DE69709554T2 - Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle - Google Patents

Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle

Info

Publication number
DE69709554T2
DE69709554T2 DE69709554T DE69709554T DE69709554T2 DE 69709554 T2 DE69709554 T2 DE 69709554T2 DE 69709554 T DE69709554 T DE 69709554T DE 69709554 T DE69709554 T DE 69709554T DE 69709554 T2 DE69709554 T2 DE 69709554T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron
needle
tip
voltage
electron source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69709554T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69709554D1 (de
Inventor
Satoru Fukuhara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE69709554D1 publication Critical patent/DE69709554D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69709554T2 publication Critical patent/DE69709554T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/06Electron sources; Electron guns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06Sources
    • H01J2237/063Electron sources
    • H01J2237/06308Thermionic sources
    • H01J2237/06316Schottky emission

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle, die in einer in der Praxis verwendeten Vorrichtung, bei der ein Elektronenstrahl verwendet wird, wie einem Elektronenmikroskop oder einem Elektronenstrahl-Lithographiegerät, verwendet wird.
  • In den letzten Jahren wurde eine Elektronenquelle mit Oberflächendiffusion als eine neue Elektronenquelle in die praktische Verwendung eingeführt. Diese Quelle wird durch Adsorbieren einatomiger Schichten von Zr, Ti, Hf oder dergleichen und von Sauerstoffatomen an der Oberfläche einer einkristallinen Spitze aus einem Refraktärmetallmaterial, wie Wolfram (W) oder Molybdän (Mo), hergestellt. Im allgemeinen wird diese neue Elektronenquelle in der nun beschriebenen Weise hergestellt. Eine einkristalline W-Nadel mit einer gegebenen kristallographischen Orientierung wird mit dem oberen Teil eines Haarnadel-Glühfadens aus W verbunden. Die Spitze dieser einkristallinen Nadel wird durch elektrolytisches Polieren geschärft. Eine pulverförmige Wasserstoffverbindung, wie hydriertes Zr, wird zwischen den Haarnadel- Glühfaden aus W und die einkristalline Nadel geklebt und in einer Vakuumumgebung mit einem Partialdruck von Sauerstoffgas wärmebehandelt, um die Diffusion von Zr oder dergleichen zu fördern. Auf diese Weise werden Adsorptionsschichten von Zr und 0 in der gegebenen kristallographischen Kristallebene an der Spitze des Einkristalls gebildet (US-A-4 324 999). Wenn diese Elektronenquelle in einem Schwachfeldbereich verwendet wird, in dem keine Feldemission auftritt, spricht man von Schottky-Emission. Zr/O/W wurde für diese Elektronenquelle praktisch eingesetzt (J. of Vac. Sci. Technol. B3 (1), 1985, S. 220)). Eine Steuerelektrode (im allgemeinen als eine Unterdrückungselektrode bezeichnet) und eine Extraktionselektrode werden zu dieser Elektronenquelle hinzugefügt, wodurch eine Elektronenkanone gebildet wird. Eine Grundstruktur dieser Kanone ist in Fig. 1 dargestellt (eine ähnliche Kanone ist in EP-A-0 696 043 offenbart). In dieser Figur sind eine mit 1 bezeichnete einkristalline Nadel aus W (100), ein Haarnadel-Glühfaden 2 aus polykristallinem W, ein Anschluß 4 aus Edelstahl oder dergleichen, an den der Glühfaden 2 punktgeschweißt ist, und ein Keramikisolator 5 dargestellt. Eine Oxidquelle 3 aus Zr mit einer niedrigeren Austrittsarbeit als die einkristalline Nadel 1 aus W ist entweder in der Mitte oder an der Basis der einkristallinen Nadel 1 oder am Glühfaden 2 angebracht. Diese Oxidquelle 3 wird auf etwa 1500 K bis 1900 K erwärmt, um eine thermische Diffusion entlang der einkristallinen Nadel 1 bis zu ihrer Spitze zu induzieren. Das zur Spitze der einkristallinen Nadel 1 diffundierte (Zr)-Metalloxid bildet eine einatomige Zr-Schicht zusammen mit Sauerstoff an der Spitze der einkristallinen Nadel 1. Dabei wird die Schicht vorzugsweise durch Adsorption an der Oberfläche, an der die Oberflächendiffusion aufgetreten ist, und auch an der bestimmten Kristallebene (100) mit einer höheren Aktivierungsenergie gebildet. Falls eine einkristalline Nadel verwendet wird, bei der die (100)-Kristallebene die Spitze der einkristallinen Nadel 1 bildet, kann nur das axiale Ende der einkristallinen Nadel 1 eine niedrige Austrittsarbeit behalten. Folglich kann an dieser Stelle eine hohe Dichte des Elektronenemissionsstroms erhalten werden. Eine Unterdrückungselektrode 6 unterdrückt Thermoelektronen aus dem auf 1500 K bis 1900 K erwärmten Haarnadel-Glühfaden aus W. Eine Extraktionselektrode 7 dient der Erzeugung von Schottky-Emission (nachfolgend als SE abgekürzt) durch Anlegen eines elektrischen Felds an die Spitze des Einkristalls. Die durch die SE auf die Spitze wirkende Feldintensität ist viel geringer als bei der Feldemission. Dementsprechend sind die emittierten Elektronen Thermoelektronen und enthalten keine Tunnelelektronen. Dies bedeutet, daß keine Änderungen des Emissionselektronenstroms auftreten, die bei Feldemissionselektronen stets stattfinden. Daher wird ein recht stabiler Emissionselektronenstrom erhalten. Weiterhin ist die Arbeitstemperatur niedriger als bei einer normalen Glühemissionsquelle, wie einer LaB6- oder W-Haarnadel, so daß die Energieverbreiterung des emittierten Elektronenstroms verringert werden kann.
  • Die Stärke des von der vorstehend beschriebenen SE- Elektronenquelle emittierten Elektronenstroms hängt von der Feldintensität an der Spitze der Nadel ab, wie in der vorstehend zitierten Literatur beschrieben ist. Es ist daher allgemein üblich, die Stärke des Elektronenstrahls durch die an die Extraktionselektrode angelegte Extraktionsspannung einzustellen, wie beispielsweise in US-A-5 449 968 offenbart ist, wovon der Oberbegriff des Anspruchs 1 abgeleitet ist.
  • Wenn die Extraktionselektrode jedoch geändert wird, treten Probleme, wie eine Fehljustierung der optischen Achse, auf.
  • Der Zwischenraum zwischen der Steuerelektrode und der Nadelspitze und der Zwischenraum zwischen der Steuerelektrode und der Extraktionselektrode sind recht gering, wie aus Fig. 1 ersichtlich ist. Es ist daher erwünscht, die Werte der an diese Elektroden angelegten Spannungen zu verringern. Bei der Elektronenkanonenstruktur aus dem Stand der Technik kann die Stärke des Elektronenstrahls jedoch nur in einem schmalen Bereich eingestellt werden. Weiterhin sind die an die Elektroden angelegten Spannungen hoch, so daß leicht eine elektrische Entladung auftritt. Hierdurch kann eine Beschädigung der Nadelspitze hervorgerufen werden.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle bereitzustellen, wodurch die vorhergehend erwähnten Probleme gelöst werden können.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorstehend erwähnte Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle nach Anspruch 1 gelöst. Die Ansprüche 2 und 3 beziehen sich auf bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung.
  • Dieses Verfahren wird aus den folgenden Gründen verwendet.
  • Die optische Achse wird in geringerem Maße geändert, und es werden größere Vorteile erhalten, indem die an die Steuerelektrode angelegte Steuerspannung eingestellt wird, statt daß die Stärke des Elektronenstrahls durch die Extraktionsspannung eingestellt wird. Das heißt, daß idealerweise jede verwendete Stärke des Elektronenstrahls eingestellt werden kann, indem die Steuerspannung bei einem gegebenen festgelegten Wert der Extraktionsspannung geändert wird.
  • Die Feldintensität an der Spitze der SE-Nadel hängt vom Aufbau der Elektronenquelle selbst ab.
  • Wie in J. Appl. Phys., Band 44, Nr. 5, 1973, S. 2140 - 2148 beschrieben ist, beeinflussen zwei Parameter, nämlich der Kegelwinkel (2ß) und der Krümmungsradius r, die Feldintensität.
  • In Fig. 2 sind REM-Bilder der Spitzen von zwei Arten gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendeter Nadeln dargestellt. Die Vergrößerung ist bei beiden Bildern 10 000. In Fig. 2(a) ist eine herkömmliche Nadel mit einem Kegelwinkel (2ß) von 26 Grad und einem Krümmungsradius (r) von 0,55 um dargestellt. Fig. 2(b) ist ein REM-Bild der Spitze einer neuartigen Nadel. Diese weist einen Kegelwinkel (2ß) von 8 Grad und einen Krümmungsradius (r) von 0,30 um auf. Gemäß der vorstehend zitierten Literatur kann die Feldintensität erhöht werden, indem beide Parameter so klein wie möglich gemacht werden. Auf diese Weise kann selbst bei einer geringen Extraktionsspannung eine hohe Feldintensität erzeugt werden. In der vorstehend erwähnten Literatur ist die Wirkung der Steuerspannung jedoch nicht erwähnt. Unser Experiment hat gezeigt, daß das elektrische Feld, das durch die an die Steuerelektrode angelegte Steuerspannung erzeugt wird, vergrößert wird, wenn die beiden Parameter verkleinert werden.
  • Daher kann beim vorstehend erwähnten Aufbau die Änderung der Feldintensität an der Spitze der Nadel je Einheit der Spannungsänderung größer als bisher gemacht werden.
  • Die vorliegende Erfindung kann ein Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle bereitstellen, wobei der ganze Bereich der verwendbaren Elektronenstrahlstärken bei einem festgelegten Wert der Extraktionsspannung durch Anpassen der Steuerspannung abgedeckt werden kann. Ein Elektronenstrahl-Lithographiegerät kann mit dieser Elektronenquelle ausgerüstet werden.
  • Die von der SE-Elektronenquelle emittierte Stromdichte J ist durch die folgende Gleichung gegeben, wobei T die Temperatur der Nadel, φ die Austrittsarbeit, a eine Konstante, F die Feldintensität und k eine Konstante ist.
  • J = 120 T²e(-(φ-a F)/kT) (A / cm²) (1)
  • Wie aus der vorstehenden Gleichung ersichtlich ist, hängt die Emissionsstromdichte von der Temperatur T der Nadel, der Austrittsarbeit φ der emittierenden Oberfläche und der Feldintensität F an der Spitze der Nadel ab. Diese Feldintensität F hängt vom Kegelwinkel der Spitze selbst und vom Krümmungsradius ab. Die Feldintensität F hängt auch von dem Raum zwischen der SE-Nadel und der Extraktionselektrode ab. Wie in Fig. 1 dargestellt ist, ist der Raum zwischen der SE-Nadel und der Extraktionselektrode recht klein, so daß es schwierig ist, den Raum weiter einzustellen. Daher kann der Bereich der Änderungen der Feldintensität an der Spitze der Nadel, die hervorgerufen werden, wenn die Steuerspannung in einem gewünschten Bereich geändert wird, vergrößert werden, indem der Kegelwinkel und der Krümmungsradius angepaßt werden.
  • Es ist bekannt, daß die Emission eines Elektronenstrahls durch einfaches Schärfen der Spitze erleichtert wird. Die vorliegende Erfindung sieht eine neuartige Kombination einer auf weniger als 15 Grad geschärften Schottky-Emissionselektronenquelle und eines Verfahrens zum Steuern der Stärke des Elektronenstrahls durch an die Steuerelektrode angelegte Steuerspannungen vor. Hierdurch wird der Bereich der ansprechend auf Änderungen der Steuerspannung erhaltenen Sondenströme vergrößert. Daher können die Arten der an die Extraktionselektrode angelegten Spannungen auf ein Minimum verringert werden.
  • Falls ein gewünschter Spannungseinstellungsbereich innerhalb des einstellbaren Bereichs der Steuerelektrode nicht erhalten werden kann, ist es erforderlich, einen gewünschten einstellbaren Bereich von Sondenströmen durch Einstellen der Extraktionsspannung zu gewährleisten. Wenn die Extraktionsspannung jedoch geändert wird, müssen andere Parameter mühsam angepaßt werden. Weiterhin tritt eine Fehljustierung der optischen Achse auf. Wenn diese und andere Nachteile berücksichtigt werden, besteht das ideale Verfahren darin, einen gewünschten Sondenstrombereich mit einem einzigen festgelegten Wert der Extraktionsspannung zu gewährleisten. Dies beruht auf der Voraussetzung, daß die optische Achse oder die Position der virtuellen Lichtquelle nicht durch Änderungen der Steuerelektrodenspannung geändert wird.
  • Wie bisher beschrieben wurde, kann der Bereich der Änderungen der Stärke des von der Elektronenquelle emittierten Elektronenstrahls für eine gegebene Änderung der Steuerspannung durch Einstellen des Kegelwinkels und des Krümmungsradius und auch durch Einstellen der Stärke des Elektronenstrahls durch die Steuerelektrode vergrößert werden.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Fig. 1 ist eine schematische Ansicht einer SE-Elektronenquelle,
  • Fig. 2 zeigt Elektronen-Mikrobilder bei verschiedenen Kathoden,
  • Fig. 3 ist ein Diagramm, in dem ein Testgerät für neuartige Nadelspitzen und die Nadelspitzen aus dem Stand der Technik dargestellt ist, und
  • Fig. 4 ist eine Graphik, in der neuartige Nadelspitzen mit Nadelspitzen aus dem Stand der Technik verglichen sind.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend beschrieben. Fig. 3 ist eine auf ein Ultrahochvakuum evakuierte Testvorrichtung, die zum Beurteilen von SE- Elektronenkanonen verwendet wird. Sie besteht aus einem Elektronenkanonenabschnitt und einem evakuierten Rahmenabschnitt. Die Vorrichtung beurteilt die Eigenschaften zahlreicher Kanonen, wobei der Elektronenkanonenabschnitt ausgetauscht wird. Zuerst wird der Elektronenkanonenabschnitt, in dem eine SE-Nadel installiert ist, im evakuierten Rahmenabschnitt angeordnet und auf ein Ultrahochvakuum evakuiert. Daraufhin wird ein Haarnadel-Glühfaden von einer Konstantstromquelle Vf mit elektrischer Leistung versorgt, um ihn zu erwärmen. Die Temperatur der SE-Nadel wird bei einer gewünschten konstanten Temperatur zwischen 1600 K und 1800 K gehalten.
  • Eine positive Spannung wird von einer Quelle Ve einer hohen Gleichspannung an die Extraktionselektrode angelegt, wodurch von der Spitze der SE-Nadel SE-Elektronen emittiert werden. Eine negative Spannung wird von einer Gleichspannungsquelle Vs an die Steuerelektrode oder Unterdrückungselektrode angelegt. Hierdurch wird verhindert, daß die Elektronen den Elektronenweg verlassen.
  • Wie dargestellt ist, erreicht der größte Teil der emittierten SE-Elektronen eine Blendenplatte, während ein Teil einen Faraday-Becher erreicht. Zu dieser Zeit wird die Energie durch die Quelle Va einer hohen Gleichspannung bestimmt. Im Fall eines Längenmessungs-REMs wird eine niedrige Beschleunigungsspannung von weniger als 1 kV verwendet. Die auf den Faraday-Becher fallenden SE-Elektronen bilden einen Sondenstrom, der tatsächlich in einem Elektronenmikroskop oder einem anderen Instrument verwendet wird, bei dem ein Elektronenstrahl eingesetzt wird. Der Öffnungswinkel liegt in der Größenordnung einiger mrad. Es wird ein Strom von einigen pA bis einigen Hundert pA erhalten. Die an die Extraktionselektrode angelegte Extraktionsspannung Ve wird konstant gehalten. Die Steuerspannung wird über einen bestimmten Bereich geändert. Es wird der sich ergebende Sondenstrom gemessen.
  • Auf diese Weise wird die Elektronenstrahlstärke entsprechend dem Wert der für die Steuerspannung verwendeten negativen Spannung gesteuert. Hierdurch wird es unnötig, die Elektronenstrahlstärke durch die Extraktionsspannung zu steuern. Weil die Extraktionsspannung festgelegt werden kann, kann die Stärke des Elektronenstrahls ohne Herbeiführen einer axialen Fehljustierung leicht eingestellt werden.
  • Wenn die Extraktionsspannung geändert wird, ändert sich im allgemeinen das Verhältnis zwischen der Extraktionsspannung und der Beschleunigungsspannung. Daher wird die Position der optischen Achse durch die Wirkung der elektrostatischen Linse geändert. Folglich tritt eine axiale Fehljustierung auf.
  • Angesichts des vorhergehend Erwähnten wird die Steuerspannung gemäß der vorliegenden Ausführungsform geändert, während die Extraktionsspannung konstant gehalten wird.
  • Angesichts der vorhergehend erwähnten Tatsachen wurden die vorstehenden Messungen unter Verwendung von zwei Nadelspitzen mit unterschiedlichen Kegelwinkeln und unterschiedlichen Krümmungsradien ausgeführt, wie in Fig. 2 dargestellt ist.
  • Die Ergebnisse sind in Fig. 4 dargestellt. Die Steuerspannung wurde über einen Bereich von 100 V bis 900 V geändert. Es ist aus Fig. 4 ersichtlich, daß sich der Sondenstrom bei der Nadelspitze aus dem Stand der Technik oder der alten Nadelspitze von 22 pA bis 57 pA änderte und daß sich der Strom bei der neuartigen oder neuen Nadelspitze über einen recht breiten Bereich von 2,3 pA bis 67 pA änderte. Die Extraktionsspannung Ve betrug 1,5 kV, was kleiner ist als bei der Nadelspitze aus dem Stand der Technik.
  • Wie bisher beschrieben wurde, kann die Extraktionsspannung durch Verwenden der neuartigen Elektronenkanone verringert werden. Weiterhin ist der Bereich vergrößert, in dem sich der Sondenstrom ansprechend auf eine gegebene Änderung der Steuerspannung ändert. Auf diese Weise hängt der Änderungsbereich des Sondenstroms für eine gegebene Änderung der Steuerelektrodenspannung vom Kegelwinkel und auch vom Krümmungsradius ab.
  • Weiterhin müssen bei Rasterelektronenmikroskopen jene Instrumente, die Halbleiter behandeln, aus den folgenden Gründen den Sondenstrom verringern, damit sie weniger durch Aufladungen und Verunreinigungen beeinflußt werden. Die Größe des Sondenstroms ist proportional zur Häufigkeit des Auftretens des Aufladens und stört das Bild der Probe. Eine Verunreinigung ruft ein ähnliches unerwünschtes Phänomen hervor. Folglich ist ein minimaler Strom von weniger als 10 pA erforderlich. Wir haben Experimente ausgeführt, um diesen minimalen Strom zu finden, und herausgefunden, daß ein Betrag des Strahlstroms, der die vorstehend beschriebenen Bedingungen erfüllt, erzielt wird, wenn eine Nadelspitze mit einem Kegelwinkel von 15 Grad und einem Krümmungsradius von 0,5 um verwendet wird. Wenn der Kegelwinkel 15 Grad übersteigt (Linie A aus Fig. 4), übersteigt der minimale Strom 10 pA. Hierdurch werden die vorstehend beschriebenen gewünschten Bedingungen nicht erfüllt.
  • Falls die Elektronenquelle dementsprechend bei einem diesen unterschreitenden Kegelwinkel gebaut wird, kann der Sondenstrombereich an die vorstehend beschriebenen Bedingungen angepaßt werden. Es ist jedoch eine hochentwickelte Technik erforderlich, um die Spitze zu schärfen. Mit der heutigen Formungstechnologie kann die Spitze nur bis zu 5-6 Grad geschärft werden.
  • Falls der Krümmungsradius der Spitze auf einen größeren Wert als 0,5 um gelegt wird, ist es schwierig, eine Schottky- Emission herbeizuführen, und der erwähnte Strahlstrombereich kann daher nicht erhalten werden. Falls der Krümmungsradius auf einen kleineren Wert als 0,2 um gelegt wird, macht die Feldemission den Strahl instabil.
  • Die vorstehend erwähnte Ausführungsform wird verwirklicht, um eine SE-Elektronenquelle zu betreiben. Es ist offensichtlich, daß sich ähnliche Vorteile bei einer Elektronenkanone ergeben, bei der der Sondenstrom ebenso wie vorstehend erwähnt durch eine Steuerspannung geändert wird. Die Erfindung kann beispielsweise unter Verwendung von Steuerelektroden auf eine TFE-Elektronenquelle, eine CFE- Elektronenquelle usw. angewendet werden.
  • Weiterhin ist die vorliegende Erfindung allgemein auf jede Vorrichtung anwendbar, die eine solche Elektronenquelle aufweist. Die Erfindung kann mit einem ähnlichen Nutzeffekt auf ein Rasterelektronenmikroskop, ein Transmissionselektronenmikroskop, ein Elektronenstrahl-Lithographiesystem usw. angewendet werden.
  • Das Experiment hat gezeigt, daß es im Fall des Anwendens einer Elektronenquelle, die wie in der erläuterten Ausführungsform beschrieben betrieben wird, auf eine einen Elektronenstrahl emittierende Vorrichtung erforderlich ist, die Spitze der Kathode auf weniger als 15 Grad zu legen, um den Vorteil der Erfindung zu erzielen, daß der erforderliche Bereich von Sondenströmen mit einer einzigen Extraktionsspannungseinstellung erhalten wird.
  • Bei einer Elektronenkanone, bei der eine SE-Elektronenquelle verwendet wird, die gemäß der vorliegenden Erfindung betrieben wird, vergrößert sich der erhaltene Bereich der Sondenströme für eine gegebene Änderung der Steuerspannung. Daher kann die Stärke des Elektronenstrahls mit einer einzigen Extraktionsspannungseinstellung über einen breiten Bereich festgelegt werden. Folglich kann der erforderliche Bereich von Sondenströmen erhalten werden, ohne die Extraktionsspannung zu ändern. Weil die Extraktionsspannung konstant gehalten werden kann, kann eine axiale Fehljustierung infolge Änderungen der Extraktionsspannung verhindert werden. Weiterhin nimmt der Wert der Extraktionsspannung selbst ab. Daher wird eine elektrische Entladung verhindert, die die Nadel beschädigen würde. Dies trägt zur Stabilität der Elektronenkanone bei.

Claims (3)

1. Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle mit einer nadelartigen Kathode (1) mit einem Winkel an der Spitze von weniger als 15º,
einer Extraktionselektrode (7) zum Anlegen eines elektrischen Feldes, um Elektronen von der Kathode zu extrahieren,
einer Steuerelektrode (6) zwischen der Kathode (1) und der Extraktionselektrode (7), und
einer Vorrichtung (Vs, Ve) zum Anpassen des Stroms eines durch die Elektronenquelle erzeugten Elektronenstrahls,
gekennzeichnet durch
das Verändern einer an die Steuerelektrode (6) angelegten negativen Spannung während des Anlegens einer konstanten positiven Spannung an die Extraktionselektrode (7).
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Kathode (1) eine Spitze aufweist, die mit einem Krümmungsradius von weniger als 0,5 um geformt ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Elektronenquelle in einem Elektronenstrahl-Emissionsgerät zur Verfügung gestellt ist.
DE69709554T 1996-02-14 1997-02-07 Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle Expired - Lifetime DE69709554T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4966696 1996-02-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69709554D1 DE69709554D1 (de) 2002-02-21
DE69709554T2 true DE69709554T2 (de) 2002-10-02

Family

ID=12837505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69709554T Expired - Lifetime DE69709554T2 (de) 1996-02-14 1997-02-07 Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5834781A (de)
EP (1) EP0790633B1 (de)
KR (1) KR100505378B1 (de)
DE (1) DE69709554T2 (de)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000068970A1 (fr) * 1999-05-11 2000-11-16 Hitachi, Ltd. Appareil a faisceau electronique, et inspection d'un canon a electrons
JP4261806B2 (ja) * 2002-02-15 2009-04-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線装置及びその高電圧放電防止方法
US6798126B2 (en) * 2002-05-03 2004-09-28 Fei Company High angular intensity Schottky electron point source
KR100523840B1 (ko) * 2003-08-27 2005-10-27 한국전자통신연구원 전계 방출 소자
GB2414856B (en) * 2004-06-03 2008-11-12 Nanobeam Ltd Charged particle gun
US20060196853A1 (en) * 2005-03-04 2006-09-07 The Regents Of The University Of California Micro-joining using electron beams
WO2008001030A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Shimadzu Corporation Electron beam control method, electron beam generating apparatus, apparatus using the same, and emitter
GB2483182B (en) * 2006-06-30 2012-04-18 Shimadzu Corp Electron beam generating appparatus and electron emitters
DE102011013262A1 (de) 2011-03-07 2012-09-13 Adlantis Dortmund Gmbh Ionisationsquelle und Nachweisgerät für Spurengase
DE112012001287B4 (de) * 2011-03-18 2016-01-21 Denka Company Limited Gehäuse und Verfahren zum Handhaben einer Elektronenkanone oder Ionenkanone
US8928228B2 (en) 2011-12-29 2015-01-06 Elwha Llc Embodiments of a field emission device
US8970113B2 (en) 2011-12-29 2015-03-03 Elwha Llc Time-varying field emission device
US9018861B2 (en) 2011-12-29 2015-04-28 Elwha Llc Performance optimization of a field emission device
US8575842B2 (en) 2011-12-29 2013-11-05 Elwha Llc Field emission device
US9171690B2 (en) 2011-12-29 2015-10-27 Elwha Llc Variable field emission device
US8946992B2 (en) 2011-12-29 2015-02-03 Elwha Llc Anode with suppressor grid
WO2013101937A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Elwha Llc Electronic device graphene grid
US8692226B2 (en) 2011-12-29 2014-04-08 Elwha Llc Materials and configurations of a field emission device
US8810161B2 (en) 2011-12-29 2014-08-19 Elwha Llc Addressable array of field emission devices
US9349562B2 (en) 2011-12-29 2016-05-24 Elwha Llc Field emission device with AC output
US9646798B2 (en) 2011-12-29 2017-05-09 Elwha Llc Electronic device graphene grid
US8810131B2 (en) 2011-12-29 2014-08-19 Elwha Llc Field emission device with AC output
US9627168B2 (en) 2011-12-30 2017-04-18 Elwha Llc Field emission device with nanotube or nanowire grid
US9659735B2 (en) 2012-09-12 2017-05-23 Elwha Llc Applications of graphene grids in vacuum electronics
US9659734B2 (en) 2012-09-12 2017-05-23 Elwha Llc Electronic device multi-layer graphene grid
DE102014226812A1 (de) * 2014-12-22 2016-06-23 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zum Erzeugen eines Elektronenstrahls
WO2016110996A1 (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 技術研究組合次世代3D積層造形技術総合開発機構 電子銃、電子銃の制御方法および制御プログラム並びに3次元造形装置
JP7022837B2 (ja) 2018-08-27 2022-02-18 株式会社日立ハイテク 電子源とその製造方法およびそれを用いた電子線装置
KR102593548B1 (ko) 2018-12-05 2023-10-25 주식회사 히타치하이테크 하전 입자원, 하전 입자선 장치
EP4510167A2 (de) * 2018-12-28 2025-02-19 Canon Anelva Corporation Elektronenkanone, röntgenstrahlerzeugungsvorrichtung und röntgenbildgebungsvorrichtung
US20220199349A1 (en) * 2019-04-18 2022-06-23 Hitachi High-Tech Corporation Electron source and charged particle beam device
US12394585B2 (en) * 2020-06-29 2025-08-19 Hitachi High-Tech Corporation Electron source, electron gun, and charged particle beam device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5217392B1 (de) * 1970-09-18 1977-05-14
US4324999A (en) * 1980-04-30 1982-04-13 Burroughs Corporation Electron-beam cathode having a uniform emission pattern
US4663559A (en) * 1982-09-17 1987-05-05 Christensen Alton O Field emission device
DE3887891T2 (de) * 1988-11-01 1994-08-11 Ibm Niederspannungsquelle für schmale Elektronen-/Ionenstrahlenbündel.
US5155412A (en) * 1991-05-28 1992-10-13 International Business Machines Corporation Method for selectively scaling a field emission electron gun and device formed thereby
US5191217A (en) * 1991-11-25 1993-03-02 Motorola, Inc. Method and apparatus for field emission device electrostatic electron beam focussing
JPH0684450A (ja) * 1992-03-27 1994-03-25 Denki Kagaku Kogyo Kk 熱電界放射陰極
JPH0684451A (ja) * 1992-03-27 1994-03-25 Denki Kagaku Kogyo Kk 熱電界放射陰極
JPH0684452A (ja) * 1992-03-27 1994-03-25 Denki Kagaku Kogyo Kk 熱電界放射陰極
US5449968A (en) * 1992-06-24 1995-09-12 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Thermal field emission cathode
JP3264775B2 (ja) * 1994-06-29 2002-03-11 電気化学工業株式会社 熱電界放射電子銃
JP3582855B2 (ja) * 1994-07-22 2004-10-27 電気化学工業株式会社 熱電界放射陰極及びその製造方法
US5616926A (en) * 1994-08-03 1997-04-01 Hitachi, Ltd. Schottky emission cathode and a method of stabilizing the same
JP4093590B2 (ja) * 1994-10-03 2008-06-04 エフイーアイ カンパニー 針及び隔膜のような抽出電極を有する電子源を具えている粒子光学装置
JPH08171879A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Hitachi Ltd ショットキーエミッション電子源の動作温度設定方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0790633A2 (de) 1997-08-20
KR100505378B1 (ko) 2005-10-21
EP0790633A3 (de) 1998-07-08
DE69709554D1 (de) 2002-02-21
KR970063337A (ko) 1997-09-12
EP0790633B1 (de) 2002-01-16
US5834781A (en) 1998-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69709554T2 (de) Verfahren zum Betreiben einer Elektronenquelle
DE69515389T2 (de) Verfahren zur Stabilisierung einer Schottky-Emissionskathode
DE112009003724B4 (de) Verwendung eines Elektronenstrahlgeräts
DE2628584C3 (de) Feldemissionskathode und Verfahren zur Herstellung einer nadelförmigen Kathodenspitze dafür
DE2129636C2 (de) Feldemissions-Elektronenstrahlerzeugungssystem
DE69332995T2 (de) Raster-Elektronenmikroskop
DE112011100597B4 (de) Feldemissions-Elektronenkanone und Verfahren zu deren Steuerung
DE112016007170B4 (de) Elektronenstrahlvorrichtung
DE1044295B (de) Ionenquelle
DE112009001537T5 (de) Vorrichtung mit geladenem Teilchenstrahl und Verfahren zum Steuern der Vorrichtung
DE112007000045T5 (de) Elektronenkanone, Elektronenstrahl-Bestrahlungsgerät und Bestrahlungsverfahren
DE1439828B2 (de) Elektronenmikroskop
DE2151167B2 (de) Elektronenstrahl Mikroanalysator mit Auger Elektronen Nachweis
DE19549022A1 (de) Rasterelektronenmikroskop und Probenbetrachtungsverfahren mittels eines solchen
DE69506375T2 (de) Partikel-optisches gerät mit einer elektronenquelle versehen die eine nadel und eine membranartige extraktionselektrode aufweist
DE2138339C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Anspitzen und/oder Reinigen einer
DE2221138C3 (de) Feldemissions-Elektronenquelle
DE19927036A1 (de) Elektronenkanone zur Verwendung in einer Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung
DE2821597A1 (de) Verwendung eines systems zur erzeugung eines elektronenflachstrahls mit rein elektrostatischer fokussierung in einer roentgenroehre
DE60007830T2 (de) Schottky-emissionskathode mit verlängerter lebensdauer
DE1184435B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ladungstraegerstrahl-Schweissen mit in zwei Kammern angeordneten Linsen
DE102021112503B4 (de) Teilchenstrahlvorrichtung mit einer Ablenkeinheit
DE102018106993A1 (de) Ionenstrahlvorrichtung
DE102019203579A1 (de) Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts sowie Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens
DE2038756A1 (de) Speichervorrichtung mit grosser Informationsspeicherdichte

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition