DE2138339B2 - Verfahren und Vorrichtung zum Anspitzen und/oder Reinigen einer Spitze - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Anspitzen und/oder Reinigen einer SpitzeInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 19
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001424 field-emission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
- H01J2209/02—Manufacture of cathodes
- H01J2209/022—Cold cathodes
- H01J2209/0223—Field emission cathodes
- H01J2209/0226—Sharpening or resharpening of emitting point or edge
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, dessen Anwendung bo
und eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Als Spitzen, also Werkstücke mit sehr kleinen Krümmungsradius, kommen insbesondere Feldemissions-Eleklroden
in Frage. Spitzen mit sehr kleinem Krümmungsradius von größenordnungsmäßig 1 μΐη und
noch kleiner werden in Vakuum zur Emission von elektrischen Teilchen benutzt. Zum Beispiel in den
Elektronenstrahlerzeugern von Elektrodenmikroskopen oder bestimmten Kathodenstrahlröhren ist die
Emissionskathode durch derartige Spitzen gebildet, die bei Beaufschlagung mit Hochspannung unter dem
Einfluß des elektrischen Felds einen Elektronenstrahl emittieren.
Eine erste Anwendung der Erfindung besteht daher in der Bearbeitung derartiger Spitzen, und zwar entweder
zur Herstellung oder zum Anspitzen nach einer bestimmten Betriebszeit.
Eine andere Anwendung ist das Reinigen dieser Spitzen zur Beseitigung von Verunreinigungen, die sich
auf ihrer Oberfläche abgelagert haben, wobei dieses Reinigen an Ort und Stelle vorgenommen wird.
Es kommt häufig vor, daß eine derartige Emissionsspitze
während ihrer Verwendung sich abnutzt. Das Auswechseln der Spitze ist aber ein komplizierter
Vorgang, der viel Zeit beansprucht, so daß die Anwendung von Elektronenstrahlerzeugern mit derartigen
Spitzen trotz deren sonstiger Vorteile begrenzt ist.
Die Erfindung strebt daher die Oberwindung dieser Nachteile durch Anspitzen und/oder Reinigen der
abgenutzten Spitzen an Ort und Stelle in Vakuum an.
Spitzen werden auch als lonenquellen in Ionen-Feld-Massenspektrometern
verwendet, weshalb die Erfindung auch bei der Herstellung, beim Anspitzen und/oder Reinigen einer derartigen Spitze m demselben
Gefäß oder Behälter angewendet werden kann, in der sie sich unter Vakuum befindet.
In Feld-Elektronen- oder -Ionenmikroskopen (vergleiche z. B. DE-PS 8 68 030) benutzt man als ein zu
beobachtendes Präparat z. B. metallische Spitzen, die in hohem Vakuum auf d. h., Potential gebracht werden, und
man beobachtet das Bild des emittierten Elektronenoder Ionenstrahl auf einem Fluoreszenzschirm. Es ist
offensichtlich notwendig, daß eine derartige Spitze eine gleichmäßige geometrische Form hat und im allgemeinen
frei von jeder Verunreinigung ist. Mit der Erfindung soll daher das Fertigen bzw. Anspitzen und/oder
Reinigen derartiger Spitzen an Ort und Stelle ermöglicht werden.
Derartige Spitzen sollen auch für andere Zwecke benutzt werden können, d. h., die Erfindung soll immer
dann anwendbar sein, wenn scharfe Spitzen mit kleinem Krümmungsradius benötigt werden. Zum Beispiel kann
man so Spitzen für Dioden fertigen.
Bis heute werden die als Feldemissionselektroden oder als Präparat in einem Feldemissionsmikroskop
verwendeten Mikrospitzen durch elektrolytische Fertigbearbeitung des Endes eines Drahtstücks oder
Fadens unter Atmosphärendruck hergestellt. Man erhält so sehr ungleichmäßige Profile. Schließlich
werden diese Spitzen in ein Vakuumgefäß gesetzt, wo sie verwendet werden müssen, und das Profil wird durch
Erhitzen auf eine hohe Temperatur unter Vakuum gleichmäßig gemacht.
Ein derartiges Verfahren bei dem die Spitze durch elektrische Heizung eines Drahts und Wärmeleitung
erhitzt wird, indem die Spitze an einem Drahtbügel montiert wird, der bei Stromdurchfluß aufgeheizt wird,
ist aus The Review of Scientific Instruments, Band 39, 1968, S. 576-583, bekannt.
Der Nachteil dieses Verfahrens besteht darin, daß zur Erhitzung der Spitze das ganze Drahtstück erhitzt
werden muß. Die Temperatur, auf die man die Spitze bringen kann, ist aber begrenzt, weil sie niedriger als die
des Drahtstücks ist und die Temperatur vermeiden muß, bei der das Drahtstück bricht.
Dieses Verfahren hat allerdings keinen Eingang in die Praxis gefunden, denn seit dem Bekanntwerden dieses
Stands der Technik im Jahr 1968 wurden auf dem Gebiet der experimentellen Feldemissionsmikroskopie mehrere
hundert Arbeiten veröffentlicht, ohne daß dieses Verfahren jemals angewendet worden wäre, um
abgebrochene Spitzen oder stumpfe Spitzen anzuspitzen. Vielmehr werden abgebrochene Spitzen — was
leider in der Praxis häufig vorkommt — nach wie vor ausgewechselt, was wegen des öffnens von Ultrahochvakuum-Sys'rmen,
in denen die Sipitzen vorwiegend insbesondere als Feldemissionskathoden Verwendung
finden, besonders umständlich und zeitraubend ist. Darüber hinaus ist es bekannt (Vergleiche z. B. Dyke
und Dolan, Adv. Electronics 8, 1956, 89 bis 179, insbesondere Fig.41 und Fig.50), daß Metallspitzen
durch Heizen im Vakuum im allgemeinen stumpf werden.
Cs ist auch ein Verfahren zum Abtragen von Materialien mittels eines Ladungsträger« ahls, insbesondere
eines Elektronenstrahls, bekannt (vergleiche DE-AS 11 85 305), bei dem dieser während des
Bearbeitens einer zusammenhängenden Bearbeitungsstelle in einer Folge von zur Bearbeitungszeit relativ
kurzen Strahlimpulsen einwirkt. Ein derartiges Vorgehen ist aber verhältnismäßig ungenau, da Bearbeitungstoleranzen von 50 μιη nicht unterschritten werden
können.
Demgegenüber ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren der eingangs genannten Art zu schaffen, bei in
dessen Anwendung die Temperatur zum Spitzen-Erde hin ansteigt, um das Anspitzen viel genauer und das
Reinigen viel wirksamer als bisher vornehmen zu können, wobei zusätzlich das Vakuum, in das die Spitze
einzubringen ist, nicht besonders hoch sein soll. i j
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt erfindungsgemäß durch den kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1.
Weitere Ausgestaltungen des Verfahrens sowie eine Anwendung und eine Vorrichtung zur Durchführung
des Verfahrens sind in den Ansprüchen 2 bis 6 -10 angegeben.
Die Erfindung erschöpft sich nicht in einer Elektronenbestrahlung der Spitze, da zusätzlich durch die
Schaffung bestimmter elektrischer Potentialverhältnisse an der Spitze die auftreffenden Elektronen im -r>
wesentlichen auf das Ende der Spitze fokussiert werden.
Das Anspitzen vollzieht sich dabei zunächst im wesentlichen durch örtliche Verdampfung des Endes
der Spitze, wobei diese Verdampfung dann von einer Oberflächen- und gegebenenfalls Volumen-Diffusion w
begleitet und abgelöst wird. Die Diffusionsvorgänge bewirken, daß unter dem Einfluß des starken elektrischen
Felds ein noch spitzeres Profil entsteht, ohne daß das Spitzenende auf die Schmelztemperatur gebracht
werden muß. ">>
Im Gegensatz zu herkömmlichen Heizverfahren, bei denen wegen der Strahlungsverluste am Ende der
Spitze die Temperatur am kleinsten ist, weist bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens das
Ende der Spitze, auf das die Elektronen fokussiert werden, die höchste Temperatur auf, d. h., der
Temperaturgradient ist umgekehrt dem bei den herkömmlichen Heizverfahren. Die Umkehrung des
Temperaturgradienten ist besonders vorteilhaft zur wirksameren Reinigung, weil Oberflächenverunreinigungen
von heißeren zu kühleren Bereichen diffundieren, so daß die Reinigungswirkung erheblich beschleunigt
wird. Außerdem kann bei Anwendung des erfindungsgemäßen Veifahrens die Temperatur am
Ende der Spitze bis dicht an den Schmelzpunkt erhöht werden, da die vom Ende weiter entfernten Teile der
Spitze eine niedrigere Temperatur aufweisen.
Die erfindungsgemäß angespitzten Spitzen haben nicht nur einen sehr kleinen Krümmungsradius, sondern
sind auch genau rotationssymmetrisch und sehr gleichmäßig profiliert.
Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt ein Anspitzen mit einer Genauigkeit von normalerweise 0,2 μιη,
die bis auf 0,01 μιη gesteigert werden kann.
Zur Erzielung eines Krümmungsradius der Spitze von weniger als 1 μιη ist es zweckmäßig, wenn die
elektrische Feldstärke in der Nähe des Endes der Spitze größer als 2 · 107 V/cm ist.
Trotzdem ist für die Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens kein Ultrahochvakuum erforderlich, wie es für den eingangs geschilderten Stand der Technik
teilweise benötigt wird.
Die Anwendung der Elektronenbestrahlung gestattet auch eine verzögerungsfreie Unierbrechung des Verfahrens,
da der Elektronenstrahl leicht abgeschaltet und im übrigen auch gut gesteuert werden kann.
Um den Zustand der Spitze zu kontrollieren, ist es zweckmäßig, den emittierten Strahl auf einem Fluoreszenzschirm
zu beobachten. Man kann auch die Stromstärke des von der Spitze abgegebenen Feldelektronenstrahls
messen. Da die Gesetzmäßigkeit genau bekannt ist, die für den Zusammenhang dieser
Stromstärke mit der Spannung und dem Krümmungsradius der Spitze gilt, kann leicht automatisch die
Bestrahlung angehalten werden, sobald die gewünschte Emissionsintensität erreicht ist, sowie automatisch das
Anspitzen und/oder Reinigen ausgelöst werden, wenn die Emissionsintensität unter einen Schwellenwert
gefallen ist.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnung naher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemä-Ben
Vorrichtung zum Anspitzen und/oder Reinigen von Spitzen;
Fig.2 maßstabgerecht eine Spitze, die mit der Vorrichtung von F i g. 1 gefertigt wurde;
F i g. 3 schematisch ein anderes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung, die in einem
Feldelektronen- oder Feldionenmikroskop verwendet wird; und
Fig.4 die Kombination eines Ausführungsbeispiels
der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit dem Elektronenstrahlerzeuger
eines Elektronenmikroskops mit einer Spitzenkathode.
In Fig. 1 ist zu sehen ein Faden oder Drahtstück 1,
z. B. aus Wolfram mit einem Durchmesse! von 100 μιη,
dessen Ende 2 in Form einer Spitze anzuspitzen und/oder zu reinigen ist. Das Drahtstück 1 ist in ein
Gefäß 3 eingesetzt, das durch eine Vakuumpumpe 4 unter Vakuum gesetzt wird, durch die ein Vakuum von
z.B. 104—1010Torr erhalten werden kann. Im Gefäß
befindet sich eine Elektronenquelle, z. B. eine Glühemissionskathode 5 und elektrostatische Linsen, die durch
eine Lochplatte 6 und einen Ring 7 gebildet sind. Das Drahtstück 1 wird mit einem im Vergleich zur Kathode
5 positiven Potential beaufschlagt. Die Lochplatte 6 und der Ring 7 werden auf ein negatives Potential relativ zur
Kathode 5 gebracht und fokussieren den von der Glühemissionskathode 5 emittierten Elektronenstrahl 8
auf das Ende 2 des Drahtstücks 1.
Durch Elektronenbestrahlung erhitzt sich das Ende 2
und spitzt sich zu. Man bestimmt die Temperatur und die Geschwindigkeit des Anspitzens und/oder Reinigens
durch Einstellung der Intensität des Elektronenstrahls in einer solchen Weise, daß die Temperatur des Endes des
Drahtstücks 1 unter der Schmelztemperatur des Metalls bleibt.
Fig.2 zeigt maßstabgetreu eine Spitze, die mit der
Vorrichtung von Fig. 1 hergestellt und mit Hilfe eines Elektronenmikroskops fotografiert wurde. Der Krümmungsradius
der Spitze ist kleiner als 0,1 μΐη, und der
gesamte Kegelöffnungswinkel beträgt 12°. Die Spitze ist vollkommen rotationssymmetrisch, und das Profil ist
sehr gleichmäßig.
Die Vorrichtung von F i g. 1 erlaubt bei Drahtstücken, deren Durchmesser etwa 100 μπι beträgt, die Anfertigung
von Spitzen, deren Krümmungsradius zwischen 0,1 und 100 μίτι ausmachen kann.
Fig. 3 zeigt die Kombination eines Ausführungsbeispiels
der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einem Feldelektronen- oder Feldionenmikroskop. In einem
derartigen Mikroskop wird das beobachtete Präparat durch das Ende eines zugespitzten Drahtstücks 9
gebildet. Diese Spitze, die sich in einem Vakuumgefäß 10 befindet, wird zur Emission angeregt, indem sie auf
ein im Vergleich zu einem Fluoreszenz-Schirm 12 hohes Potential gebracht wird. Der emittierte Elektronenoder
Ionenstrahl 11 wird vom Fluoreszenzschirm 12 empfangen, wo er ein sichtbares Bild der Spitze erzeugt.
Diese Technik wird beispielsweise für metallografische Untersuchungen verwendet. Sie kann insbesondere die
Sichtbarmachung einzelner Atome oder die Untersuchung von einatomigen Absorptionsschichten erlauben.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist um die Spitze 9 eine Elektronenquelle angeordnet, die durch
ein erhitztes Drahtstück gebildet wird, das von einer Stromquelle 24 gespeist wird. Zwei zylindrische
Elektroden 14 und 15 umgeben die Spitze 9. Durch das von ihnen ausgehende elektrische Feld wird der
Elektronenstrahl 16 abgelenkt und in der Nähe des spitzen Endes konzentriert.
Die Vorrichtung hat ferner eine Hochgleichspannungsquelle 25, die z.B. eine Spannung von 3—10 kV
liefern kann.
Umschalter 26 erlauben eine Variation der Potentiale, die an der Spitze 9, der Hilfskathode 13 und den
Zylinderblechen 14 und 15 durch die Hochgleichsspannungsquelle 25 angelegt werden, deren Spannung
zwischen 3 und 1OkV durch Potentiometer 27 und 28 variiert werden kann.
Während der Beobachtung befinden sich die Umschalter 26 in der in Vollinie gezeigten Stellung. Die
Spitze 9 liegt auf einem negativen Potential, während die Zylinderbleche 15 und 14 und die Kathoden und die
Hilfskathode 13 auf einem positiven Potential liegen. Die Spitze 9 emittiert normalerweise einen Elektronenstrahl
11.
Wenn das Ende der Spil/.c 9 gereinigt oder diese in
der Form angespitzt werden soll, werden die Umschalter 26 in die in Strichlinie abgebildete Stellung umgelegt.
Die Spitze 9 wird auf ein positives Potential relativ zum Zylinder 15, zur Hilfskathode 13 und zum Zylinder 14
gebracht, die auf immer negativer werdendem Potential liegen. Die Hilfskathode 13 emittiert einen Elektronenstrahl
16, der in der Nähe des Endes des Drahtstücks 9 konzentriert wird.
Die Potentiometer 27 und 28 ermöglichen während des Betriebs eine Verringerung der Intensität des
Elektronenstrahls, um ein Schmelzen der Spil/.c zu
vermeiden. Die Reinigung unter Vakuum von Verunreinigungen vollzieht sich sehr schnell in einer Zeit von
größenordnungsmäßig 10 3 bis 10 s.
Fig.4 zeigt eine Kombination des Ausführungsbeispiels
der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit dem Elektronenstrahlerzeuger eines Elektronenmikroskops,
das mit einer Spitzenkathode 18 ausgerüstet ist. Ferner sind in Fig. 4 zu sehen ein Vakuumgefäß 17, ein
Wehnelt-Zylinder 19 und eine Beschleunigungsanode 20
iü des Mikroskops. Die Spitzenkathode 18 ist auf einem
Heizbügel 21 montiert, der die Verwendung des Elektronenstrahlerzeuger bei hoher Temperatur ermöglicht.
Erfindungsgemäß wird eine Hilfselektronenquelle vorgesehen, die z. B. durch einen Glühemissionsfaden 22 gebildet ist.
Erfindungsgemäß wird eine Hilfselektronenquelle vorgesehen, die z. B. durch einen Glühemissionsfaden 22 gebildet ist.
Wenn die Spitzenkathode 18 regeneriert oder gereinigt werden soll, genügt es, sie auf Anodenpotential
zu bringen, die Hilfskathode 22 einzuschalten und das Potential des Wehnelt-Zylinders 19 und der
Elektrode 20 so einzustellen, daß ein Elektronenstrahl 23 zum Ende der Spitze der Kathode 18 abgelenkt wird.
Dieses Beispiel zeigt die Einfachheit der Durchführung der Erfindung, die im letzteren Fall die Hinzufügung
zum Elektronenstrahlerzeuger der Hilfskathode 22 von Einrichtungen zur Änderung der Speisespannung der
Spitzenkathode und von elektrostatischen Linsen benötigt. Diese Vorrichtung erlaubt, ständig über eine
Elektronenquelle hoher Qualität und relativ langer
jo Lebensdauer zu verfügen.
Andererseits gestattet die Vorrichtung, Feldemissionskathoden in einem weniger hohen Vakuum zu
verwenden,z. B.von 104— !08Torr.
In den beschriebenen Ausführungsbeispielen werden
Vi die Elektronen durch elektrostatische Linsen oder
Bleche bzw. Schirme abgelenkt und fokussiert. Es versteht sich, daß dafür auch magnetische Linsen
vorgesehen sein können.
In manchen Fällen kann das Anspitzen und/odei Reinigen der Spitze durch eine gleichzeitige chemische
Reaktion vervollständigt werden. Man führt in da; Vakuumgefäß ein Gas unter vorbestimmtem Partialdruck
ein, z. B. Sauerstoff. Bei der erreichten hoher Temperatur reagieren das Material der Spitze und da<
Gas, z. B. der Sauerstoff, miteinander, und die Reaktionsprodukte werden verdampft.
Für manche Anwendungsfälle ist es nötig, Spitzen mil
einem gut bestimmten Krümmungsradius zu erhalten Die Erfindung ermöglicht eine sehr einfache Kontrollt
to des Werts des Krümmungsradius an Ort und Stelle unc das automatische Abschalten der Elektronenbestrah
lung, sobald der gewünschte Radius erzielt ist.
Zu diesem Zweck wird eine Elektronik für dk
Versorgung der Spitze und der Hilfskathode vorgese hen, die eine periodische Unterbrechung der Bestrah
lung der Spitze und des Vcrsctzcns in den Emissionszu stand ermöglicht. Diese Elektronik kann irgendeinen at
sich bekannten Aufbau haben. Sie wird z. B. durch einer zyklischen Programmgeber oder durch ein Impuls«
Wi empfangendes Kippglicd gesteuert. Die Spitze wird ir
den Zustand der Feldemission versetzt, indem sic mi einer negativen Hochspannung an sich bekannter
Belrags beaufschlagt wird. Man mißt den emittierter Strom und vergleicht ihn mit einem Bezugswert, de
br, dem gewünschten Krümmungsradius entspricht. Sobalc
dieser Wert erreicht ist, wird die Hcarbciuinf
automatisch beendet.
Eine urfindungsgcmiiUc Vorrichtung, die für el:i
Anspitzen und/oder Reinigen von in Vakuum abgenutzten Spitzen verwendet wird, kann sich automatisch
auslösende Schaltungen aufweisen. Wenn eine Spitze als Feldemissions-Teilchenquelle verwendet wird, wie in
den Beispielen von Fig.3 und 4, unterbricht eine elektrische Zusatzschaltung periodisch die Speisespannungen
und setzt die Einrichtung zur Kontrolle der Feldemission in Betrieb.
Die Intensität des emittierten Elektronenstrahls wird mit einer zweiten Bezugsintensität verglichen, die einem
gegebenen Krümmungsradius entspricht, mit dem die Spitze angespitzt werden muß. Sobald dieser Bezugswert erreicht ist, wird das Anspitzen und/oder Reinigen
automatisch ausgelöst und automatisch wie vorher angehalten.
In manchen Fällen, wenn aufeinanderfolgendes Anspitzen und/oder Reinigen einer Spitze vorgesehen
sind, ist es zweckmäßig, von außerhalb des Vakuumge-
fäßes eine Relativverschiebung der Spitze und de Elektronenlinsen steuern zu können, um das Ende de
Spitze in die Nähe des Brennpunkts des Elektronen Strahls verschieben zu können. Man verwendet dazu ai
sich bekannte Einrichtungen, z. B. deformierbare Me tallmembranen oder gewellte Rohre.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist, daß nicht nu
eine Reinigung von auf der Oberfläche sich befindender Verunreinigungen erzielt werden kann, sondern aucl
von absorbierten Verunreinigungen, die zur Oberflächi
diffundieren. Die Reinigung, die in einigen Sekunder unter Vakuum vorgenommen wird, ist beträchtlich
besser als die durch andere Verfahren erreichte.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung wird in dei Hauptsache für das Anspitzen und/oder Reinigen vor
Metallspitzen verwendet. Sie kann aber auch zurr Verjüngen von Spitzen aus anderen Werkstoffen wi«
Halbleitern oder Oxyden dienen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Verfahren zum Anspitzen und/oder Reinigen einer Spitze, die sich in Vakuum am Ende eines
Drahtstücks befindet, wobei die Spitze erhitzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Spitze
einer Elektronenbestrahlung ausgesetzt wird, wobei in ihrer Umgebung eine so hohe elektrische
Feldstärke erzeugt wird, daß die Elektronen zum Ende der Spitze hin abgelenkt werden, und
insbesondere dieses erwärmt wird, so daß das Spitzenende angespitzt und/oder gereinigt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch seine Anwendung zum Anspitzen einer
während ihres Betriebs allmählich stumpf gewordenen Feldemissionskathode nach Abschalten von
deren Betriebsspannung.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Anspitzen der vom Spitzenradius
abhängende Feldelektronenemissions-Strom
gemessen und mit einem Bezugs-Strom verglichen wird, daß anschließend das Verfahren zum Anspitzen
in der Weise durchgeführt wird, daß zunächst die Dauer der Anwendung des Verfahrens aus dem
Unterschied der beiden Ströme bestimmt wird, daß dann wieder der Feldelektronenemissions-Strom
gemessen und mit dem Bezugsstrom verglichen wird und daß das Anspitzen wiederholt wird, bis die
Ströme gleich sind. jo
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß während
der Elektronenbestrahlung in der Umgebung der Spitze ein Partialdruck eines geeigneten Gases
aufrechterhalten wird, bei dem Oberflächenkorro- .<·> sion des Spitzenmaterials eintritt und flüchtige
Korrusionsreaktionsprodukte entstehen.
5. Verwendung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche in einem Feldemissionsmikroskop,
in dem die Kathodenspitze aus einem Kristall besteht, zur Herstellung der Spitze im
Vakuum, zum Anspitzen der Spitze, wenn sie stumpf geworden oder abgebrochen ist, sowie zur Reinigung
der Oberfläche und des Volumens der Spitze.
6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß außerhalb der Spitzenachse eine Hilfskathode (5; 13; 22), Elektronenstrahl-Ablenkelektroden
und Elektronenlinsen (6,7; 14,15; 19, 20) so angeordnet sind, daß die von der
Hilfskathode emittierten Elektronen (8; 16; 23) zunächst in die Umgebung des Spitzenendes gelenk!
und von dort durch das starke elektrische Feld an der Spitze (1; 9; 18) zu deren Ende weitergeleitet
werden(F i g. 1;3;4). r>
>
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7028388A FR2098954A5 (de) | 1970-07-31 | 1970-07-31 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2138339A1 DE2138339A1 (de) | 1972-02-03 |
| DE2138339B2 true DE2138339B2 (de) | 1978-07-27 |
| DE2138339C3 DE2138339C3 (de) | 1979-03-29 |
Family
ID=9059619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2138339A Expired DE2138339C3 (de) | 1970-07-31 | 1971-07-30 | Verfahren und Vorrichtung zum Anspitzen und/oder Reinigen einer |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3763346A (de) |
| BE (1) | BE770634A (de) |
| CA (1) | CA946937A (de) |
| DE (1) | DE2138339C3 (de) |
| FR (1) | FR2098954A5 (de) |
| GB (1) | GB1357198A (de) |
| NL (1) | NL167546C (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE9005786U1 (de) * | 1990-05-21 | 1990-08-30 | Forschungszentrum Jülich GmbH, 52428 Jülich | Anordnung zum In-situ-Ausglühen von Emissions- oder Tunnelspitzen |
| DE4115890A1 (de) * | 1990-05-17 | 1991-11-21 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Elektronenemittierendes bauelement |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5062766A (de) * | 1973-10-05 | 1975-05-28 | ||
| NL8500596A (nl) * | 1985-03-04 | 1986-10-01 | Philips Nv | Inrichting voorzien van een halfgeleiderkathode. |
| US4892752A (en) * | 1987-08-12 | 1990-01-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of ion implantation |
| DE4040201C2 (de) * | 1990-12-15 | 1994-11-24 | Hell Ag Linotype | Verfahren zum wartungsarmen Betrieb einer Vorrichtung zur Herstellung einer Oberflächenstruktur und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE69132385T2 (de) * | 1990-12-28 | 2001-03-08 | Sony Corp | Verfahren zur Herstellung einer flachen Anzeigevorrichtung |
| CA2126535C (en) * | 1993-12-28 | 2000-12-19 | Ichiro Nomura | Electron beam apparatus and image-forming apparatus |
| FR2750785B1 (fr) * | 1996-07-02 | 1998-11-06 | Pixtech Sa | Procede de regeneration de micropointes d'un ecran plat de visualisation |
| EP1135540B1 (de) * | 1998-10-21 | 2002-03-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zur reinigung eines erzeugnisses |
| ITRM20040464A1 (it) * | 2004-09-29 | 2004-12-29 | Uni Degli Studi Di Roma Tor Vergata | Dispositivo per la pulizia di punte di un microscopio a scansione tunnel (stm), microscopio a scansione tunnel e relativo procedimento di pulizia. |
| EP1746629A1 (de) * | 2005-07-22 | 2007-01-24 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Feldemitteranordnung und Reinigung einer emittierenden Oberfläche eines Feldemitters |
| US8080930B2 (en) * | 2006-09-07 | 2011-12-20 | Michigan Technological University | Self-regenerating nanotips for low-power electric propulsion (EP) cathodes |
| US8460049B2 (en) * | 2011-11-10 | 2013-06-11 | Khalifa University Of Science And Technology & Research (Kustar) | Fabrication of super ion—electron source and nanoprobe by local electron bombardment |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3385949A (en) * | 1964-10-23 | 1968-05-28 | Hughes Aircraft Co | Ion gun apparatus for treatment of surfaces with beams of very small size |
-
1970
- 1970-07-31 FR FR7028388A patent/FR2098954A5/fr not_active Expired
-
1971
- 1971-07-28 CA CA119,274A patent/CA946937A/en not_active Expired
- 1971-07-28 GB GB3536771A patent/GB1357198A/en not_active Expired
- 1971-07-29 BE BE770634A patent/BE770634A/xx not_active IP Right Cessation
- 1971-07-29 NL NL7110448.A patent/NL167546C/xx not_active IP Right Cessation
- 1971-07-29 US US00167245A patent/US3763346A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-07-30 DE DE2138339A patent/DE2138339C3/de not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE4115890A1 (de) * | 1990-05-17 | 1991-11-21 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Elektronenemittierendes bauelement |
| DE9005786U1 (de) * | 1990-05-21 | 1990-08-30 | Forschungszentrum Jülich GmbH, 52428 Jülich | Anordnung zum In-situ-Ausglühen von Emissions- oder Tunnelspitzen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL7110448A (de) | 1972-02-02 |
| CA946937A (en) | 1974-05-07 |
| NL167546B (nl) | 1981-07-16 |
| US3763346A (en) | 1973-10-02 |
| DE2138339A1 (de) | 1972-02-03 |
| BE770634A (fr) | 1971-12-01 |
| GB1357198A (en) | 1974-06-19 |
| FR2098954A5 (de) | 1972-03-10 |
| DE2138339C3 (de) | 1979-03-29 |
| NL167546C (nl) | 1981-12-16 |
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|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |