KR100401281B1 - 다이오드구조평판디스플레이 - Google Patents

다이오드구조평판디스플레이 Download PDF

Info

Publication number
KR100401281B1
KR100401281B1 KR1019950702599A KR19950702599A KR100401281B1 KR 100401281 B1 KR100401281 B1 KR 100401281B1 KR 1019950702599 A KR1019950702599 A KR 1019950702599A KR 19950702599 A KR19950702599 A KR 19950702599A KR 100401281 B1 KR100401281 B1 KR 100401281B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cathode
anode
display
flat panel
cathodes
Prior art date
Application number
KR1019950702599A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960700516A (ko
Inventor
날린 쿠마르
첸장 씨에
Original Assignee
에스아이 다이아몬드 테크놀로지, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스아이 다이아몬드 테크놀로지, 인코포레이티드 filed Critical 에스아이 다이아몬드 테크놀로지, 인코포레이티드
Publication of KR960700516A publication Critical patent/KR960700516A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100401281B1 publication Critical patent/KR100401281B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304Field-emissive cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/54Screens on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted, or stored; Luminescent coatings on vessels
    • H01J1/62Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/08Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
    • H01J29/085Anode plates, e.g. for screens of flat panel displays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123Flat display tubes
    • H01J31/125Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/04Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06Main electrodes
    • H01J61/067Main electrodes for low-pressure discharge lamps
    • H01J61/0675Main electrodes for low-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode
    • H01J61/0677Main electrodes for low-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode characterised by the electron emissive material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J63/00Cathode-ray or electron-stream lamps
    • H01J63/06Lamps with luminescent screen excited by the ray or stream
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/027Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of thin film cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/304Field emission cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/304Field emission cathodes
    • H01J2201/30403Field emission cathodes characterised by the emitter shape
    • H01J2201/30426Coatings on the emitter surface, e.g. with low work function materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/304Field emission cathodes
    • H01J2201/30446Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453Carbon types
    • H01J2201/30457Diamond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/319Circuit elements associated with the emitters by direct integration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86Vessels
    • H01J2329/8625Spacing members
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86Vessels
    • H01J2329/8625Spacing members
    • H01J2329/864Spacing members characterised by the material

Abstract

매트릭스 어드레스된 다이오드 평판 디스플레이(820)는 다이오드 픽셀 구조를 포함한다. 평판 디스플레이는 각 음극이 복수의 음극 도전 물질(440) 및 음극 도전 물질 위에 증착된 저효율 일함수 물질의 층을 포함하는 복수의 음극들(210-280)을 갖는 음극 어셈블리, 및 각 양극이 양극 도전 물질(410) 및 양극 도전 물질 위에 증착된 음극발광 물질(430)을 포함하는 복수의 양극들(290-292)을 갖는 양극 어셈블리를 포함하고, 음극 어셈블리에 근접하여 위치한 양극 어셈블리는 음극 어셈블리로 부터 하전 입자 방사를 수신한다. 본 디스플레이는 복수의 대응하는 광방사 양극 및 필드방사 음극들 사이의 필드방사를 선택적으로 변화시키기 위한 수단(100)을 더 포함한다.

Description

다이오드 구조 평판 디스플레이
발명의 기술 분야
본 발명은 일반적인 컴퓨터용 등의 평판 디스플레이에 관한 것으로, 더 자세하게는 픽셀들이 개별적으로 어드레싱되는 다이오드 픽셀 구조를 사용한 전계 방출형의 디스플레이에 관한 것이다.
발명의 배경
종래 음극선관(CRT)은 정보를 가시적으로 디스플레이하기 위한 컴퓨터, 텔레비전 세트, 및 기타의 비디오 장치용 디스플레이 모니터에서 사용된다. 유리와 같이 투명한 면상에 덮여진 발광성의 인의 사용은 CRT로 하여금 시청자를 위한 화면을 형성하는 컬러, 휘도, 콘트라스트 및 해상도와 같은 특성을 전달할 수 있게 한다.
그 중에서도 특히 종래 CRT는 중요한 물리적 깊이, 즉, 실제 디스플레이 스크린 배면 공간을 필요로 하는 단점을 갖고, 결과적으로 그러한 장치는 크기가 커지는 부담이 있다. 이러한 물리적 깊이가 해가 되는 중요한 적용들이 많이 있다. 예를 들면, 많은 소형 휴대용 컴퓨터 디스플레이용으로 가능한 깊이는 종래 CRT의 사용을 배제한다. 더욱이, 휴대용 컴퓨터는 종래 CRT의 과중한 무게 및 전력소비를 허용할 수 없다. 이러한 단점을 극복하기 위하여, 디스플레이는 종래 CRT의 깊이, 무게 또는 전력 소비를 갖지 않도록 개발되어 왔다. 이들 "평판(flat panel)" 디스플레이는 수동 또는 능동 매트릭스 액정 디스플레이("LCD") 또는 전자형광("EL") 또는 기체 플라즈마 디스플레이와 같은 기술들을 사용하여 설계되어 왔다.
평판 디스플레이는 종래 CRT로 인해 비어있는 곳을 채운다. 그러나, 액정 기술에 기초한 평판 디스플레이는 그의 충실도를 감소시키거나 또는 방출되지 않는(비방출 ; non-emissive) 화면을 생성한다. 액정 디스플레이는 배면광을 제공함으로써 비방출 문제를 극복하지만, 이것은 더 많은 에너지를 필요로 하는 단점이 있다. 휴대용 컴퓨터는 전형적으로 제한된 전지 전력으로 동작하기 때문에, 이것은 최고의 단점이 된다. 수동 매트릭스 LCD의 성능은 능동 매트릭스 LCD 기술을 사용함으로써 개선될 수 있지만, 그러나 그러한 디스플레이의 제조율은 복잡한 처리 제어 및 엄격한 오차허용도가 요구되기 때문에 매우 낮다. EL 및 기체 플라즈마 디스플레이는 액정 디스플레이보다 더 밝고 더 읽기 쉽지만, 더 비싸고 동작을 위하여 많은 에너지가 필요하다.
전계 방출 디스플레이는 종래의 평판 액정, EL 및 기체 플라즈마 디스플레이의 깊이, 무게 및 전력소비의 이점들과 종래 CRT의 가시적 디스플레이 이점을 조합한다. 그러한 전계 방출 디스플레이는 냉전자 에미터와 같은 텅스텐, 몰리브덴 또는 실리콘으로 만들어진 매우 뾰족한 미세팁(micro-tip)을 사용한다. 음극(캐소드)에서 방출된 전자는 음극과 그리드 사이에 공급되는 전계의 존재로 인하여 인광물질(애노드)과 충돌하며, 그에 따라 광을 생성한다.
그러한 매트릭스 어드레싱된 평판 디스플레이는 스핀 등에 의해 제출되어 1991년 5월 14일 공고된 전계 방출형 미세팁을 사용한 미국특허 제 5,015,912 호에서 개시된다. 음극은 디스플레이 배면 구조에 통합되고 평면상의 해당 음극 발광 영역에 전압을 가한다. 바람직한 실시예에서 표면 감광판은 음극 장치로부터 40미크론 떨어져 있고, 기체는 평면과 음극 사이의 공간에 제공된다. 픽셀들 사이에 산재된 다리 형태의 스페이서(spacer)는 간격을 유지하고, 음극들의 베이스용 전기적 접속부는 배면 구조를 통하여 확산된 섹션들이다.
스핀 등에 의해 개시된 본 발명의 이점은 음극 어셈블리 내에 매트릭스 어드레스 구조를 제공하는 것이다. 각 음극은 면 구조 방향으로 상방향으로 돌출된 다수의 간격에 벌어진 방출 팁을 포함한다. 전기적으로 도전 게이트 또는 추출 전극 장치는 후자로부터 전자 방출을 생성 및 제어하기 위하여 팁 주위에 위치된다. 그러한 장치는 베이스 스트립들과 수직이고 팁들에 의하여 방출된 전자가 통과할 수 있는 구멍들을 포함한다. 추출 전극은 선택된 개별 음극들로부터 방출을 생성하기 위하여 선택된 개별 음극과 함께 어드레싱된다. 그리드 음극장치는 전자의 방출을 야기하기 위하여 필요한 추출 전계가 미터 당 50메가볼트(MV/m)를 초과하기 때문에 텅스텐, 몰리브덴 또는 실리콘으로 구성된 미세팁 음극에 필요하다. 따라서, 그리드는 미세팁 음극에 근접(거의 1마이크로미터 이내)하여 위치해야만 한다. 이들 엄격한 허용오차는 게이트 전극이 공통 베이스로부터 각 픽셀의 게이트들을 전기적으로 분리하는 전기적 절연층상에 광학 석판인쇄 기술을 사용하여 생성될 것을 요한다. 사진인쇄는 고가이고 디스플레이를 생성하기 위하여 필요한 정확도로 성취되기 어렵다. 따라서, 완전한 디스플레이를 위한 리잭션율(rejection rate)이 올라간다.
스핀 등에 의해 개시된 장치가 갖고 있는 두 가지 중요한 문제점은 1) 미세팁 음극의 형성 및 2) 음극에 대하여 추출 전극들의 형성 및 배열이다. 스핀 등이 개시한 구조는 넓은 면적의 디스플레이인 경우 복잡하고 제조에 어려움이 있다. 따라서, 스핀 등이 개시한 발명은 제조를 위하여 덜 복잡하고 덜 비싼 평판 디스플레이의 필요성을 언급하지 않았다.
상기 언급된 문제들은 그리드 구조 및 뾰족한 미세팁이 요구되지 않는다면 완화될 것이다. 이것은 양극이 인광물질로 코팅된 다이오드 구조에서 전계 에미터로 평판 음극을 사용함으로써 성취될 수 있다. 그러한 디스플레이에서는 추출 그리드가 필요하지 않고, 그에 따라서 상대적으로 디스플레이를 구성하기가 쉽다.
불행하게도, 다이오드(음극/양극) 구조를 갖는 그러한 전계 방출 평판 디스플레이는 몇 가지 단점을 제공한다.
첫째로, 양극을 코팅한 인광물질과 충돌하는 전자의 에너지는 음극과 양극상의 인광물질 사이의 전압에 의하여 결정된다. 컬러 디스플레이에 있어서, 인광물질이 특별히 높은 전자 에너지에 의하여 여기되어야만 하는 경우, 음극/양극 전압은 300볼트 이상이 될 것이다. 이러한 높은 전압 요구는 음극 및 양극 구동기가 더 높은 전압을 조절할 수 있도록 하고, 따라서 상기 구동기들은 제조를 위하여 더 고가가 된다. 그러한 높은 전압 구동기는 또한 디스플레이내의 도전체 상에 더 높은 전압을 나타내기 위해 소모하는 시간 때문에 상대적으로 느리다.
파울러-노르하임("F-N") 원리에 따라, 전계 방출의 전류밀도는 음극/양극 격리(서로 떨어져 위치된 상태)가 1퍼센트 정도 변할 때 10퍼센트만큼 변한다. 종래 기술의 평평한 판넬 디스플레이는 전계 방출 변화의 문제를 극복하는데 완전히 성공하지는 못했다.
모든 평판 디스플레이는 컴퓨터 또는 다른 장비에 의해 상기 디스플레이로 제공되는 정보가 적합한 순서로 배치되도록 하는 소정 종류의 어드레싱 구조를 사용하여야 한다. 어드레싱은 개별적인 디스플레이 또는 화소(흔히 "픽셀"이라 불림)들에 정보를 디스플레이하기 위하여 액세스되며 구성되는 간단한 수단이다.
평판 디스플레이에 관하여 처리되어야 하는 관련된 쟁점은 양극과 음극 어셈블리 사이의 적정 간격 설정이다. 논의된 바에 따라, 적당한 간격은 한 픽셀로부터 다른 픽셀로 전계 방출 변화를 제어하고 디스플레이를 구동하기 위해 요구되는 전압을 최소화하는 것이 중요하다. 3극 진공관 디스플레이에서, 유리 구슬, 섬유, 중합체 및 다른 절연체가 적당한 격리를 유지하기 위하여 사용된다. 그러한 디스플레이에서, 격리는 양극과 전자 추출 그리드 사이의 전계가 그리드와 음극(전자 추출 전계) 사이의 전계 전체(거의 10퍼센트 정도)와 같지 않기 때문에 중요한 것은 아니다. 다이오드 디스플레이에서, 스페이서(spacer)는 음극용 전자 추출 전계보다 매우 큰 브레이크다운 전계를 가져야만 한다.
현대의 컴퓨터 및 비디오 시장에서 사용되기 위하여, 평판 디스플레이는 회색조(grey-scale)(반색조;half-tones)를 갖는 화소를 생성할 수 있어야만 하고 그에 따라 디스플레이가 문자 이미지에 부가하여 화상 이미지를 생성하도록 허용한다. 과거에는, 아날로그 및 듀티사이클 변조 기술이 평판 디스플레이의 회색조 동작을 수행하기 위하여 사용되었다.
이들 중 제 1은 아날로그 제어이다. 연속적인 방식으로 전압을 변화시켜서,그에 따라 여기된 개별적인 픽셀들이 가변 강도로 구동되며 회색조 동작을 허용한다. 이들 중 제 2는 듀티사이클 변조이다. 이런 종류의 제어변화로 가장 흔히 사용되는 것들 중 하나는 펄스폭 변조이고, 주어진 시간에 주어진 픽셀은 완전히 "on" 또는 완전히 "off" 되지만, 그러나 픽셀은 픽셀이 "on"과 "off" 상태 사이의 상태로 가정되도록 "on"과 "off" 상태 사이를 빠르게 전환한다. "on" 또는 "off" 상태에서의 정체 시간(dwell time)이 다르게 이루어진다면, 픽셀은 흑과 백 사이의 많은 회색 상태들 중 임의의 하나로 가정될 수 있다. 이들 방법들 모두는 다이오드 디스플레이를 제어하는데 유리하다.
상기 언급된 단점들을 극복하기 위하여, 간단하고 제조하기에 상대적으로 저렴하며 디스플레이 내에서 각 픽셀의 연속된 동작을 위한 잔여분을 통합하는 매트릭스 어드레싱 가능한 평판 디스플레이가 필요하다. 디스플레이는 복잡한 음극/양극 간격 구조를 구성함에도 불구하고 제조가 안정적이고 저렴하다. 마지막으로, 디스플레이는 개별 픽셀이 흑색과 백색 사이의 음영을 가정하는 것을 허용하도록 다이오드 픽셀 구조의 평판 디스플레이 내에 회색조 모드를 수행하기 위한 구조를 구성해야 하며, 그에 따라서 디스플레이의 정보 전송 용량 및 다양한 변형이 증가된다.
발명의 요약
본 발명은 CRT에서 사용되는 형태의 음극발광 인광물질의 장점을 가지며 물리적으로 얇은 디스플레이를 유지하는 평판 디스플레이 장치에 관한 것이다. 평판 디스플레이는 2단자 다이오드 픽셀 구조를 사용한 전계 방출형이다. 디스플레이는수직 관계의 스트립으로 배열된 양극 및 음극 어셈블리를 사용하여 매트릭스 어드레싱 가능하며 각 양극 스트립과 각 음극 스트립이 양극 및 음극 구동기에 의하여 개별적으로 어드레싱 가능하다. 효과적으로, "픽셀"은 양극 스트립 및 음극 스트립이 교차되어 있다. 양극 스트립과 음극 스트립 모두는 개별적인 어드레싱 능력을 유지하기 위하여 서로 격리되어 있다. 결과적으로 디스플레이 내에 있는 각 픽셀들은 개별적으로 발광한다.
음극 어셈블리는 불규칙하게 패터닝되거나 사진 석판 인쇄 패터닝될 수 있는 평면 음극 또는 미세팁의 세트 중 하나가 될 것이다. 평면 음극은 기판 위에 증착된 도전 물질 및 도전 물질 위에 증착된 저항 물질로 구성된다. 낮은 유효 일함수의 박막은 저항 층위에 증착된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 박막은 비정질 다이아몬드이다. 음극 스트립은 비록 구획 부분 중 하나가 동작하지 않을지라도 특정 픽셀위치에서 동작을 허용하도록 더욱 세분된다. 고저항성 다이아몬드 또는 그와 유사한 물질로 구성될 수 있는 저항층은 다양한 세부 구획들 사이에 적당한 격리를 제공한다. 복수의 세부 구획된 픽셀은 양극 또는 음극 중 하나에 대해 수행될 수 있다.
양극 어셈블리는 저 에너지 인광물질로 기판 위에 증착된 산화 인듐-주석(ITO), 도전성 층위에 증착된 산화 아연(ZnO)과 같은 투명 도전성 물질로 구성된다.
결과적인 양극 어셈블리 및 음극 어셈블리는 인쇄된 회로 보드 상으로 주변 유리 원료 혼합물 봉합제와 함께 어셈블리된다. 적당한 간격은 유리 섬유 또는 유리 구슬 중 어느 하나로 구성되는 스페이서 또는 종래 증착기술에 의해 생성된 고정 스페이서에 의해 두 어셈블리들 사이에서 유지된다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서, 간격은 전자-유도된 도전성에 의한 음극으로부터 양극으로 전류의 손실을 억제하기 위하여 긴 표면 경로를 형성하도록 음극 기판에 형성된 구멍 내부에 증착된 복수의 스페이서에 의해 제공된다. 진공은 배출관을 통해 기체를 제거함으로써 양극 및 음극 어셈블리 사이의 간격 내에 생성된다. 그러한 구조 내에서 진공을 유지하기 위한 시스템은 기술적으로 잘 알려져 있다. 진공내의 불순물은 게터(getter)에 의해 제거된다.
양극 스트립 및 음극 스트립의 개별 행 및 열은 전형적인 반도체 패키지 기술에 의해 제공되는 적응성 접속기에 의해 외부적으로 액세스 가능하게 된다. 이들 접속기는 디스플레이 내에 각 픽셀의 어드레싱 능력을 제공하도록 양극 또는 음극 구동기와 접촉될 수 있다.
개별 픽셀은 그 픽셀에 대응 양극 및 음극 스트립 부분들 사이의 전위가 저 에너지 인광 물질 방향으로 방출하는 음극으로부터 전자를 방출하기에 충분하다. 그러한 전자의 방출은 상당한 양의 전압을 필요로 하기 때문에, 높은 전압으로 전환될 수 있기 위한 추가 회로를 요구하며, 일정한 전위는 양극 및 전자 방출을 위한 충분한 전압이 제공되지 않는 음극 어셈블리 사이로 제공된다. 양극과 음극 사이에 전자방출용 문턱전위를 제공하기 위하여 필요한 잔여전압은 각 양극 및 음극 스트립에 접속된 전압 구동기에 의해 제공된다. 이들 전압 구동기는 각각 양극 구동기 및 음극 구동기로 알려질 수 있다.
픽셀은 필요한 구동 전압이 양극 스트립에 인접해 있는 음극 스트립 부분으로부터 전자 방출이 일어나도록 대응 양극 스트립 및 음극 스트립에 공급된다. 전자는 양극과 음극 사이의 필요한 문턱 전압이 성취되지 않기 때문에 대응 양극 스트립 또는 대응 음극 스트립만으로 픽셀 영역 내에서 방출되지 않고, 오직 요구되는 구동 전압에 의해서만 구동된다.
본 발명은 변조된 일정 전압(펄스폭 변조와 같은)을 제공함으로써 개별 픽셀에 가변전압을 제공하거나 또는 양극 구동기에 의해 개별 어드레싱 가능한 가변 폭의 스트립으로 각 양극 스트립을 세분하는 방법 중 어느 하나에 의해 회색조 모드에서의 디스플레이 능력을 갖는다. 이들 개별적인 스트립은 대응 음극으로부터 방출된 전자에 의하여 픽셀 내에 다양한 양의 광방출 인광물질의 활성화를 야기하는 다양한 조합으로 어드레싱될 수 있다.
본 발명의 이점은 저전력 소비, 고휘도, 저가 및 낮은 구동전압을 포함한다. 부가적으로, 본 발명의 음극 어셈블리는 평면 음극 장치를 생성하기 위하여 복잡한 사진석판 기술이 요구되지 않기 때문에 미세팁에 기초한 3극 디스플레이보다 제작을 위한 복잡도가 낮고 저렴하다.
그에 따라, 평판 디스플레이를 제공하기 위한 본 발명의 기본적인 목적은 1) 각 음극이 음극 도전 물질층 및 음극 도전 물질 위에 증착된 낮은 유효 일함수 물질층을 포함하는 복수의 음극들을 갖는 음극 어셈블리, 및 2) 각 양극이 양극 도전 물질층 및 양극 도전 물질 위에 증착된 음극발광 물질층을 포함하는 복수의 양극들을 갖는 양극 어셈블리를 포함하고, 양극 어셈블리는 음극 어셈블리로부터 하전된입자 방출을 수신하기 위하여 음극 어셈블리에 근접하게 위치하고, 음극발광 물질은 하전된 입자 방출에 대한 응답으로 광을 방출한다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수의 음극들이 복수의 미세결정을 형성하기 위하여 배열된 낮은 유효 일함수를 포함하는 상대적으로 평평한 방출표면을 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수의 음극이 미세팁 방출 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수의 음극들이 불규칙하게 제조되는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수의 음극들이 사진석판적으로 제조되는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 미세결정(micro-crystallites)이 방출 사이트로서의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 낮은 유효 일함수 물질이 비정질 다이아몬드 박막인 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 방출 사이트가 불순물(dopants) 원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 방출 사이트가 주변의 비방출 사이트 위치와 다른 결합구조를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 방출 사이트가 주변의 비방출 사이트 주위와 다른결합순서를 갖는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 방출 사이트가 낮은 유효 일함수 물질과 다른 구성요소의 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 방출 사이트가 결정 구조 내에 결함들을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 결함들이 점결함(point defect)인 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 결함들이 선결함(line defect)인 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 결함이 전위(dislocation)인 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 1) 각각의 대응 음극으로부터 전자 방출에 대한 응답으로 각 양극이 광을 방출하는 복수의 대응 광방출 양극 및 전계 방출 음극, 및 2) 평판 디스플레이의 어드레싱 가능한 회색조 조작에 영향을 주기 위하여 복수의 대응 광방출 양극과 전계 방출 음극 사이의 전계 방출을 선택적으로 가변시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 복수의 대응 광방출 양극과 전계 방출 음극 사이의 방출이 복수의 광방출 양극과 전계 방출 음극 중 선택가능한 극들 사이에 가변 전위를 제공하여 변화되는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 복수의 대응 광방출 양극과 전계 방출 음극 사이의 방출이 복수의 광방출 양극과 전계 방출 음극 중 선택가능한 극들 사이에 전환되는 일정 전위를 제공하도록 가변되는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 일정 전기적 전압이 평판 디스플레이의 어드레싱 가능한 회색조 동작을 제공하기 위하여 펄스폭 변조되는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 1) 복수의 전계 방출 음극 중 대응하는 하나로부터 방출된 전자에 대한 응답으로 여기된 복수의 광방출 양극, 및 2) 음극 및 양극 쌍 모두의 전위를 변화시킴으로써 복수의 대응하는 특정 음극 및 양극 쌍을 전기적으로 여기시키기 위한 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 다수의 음극이 음극 세부 구획 부분으로 나누어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 다수의 양극이 양극 세부 구획 부분으로 나누어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 각 음극 세부 구획 부분이 독립적으로 어드레싱 가능한 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 각 양극 세부 구획 부분이 독립적으로 어드레싱 가능한 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 음극 세부 구획 부분이 음극의 회색조 동작을 허용하기 위하여 다양한 결합으로 어드레싱할 수 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 양극 세부 구획 부분이 양극의 회색조 동작을 허용하기 위하여 다양한 조합으로 어드레싱 가능한 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 음극 세부 구획 부분이 다양한 크기인 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 양극 세부 구획 부분이 다양한 크기인 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 음극 세부 구획 부분의 크기가 다른 것들과 2의 거듭제곱 관계인 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 양극 세부 구획 부분의 크기가 다른 것들과 2의 거듭제곱 관계인 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수의 양극들이 인광물질 스트립을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수의 음극 각각은:
하나의 기판;
기판 위에 증착된 전기 저항층; 및
저항층위에 증착된 낮은 유효 일함수를 갖는 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수의 양극 및 복수의 음극은 동작기간동안 다이오드 바이어싱 회로에 의해 제공된 전위에 의해 연속적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 개별적인 대응 양극 및 음극 쌍이 다이오드 바이어싱 회로에 의해 제공되는 전위와 구동 회로에 의해 제공되는 전위의 합과 같은 전체 전위의 적용에 대한 응답으로 활성화되는 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 구동기 회로에 의해 제공되는 전위가 다이오드 바이어싱 회로에 의해 제공되는 것보다 작은 것을 특징으로 하는 디스플레이를 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예는 평판 디스플레이의 회색조를 수행하기 위한 시스템이고, 시스템은 1) 행으로 배열된 복수의 전계 방출 음극, 2) 각 열이 세부열(sub-column)로 세부 분할되어 있고, 음극으로부터 방출된 전자에 대해 응답하는 열로 배열된 복수의 광방출 양극, 3) 픽셀의 패턴을 형성하기 위한 음극 행과 양극 열을 결합하기 위한 회로, 및 4) 픽셀 강도의 다양한 레벨을 생성하기 위하여 양극 열 내의 양극 세부열의 조합 및 음극 행을 독립적이고 동기적으로 어드레싱하기 위한 회로를 포함한다.
상기한 바는 다음이 잘 이해될 수 있도록 본 발명의 상세 설명을 위하여 본 발명의 기술적 이점 및 비교적 넓게 개설되었다. 본 발명의 부가적인 특징 및 이점들은 본 발명의 청구범위의 주제를 형성하도록 이후에 설명될 것이다. 그러한 개념및 공개된 특정 실시예는 기술적으로 숙련된 사람들에 의하여 본 발명과 동일한 목적을 얻기 위하여 다른 구조로 변경되거나 또는 설계되기 위한 기초로 쉽게 사용될 수 있도록 인식될 것이다. 또한 기술적으로 숙련된 사람들에 의한 그와 동등한 구조는 참조된 청구항들에서 언급된 바와 같이 본 발명의 정신 및 관점으로부터 벗어나지 않을 것이다.
본 발명 및 그로부터의 이점에 대한 더욱 완전한 이해를 위하여, 동봉된 도면과 연결되어 얻어진 다음 설명을 참조한다:
제 1도는 본 발명의 바람직한 실시예에 의해 채용된 어드레스 구조를 포함하는 다이오드 평판 디스플레이 시스템의 개략도이고;
제 2도는 각 픽셀을 위하여 다수의 전계 방출 음극을 도시하고;
제 3도는 다이오드 평판 디스플레이의 동작에 대한 전류 대 전압 그래프를 도시하고;
제 4도는 다이오드 평판 디스플레이에서 적당한 간격을 제공하기 위한 제 1 방법을 도시하고;
제 5도는 본 발명의 바람직한 실시예에서 사용된 다이오드 평판 디스플레이에 적당한 간격을 제공하기 위한 제 2 방법을 도시하고;
제 6도는 양극 및 음극을 위하여 전압 구동기를 갖는 다이오드 바이어싱 회로를 도시하고;
제 7도는 어드레싱된 픽셀에서의 방출을 야기하는 양극과 음극 사이에 필요한 전위를 도시하고;
제 8도는 인쇄된 회로 보드상의 양극과 음극의 어셈블리의 도시도이고;
제 9도는 양극 스트립을 도시하는 제 8도의 단면도이고;
제 10도는 음극 스트립을 도시하는 제 8도의 단면도이고;
제 11도는 평판 디스플레이내의 픽셀의 동작에 대한 상세도이고;
및 제 12도는 디스플레이내의 회색조 모드의 수행을 위한 양극 스트립의 세부 구획을 도시한 것이다.
제 1도를 참조하면, 본 발명의 매트릭스 어드레싱된 평판 디스플레이를 수행하기 위한 전형적인 시스템(100)의 개략도가 도시되어 있다. 전형적으로, 데이터를 표시하는 비디오, 비디오 그래프 또는 알파뉴메릭 문자가 버퍼(120)를 통해 메모리(150)로 전송되는 직렬 데이터 버스(110)를 통해 시스템(100)으로 도달한다. 버퍼(120)는 또한 타이밍 회로(130)상으로 통과하는 동기 신호를 생성한다.
마이크로프로세서(140)는 메모리(150)내의 데이타를 제어한다. 만일 데이터가 알파뉴메릭 문자들로 정의된 정보가 아니라 비디오라면, 흐름선(194)에 의해 나타난 바와 같은 비트맵으로 쉬프트 레지스터(170)에 직접 전송된다. 쉬프트 레지스터(170)는 양극 구동기(180)를 동작하기 위하여 수신된 비트맵을 사용한다. 제 1도에 도시된 바와 같이, 전압 구동기(185)는 제 3도의 설명과 관련하여 더 자세하게 설명될 방법으로 바이어스 전압을 양극 구동기(180)로 공급한다.
만약 시스템(100)에 도달한 데이터가 알파뉴메릭 문자를 포함한다면, 마이크로프로세서(140)는 메모리(150)로부터 양극 구동기(180)의 동작을 제어하는 쉬프트 레지스터(170)로 원하는 문자를 규정하는 필수 정보를 공급하는 문자 발생기(160)로 이 데이타를 전송한다. 쉬프트 레지스터(170)는 또한 디스플레이 판넬(192)에 표시되어질 이미지를 회복하는 작업을 수행한다.
양극 구동기(180) 및 음극 구동기(190)는 양극 구동기(180)와 음극 구동기(190)의 동작을 동기시키기 위하여 타이밍 회로(130)로부터 타이밍 신호를 수신한다. 양극 구동기(180)들은 실제 데이터 및 디스플레이 판넬에 의해 나타낼 수 있는 해당 비트맵 이미지에 관한 것이다. 음극 구동기는 단순히 디스플레이 판넬(192)상에 원하는 이미지를 제공하기 위하여 양극 구동기(180)와의 동기를 제공하는 것에 관한 것이다.
제 1도에 도시된 시스템(100)의 또 다른 실시예에서, 직렬 데이타 버스(110)는 간단히 스크린 해상도, 칼라, 또는 다른 속성들과 같은 디스플레이 판넬(192)상의 표현 모드를 결정한다. 예를 들면, 버퍼(120)는 디스플레이될 이미지에 대한 정확한 동기를 제공하기 위하여 양극 구동기(180) 및 음극 구동기(190)에 타이밍 신호를 제공할 수 있는 타이밍 회로(130)로 적합한 동기신호를 제공하기 위해 이러한 데이터를 사용한다. 마이크로프로세서(140)는 쉬프트 레지스터(170)로 임의의 비디오 또는 비디오 그래프 데이타를 전송하거나, 또는 문자 발생기(160)로 알파뉴메릭 문자를 전송할 수 있는 메모리(150)에 표시되어질 데이타를 제공할 것이다. 쉬프트 레지스터(170), 양극 구동기(180), 및 음극 구동기(190)는 디스플레이 판넬(192)상에 적당한 이미지가 표시되도록 앞서 설명된 바와 같이 동작할 것이다.
제 2도를 참조하면, 두 픽셀 사이트에서 본 발명의 실시예의 전형적인 동작을 도시한다. 음극 스트립(200)은 개별적으로 각 픽셀에 대해 다수의 전계 에미터(210, 220, 230, 240) 및 에미터(250, 260, 270, 280)를 포함한다. 이러한 설계는 각 픽셀에 대한 실패율을 감소시키고, 디스플레이의 수명 및 제조율을 증가시킨다. 각 픽셀에 대한 각 에미터(210, 220, 230, 240) 및 에미터(250, 260, 270, 280)는 독립적인 저항층을 갖기 때문에, 동일한 픽셀에 대한 나머지 에미터들은 픽셀상의 에미터들 중 하나가 작동하지 않는다면 계속하여 전자를 방출할 것이다. 예를 들어, 전체 에미터(230)가 작동하지 않는다면, 양극 스트립(290)은 전계 에미터(210, 220, 및 240)가 남아있기 때문에 양극 스트립(290) 및 음극 스트립(200)의 교차에 의하여 점유된 지점에서 전자에 의해 계속하여 여기될 것이다. 이러한 잔여분은 픽셀 위치에서 모든 전계 에미터의 고장이 발생하는 것을 제외하고 각 픽셀 위치에서 발생될 것이다. 예를 들면, 양극 스트립(292) 및 음극 스트립(200)의 교차지점의 픽셀이 모두 동작하지 않게 하기 위해 전계 에미터(250, 260, 270 및 280) 모두가 고장이 나야 한다.
상기 설명된 바와 같이, 전계 방출 가변성을 감소시키는 한 방법은 전류-제한 음극/양극 구동기를 채택하는 것이다. 그러한 구동기는 상업적으로 가능하다(텍사스 인스트루먼트 일련 번호 755,777 및 751,516과 같은 전압 구동 칩). 전류-제한 구동기에서, 구동기의 동작 전압이 동작을 위하여 음극/양극 쌍이 가장 높은 문턱 방출 전압을 갖도록 하기 위해 필요한 전압을 초과하는 한, 모든 음극/양극 쌍들은 동일한 동작 전류/전압 Q점으로 방출될 것이다.
본 방법의 원리의 한 예에 대하여, 제 3도는 다이오드 디스플레이에 대한 전류-대-전압 그래프를 도시한다. 전압(V1)은 구동기가 바이어스되는 전압이 될 것이다. (V0)로부터 (V1)으로 변화함에 따라서, 디스플레이 휘도 또는 강도가 변화될 수 있다. 유사하게, (I0)는 디스플레이 휘도 또는 강도를 조정하기 위하여 변화될 수 있다. 전류-제한 구동기를 디스플레이에 결합시키는 방법은 제 5도와 관련되어 설명될 것이다.
이제 제 4도를 보면, 앞에서 언급한 바와 같이, F-N 원리에 따라, 전계 방출의 전류밀도는 음극/양극 격리가 1%만큼 변할 때 10%만큼 변한다.
이러한 변화량을 감소시키기 위하여 채용 가능한 한 방법은 일련번호 제 07/851,701 호에서 설명된 바와 같이 각 음극과 그의 대응 양극 도전체 사이의 저항성 구성요소를 삽입하는 것이다. 불행하게도, 저항성 요소의 삽입은 대응하는 전력소비를 갖는 저항성 요소를 지나는 전압강하로 나타날 수 있고, 그에 의하여 디스플레이의 전체 전력 소비를 증가시킨다. 때때로 추가된 전력 소비가 용인된다.
제 4도는 전계 변화량을 감소시키기 위하여 음극에서 저항성 요소를 채용하는 장치를 도시한다. 또한 다이오드 평판 디스플레이에서 적당한 간격을 제공하기 위한 제 1 방법을 도시한다. 제 4도에 도시된 것은 음극 기판(400)이다. 음극 기판(400) 상에 음극 도전층(420), 도전 기둥(440), 저항성 구성요소(450) 및 낮은 유효 일함수를 갖는 방출 물질(460)이 존재한다.
낮은 유효 일함수 물질은 단위 미터 당 50메가볼트(50MV/m) 보다 적은 임계전계를 갖는 임의의 물질이다. 낮은 효율 일함수 물질의 예는 비정질 다이아몬드(수소가 없이 준비된 비결정질 탄소로 규정되고 과학 텍사스지 1989년 제 41권 제 4호, pp.343-358 에 "박막 다이아몬드"라는 제목으로 콜린 등에 의해 설명된 바와 같이 다이아몬드와 비슷한 특성을 갖는), 합금(그라파이트-다이아몬드, 실리콘-실리콘 카바이드 및 이산화 트리-크롬 모노실리시드-실리콘과 같은 박막 증착 기술에 의하여 세라믹으로 압축하고 및 침전된 물질의 임의 그룹으로 규정되는), 또는 코팅된 미세팁(불규칙하게 또는 사진-석판인 둘 중 하나로 제조되는)을 포함한다.
부가적으로, 제 4도에서, 음극발광층(430)이 증착된 양극 기판(410)이 제공된다. 기둥(470)은 방출 물질(460)과 음극발광층(430) 사이의 적당한 간격을 유지한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 음극 기판(400)은 유리이고, 음극 도전층(420)은 구리와 같은 금속 트레이싱이고, 도전 기둥(440)은 구리이며, 방출 물질(460)은 비정질 다이아몬드 박막이고, 양극 기판(410)은 유리이며, 음극발광층(430)은 ITO이고 및 기둥(470)은 유전체이다.
다이오드 디스플레이에서, 기둥은 음극을 위한 전자 추출 전계보다 매우 큰 항복전압을 가진다. 비정질 다이아몬드 박막으로 구성된 음극의 경우, 전자 추출 전계는 15-20MV/m와 비슷하다. 그러나, 다이오드 전계 방출 디스플레이에서, 기둥들이 5MV/m와 비슷한 항복전압을 갖는 것이 밝혀졌다. 이것은 기둥의 표면상에 발생한 전자-유도된 도전성 때문이다. 따라서, 제 4도에서 개념적으로 도시된 바와 같이, 성공적인 간격 설정의 목적은 전자-유도된 도전성의 효과를 최소화하도록 음극으로부터 양극으로 표면 거리를 증가시킨다. 특별히, 음극으로부터 양극으로 기둥을 통하여 흘러가는 전류에 대하여, 전류는 제 4도의 표면(480)을 따르는 회로적 경로를 통과해야만 한다. 제 4도에 도시된 구조에서, 음극 및 양극 구조는 100미크론 정도 떨어져 있는데, 그에 반해 음극 및 양극의 방출 표면은 20미크론 떨어져 있다.
이제 제 5도를 살펴보면, 도시된 것은 본 발명의 바람직한 실시예에서 채용된 다이오드 평판 디스플레이에 적당한 간격을 제공하기 위한 제 2 방법이다. 제 2 방법은 제 1 방법에서 요구되는 바와 같은 200,000 내지 1,000,000개의 기둥들과는 반대로, 전형적인 평판 디스플레이에서 단지 1,000 내지 2,000개의 스페이서가 요구되기 때문에 제 4도에서 설명된 방법 보다 선호된다. 제 5도에 도시된 방법에 있어서, 스페이서(470)는 음극 기판(400)의 우묵함 곳(510)에 위치한다. 스페이서(470)는 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 또는 다른 금속들로 구성될 수 있다. 스페이서(470)는 음극발광층(430)으로부터 방출 물질(460)을 분리하는 표면(480)이 매우 크기 때문에 도전성이 될 수 있고, 그에 따라 전자-유도된 도전을 방해한다. 스페이서(470)는 이산화 실리콘과 같은 절연 물질로 구성될 수도 있다. 증가된 표면 간격을 제공하기 위하여, 음극 기판(400)에는 복수의 작은 리세스(510)(대략 직경으로 25 내지 50미크론 및 스페이서를 수신하기 위해 사용되는 75 내지 250미크론 깊이)가 함께 제공된다. 리세스는 0.5cm 간격으로 만들어질 수 있고 바람직하게 각 음극 및 양극 스트립 사이에 존재한다. 제 5도에 도시된 구조에서, 음극 및 양극 도전체(420, 430)는 20미크론 떨어져 있었고, 방출 물질(460) 및 양극 도전층(430)은 거의 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 스페이서는직경으로 30미크론이 바람직하다.
제 6도를 참조하면, 다이오드 바이어싱 회로(600)는 음극 상에 증착된 낮은 유효 일함수에 의해 요구되는 문턱 전위의 동작 전압으로 디스플레이(192)를 구동하는데 사용된다. 이 문턱 전압은 양극 스트립(610)과 전계 방출 에미터(630)로부터 양극(610)으로 방출된 전자를 발생시키는 음극 스트립(620) 사이에 제공된다. 풀 칼라 디스플레이를 위하여, 양극(610)은 각각 음극 발광물질로 덮여진 세 세트의 스트립으로 패터닝된다. 픽셀은 대응하는 양극 스트립(610)과 수직인 음극(620)을 어드레싱함으로써 어드레싱된다. 음극 스트립(620)은 25볼트 구동기(650)에 의해 어드레싱되고 양극 스트립(610)은 250볼트 DC 전력 공급기상에 플로팅된 다른 25볼트 드라이버(640)에 의해 구동된다. DC 전력 공급기로부터 250볼트의 출력전압이 디스플레이의 문턱전압 이하가 되도록 선택될 것이다. 이들 전자들을 순차적으로 어드레싱함으로써, 이미지(칼라 또는 단색)가 디스플레이될 수 있다. 이들 주어진 전압은 단지 표시될 뿐이고 전압들의 또 다른 조합으로 대치될 수 있다. 부가적으로, 다른 박막 음극은 전계 방출을 위하여 다른 문턱 전압을 필요로 할 것이다.
제 7도는 음극으로부터의 방출이 전압 구동기(640, 650)를 사용하여 디스플레이내의 음극 스트립 및 양극 스트립을 어드레싱함으로써 픽셀 위치에서 얻어지는 방법을 도시한다.
제 8도를 참조하면, 평판 디스플레이(192)의 평면도는 디스플레이(192)상으로 이미지를 표시하기 위한 매트릭스 어드레스 구조를 완성하는데 사용되는 기본적인 양극-음극 구조를 도시한다. 양극 어셈블리(820)는 제 2 도에서 6도에 도시된바와 같이 인쇄 회로 기판(PCB)(800) 또는 다른 적당한 기판 상에 수직적인 관계로 음극 어셈블리(810)와 결합되어 있다. 전형적인 반도체 장착 기술은 음극 어셈블리를 위하여 외부 연결기(830) 및 양극 어셈블리를 위한 외부 접속(840)을 제공하는데 사용된다.
상기 언급된 바와 같이, 전계 변화를 감소시키는 가장 좋은 방법 중 하나는 저항성 구성요소 및 전류-제한 구동기를 채용하는 것이다. 이러한 경우, 구동기는 디스플레이로 유도된 전체 전류를 제어하는데 사용되는 반면, 개별 저항성 구성요소는 다양한 음극/양극 판(음극/양극 쌍의 포션 내)들 사이에 전계 강도의 변화를 최소화하는데 사용된다. 저항성 구성요소는 개별적인 음극/양극 쌍이 서로 쇼트된 경우(음극과 양극 사이에 간격에 없는), 전류를 제한하도록 더 도와준다. 제 8도에서, 전류-제한 구동기(도시되지 않음) 각각은 디스플레이를 제어하기 위하여 적당한 전압으로 접속(830, 840)을 제공하기 위하여 종래 방법으로 접속(830, 840)에 결합된 복수의 전압 출력을 갖는다. 이들 전류-제한 전압 구동기는 제 3도에서 설명된 방법으로 접속(830, 840)에 전류 방출을 제한한다.
제 9도를 참조하면, 제 8도의 디스플레이 판넬(192)의 단면(9-9)을 도시하고, PCB(800)는 기술적으로 잘 알려진 기술을 사용하여 음극 어셈블리(810) 및 양극 어셈블리(820)를 장착하기 위하여 사용된다. 제 6도의 음극 어셈블리(620)는 제 11도에 더 자세히 도시된 음극 스트립(1000)의 행을 도시한다. 양극 어셈블리(820) 및 음극 어셈블리(810)는 주변장치의 유리 원료 봉합제(1010)와 함께 어셈블리된다. 스페이서(910)는 유리섬유 또는 유리구슬이 될 수 있거나 또는 잘 알려진 증착기술에 의하여 수행된 고정 스페이서가 될 것이다.
배출 튜브(1020)는 양극 어셈블리(820)와 음극 어셈블리(810) 사이의 공간(920)에서 진공을 유지하기 위하여 진공 펌프(도시 않음)와 함께 사용된다. 평판 내부의 진공이 10-6토르 또는 그보다 낮게된 후, 배출 튜브(1020)가 닫히고 및 진공 펌프(도시 않음)는 제거된다. 게터(getter)(1030)는 디스플레이를 구성하기 위하여 사용된 다양한 물질, 즉 유리, 스페이서 및 스페이서(920)내의 음극 물질로부터 기체화한 바람직하지 않은 구성요소들을 추출하는데 사용된다. 전형적으로 게터는 다른 물질에 대하여 강한 화학적 친화력을 갖는 물질로 구성된다. 예를 들면, 바륨은 잔여 기체를 제거하기 위하여 현재 진공으로 밀봉되어 있는 필라멘트 게터와 같은 필라멘트 형태로 공간(920)에 삽입될 수 있다.
제 10도를 참조하면, 양극 스트립(900)과 수직 관계인 음극 스트립(1000)의 행을 더 자세하게 도시한 제 8도의 단면(10-10)을 도시한다. 음극 스트립(1000)은 스트립(1000)들 사이에 독립성을 허용하도록 충분히 떨어져 있다. 양극 어셈블리(820)의 외부 접속기(840)가 또한 도시된다.
제 2-10도의 양극 스트립(900) 및 음극 스트립(1000)의 수직 관계를 조사함으로써, 본 발명이 디스플레이 평판(192)내에서 개별 "픽셀"의 매트릭스 어드레싱을 허용하는 방법이 이해될 수 있다. 픽셀들은 제 1도에서 도시된 바와 같은 본 발명의 시스템에 의해 어드레싱된다. 양극 구동기(180)는 외부 접속기(840)에 의하여 상술된 양극 스트립(900)에 연결된다. 음극 구동기(190)는 외부 접속기(830)에 의하여 음극 스트립(1000)에 연결된다. 개별적인 "픽셀"들은 대응 음극 스트립(1000) 및 양극 스트립(900)이 둘 모두 각각의 전압 구동기에 의하여 구동될 때 액세스된다. 그러한 순간에, 양극 구동기(180)에 공급된 구동 전압 및 음극 구동기(190)에 공급된 구동 전압은 문턱 전위를 생성하기 위하여 DC전압과 결합되고, 전자들은 음극 스트립(1000)으로부터 양극 스트립(900)으로 방출되고, 수직으로 배열된 음극 스트립(1000) 및 양극 스트립(900)이 경로 교차하는 특정 위치에서 양극 스트립(900)에 인가된 낮은 에너지의 인광물질에서 광이 방출된다.
제 11도를 참조하면, "픽셀"(1100)의 상세한 도시도가 도시되어 있다. 음극 어셈블리(810)는 기판(1110), 전형적으로 유리, 도전층(1150), 저항층(1160), 및 평평한 음극(1170)으로 구성된다. 도전층(1150), 저항층(1160) 및 평평한 음극(1170)은 음극 스트립(1000)을 포함한다. 개별적인 평면 음극(1170)은 저항층(1160)에 의해 유지되는 독립성의 결과로 서로 간격을 두고 떨어져 있다. 양극 어셈블리(820)는 기판(1120), 전형적으로 유리, 도전층(1130), 전형적인 ITO 및 ZnO와 같은 저 에너지의 인광물질(1140)로 구성된다.
픽셀(1100)은 충분한 구동기 전압이 그 픽셀(1100)과 관련된 음극 스트립(1000)의 도전층(1150)에 공급되는 경우 조사되고, 충분한 구동 전압이 개별적인 픽셀(1100)에 대응 양극 스트립(900)의 ITO 도전층(1130)으로 공급된다. 두 구동기 전압은 픽셀(1100)과 관련된 양극 스트립(900) 및 음극 스트립(1000)의 섹션들 사이의 충분한 전체 문턱 전위를 제공하기 위하여 일정한 DC 공급기 전압과 결합된다. 전체 문턱 전위는 평면 음극(1170)으로부터 광을 방출하는 저 에너지 인광물질(1140)로 전자를 방출시킨다.
제 2도와 11도를 참조함으로써 알 수 있는 바와 같이, 각 음극 스트립(1000)은 잔여 평면 음극(1170)들이 계속 동작될 것이기 때문에 비록 하나 또는 그 이상의 평면 음극(1170)들이 작동하지 않는다 할지라도 픽셀(1100)을 조사하는 다수의 독립된 평면 음극(1170)을 채용한다.
제 12도를 참조하면, 평판 디스플레이(192)상의 회색조 모드의 수행을 도시한다. 음극 스트립(1000)은 양극 스트립(900)과 수직으로 배열된다. 그러나, 각 양극 스트립(900)은 같은 폭 또는 다른 폭을 갖는 다수의 더 작은 스트립(1200, 1210, 1220, 1230, 1240)으로 더 세분될 것이다. 각 세부 구획부분은 독립성을 유지하기 위하여 충분한 간격으로 인접한 세부 구획부분과 절연된다. 각각의 세분된 스트립(1200, 1210, 1220, 1230, 1240)은 양극 구동기(180)에 의해 독립적으로 어드레싱 가능하다. 그 결과는 픽셀(1100)이 회색조 모드에서 조사된다는 것이다. 예를 들면, 만약 세부 구획부분(1200) 및 (1230)에 대응하는 양극 구동기(180)에 의해 구동기 전압이 공급되고, 세부 구획부분(1210, 1220 및 1240)에 구동기 전압이 주어지지 않는다면, 세부 구획부분(1200 및 1230)과 관련된 저 에너지 인광물질은 픽셀(1100)의 최소 조사보다 적게 나타나는 대응 음극 스트립(1000)에 의해 동작될 것이다.
도시될 수 있는 바와 같이, 세부 구획부분(1200, 1210, 1220, 1230, 1240)은 다양한 강도의 픽셀(1100)의 조사를 제공하기 위한 다양한 조합으로 동작될 것이다. 각각의 세분된 스트립은 다른 것들과 2의 거듭제곱 관계에 있는 다양한 크기를갖는다. 예를 들어, 만약 5개의 스트립가 상대적으로 1, 2, 4, 8 및 16의 크기를 갖고, 개별적인 스트립의 동작이 대응하는 픽셀과 어울리게 동작한다면, 픽셀의 동작은 그에 따라 회색조를 생성하기 위하여 0 부터 32까지의 이산적인 강도 단계로 만들어질 수 있다. 예를 들면, 만약 픽셀 강도 19가 요구된다면, 스트립 크기 16, 2 및 1이 동작될 필요가 있다.
상기로부터, 본 발명은 1) 각각의 음극이 음극 도전 물질층 및 상기 음극 도전 물질 위에 증착된 낮은 유효 일함수 물질의 층을 포함하는 복수의 음극을 갖는 음극 어셈블리; 및 2) 각각의 양극이 양극 도전 물질층 및 상기 양극 도전 물질 위에 증착된 음극발광 물질의 층을 포함하는 복수의 양극을 갖는 양극 어셈블리를 포함하며, 상기 음극 어셈블리 근처에 위치한 상기 양극 어셈블리는 상기 음극 어셈블리로부터 하전 입자 방출을 수신하고, 상기 하전 입자 방출에 대한 응답으로 상기 음극발광 물질이 광을 방출하는 평판 디스플레이를 제공하는 것이 제 1이다.
비록 본 발명 및 그의 이점이 자세하게 설명되었을지라도, 치환 및 변경은 참조된 청구항에 의해서 규정되는 바와 같은 본 발명의 정신 및 관점을 벗어나지 않고 만들어질 수 있다.

Claims (17)

  1. 각 음극이 음극 도전 물질층 및 상기 음극 도전 물질 위에 증착된 낮은 유효 일함수 물질층을 포함하는 복수의 음극을 갖는 음극 어셈블리; 및
    각 양극이 양극 도전 물질층 및 상기 양극 도전 물질 위에 증착된 음극 발광 물질층을 포함하는 복수의 양극을 갖는 양극 어셈블리를 포함하며,
    상기 음극 어셈블리 근처에 위치한 상기 양극 어셈블리는 상기 음극 어셈블리로부터의 하전 입자 방출을 수신하고, 상기 하전 입자 방출에 응답하여 상기 음극 발광 물질이 광을 방출하며,
    상기 복수의 음극은 복수의 미세결정을 형성하도록 배열된, 상기 낮은 유효 일함수 물질을 포함하는, 상대적으로 평평한 방출 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 낮은 유효 일함수 물질은 비정질 다이아몬드 박막인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 방출 사이트는 불순물 원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 불순물 원자는 탄소인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 방출 사이트는 주변의 비방출 사이트와는 다른 결합 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 방출 사이트는 주변의 비방출 사이트와는 다른 결합 순서를 갖는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 방출 사이트는 결정 구조에 결함을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 결함은 점결함인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 결함은 선결함인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 결함은 전위인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  11. 각각의 대응 음극으로부터의 방출에 대한 응답으로 광을 방출하는 복수의 광방출 양극과 복수의 상기 전계 방출 음극; 및
    상기 대응 음극 및 양극 모두의 전위를 변화시킴으로써 상기 대응 양극 및 음극들 중 선택 가능한 것들을 어드레싱하고 전기적으로 여기하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 음극은 음극 세부 구획부분들로 나누어지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 양극은 양극 세부 구획부분들로 나누어지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  14. 제 12항에 있어서,
    각 음극 세부 구획부분들이 독립적으로 어드레싱될 수 있는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  15. 제 13항에 있어서,
    각 양극 세부 구획부분들이 독립적으로 어드레싱될 수 있는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 복수의 양극들은 인광물질 스트립을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
  17. 제 11항에 있어서,
    상기 각 음극은 기판; 상기 기판 위에 증착된 전기적 저항층; 및 상기 저항층 상에 증착된 낮은 유효 일함수 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이.
KR1019950702599A 1992-12-23 1993-12-06 다이오드구조평판디스플레이 KR100401281B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/995846 1992-12-23
US07/995,846 US5449970A (en) 1992-03-16 1992-12-23 Diode structure flat panel display
US07/995,846 1992-12-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960700516A KR960700516A (ko) 1996-01-20
KR100401281B1 true KR100401281B1 (ko) 2003-12-31

Family

ID=25542271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950702599A KR100401281B1 (ko) 1992-12-23 1993-12-06 다이오드구조평판디스플레이

Country Status (8)

Country Link
US (2) US5449970A (ko)
EP (1) EP0676083B1 (ko)
JP (1) JPH08506686A (ko)
KR (1) KR100401281B1 (ko)
AU (1) AU5740294A (ko)
CA (1) CA2152471A1 (ko)
DE (1) DE69331749T2 (ko)
WO (1) WO1994015350A1 (ko)

Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5397428A (en) * 1991-12-20 1995-03-14 The University Of North Carolina At Chapel Hill Nucleation enhancement for chemical vapor deposition of diamond
US5675216A (en) 1992-03-16 1997-10-07 Microelectronics And Computer Technololgy Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5600200A (en) * 1992-03-16 1997-02-04 Microelectronics And Computer Technology Corporation Wire-mesh cathode
US6127773A (en) 1992-03-16 2000-10-03 Si Diamond Technology, Inc. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5763997A (en) 1992-03-16 1998-06-09 Si Diamond Technology, Inc. Field emission display device
US9286294B2 (en) 1992-12-09 2016-03-15 Comcast Ip Holdings I, Llc Video and digital multimedia aggregator content suggestion engine
US7168084B1 (en) 1992-12-09 2007-01-23 Sedna Patent Services, Llc Method and apparatus for targeting virtual objects
US5619092A (en) * 1993-02-01 1997-04-08 Motorola Enhanced electron emitter
US5445550A (en) * 1993-12-22 1995-08-29 Xie; Chenggang Lateral field emitter device and method of manufacturing same
US5578901A (en) * 1994-02-14 1996-11-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Diamond fiber field emitters
DE4405768A1 (de) * 1994-02-23 1995-08-24 Till Keesmann Feldemissionskathodeneinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
KR0160321B1 (ko) * 1994-04-28 1998-12-01 박현승 평면가스표시관
US5608283A (en) * 1994-06-29 1997-03-04 Candescent Technologies Corporation Electron-emitting devices utilizing electron-emissive particles which typically contain carbon
US6204834B1 (en) * 1994-08-17 2001-03-20 Si Diamond Technology, Inc. System and method for achieving uniform screen brightness within a matrix display
US6246168B1 (en) * 1994-08-29 2001-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus as well as method of manufacturing the same
US5712527A (en) * 1994-09-18 1998-01-27 International Business Machines Corporation Multi-chromic lateral field emission devices with associated displays and methods of fabrication
US5646702A (en) * 1994-10-31 1997-07-08 Honeywell Inc. Field emitter liquid crystal display
US5637950A (en) * 1994-10-31 1997-06-10 Lucent Technologies Inc. Field emission devices employing enhanced diamond field emitters
US5486126A (en) 1994-11-18 1996-01-23 Micron Display Technology, Inc. Spacers for large area displays
DE69530373T2 (de) * 1994-11-21 2004-02-12 Candescent Technologies Corp., San Jose Feldemissionsvorrichtung mit innerem struktur zum ausrichten von phosphor-pixeln auf entsprechenden feldemittern
JP2727995B2 (ja) * 1994-12-15 1998-03-18 双葉電子工業株式会社 支柱材整列用治具および支柱材整列用治具の製造方法
US5638085A (en) * 1995-01-13 1997-06-10 Micron Display Technology, Inc. Timing control for a matrixed scanned array
USRE38561E1 (en) * 1995-02-22 2004-08-03 Till Keesmann Field emission cathode
KR100366694B1 (ko) * 1995-03-28 2003-03-12 삼성에스디아이 주식회사 다중팁전계방출소자의그제조방법
KR100343214B1 (ko) * 1995-03-28 2002-11-13 삼성에스디아이 주식회사 전계방출소자의제조방법
FR2735265B1 (fr) * 1995-06-08 1997-08-22 Pixtech Sa Commutation d'une anode d'ecran plat de visualisation
CA2227510A1 (en) * 1995-08-14 1997-02-27 Dennis John Bechis Display panels using fibrous field emitters
TW368671B (en) * 1995-08-30 1999-09-01 Tektronix Inc Sputter-resistant, low-work-function, conductive coatings for cathode electrodes in DC plasma addressing structure
US5716251A (en) * 1995-09-15 1998-02-10 Micron Display Technology, Inc. Sacrificial spacers for large area displays
US5772488A (en) * 1995-10-16 1998-06-30 Micron Display Technology, Inc. Method of forming a doped field emitter array
EP0861498B1 (en) 1995-11-15 1999-10-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Annealed carbon soot field emitters and field emitter cathodes made therefrom
CA2234934A1 (en) * 1995-11-15 1997-05-22 Shekhar Subramoney Process for making a field emitter cathode using a particulate field emitter material
KR100195501B1 (ko) * 1995-11-30 1999-06-15 김영남 레치형 전송기를 이용한 평판 표시기 데이타 구동 장치
GB9603582D0 (en) 1996-02-20 1996-04-17 Hewlett Packard Co Method of accessing service resource items that are for use in a telecommunications system
US6680489B1 (en) 1995-12-20 2004-01-20 Advanced Technology Materials, Inc. Amorphous silicon carbide thin film coating
US6031250A (en) 1995-12-20 2000-02-29 Advanced Technology Materials, Inc. Integrated circuit devices and methods employing amorphous silicon carbide resistor materials
US5813893A (en) * 1995-12-29 1998-09-29 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Field emission display fabrication method
US5916004A (en) * 1996-01-11 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Photolithographically produced flat panel display surface plate support structure
US5705079A (en) * 1996-01-19 1998-01-06 Micron Display Technology, Inc. Method for forming spacers in flat panel displays using photo-etching
US5857882A (en) * 1996-02-27 1999-01-12 Sandia Corporation Processing of materials for uniform field emission
JP3134772B2 (ja) * 1996-04-16 2001-02-13 双葉電子工業株式会社 電界放出型表示素子およびその駆動方法
US5834891A (en) * 1996-06-18 1998-11-10 Ppg Industries, Inc. Spacers, spacer units, image display panels and methods for making and using the same
US5811926A (en) * 1996-06-18 1998-09-22 Ppg Industries, Inc. Spacer units, image display panels and methods for making and using the same
US5818166A (en) * 1996-07-03 1998-10-06 Si Diamond Technology, Inc. Field emission device with edge emitter and method for making
JP3694994B2 (ja) * 1996-07-16 2005-09-14 双葉電子工業株式会社 電界放出形表示装置
TW403928B (en) * 1996-08-16 2000-09-01 Tektronix Inc Sputter-resistant conductive coatings with enhanced emission of electrons for cathode electrodes in DC plasma addressing structure
US5821680A (en) * 1996-10-17 1998-10-13 Sandia Corporation Multi-layer carbon-based coatings for field emission
CN1234134A (zh) * 1996-10-17 1999-11-03 纳幕尔杜邦公司 纤维场致发射体的连接方法和用该方法制造的场致发射体阴极
JP3372848B2 (ja) * 1996-10-31 2003-02-04 キヤノン株式会社 電子放出素子及び画像表示装置及びそれらの製造方法
US5973452A (en) * 1996-11-01 1999-10-26 Si Diamond Technology, Inc. Display
US5947783A (en) * 1996-11-01 1999-09-07 Si Diamond Technology, Inc. Method of forming a cathode assembly comprising a diamond layer
US6020677A (en) * 1996-11-13 2000-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Carbon cone and carbon whisker field emitters
US5984746A (en) 1996-12-12 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Attaching spacers in a display device
US5851133A (en) * 1996-12-24 1998-12-22 Micron Display Technology, Inc. FED spacer fibers grown by laser drive CVD
US5888112A (en) * 1996-12-31 1999-03-30 Micron Technology, Inc. Method for forming spacers on a display substrate
CN1153253C (zh) * 1997-03-21 2004-06-09 佳能株式会社 图象形成装置
JP3199682B2 (ja) 1997-03-21 2001-08-20 キヤノン株式会社 電子放出装置及びそれを用いた画像形成装置
KR100609365B1 (ko) 1997-03-25 2006-08-09 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 디스플레이 패널용 필드 이미터 캐소드 배면판 구조물
KR100520337B1 (ko) 1997-04-02 2005-10-11 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 금속-산소-탄소 전계 방출 전자 이미터 조성물, 이를 포함하는 전계 방출 음극 및 전계 방출 음극의 제조 방법
US6310432B1 (en) * 1997-05-21 2001-10-30 Si Diamond Technology, Inc. Surface treatment process used in growing a carbon film
US6195135B1 (en) * 1997-11-13 2001-02-27 Peter J. Wilk Thin video display with superluminescent or laser diodes
JP2002509340A (ja) 1997-12-15 2002-03-26 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー イオン衝撃された黒鉛電子エミッタ
EP1040502B1 (en) 1997-12-15 2005-03-23 The Regents of the University of California Coated-wire ion bombarded graphite electron emitters
US6409567B1 (en) 1997-12-15 2002-06-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Past-deposited carbon electron emitters
ATE223139T1 (de) * 1998-04-22 2002-09-15 Cambridge Consultants Elektrolumineszierende vorrichtung
GB9813324D0 (en) * 1998-06-19 1998-08-19 Cambridge Display Tech Ltd Light-emissive devices
US6462467B1 (en) * 1999-08-11 2002-10-08 Sony Corporation Method for depositing a resistive material in a field emission cathode
JP3878365B2 (ja) * 1999-09-09 2007-02-07 株式会社日立製作所 画像表示装置および画像表示装置の製造方法
US6155900A (en) 1999-10-12 2000-12-05 Micron Technology, Inc. Fiber spacers in large area vacuum displays and method for manufacture
US6917610B1 (en) 1999-12-30 2005-07-12 At&T Corp. Activity log for improved call efficiency
US6671262B1 (en) 1999-12-30 2003-12-30 At&T Corp. Conference server for automatic x-way call port expansion feature
US6633635B2 (en) 1999-12-30 2003-10-14 At&T Corp. Multiple call waiting in a packetized communication system
US7180889B1 (en) 1999-12-30 2007-02-20 At&T Corp. Personal control of address assignment and greeting options for multiple BRG ports
US6690675B1 (en) 1999-12-30 2004-02-10 At&T Corp. User programmable fail-proof IP hotline/warm-line
US6678265B1 (en) 1999-12-30 2004-01-13 At&T Corp. Local number portability database for on-net IP call
US6937713B1 (en) 1999-12-30 2005-08-30 At&T Corp. IP call forward profile
US6826173B1 (en) 1999-12-30 2004-11-30 At&T Corp. Enhanced subscriber IP alerting
US6775273B1 (en) 1999-12-30 2004-08-10 At&T Corp. Simplified IP service control
US7075918B1 (en) 1999-12-30 2006-07-11 At&T Corp. BRG with PBX capabilities
US6680935B1 (en) 1999-12-30 2004-01-20 At&T Corp. Anonymous call rejection
US6816469B1 (en) 1999-12-30 2004-11-09 At&T Corp. IP conference call waiting
US6775267B1 (en) 1999-12-30 2004-08-10 At&T Corp Method for billing IP broadband subscribers
US6728239B1 (en) 1999-12-30 2004-04-27 At&T Corp. Scaleable network server for low cost PBX
US6889321B1 (en) 1999-12-30 2005-05-03 At&T Corp. Protected IP telephony calls using encryption
US7120139B1 (en) 1999-12-30 2006-10-10 At&T Corp. Broadband cable telephony network architecture IP ITN network architecture reference model
US6429596B1 (en) 1999-12-31 2002-08-06 Extreme Devices, Inc. Segmented gate drive for dynamic beam shape correction in field emission cathodes
US6716077B1 (en) * 2000-05-17 2004-04-06 Micron Technology, Inc. Method of forming flow-fill structures
US6801002B2 (en) * 2000-05-26 2004-10-05 Exaconnect Corp. Use of a free space electron switch in a telecommunications network
US7449081B2 (en) 2000-06-21 2008-11-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
US7276844B2 (en) 2001-06-15 2007-10-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
US7793326B2 (en) 2001-08-03 2010-09-07 Comcast Ip Holdings I, Llc Video and digital multimedia aggregator
US7908628B2 (en) 2001-08-03 2011-03-15 Comcast Ip Holdings I, Llc Video and digital multimedia aggregator content coding and formatting
US6589675B2 (en) * 2001-11-13 2003-07-08 Kuan-Chang Peng Organic electro-luminescence device
EP1576640A1 (en) * 2002-12-17 2005-09-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
KR20050077539A (ko) * 2004-01-28 2005-08-03 삼성에스디아이 주식회사 액정 표시장치용 전계방출형 백라이트 유니트
JP4528926B2 (ja) * 2004-05-20 2010-08-25 高知県 電界放出型素子の駆動装置及びその駆動方法
US7940746B2 (en) 2004-08-24 2011-05-10 Comcast Cable Holdings, Llc Method and system for locating a voice over internet protocol (VoIP) device connected to a network
US7889163B2 (en) * 2004-08-27 2011-02-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Drive method for MEMS devices
US20080012461A1 (en) * 2004-11-09 2008-01-17 Nano-Proprietary, Inc. Carbon nanotube cold cathode
US20060205313A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Nano-Proprietary, Inc. Forming a grid structure for a field emission device
KR100624468B1 (ko) * 2005-05-24 2006-09-15 삼성에스디아이 주식회사 전계방출소자
US8000129B2 (en) * 2007-12-19 2011-08-16 Contour Semiconductor, Inc. Field-emitter-based memory array with phase-change storage devices
US8252165B2 (en) 2008-08-22 2012-08-28 E I Du Pont De Nemours And Company Method for the electrochemical deposition of carbon nanotubes
US8414757B2 (en) 2009-02-27 2013-04-09 E I Du Pont De Nemours And Company Process for improving the oxidation resistance of carbon nanotubes
US8238538B2 (en) 2009-05-28 2012-08-07 Comcast Cable Communications, Llc Stateful home phone service
US9421738B2 (en) * 2013-08-12 2016-08-23 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Chemically stable visible light photoemission electron source
EP3933881A1 (en) 2020-06-30 2022-01-05 VEC Imaging GmbH & Co. KG X-ray source with multiple grids

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663559A (en) * 1982-09-17 1987-05-05 Christensen Alton O Field emission device
US4763187A (en) * 1984-03-09 1988-08-09 Laboratoire D'etude Des Surfaces Method of forming images on a flat video screen
US5141460A (en) * 1991-08-20 1992-08-25 Jaskie James E Method of making a field emission electron source employing a diamond coating

Family Cites Families (232)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1954691A (en) * 1930-09-27 1934-04-10 Philips Nv Process of making alpha layer containing alpha fluorescent material
US2851408A (en) * 1954-10-01 1958-09-09 Westinghouse Electric Corp Method of electrophoretic deposition of luminescent materials and product resulting therefrom
US2959483A (en) * 1955-09-06 1960-11-08 Zenith Radio Corp Color image reproducer and method of manufacture
US2867541A (en) * 1957-02-25 1959-01-06 Gen Electric Method of preparing transparent luminescent screens
US3070441A (en) * 1958-02-27 1962-12-25 Rca Corp Art of manufacturing cathode-ray tubes of the focus-mask variety
US3108904A (en) * 1960-08-30 1963-10-29 Gen Electric Method of preparing luminescent materials and luminescent screens prepared thereby
NL285235A (ko) * 1961-11-08
US3360450A (en) * 1962-11-19 1967-12-26 American Optical Corp Method of making cathode ray tube face plates utilizing electrophoretic deposition
US3314871A (en) * 1962-12-20 1967-04-18 Columbia Broadcasting Syst Inc Method of cataphoretic deposition of luminescent materials
US3525679A (en) * 1964-05-05 1970-08-25 Westinghouse Electric Corp Method of electrodepositing luminescent material on insulating substrate
US3481733A (en) * 1966-04-18 1969-12-02 Sylvania Electric Prod Method of forming a cathodo-luminescent screen
US3554889A (en) * 1968-11-22 1971-01-12 Ibm Color cathode ray tube screens
US3675063A (en) * 1970-01-02 1972-07-04 Stanford Research Inst High current continuous dynode electron multiplier
US3755704A (en) * 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
US3789471A (en) * 1970-02-06 1974-02-05 Stanford Research Inst Field emission cathode structures, devices utilizing such structures, and methods of producing such structures
US3665241A (en) * 1970-07-13 1972-05-23 Stanford Research Inst Field ionizer and field emission cathode structures and methods of production
US3812559A (en) * 1970-07-13 1974-05-28 Stanford Research Inst Methods of producing field ionizer and field emission cathode structures
NL7018154A (ko) * 1970-12-12 1972-06-14
JPS4889678A (ko) * 1972-02-25 1973-11-22
JPS4911028A (ko) * 1972-05-25 1974-01-31
JPS5325632B2 (ko) * 1973-03-22 1978-07-27
US3898146A (en) * 1973-05-07 1975-08-05 Gte Sylvania Inc Process for fabricating a cathode ray tube screen structure
US3947716A (en) * 1973-08-27 1976-03-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Field emission tip and process for making same
US3970887A (en) * 1974-06-19 1976-07-20 Micro-Bit Corporation Micro-structure field emission electron source
JPS5436828B2 (ko) * 1974-08-16 1979-11-12
US4075535A (en) * 1975-04-15 1978-02-21 Battelle Memorial Institute Flat cathodic tube display
US4143292A (en) * 1975-06-27 1979-03-06 Hitachi, Ltd. Field emission cathode of glassy carbon and method of preparation
US4164680A (en) * 1975-08-27 1979-08-14 Villalobos Humberto F Polycrystalline diamond emitter
US4084942A (en) * 1975-08-27 1978-04-18 Villalobos Humberto Fernandez Ultrasharp diamond edges and points and method of making
US4168213A (en) * 1976-04-29 1979-09-18 U.S. Philips Corporation Field emission device and method of forming same
US4178531A (en) * 1977-06-15 1979-12-11 Rca Corporation CRT with field-emission cathode
US4141405A (en) * 1977-07-27 1979-02-27 Sri International Method of fabricating a funnel-shaped miniature electrode for use as a field ionization source
US4139773A (en) * 1977-11-04 1979-02-13 Oregon Graduate Center Method and apparatus for producing bright high resolution ion beams
SE411003B (sv) * 1978-04-13 1979-11-19 Soredal Sven Gunnar Emitter for feltemission, samt sett att framstella emittern
US4350926A (en) * 1980-07-28 1982-09-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Hollow beam electron source
US4307507A (en) * 1980-09-10 1981-12-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of manufacturing a field-emission cathode structure
US4507562A (en) * 1980-10-17 1985-03-26 Jean Gasiot Methods for rapidly stimulating luminescent phosphors and recovering information therefrom
DE3103293A1 (de) * 1981-01-31 1982-08-26 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Vakuumfluorezenzanzeigematrix und verfahren zu ihrem betrieb
JPS57162692U (ko) * 1981-04-03 1982-10-13
DE3235724A1 (de) * 1981-10-02 1983-04-21 Futaba Denshi Kogyo K.K., Mobara, Chiba Leuchtstoff-anzeigevorrichtung
US4728851A (en) * 1982-01-08 1988-03-01 Ford Motor Company Field emitter device with gated memory
US4578614A (en) * 1982-07-23 1986-03-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ultra-fast field emitter array vacuum integrated circuit switching device
JPS6010120B2 (ja) * 1982-09-14 1985-03-15 ソニー株式会社 粉体の非水溶液系電着法
US4498952A (en) * 1982-09-17 1985-02-12 Condesin, Inc. Batch fabrication procedure for manufacture of arrays of field emitted electron beams with integral self-aligned optical lense in microguns
US4513308A (en) * 1982-09-23 1985-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy p-n Junction controlled field emitter array cathode
DE3243596C2 (de) * 1982-11-25 1985-09-26 M.A.N. Maschinenfabrik Augsburg-Nürnberg AG, 8000 München Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Bildern auf einen Bildschirm
DE3319526C2 (de) * 1983-05-28 1994-10-20 Max Planck Gesellschaft Anordnung mit einem physikalischen Sensor
FR2547828B1 (fr) * 1983-06-23 1985-11-22 Centre Nat Rech Scient Materiau luminescent comportant une matrice solide a l'interieur de laquelle est reparti un compose fluorescent, son procede de preparation et son utilisation dans une photopile
CA1266297A (en) * 1983-07-30 1990-02-27 Hideaki Nakagawa Luminescent display cell
JPS6038490A (ja) * 1983-08-11 1985-02-28 Toshiba Corp 白色発光混合螢光体及びこれを用いた陰極線管
JPS6074231A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 Hitachi Ltd 陰極線管の製造方法
US4594527A (en) * 1983-10-06 1986-06-10 Xerox Corporation Vacuum fluorescent lamp having a flat geometry
US4816717A (en) * 1984-02-06 1989-03-28 Rogers Corporation Electroluminescent lamp having a polymer phosphor layer formed in substantially a non-crossed linked state
JPS60207229A (ja) * 1984-03-30 1985-10-18 Toshiba Corp 陰極線管螢光面の形成方法
JPS6110827A (ja) * 1984-06-27 1986-01-18 Matsushita Electronics Corp 陰極線管螢光体膜の形成方法
FR2568394B1 (fr) * 1984-07-27 1988-02-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ
US4633131A (en) * 1984-12-12 1986-12-30 North American Philips Corporation Halo-reducing faceplate arrangement
JPS61269832A (ja) * 1984-12-13 1986-11-29 Nec Corp 蛍光表示管
JPS61142645A (ja) * 1984-12-17 1986-06-30 Hitachi Ltd 正,負兼用イオン源
US4684353A (en) * 1985-08-19 1987-08-04 Dunmore Corporation Flexible electroluminescent film laminate
JPS6247050U (ko) * 1985-09-10 1987-03-23
US5124558A (en) 1985-10-10 1992-06-23 Quantex Corporation Imaging system for mamography employing electron trapping materials
US5166456A (en) 1985-12-16 1992-11-24 Kasei Optonix, Ltd. Luminescent phosphor composition
FR2593953B1 (fr) * 1986-01-24 1988-04-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ
US4684540A (en) * 1986-01-31 1987-08-04 Gte Products Corporation Coated pigmented phosphors and process for producing same
US4857799A (en) * 1986-07-30 1989-08-15 Sri International Matrix-addressed flat panel display
US5015912A (en) * 1986-07-30 1991-05-14 Sri International Matrix-addressed flat panel display
GB8621600D0 (en) * 1986-09-08 1987-03-18 Gen Electric Co Plc Vacuum devices
US4685996A (en) * 1986-10-14 1987-08-11 Busta Heinz H Method of making micromachined refractory metal field emitters
FR2607623B1 (fr) * 1986-11-27 1995-02-17 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons polarises de spin, utilisant une cathode emissive a micropointes, application en physique des interactions electrons-matiere ou electrons-particules, physique des plasmas, microscopie electronique
FR2608842B1 (fr) * 1986-12-22 1989-03-03 Commissariat Energie Atomique Transducteur photo-electronique utilisant une cathode emissive a micropointes
US4900584A (en) * 1987-01-12 1990-02-13 Planar Systems, Inc. Rapid thermal annealing of TFEL panels
US4851254A (en) * 1987-01-13 1989-07-25 Nippon Soken, Inc. Method and device for forming diamond film
US4721885A (en) * 1987-02-11 1988-01-26 Sri International Very high speed integrated microelectronic tubes
FR2615644B1 (fr) 1987-05-18 1989-06-30 Brunel Christian Dispositif d'affichage electroluminescent a effet memoire et a demi-teintes
US4822466A (en) * 1987-06-25 1989-04-18 University Of Houston - University Park Chemically bonded diamond films and method for producing same
DE3853744T2 (de) 1987-07-15 1996-01-25 Canon Kk Elektronenemittierende Vorrichtung.
US4818914A (en) * 1987-07-17 1989-04-04 Sri International High efficiency lamp
JPH063715B2 (ja) * 1987-10-02 1994-01-12 双葉電子工業株式会社 蛍光表示管
US4855636A (en) * 1987-10-08 1989-08-08 Busta Heinz H Micromachined cold cathode vacuum tube device and method of making
US4780684A (en) * 1987-10-22 1988-10-25 Hughes Aircraft Company Microwave integrated distributed amplifier with field emission triodes
FR2623013A1 (fr) * 1987-11-06 1989-05-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source
JPH0693164B2 (ja) * 1987-12-01 1994-11-16 双葉電子工業株式会社 表示装置
US5123039A (en) 1988-01-06 1992-06-16 Jupiter Toy Company Energy conversion using high charge density
US5153901A (en) 1988-01-06 1992-10-06 Jupiter Toy Company Production and manipulation of charged particles
US5054046A (en) * 1988-01-06 1991-10-01 Jupiter Toy Company Method of and apparatus for production and manipulation of high density charge
US5148461A (en) 1988-01-06 1992-09-15 Jupiter Toy Co. Circuits responsive to and controlling charged particles
DE3817897A1 (de) * 1988-01-06 1989-07-20 Jupiter Toy Co Die erzeugung und handhabung von ladungsgebilden hoher ladungsdichte
US5089812A (en) 1988-02-26 1992-02-18 Casio Computer Co., Ltd. Liquid-crystal display
JPH02503728A (ja) 1988-03-25 1990-11-01 トムソン‐セーエスエフ 電界放出形ソースの製造方法及びエミッタアレイの製造へのその応用
US5098737A (en) 1988-04-18 1992-03-24 Board Of Regents The University Of Texas System Amorphic diamond material produced by laser plasma deposition
US4987007A (en) * 1988-04-18 1991-01-22 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for producing a layer of material from a laser ion source
US4874981A (en) * 1988-05-10 1989-10-17 Sri International Automatically focusing field emission electrode
US5285129A (en) 1988-05-31 1994-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Segmented electron emission device
US4926056A (en) * 1988-06-10 1990-05-15 Sri International Microelectronic field ionizer and method of fabricating the same
FR2633765B1 (fr) * 1988-06-29 1991-09-06 Commissariat Energie Atomique Ecran fluorescent a micropointes ayant un nombre reduit de circuits d'adressage et procede d'adressage de cet ecran
US4923421A (en) * 1988-07-06 1990-05-08 Innovative Display Development Partners Method for providing polyimide spacers in a field emission panel display
US5063327A (en) * 1988-07-06 1991-11-05 Coloray Display Corporation Field emission cathode based flat panel display having polyimide spacers
US5185178A (en) 1988-08-29 1993-02-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of forming an array of densely packed discrete metal microspheres
FR2637126B1 (fr) * 1988-09-23 1992-05-07 Thomson Csf Composant tel que diode, triode ou dispositif d'affichage cathodoluminescent plat et integre, et procede de fabrication
US5043715A (en) * 1988-12-07 1991-08-27 Westinghouse Electric Corp. Thin film electroluminescent edge emitter structure with optical lens and multi-color light emission systems
FR2637407B1 (fr) 1988-09-30 1994-02-11 Commissariat A Energie Atomique Procede d'affichage de niveaux de gris sur un ecran a cristaux liquides ferroelectriques a phase smectique chirale
US4956573A (en) * 1988-12-19 1990-09-11 Babcock Display Products, Inc. Gas discharge display device with integral, co-planar, built-in heater
US4882659A (en) * 1988-12-21 1989-11-21 Delco Electronics Corporation Vacuum fluorescent display having integral backlit graphic patterns
US4956202A (en) * 1988-12-22 1990-09-11 Gte Products Corporation Firing and milling method for producing a manganese activated zinc silicate phosphor
US4892757A (en) * 1988-12-22 1990-01-09 Gte Products Corporation Method for a producing manganese activated zinc silicate phosphor
EP0377320B1 (en) 1988-12-27 1997-07-30 Canon Kabushiki Kaisha Electric field light-emitting device
JP2548352B2 (ja) 1989-01-17 1996-10-30 松下電器産業株式会社 発光素子およびその製造方法
US5008657A (en) * 1989-01-31 1991-04-16 Varo, Inc. Self adjusting matrix display
US4994205A (en) * 1989-02-03 1991-02-19 Eastman Kodak Company Composition containing a hafnia phosphor of enhanced luminescence
US5142390A (en) 1989-02-23 1992-08-25 Ricoh Company, Ltd. MIM element with a doped hard carbon film
US5101288A (en) 1989-04-06 1992-03-31 Ricoh Company, Ltd. LCD having obliquely split or interdigitated pixels connected to MIM elements having a diamond-like insulator
US5153753A (en) 1989-04-12 1992-10-06 Ricoh Company, Ltd. Active matrix-type liquid crystal display containing a horizontal MIM device with inter-digital conductors
JP2799875B2 (ja) 1989-05-20 1998-09-21 株式会社リコー 液晶表示装置
US4990766A (en) * 1989-05-22 1991-02-05 Murasa International Solid state electron amplifier
JP2757207B2 (ja) 1989-05-24 1998-05-25 株式会社リコー 液晶表示装置
US4990416A (en) * 1989-06-19 1991-02-05 Coloray Display Corporation Deposition of cathodoluminescent materials by reversal toning
US5101137A (en) 1989-07-10 1992-03-31 Westinghouse Electric Corp. Integrated tfel flat panel face and edge emitter structure producing multiple light sources
US4943343A (en) * 1989-08-14 1990-07-24 Zaher Bardai Self-aligned gate process for fabricating field emitter arrays
KR910008017B1 (ko) 1989-08-30 1991-10-05 삼성전관 주식회사 칼라음극선관용 패널 세정방법
EP0420188A1 (en) 1989-09-27 1991-04-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor heterojunction structure
US5019003A (en) * 1989-09-29 1991-05-28 Motorola, Inc. Field emission device having preformed emitters
US5055077A (en) * 1989-11-22 1991-10-08 Motorola, Inc. Cold cathode field emission device having an electrode in an encapsulating layer
US5214416A (en) 1989-12-01 1993-05-25 Ricoh Company, Ltd. Active matrix board
US5228878A (en) 1989-12-18 1993-07-20 Seiko Epson Corporation Field electron emission device production method
US5229682A (en) 1989-12-18 1993-07-20 Seiko Epson Corporation Field electron emission device
US5412285A (en) 1990-12-06 1995-05-02 Seiko Epson Corporation Linear amplifier incorporating a field emission device having specific gap distances between gate and cathode
DE69026353T2 (de) * 1989-12-19 1996-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Feldemissionsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
US5038070A (en) * 1989-12-26 1991-08-06 Hughes Aircraft Company Field emitter structure and fabrication process
US5235244A (en) 1990-01-29 1993-08-10 Innovative Display Development Partners Automatically collimating electron beam producing arrangement
US5064396A (en) 1990-01-29 1991-11-12 Coloray Display Corporation Method of manufacturing an electric field producing structure including a field emission cathode
US4964946A (en) * 1990-02-02 1990-10-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for fabricating self-aligned field emitter arrays
US5079476A (en) 1990-02-09 1992-01-07 Motorola, Inc. Encapsulated field emission device
US5007873A (en) * 1990-02-09 1991-04-16 Motorola, Inc. Non-planar field emission device having an emitter formed with a substantially normal vapor deposition process
US5142184B1 (en) 1990-02-09 1995-11-21 Motorola Inc Cold cathode field emission device with integral emitter ballasting
US5214346A (en) 1990-02-22 1993-05-25 Seiko Epson Corporation Microelectronic vacuum field emission device
US5192240A (en) 1990-02-22 1993-03-09 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a microelectronic vacuum device
JP2720607B2 (ja) 1990-03-02 1998-03-04 株式会社日立製作所 表示装置、階調表示方法及び駆動回路
JP2820491B2 (ja) 1990-03-30 1998-11-05 松下電子工業株式会社 気体放電型表示装置
US5126287A (en) 1990-06-07 1992-06-30 Mcnc Self-aligned electron emitter fabrication method and devices formed thereby
US5266155A (en) 1990-06-08 1993-11-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for making a symmetrical layered thin film edge field-emitter-array
US5214347A (en) 1990-06-08 1993-05-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Layered thin-edged field-emitter device
FR2663462B1 (fr) * 1990-06-13 1992-09-11 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes.
US5156770A (en) 1990-06-26 1992-10-20 Thomson Consumer Electronics, Inc. Conductive contact patch for a CRT faceplate panel
US5231606A (en) 1990-07-02 1993-07-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Field emitter array memory device
US5202571A (en) 1990-07-06 1993-04-13 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device with diamond
US5201992A (en) 1990-07-12 1993-04-13 Bell Communications Research, Inc. Method for making tapered microminiature silicon structures
US5204581A (en) 1990-07-12 1993-04-20 Bell Communications Research, Inc. Device including a tapered microminiature silicon structure
US5075591A (en) * 1990-07-13 1991-12-24 Coloray Display Corporation Matrix addressing arrangement for a flat panel display with field emission cathodes
US5063323A (en) * 1990-07-16 1991-11-05 Hughes Aircraft Company Field emitter structure providing passageways for venting of outgassed materials from active electronic area
US5203731A (en) 1990-07-18 1993-04-20 International Business Machines Corporation Process and structure of an integrated vacuum microelectronic device
US5141459A (en) 1990-07-18 1992-08-25 International Business Machines Corporation Structures and processes for fabricating field emission cathodes
US5089292A (en) 1990-07-20 1992-02-18 Coloray Display Corporation Field emission cathode array coated with electron work function reducing material, and method
US5276521A (en) 1990-07-30 1994-01-04 Olympus Optical Co., Ltd. Solid state imaging device having a constant pixel integrating period and blooming resistance
US5148078A (en) 1990-08-29 1992-09-15 Motorola, Inc. Field emission device employing a concentric post
US5103145A (en) * 1990-09-05 1992-04-07 Raytheon Company Luminance control for cathode-ray tube having field emission cathode
US5157309A (en) 1990-09-13 1992-10-20 Motorola Inc. Cold-cathode field emission device employing a current source means
US5057047A (en) 1990-09-27 1991-10-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low capacitance field emitter array and method of manufacture therefor
US5150192A (en) 1990-09-27 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Field emitter array
US5136764A (en) 1990-09-27 1992-08-11 Motorola, Inc. Method for forming a field emission device
US5089742A (en) * 1990-09-28 1992-02-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electron beam source formed with biologically derived tubule materials
US5103144A (en) * 1990-10-01 1992-04-07 Raytheon Company Brightness control for flat panel display
US5075596A (en) 1990-10-02 1991-12-24 United Technologies Corporation Electroluminescent display brightness compensation
US5183529A (en) 1990-10-29 1993-02-02 Ford Motor Company Fabrication of polycrystalline free-standing diamond films
US5281890A (en) 1990-10-30 1994-01-25 Motorola, Inc. Field emission device having a central anode
US5173634A (en) 1990-11-30 1992-12-22 Motorola, Inc. Current regulated field-emission device
US5173635A (en) 1990-11-30 1992-12-22 Motorola, Inc. Bi-directional field emission device
US5157304A (en) 1990-12-17 1992-10-20 Motorola, Inc. Field emission device display with vacuum seal
US5132585A (en) 1990-12-21 1992-07-21 Motorola, Inc. Projection display faceplate employing an optically transmissive diamond coating of high thermal conductivity
JPH04221990A (ja) 1990-12-25 1992-08-12 Sony Corp 画像表示装置
US5209687A (en) 1990-12-28 1993-05-11 Sony Corporation Flat panel display apparatus and a method of manufacturing thereof
EP0729171B1 (en) 1990-12-28 2000-08-23 Sony Corporation A method of manufacturing a flat panel display apparatus
US5212426A (en) 1991-01-24 1993-05-18 Motorola, Inc. Integrally controlled field emission flat display device
US5075595A (en) 1991-01-24 1991-12-24 Motorola, Inc. Field emission device with vertically integrated active control
GB9101723D0 (en) 1991-01-25 1991-03-06 Marconi Gec Ltd Field emission devices
JP2626276B2 (ja) 1991-02-06 1997-07-02 双葉電子工業株式会社 電子放出素子
US5312514A (en) 1991-11-07 1994-05-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter device using randomly located nuclei as an etch mask
US5281891A (en) 1991-02-22 1994-01-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron emission element
US5347201A (en) 1991-02-25 1994-09-13 Panocorp Display Systems Display device
US5140219A (en) 1991-02-28 1992-08-18 Motorola, Inc. Field emission display device employing an integral planar field emission control device
GB2254486B (en) 1991-03-06 1995-01-18 Sony Corp Flat image-display apparatus
US5142256A (en) 1991-04-04 1992-08-25 Motorola, Inc. Pin diode with field emission device switch
US5220725A (en) 1991-04-09 1993-06-22 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device
FR2675947A1 (fr) 1991-04-23 1992-10-30 France Telecom Procede de passivation locale d'un substrat par une couche de carbone amorphe hydrogene et procede de fabrication de transistors en couches minces sur ce substrat passive.
US5144191A (en) 1991-06-12 1992-09-01 Mcnc Horizontal microelectronic field emission devices
US5233263A (en) 1991-06-27 1993-08-03 International Business Machines Corporation Lateral field emission devices
US5155420A (en) 1991-08-05 1992-10-13 Smith Robert T Switching circuits employing field emission devices
US5227699A (en) 1991-08-16 1993-07-13 Amoco Corporation Recessed gate field emission
US5138237A (en) 1991-08-20 1992-08-11 Motorola, Inc. Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter
US5129850A (en) 1991-08-20 1992-07-14 Motorola, Inc. Method of making a molded field emission electron emitter employing a diamond coating
US5262698A (en) 1991-10-31 1993-11-16 Raytheon Company Compensation for field emission display irregularities
US5199918A (en) 1991-11-07 1993-04-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of forming field emitter device with diamond emission tips
US5399238A (en) 1991-11-07 1995-03-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making field emission tips using physical vapor deposition of random nuclei as etch mask
US5191217A (en) 1991-11-25 1993-03-02 Motorola, Inc. Method and apparatus for field emission device electrostatic electron beam focussing
US5124072A (en) 1991-12-02 1992-06-23 General Electric Company Alkaline earth hafnate phosphor with cerium luminescence
US5199917A (en) 1991-12-09 1993-04-06 Cornell Research Foundation, Inc. Silicon tip field emission cathode arrays and fabrication thereof
DE69214780T2 (de) 1991-12-11 1997-05-15 Agfa Gevaert Nv Methode zur Herstellung eines radiographischen Schirmes
US5204021A (en) 1992-01-03 1993-04-20 General Electric Company Lanthanide oxide fluoride phosphor having cerium luminescence
US5180951A (en) * 1992-02-05 1993-01-19 Motorola, Inc. Electron device electron source including a polycrystalline diamond
US5173697A (en) 1992-02-05 1992-12-22 Motorola, Inc. Digital-to-analog signal conversion device employing scaled field emission devices
US5252833A (en) 1992-02-05 1993-10-12 Motorola, Inc. Electron source for depletion mode electron emission apparatus
US5213712A (en) 1992-02-10 1993-05-25 General Electric Company Lanthanum lutetium oxide phosphor with cerium luminescence
US5229331A (en) 1992-02-14 1993-07-20 Micron Technology, Inc. Method to form self-aligned gate structures around cold cathode emitter tips using chemical mechanical polishing technology
US5151061A (en) 1992-02-21 1992-09-29 Micron Technology, Inc. Method to form self-aligned tips for flat panel displays
US5186670A (en) 1992-03-02 1993-02-16 Micron Technology, Inc. Method to form self-aligned gate structures and focus rings
US5259799A (en) 1992-03-02 1993-11-09 Micron Technology, Inc. Method to form self-aligned gate structures and focus rings
US5205770A (en) 1992-03-12 1993-04-27 Micron Technology, Inc. Method to form high aspect ratio supports (spacers) for field emission display using micro-saw technology
JP2661457B2 (ja) 1992-03-31 1997-10-08 双葉電子工業株式会社 電界放出形カソード
US5315393A (en) 1992-04-01 1994-05-24 Amoco Corporation Robust pixel array scanning with image signal isolation
US5357172A (en) 1992-04-07 1994-10-18 Micron Technology, Inc. Current-regulated field emission cathodes for use in a flat panel display in which low-voltage row and column address signals control a much higher pixel activation voltage
US5410218A (en) 1993-06-15 1995-04-25 Micron Display Technology, Inc. Active matrix field emission display having peripheral regulation of tip current
US5232549A (en) 1992-04-14 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Spacers for field emission display fabricated via self-aligned high energy ablation
KR950004516B1 (ko) 1992-04-29 1995-05-01 삼성전관주식회사 필드 에미션 디스플레이와 그 제조방법
US5256888A (en) 1992-05-04 1993-10-26 Motorola, Inc. Transistor device apparatus employing free-space electron emission from a diamond material surface
US5329207A (en) 1992-05-13 1994-07-12 Micron Technology, Inc. Field emission structures produced on macro-grain polysilicon substrates
KR0129678B1 (en) 1992-05-22 1998-04-06 Futaba Denshi Kogyo Kk Fluorescent display device
US5283500A (en) 1992-05-28 1994-02-01 At&T Bell Laboratories Flat panel field emission display apparatus
US5278475A (en) 1992-06-01 1994-01-11 Motorola, Inc. Cathodoluminescent display apparatus and method for realization using diamond crystallites
US5300862A (en) 1992-06-11 1994-04-05 Motorola, Inc. Row activating method for fed cathodoluminescent display assembly
US5242620A (en) 1992-07-02 1993-09-07 General Electric Company Gadolinium lutetium aluminate phosphor with cerium luminescence
US5330879A (en) 1992-07-16 1994-07-19 Micron Technology, Inc. Method for fabrication of close-tolerance lines and sharp emission tips on a semiconductor wafer
US5312777A (en) 1992-09-25 1994-05-17 International Business Machines Corporation Fabrication methods for bidirectional field emission devices and storage structures
US5236545A (en) 1992-10-05 1993-08-17 The Board Of Governors Of Wayne State University Method for heteroepitaxial diamond film development
US5347292A (en) 1992-10-28 1994-09-13 Panocorp Display Systems Super high resolution cold cathode fluorescent display
KR960009127B1 (en) 1993-01-06 1996-07-13 Samsung Display Devices Co Ltd Silicon field emission emitter and the manufacturing method
US5368681A (en) 1993-06-09 1994-11-29 Hong Kong University Of Science Method for the deposition of diamond on a substrate
US5380546A (en) 1993-06-09 1995-01-10 Microelectronics And Computer Technology Corporation Multilevel metallization process for electronic components
US5387844A (en) 1993-06-15 1995-02-07 Micron Display Technology, Inc. Flat panel display drive circuit with switched drive current
US5396150A (en) 1993-07-01 1995-03-07 Industrial Technology Research Institute Single tip redundancy method and resulting flat panel display
US5302423A (en) 1993-07-09 1994-04-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for fabricating pixelized phosphors
US5393647A (en) 1993-07-16 1995-02-28 Armand P. Neukermans Method of making superhard tips for micro-probe microscopy and field emission
US5404070A (en) 1993-10-04 1995-04-04 Industrial Technology Research Institute Low capacitance field emission display by gate-cathode dielectric

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663559A (en) * 1982-09-17 1987-05-05 Christensen Alton O Field emission device
US4763187A (en) * 1984-03-09 1988-08-09 Laboratoire D'etude Des Surfaces Method of forming images on a flat video screen
US4763187B1 (en) * 1984-03-09 1997-11-04 Etude Des Surfaces Lab Method of forming images on a flat video screen
US5141460A (en) * 1991-08-20 1992-08-25 Jaskie James E Method of making a field emission electron source employing a diamond coating

Also Published As

Publication number Publication date
DE69331749D1 (de) 2002-04-25
AU5740294A (en) 1994-07-19
US5612712A (en) 1997-03-18
WO1994015350A1 (en) 1994-07-07
DE69331749T2 (de) 2002-08-22
US5449970A (en) 1995-09-12
EP0676083A1 (en) 1995-10-11
KR960700516A (ko) 1996-01-20
EP0676083B1 (en) 2002-03-20
JPH08506686A (ja) 1996-07-16
EP0676083A4 (en) 1996-12-27
CA2152471A1 (en) 1994-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100401281B1 (ko) 다이오드구조평판디스플레이
US5646702A (en) Field emitter liquid crystal display
KR100759413B1 (ko) 발광 장치와 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는액정 표시장치
KR100740029B1 (ko) 휘도 변조 소자를 이용한 화상 표시 장치 및 그 구동 방법
EP0492585B1 (en) Flat display
US6225739B1 (en) Focusing electrode for field emission displays and method
US7710362B2 (en) Electron emission display (EED) and method of driving the same
KR100687150B1 (ko) 평면형 표시 장치를 구동하는 방법 및 구동 시스템
US4801850A (en) High brightness vacuum fluorescent display (VFD) devices
KR100889527B1 (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치
US20090115756A1 (en) Matrix phosphor cold cathode display employing ion activated phosphors
KR100796689B1 (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치
KR100814848B1 (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는액정 표시장치
KR100759399B1 (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치
KR100717762B1 (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는액정 표시장치
KR100759400B1 (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치
KR100766926B1 (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치
KR100823513B1 (ko) 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR100548256B1 (ko) 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 구동 방법
KR100766927B1 (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시장치
KR100830991B1 (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시장치
KR100759414B1 (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는액정 표시장치
KR20050020518A (ko) 탄소 나노튜브 전계방출소자 구동 방법
Baptist Integrated Microtips: Application to flat displays
KR19990073945A (ko) 평면형 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20010627

Effective date: 20020829

Free format text: TRIAL NUMBER: 2001101001970; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20010627

Effective date: 20020829

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120831

Year of fee payment: 10

EXPY Expiration of term