JPS60207229A - 陰極線管螢光面の形成方法 - Google Patents
陰極線管螢光面の形成方法Info
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- JPS60207229A JPS60207229A JP59060815A JP6081584A JPS60207229A JP S60207229 A JPS60207229 A JP S60207229A JP 59060815 A JP59060815 A JP 59060815A JP 6081584 A JP6081584 A JP 6081584A JP S60207229 A JPS60207229 A JP S60207229A
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- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は陰極線管螢光面の形成方法に係り、特に粉体受
容層による螢光体粉体の付着方法に関するものである。
容層による螢光体粉体の付着方法に関するものである。
陰極線管例えばカラー受像管の螢光面は赤、緑及び青に
発光する螢光体群が規則的に配列するように形成されて
いる。このような螢光面シャドウマスクを介する露光法
によって赤、緑及び青の各色値光体が順次形成される。
発光する螢光体群が規則的に配列するように形成されて
いる。このような螢光面シャドウマスクを介する露光法
によって赤、緑及び青の各色値光体が順次形成される。
また各色発光螢光体間に黒色光吸収体を配設する螢光面
も多用されている。このような螢光面の形成方法として
はスラリー法と粉体塗布法が挙げられる。スラリー法は
フェースプレート内面に例えばポリビニルアルコールと
重クロム酸アンモニウムからなる感光性樹脂に螢光体粒
子ン混合しにスラリー乞塗布しシャドウマスクを介して
露光し不要部分乞現像処理により除去する形成方法であ
る。これに対して粉体塗布法は特公昭４８−１４４９８
号公報に示されているように螢光体粒子を混入しない感
光性樹脂をフェースプレート内面に塗布しシャドウマス
クを介して露光し必要とする部分に粘性？有する粉体受
容層を形成し、この粉体受容層に螢光体粉体ン付着せし
める形成方法である。スラリー法では露光時の螢光体粒
子、特に大粒子螢光体による光散乱のため正確なパター
ニングが得られないこと及び高精細度用のファインピッ
チのパターニングが困難なこと、用いる感光性樹脂によ
っては螢光体特性が劣化すること及び螢光体によっては
感光性樹脂との混合によるゲル化等の問題のため適用し
得る螢光体が限定される等の問題点がある。これに対し
て粉体塗布法は上記スラリー法の問題点がないことに加
えて、形成工程が比較的簡便になること及び適用する感
光性樹脂によっては或は現像工程では殆んど、水力至は
有機溶媒を用いる必要がない等の利点を有する。
も多用されている。このような螢光面の形成方法として
はスラリー法と粉体塗布法が挙げられる。スラリー法は
フェースプレート内面に例えばポリビニルアルコールと
重クロム酸アンモニウムからなる感光性樹脂に螢光体粒
子ン混合しにスラリー乞塗布しシャドウマスクを介して
露光し不要部分乞現像処理により除去する形成方法であ
る。これに対して粉体塗布法は特公昭４８−１４４９８
号公報に示されているように螢光体粒子を混入しない感
光性樹脂をフェースプレート内面に塗布しシャドウマス
クを介して露光し必要とする部分に粘性？有する粉体受
容層を形成し、この粉体受容層に螢光体粉体ン付着せし
める形成方法である。スラリー法では露光時の螢光体粒
子、特に大粒子螢光体による光散乱のため正確なパター
ニングが得られないこと及び高精細度用のファインピッ
チのパターニングが困難なこと、用いる感光性樹脂によ
っては螢光体特性が劣化すること及び螢光体によっては
感光性樹脂との混合によるゲル化等の問題のため適用し
得る螢光体が限定される等の問題点がある。これに対し
て粉体塗布法は上記スラリー法の問題点がないことに加
えて、形成工程が比較的簡便になること及び適用する感
光性樹脂によっては或は現像工程では殆んど、水力至は
有機溶媒を用いる必要がない等の利点を有する。
このような粉体塗布法において、螢光体粉体を粉体受容
層に付着させる方法として粉体１に：突気中に分散させ
て高速でスプレーにより吹きつけ・る、いわゆるダステ
ィング法が簡便な方法である。しかし乍らダスティング
法では粉体が高速でスプレーガンのノズルン通過するた
め粉体相互間で摩擦が生じ螢光体の発光輝度が低下する
恐れがある。
層に付着させる方法として粉体１に：突気中に分散させ
て高速でスプレーにより吹きつけ・る、いわゆるダステ
ィング法が簡便な方法である。しかし乍らダスティング
法では粉体が高速でスプレーガンのノズルン通過するた
め粉体相互間で摩擦が生じ螢光体の発光輝度が低下する
恐れがある。
また特開昭５８−８９７５１号公報では、第１図に示す
ように粉体受容層の形成されたフェースプレート（１）
内面に螢光体粉体（３）ヲ投入し、フェースプレーｌ）
なｘ−ｘ’及びＹ−Ｙ’方向に傾斜させ、螢光体粉体を
粉体受容層に沿って滑らせて全面に付着させる方法が示
されている。この方法では最初に螢光体粉体が投入され
た部分と他の部分では粉体の充填度や膜厚のばらつきに
よる不均一性が生じ、また適切な膜厚を得るために充分
な時間が必要である等の問題がある。
ように粉体受容層の形成されたフェースプレート（１）
内面に螢光体粉体（３）ヲ投入し、フェースプレーｌ）
なｘ−ｘ’及びＹ−Ｙ’方向に傾斜させ、螢光体粉体を
粉体受容層に沿って滑らせて全面に付着させる方法が示
されている。この方法では最初に螢光体粉体が投入され
た部分と他の部分では粉体の充填度や膜厚のばらつきに
よる不均一性が生じ、また適切な膜厚を得るために充分
な時間が必要である等の問題がある。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、充填度が高
く、且つ充分な膜厚の均一でむらのない螢光体ｍｖ短時
間で得られる粉体塗布法による陰極線管螢光面の形成方
法ン提、供することを目的とする。
く、且つ充分な膜厚の均一でむらのない螢光体ｍｖ短時
間で得られる粉体塗布法による陰極線管螢光面の形成方
法ン提、供することを目的とする。
本発明ハフエースプレート内面に実質的に垂直な回転軸
に沿ってフェースプレー）Ｙ回転させながらフェースプ
レート内面に螢光体粉体馨投入し、回転軸の鉛直下方向
となす角ＪＩ’ａ’ｔＯＯ度乃至１８０度として螢光体
粉体馨相対的に常に移動せしめて上記目的を達成するも
のである。
に沿ってフェースプレー）Ｙ回転させながらフェースプ
レート内面に螢光体粉体馨投入し、回転軸の鉛直下方向
となす角ＪＩ’ａ’ｔＯＯ度乃至１８０度として螢光体
粉体馨相対的に常に移動せしめて上記目的を達成するも
のである。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
まず光を照射すること（二よって粉体受容性ン有する物
質として、 ポリビニルアルコール ０．５重ＩＬ％ジアゾニウム塩
４重Ｒ％ 界面活性剤 ｏ、ｏ ｏ ｓ重量％ 水 残部 からなる組成のもの馨フェースプレート内面に約１μｍ
の厚さに塗布する。次いでフェースプレート内面中心軸
から約３５０ｍ離して配したｌ ＫＷ超高圧水銀灯によ
りシャドウマスクな介して約２分間露光し、露光部位に
粉体受容性？有する粘着部を形成する。その後シャドウ
マスクを外して第２図に示すようにフェースプレーＨ１
１’Ｙ鉛匣軸（４）下方向に対し約４０度に傾斜させて
フェースプレート（１）内面に実質的に垂直な回転軸に
沿って約３５１ＰＭで回転させ、フェースプレート（１
）の内面に例え−よ青色発光螢光体粉体（３）を供給ノ
ズル（２）により約３０９投入する。この際螢光体粉体
（３）がフェースプレー ） （１）内面から脱落しな
いように、フェースプレーＨ１）の外周端から内方に適
当に張り出し定開口遮蔽板（９）ン配しておくとよい。
質として、 ポリビニルアルコール ０．５重ＩＬ％ジアゾニウム塩
４重Ｒ％ 界面活性剤 ｏ、ｏ ｏ ｓ重量％ 水 残部 からなる組成のもの馨フェースプレート内面に約１μｍ
の厚さに塗布する。次いでフェースプレート内面中心軸
から約３５０ｍ離して配したｌ ＫＷ超高圧水銀灯によ
りシャドウマスクな介して約２分間露光し、露光部位に
粉体受容性？有する粘着部を形成する。その後シャドウ
マスクを外して第２図に示すようにフェースプレーＨ１
１’Ｙ鉛匣軸（４）下方向に対し約４０度に傾斜させて
フェースプレート（１）内面に実質的に垂直な回転軸に
沿って約３５１ＰＭで回転させ、フェースプレート（１
）の内面に例え−よ青色発光螢光体粉体（３）を供給ノ
ズル（２）により約３０９投入する。この際螢光体粉体
（３）がフェースプレー ） （１）内面から脱落しな
いように、フェースプレーＨ１）の外周端から内方に適
当に張り出し定開口遮蔽板（９）ン配しておくとよい。
投入された螢光体粉体（３）はフェースプレート（１）
内面に実質的に垂直な回転軸（７）に沿って矢印（６）
に示すように回転することによりフェースプレート内面
全面に拡げられる。回転軸（７）は鉛直軸（４）下方向
ン零度とした時角度（５）を有するように傾けられてい
る。この回転速度と傾斜角は螢光体粉体が一部（＝偏よ
らず（二均−ロ拡げるために重要であり、第３図に示す
よう（＝矢印（６人）の回転速度と傾斜角度（５Ａ）Ｙ
適宜調整するとよい。即ち、回転数は！ＲＰＭ乃至１５
０ ＲＰＭとするとよい。回転数が１５Ｑ ＲＰＭ ７
超えると遠心力が強大で螢光体粉体がフェースプレート
の側壁部まで飛んでしまい、また回転数がｌ ＲＰＭ以
下では遠心力が弱すぎ螢光体粉体ン充分移動させること
ができず均一な膜が得られない。またフェースプレート
の回転軸と鉛直下方向のなす角度はｔｏｏｋ乃至１８０
度とするとよい。即ちｌ、００度未満では螢光体粉体が
フェースプレート側壁に溜り易く均一な膜が形成されな
い。以上の回転数と傾斜角度ン用いるフェースプレート
に応じて適宜組み合わせると良いが、この際も傾斜角ｆ
ｊＪｆ主体として回転数７ａ′組み合わせるとよい。こ
のようにしてフェースプレート内向に形成された粉体受
容層に螢光体粉体を付着させた後、第４図に示すように
開口遮蔽板（９）乞除去し、回転軸（７）の傾斜角度（
５ｃ）ン除々に小さくし、フェースプレート内面を鉛直
軸（４）下方向に向は残留螢光体粉体（３）ン排出する
。次いでフェースプレート内面から約２００８の距離に
配置した５ｃ酩間隔で０．５關径のノズル孔？ｌ’７個
配したスプレーガンから約８．５ｍ’／秒の乾燥空気を
吹き付は不要部の螢光体粉体馨吹き飛ばす、いわゆる吏
気現像を行なって所定の青色発光螢光体パターンン形成
する。以下同様にして緑及び赤色発光螢光体パターンを
形成して螢光ｔｈＩを完成する。
内面に実質的に垂直な回転軸（７）に沿って矢印（６）
に示すように回転することによりフェースプレート内面
全面に拡げられる。回転軸（７）は鉛直軸（４）下方向
ン零度とした時角度（５）を有するように傾けられてい
る。この回転速度と傾斜角は螢光体粉体が一部（＝偏よ
らず（二均−ロ拡げるために重要であり、第３図に示す
よう（＝矢印（６人）の回転速度と傾斜角度（５Ａ）Ｙ
適宜調整するとよい。即ち、回転数は！ＲＰＭ乃至１５
０ ＲＰＭとするとよい。回転数が１５Ｑ ＲＰＭ ７
超えると遠心力が強大で螢光体粉体がフェースプレート
の側壁部まで飛んでしまい、また回転数がｌ ＲＰＭ以
下では遠心力が弱すぎ螢光体粉体ン充分移動させること
ができず均一な膜が得られない。またフェースプレート
の回転軸と鉛直下方向のなす角度はｔｏｏｋ乃至１８０
度とするとよい。即ちｌ、００度未満では螢光体粉体が
フェースプレート側壁に溜り易く均一な膜が形成されな
い。以上の回転数と傾斜角度ン用いるフェースプレート
に応じて適宜組み合わせると良いが、この際も傾斜角ｆ
ｊＪｆ主体として回転数７ａ′組み合わせるとよい。こ
のようにしてフェースプレート内向に形成された粉体受
容層に螢光体粉体を付着させた後、第４図に示すように
開口遮蔽板（９）乞除去し、回転軸（７）の傾斜角度（
５ｃ）ン除々に小さくし、フェースプレート内面を鉛直
軸（４）下方向に向は残留螢光体粉体（３）ン排出する
。次いでフェースプレート内面から約２００８の距離に
配置した５ｃ酩間隔で０．５關径のノズル孔？ｌ’７個
配したスプレーガンから約８．５ｍ’／秒の乾燥空気を
吹き付は不要部の螢光体粉体馨吹き飛ばす、いわゆる吏
気現像を行なって所定の青色発光螢光体パターンン形成
する。以下同様にして緑及び赤色発光螢光体パターンを
形成して螢光ｔｈＩを完成する。
このような形成方法では投入された螢光体粉体は、フェ
ースプレートの傾斜とこれに伴って設定された回転速度
により常（−フェースプレート内面を相対的に移動する
ために局部的な偏より？生ずることがない。また当初の
投入螢光体粉体もより少ない量でよく、比較的短時間で
粉体付着工程が終了するので効率が高い。
ースプレートの傾斜とこれに伴って設定された回転速度
により常（−フェースプレート内面を相対的に移動する
ために局部的な偏より？生ずることがない。また当初の
投入螢光体粉体もより少ない量でよく、比較的短時間で
粉体付着工程が終了するので効率が高い。
次にこのような粉体塗布法による青色発光螢光面乞１９
吋型カラー受像管に適用した例について従来法により形
成した螢光面と比較して第１表に示す。比較例は前述の
ダスティング法によるものと、第１図に示すＸ−Ｙ頌斜
法によるものである。また透過率は螢光体付着部分のみ
の白色可視光による換算値を示し、輝度は加速電圧２５
にＶ ｓ Ｉｘ ＝ ５（１０μ人で動作させた時の輝
Ｋｗダスティング法によるものを基準として相対値で示
した。
吋型カラー受像管に適用した例について従来法により形
成した螢光面と比較して第１表に示す。比較例は前述の
ダスティング法によるものと、第１図に示すＸ−Ｙ頌斜
法によるものである。また透過率は螢光体付着部分のみ
の白色可視光による換算値を示し、輝度は加速電圧２５
にＶ ｓ Ｉｘ ＝ ５（１０μ人で動作させた時の輝
Ｋｗダスティング法によるものを基準として相対値で示
した。
第１表 粉体塗布法による螢光面の特性第１表からも明
らかなよ２に本発明の実施例による螢光面は、充分な膜
厚が得られると共に膜厚のばらつきも少なく、むらの発
生がな、く且っ輝度の高い螢光面が得られた。また膜厚
と透過率の関係から螢光体粉体の充填率即ちち密度も最
も高いことがわかる。
らかなよ２に本発明の実施例による螢光面は、充分な膜
厚が得られると共に膜厚のばらつきも少なく、むらの発
生がな、く且っ輝度の高い螢光面が得られた。また膜厚
と透過率の関係から螢光体粉体の充填率即ちち密度も最
も高いことがわかる。
上記と同様にして青、緑及び赤色発光螢光体の三色発光
螢光面を完成し、各色発光螢光体への他色発光螢光体の
混入及び螢光面全体のむらの状態ン第２表に示す。各混
入率は螢光面を紫外線で光らせ顕微鏡により測定した概
算値である。
螢光面を完成し、各色発光螢光体への他色発光螢光体の
混入及び螢光面全体のむらの状態ン第２表に示す。各混
入率は螢光面を紫外線で光らせ顕微鏡により測定した概
算値である。
（昆下斥台ジ
第２表 粉体塗布法による螢光面状態
第２表から明らかなように本発明の実施例による螢光面
は各色発光螢光体に対する他色発光螢光体の混入率が少
なく、またむらの発生もない。従って極めて高品位の螢
光面とすることができる。
は各色発光螢光体に対する他色発光螢光体の混入率が少
なく、またむらの発生もない。従って極めて高品位の螢
光面とすることができる。
以上のように本発明（二よれば充分な膜厚で充填率が高
く混色の少ないむらのない螢光面？形成することができ
る。また作業効率も高く、適用し得る螢光体も程んど制
御されることがない等工業的価値は極めて大である。
く混色の少ないむらのない螢光面？形成することができ
る。また作業効率も高く、適用し得る螢光体も程んど制
御されることがない等工業的価値は極めて大である。
第１図は従来の形成方法ン説明するための概略図、第２
図乃至第４図は本発明の実施例による螢光面形成方法？
説明するための概略図である。 １１）・・・フェースプレー） １２）・・・ノズル（
３）・・・螢光体粉体 （４）・・・鉛直軸（５）・・
・角度 （７）・・・回転軸（９）・・・開口遮蔽板 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （１か１１名） 第 １ 図 第３図 第４゜
図乃至第４図は本発明の実施例による螢光面形成方法？
説明するための概略図である。 １１）・・・フェースプレー） １２）・・・ノズル（
３）・・・螢光体粉体 （４）・・・鉛直軸（５）・・
・角度 （７）・・・回転軸（９）・・・開口遮蔽板 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （１か１１名） 第 １ 図 第３図 第４゜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）フェースプレート内面に形成された粉体受容層に螢
光体粉体馨付着させる陰極線管螢光面形成方法において
、前記フェースプレート内面に実質的に垂直な回転軸に
沿って前記フェースプレートを回転させ乍ら前記フェー
スプレート内面に螢光体粉体を投入し、前記回転軸の鉛
直下方向となす角度ｖ ｔｏｏ度乃至１８０度として前
記螢光体粉体？１／前記粉体受容膚に付着させることを
特徴とする陰極線管螢光面の形成方法。 ２）前記回転軸の回転数が１乃至１５０１ＰＭであるこ
とな特徴とする特許請求の範囲第１項記載の陰極線管螢
光面の形成方法。 ３）前記フェースプレート内面より前記螢光体粉体の一
部が脱落しない手段を有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の陰極線管螢光面の形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060815A JPS60207229A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 陰極線管螢光面の形成方法 |
| EP85111539A EP0214335B1 (en) | 1984-03-30 | 1985-09-12 | Method of manufacturing phosphor screen of cathode ray tube |
| US06/776,605 US4687825A (en) | 1984-03-30 | 1985-09-16 | Method of manufacturing phosphor screen of cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060815A JPS60207229A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 陰極線管螢光面の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60207229A true JPS60207229A (ja) | 1985-10-18 |
| JPH0558209B2 JPH0558209B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=13153221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59060815A Granted JPS60207229A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 陰極線管螢光面の形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4687825A (ja) |
| EP (1) | EP0214335B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60207229A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188425A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | 螢光体供給付与装置 |
| EP0239971A2 (en) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for manufacturing phosphor screen |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8502570A (nl) * | 1985-09-20 | 1987-04-16 | Philips Nv | Roentgenbeeldversterkerbuis met geoeptimaliseerde microstructuur. |
| US4850680A (en) * | 1986-09-19 | 1989-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with a ferroelectric film |
| DE3723901A1 (de) * | 1987-07-18 | 1989-01-26 | Stahlecker Fritz | Verfahren zum herstellen eines oe-spinnrotors |
| DE3736391C1 (de) * | 1987-10-28 | 1989-02-16 | Du Pont Deutschland | Verfahren zum Beschichten von vorher klebrig gemachten Oberflaechenbereichen |
| KR920001340B1 (ko) * | 1989-09-20 | 1992-02-10 | 삼성전관 주식회사 | 음극선관의 형광면 제조방법 |
| DE4105297A1 (de) * | 1991-02-20 | 1992-08-27 | Samsung Electronic Devices | Verfahren zum beschichten der innenflaeche der frontplatte einer kathodenstrahlroehre mit einem leuchtstoffbrei |
| US5536193A (en) * | 1991-11-07 | 1996-07-16 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making wide band gap field emitter |
| US5679043A (en) * | 1992-03-16 | 1997-10-21 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making a field emitter |
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| US5449970A (en) * | 1992-03-16 | 1995-09-12 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Diode structure flat panel display |
| US5763997A (en) * | 1992-03-16 | 1998-06-09 | Si Diamond Technology, Inc. | Field emission display device |
| US5675216A (en) * | 1992-03-16 | 1997-10-07 | Microelectronics And Computer Technololgy Corp. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
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