SE411003B - Emitter for feltemission, samt sett att framstella emittern - Google Patents

Emitter for feltemission, samt sett att framstella emittern

Info

Publication number
SE411003B
SE411003B SE7804163A SE7804163A SE411003B SE 411003 B SE411003 B SE 411003B SE 7804163 A SE7804163 A SE 7804163A SE 7804163 A SE7804163 A SE 7804163A SE 411003 B SE411003 B SE 411003B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
crystals
melt
transition metal
field emission
lithium
Prior art date
Application number
SE7804163A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7804163L (sv
Inventor
Sok
Original Assignee
Soredal Sven Gunnar
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Soredal Sven Gunnar filed Critical Soredal Sven Gunnar
Priority to SE7804163A priority Critical patent/SE411003B/sv
Priority to DE2913802A priority patent/DE2913802C2/de
Priority to NL7902948A priority patent/NL7902948A/xx
Priority to US06/029,381 priority patent/US4933108A/en
Publication of SE7804163L publication Critical patent/SE7804163L/sv
Publication of SE411003B publication Critical patent/SE411003B/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/26Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304Field-emissive cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Description

-E 7804163-9 Det har också rapporterats försök att på en bärare fälla ut metaller (nickel eller kobolt) elektrolytiskt under sådana förhållanden, att fria kristallhörn eller dendriter bildas. (Se t. ex. M. M. Bursey, C. E. Rechsteiner, M. C. Sammons, D. M. Hinton, T. S. Colpitts och K. M. Tvaronas: J. of Physics E 1976, Vol. 9 sid. l45). Även andra material för de nämnda spetsarna har föreslagits, t. ex. lantanhexa- borid, som kristalliserats på en bärare ur en smälta (H. Ahmed, P. L.
Kanitkar, C. V. Dharmadhikari och D. S. Joag: J. of Physics E 1976, Vol. 9 sid 4).
Kolhaltiga fibrer har den nackdelen att man dels får rätt stor energispridning hos de emitterade elektronerna eller jonerna, troligen .beroende på fibrernas elektriska motstånd, och att dels emissionen ändras med tiden, varför emittern måste "reaktiveras“ ganska ofta. En annan nackdel är att man måste arbeta med så extremt tunna och därför svårhanterliga trådar för att få tillräckligt stor emission. De med de övriga nämnda materialen aktiverade emittrarna har gett lägre emis- sion än de i organisk ånga aktiverade. Som exempel på emissionen från emittrar aktiverade i organisk ånga kan nämnas: Ur M. D. Migahed och H. D. Beckey, Int. J. of Mass Spectrometry and Ion Physics 7 (1971) sid. l har hämtats: En platinatråd, 2,5fnn i diameter gav följande ström i aceton- ånga med trycket 2,3 ml vid olika spänningar. Anordningen, t. ex. av- ståndet till motelektroden, är inte närmare angiven. kV 6 7 8 nA l 8 30 Betydligt bättre resultat än med de tidigare kända emittrarna har erhållits med emittrar enligt föreliggande uppfinning, enligt vilken en bärare av t. ex. en övergångsmetall är försedd med kristaller av en volframbrons eller motsvarande förening av en annan övergângsmetall, särskilt molybden, niob, vanadin eller titan. Man kan därvid vidare använda sig av en betydligt grövre bärare.
Om man doppar en tråd eller en egg av volfram i en smälta innehållande volframtrioxid och litiumoxid, vilken smälta också kan beskrivas som' en blandning av volframtrioxid och litiumvolframat (om volframtrioxiden är i överskott, vilket vanligen är fallet), bildas genom reduktion den icke~stoikiometriska föreningen litiumvolframbrons enligt formeln 3 x Liz W 04 + (6 - 4 x) W 03 + x W = 6 Lix N 03 I denna formel är x alltid mindre än l. I en del (bråkdelen x) 7804163-9 D H av elementarcellerna finns en litiumjon och där har volframatomen valensen + 5 i stället för + 6. Litiumvolframbronsen bildar på vol- frambäraren ett kristallskikt, som möjliggör åstadkommande av en över- raskande stor fältkoncentration och en motsvarande stark emission.
Liknande föreningar bildas också med bland annat molybden, vanadin, niob och titan i stället för volfrmn, varjämte litium kan ersättas av ett stort antal metaller, t. ex. andra alkalimetaller, alkaliska jordartsmetaller, sällsynta jordartsmetaller med flera. Jag föredrar litiumvolframbrons, dels enär det bildas med lämplig hastighet, dels därför att den med emittern medföljande smältan är lätt att lösa bort, enär litiumvolframat är det mest lättlösliga volframatet.
Dessa i och för sig kända föreningar har en rad anmärkningsvärda egenskaper. Trots att de är oxider, har de metallisk ledningsmekanism eller är i en del fall halvledare. De med metallisk ledningsmekanism har ungefär sama ledningsförmâga som metaller, alltså flera tio- potenser högre än t. ex. grafit. (De har också metallglans, vilket är anledningen till att de kallas bronser). De bildar lätt mycket väl utbildade kristaller, varför hörn och kanter blir skarpa. De är vidare både kemiskt och tenniskt mycket stabila, tål t. ex. kokning i så aggressiva syror som salpetersyra och fluorvätesyra och blandningar av dem liksom även i lut. De tål också i allmänhet upphettning till minst 1 200%.
I stället för att endast doppa bäraren i smältan kan man tillämpa katodisk reduktion med ström utifrån, varvid anoden kan utgöras av kol eller platina. I själva verket är sannolikt även den ovannämnda kemiska reduktionen egentligen elektrolytisk genom verkan av lokal- element, i annat fall borde kristallerna lossna, varför den angivna fonneln är att betrakta som summaformel för anod- och katodförloppen.
Som exempel på tillämpning av uppfinningen kan följande nämnas.
En 0,l mm tjock volframtrâd fästes i en hållare, klippes till lämplig längd och riktas. Den sköljes i t. ex. aceton, etanol eller propanol.
Därefter etsas den genom anodisk behandling i t. ex. l0 % kalium- hydroxidlösning c:a 20 mA per cm trådlängd under 20 s. Ändamålet med etsningen är att resultatet skall bli oberoende av ytbeskaffenheten hos tråden. Sedan den sköljts i vatten, doppas den under l minut i en smälta beredd av volframtrioxid och 0,255 g litiumkarbonat per g volframtrioxid vid 780 °C. Den nämnda smältan innehåller 80 mol-% .på 78011163-9 \J'i litiumvolframat och 20 mol-% volframtrioxid (eller annorlunda uttryckt cza 56 mol-% volframtrioxid och 44 mol-% litiumoxid), vilket är ett eutektikum med smältpunkten 696 °C. Det är olämpligt att framställa smältan av litiumoxid och volframtrioxid, enär båda är svårsmälta, varför förloppet blir trögt. Om man i stället använder litiumhydroxid eller litiumkarbonat, smälter det och volframtrioxiden löser sig i smältan och driver ut vatten respektive koldioxid.Hydroxiden kan för- lora vatten vid olämplig uppvärmningshastighet och övergå i svårsmält oxid, varför det är lättare att utgå från karbonat. Sedan tråden tagits ur smältan, lägges den i en svagt alkalisk lösning, innehållande t. ex. 0,5 % litiumkarbonat och 0,5 % salmiak. Efter 2 - 3 timmar är den medföljande smältan bortlöst och emittern är färdig. Man bör dock mäta emissionen från olika delar av emittern för att kunna utnyttja den bästa delen därav.
Som exempel på uppnådda resultat kan nämnas, att medelgoda emittrar gjorda av 0,lO respektive 0,l5 mm tjock volframtråd gav följande emis- sion, då de var uppspända i centrum av en cylinder med innerdiametern 6 mm och längden l0 mm i acetonånga med 3 mT tryck. Bra emittrar gav 2 - 3 gånger större emission. kV 1,5 2 3 4 5 6 7 8 nA, 0,10 mm 0,5 4 55 200 510 l200 nA, 0,15 mm 0,26 1,5 4,3 10 21 38 Man ser av tabellen, att emissionen blir mycket större från den tunnare tråden, l00 - 200 gånger vid samma spänning. Här är förhållandet mellan diametrarna endast l,5. De tidigare anförda siffrorna avser emittrar med 40 gånger mindre diameter än den tunnaste här använda, och de gav mindre emission. Skillnaden är mycket större än vad som kan betingas av olika försöksarrangemang.

Claims (5)

78014163-9 6 Patentkrav.
1. l. Emitter för fältemission innefattande en bärare, vanligen i fonn av en tråd eller en egg, av metall försedd med kristaller med skarpa hörn eller spetsar, k ä n n e t e c k n a d av att kristal- lerna består av en volframbrons eller motsvarande förening av en annan övergångsmetall, särskilt molybden, noib, vanadin eller titan.
2. Emitter enligt krav l, k ä n n e t e c k n a d av att bärareni består av samna övergångsmetall, som ingår i kristallerna.
3. Emitter enligt krav l eller 2, k ä n n e t e c k n a d av att kristallerna består av litiumvolframbrons.
4. Sätt att framställa en emitter enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k n a t av att bäraren doppas i en smälta innehållande de reaktionsprodukter, som bildas av en sur oxid av en övergångs- metall och en basisk oxid.
5. Sätt enligt krav 4, k ä n n e t e c k n a t av att bäraren under doppningen är inkopplad katodiskt i en strömkrets, varvid smältan är elektrolyt. ANFÖRDA PUBLIKATIONER:
SE7804163A 1978-04-13 1978-04-13 Emitter for feltemission, samt sett att framstella emittern SE411003B (sv)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE7804163A SE411003B (sv) 1978-04-13 1978-04-13 Emitter for feltemission, samt sett att framstella emittern
DE2913802A DE2913802C2 (de) 1978-04-13 1979-04-05 Emitter für Feldemission von Elektronen oder Ionen und Verfahren zum Herstellen eines solchen Emitters
NL7902948A NL7902948A (nl) 1978-04-13 1979-04-12 Emitter voor veldemissie en werkwijze voor zijn vervaardiging.
US06/029,381 US4933108A (en) 1978-04-13 1979-04-12 Emitter for field emission and method of making same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE7804163A SE411003B (sv) 1978-04-13 1978-04-13 Emitter for feltemission, samt sett att framstella emittern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7804163L SE7804163L (sv) 1979-10-14
SE411003B true SE411003B (sv) 1979-11-19

Family

ID=20334594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7804163A SE411003B (sv) 1978-04-13 1978-04-13 Emitter for feltemission, samt sett att framstella emittern

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4933108A (sv)
DE (1) DE2913802C2 (sv)
NL (1) NL7902948A (sv)
SE (1) SE411003B (sv)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5312514A (en) * 1991-11-07 1994-05-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter device using randomly located nuclei as an etch mask
US5199918A (en) * 1991-11-07 1993-04-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of forming field emitter device with diamond emission tips
US5399238A (en) * 1991-11-07 1995-03-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making field emission tips using physical vapor deposition of random nuclei as etch mask
US5536193A (en) * 1991-11-07 1996-07-16 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making wide band gap field emitter
US5763997A (en) * 1992-03-16 1998-06-09 Si Diamond Technology, Inc. Field emission display device
US5449970A (en) * 1992-03-16 1995-09-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Diode structure flat panel display
US5686791A (en) * 1992-03-16 1997-11-11 Microelectronics And Computer Technology Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5679043A (en) * 1992-03-16 1997-10-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter
US5543684A (en) 1992-03-16 1996-08-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Flat panel display based on diamond thin films
US6127773A (en) * 1992-03-16 2000-10-03 Si Diamond Technology, Inc. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5548185A (en) * 1992-03-16 1996-08-20 Microelectronics And Computer Technology Corporation Triode structure flat panel display employing flat field emission cathode
US5675216A (en) * 1992-03-16 1997-10-07 Microelectronics And Computer Technololgy Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
CN1134754A (zh) * 1993-11-04 1996-10-30 微电子及计算机技术公司 制作平板显示系统和元件的方法
US5628659A (en) * 1995-04-24 1997-05-13 Microelectronics And Computer Corporation Method of making a field emission electron source with random micro-tip structures
US6296740B1 (en) 1995-04-24 2001-10-02 Si Diamond Technology, Inc. Pretreatment process for a surface texturing process
KR100520337B1 (ko) * 1997-04-02 2005-10-11 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 금속-산소-탄소 전계 방출 전자 이미터 조성물, 이를 포함하는 전계 방출 음극 및 전계 방출 음극의 제조 방법
US6087765A (en) * 1997-12-03 2000-07-11 Motorola, Inc. Electron emissive film
GB2387021B (en) * 2002-03-25 2004-10-27 Printable Field Emitters Ltd Field electron emission materials and devices
WO2009097487A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Temperature-dependent nanoscale contact potential measurement technique and device
US8387443B2 (en) * 2009-09-11 2013-03-05 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Microcantilever with reduced second harmonic while in contact with a surface and nano scale infrared spectrometer
US9685295B2 (en) 2011-07-28 2017-06-20 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Electron emission device
CA2916138C (en) 2013-06-21 2023-03-21 Smiths Detection Montreal Inc. Method and device for a coated corona ionization source

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3842309A (en) * 1970-11-12 1974-10-15 Philips Corp Method of manufacturing a storage cathode and cathode manufactured by said method
GB1582837A (en) * 1976-07-10 1981-01-14 Emi Varian Ltd Electron emitter

Also Published As

Publication number Publication date
DE2913802A1 (de) 1979-10-18
NL7902948A (nl) 1979-10-16
DE2913802C2 (de) 1982-01-14
SE7804163L (sv) 1979-10-14
US4933108A (en) 1990-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE411003B (sv) Emitter for feltemission, samt sett att framstella emittern
US4634502A (en) Process for the reductive deposition of polyoxometallates
Mizuguchi et al. A highly stable nonaqueous suspension for the electrophoretic deposition of powdered substances
US4471006A (en) Process for production of electrolytic electrode having high durability
NO170812B (no) Fremgangsmaate for galvanisk fremstilling av en elektrode
US3293158A (en) Anodic spark reaction processes and articles
SE447397B (sv) Katod for elektrolysendamal
CN108611599B (zh) 清洗掩膜版的方法以及装置
WO2022185166A1 (en) A process for growing a film of a metal-carbon nanomaterial composite with 1d, 2d, or 3d structure and/or a mixture thereof on a metal substrates
Gillesberg et al. Niobium plating processes in alkali chloride melts
Ammar et al. Anodic oxidation of bismuth in H2SO4 solutions
Verdieck et al. The Electrochemistry of Baths of Fused Aluminum Halides. IV.
US3489537A (en) Aluminiding
Tomlinson Electrolytic stibine formation
KR20020077352A (ko) 악티나이드 생성방법
US3458407A (en) Method of producing nickel powder
Schnable Electrodeposition of Molten Metals and Alloys from Glycerine Solutions
Šepa et al. Hydrogen Evolution Reaction at Sodium Tungsten Bronzes in Acid Solutions
US3600294A (en) Electrocrystallizer
US1845042A (en) Electron discharge device
US3510408A (en) Process for producing high surface area nickel powder
US1509138A (en) Alkaline electric battery
US4483752A (en) Valve metal electrodeposition onto graphite
US6465603B2 (en) Electrically conductive inorganic polymer
US2931758A (en) Electrochemical method, electrolyte therefor, and method for producing said electrolyte