2003-06-18 Samsung Electronic Devices Verfahren zum Herstellen einer Feldemissionsanzeigevorrichtung
US5470265A (en) * 1993-01-28 1995-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Multi-electron source, image-forming device using multi-electron source, and methods for preparing them
JPH07105830A (ja) * 1993-02-10 1995-04-21 Futaba Corp 電界放出素子およびその製造方法
US5480843A (en) * 1994-02-10 1996-01-02 Samsung Display Devices Co., Ltd. Method for making a field emission device
EP0899770A1 (en) * 1997-08-28 1999-03-03 Matsushita Electronics Corporation Image display apparatus
US6917155B1 (en) 1999-05-18 2005-07-12 Sony Corporation Cathode panel for a cold cathode field emission display and cold cathode field emission display, and method of producing cathode panel for a cold cathode field emission display
US7204739B2 (en) 1999-05-18 2007-04-17 Sony Corporation Cathode panel for a cold cathode field emission display and cold cathode field emission display, and method of producing cathode panel for a cold cathode field emission display
JP2008091279A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Fuji Heavy Ind Ltd 発光装置
JP2009231289A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Qinghua Univ 電界放出表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US4908539A (en) 1990-03-13
EP0172089B1 (fr) 1990-05-16
FR2568394A1 (fr) 1986-01-31
FR2568394B1 (fr) 1988-02-12
DE3577774D1 (de) 1990-06-21
JPH0614263B2 (ja) 1994-02-23
CA1261911A (en) 1989-09-26
EP0172089A1 (fr) 1986-02-19

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