DE4005726A1 - Verfahren zur herstellung von galliumalkylverbindungen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von galliumalkylverbindungenInfo
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- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- -1 gallium halide Chemical class 0.000 title claims abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 title claims abstract description 7
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- 125000005234 alkyl aluminium group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 claims abstract 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 230000029936 alkylation Effects 0.000 description 2
- 238000005804 alkylation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003747 Grignard reaction Methods 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002168 alkylating agent Substances 0.000 description 1
- 229940100198 alkylating agent Drugs 0.000 description 1
- 230000002152 alkylating effect Effects 0.000 description 1
- 230000027455 binding Effects 0.000 description 1
- 238000009739 binding Methods 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002731 mercury compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000011987 methylation Effects 0.000 description 1
- 238000007069 methylation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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- Organic Chemistry (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
von Galliumalkylverbindungen nach den Merkmalen des
Anspruches 1.
Bekanntlich haben Galliumalkylverbindungen, insbesondere
solche mit kleinen Alkylresten, eine große Bedeutung bei
der Herstellung von III/V-Halbleitern, insbesondere aus
Galliumarsenid und -phosphid, welche in zunehmendem
Maße Einsatz in der Elektronik- und Solartechnik finden.
Die Darstellung dieser Galliumalkylverbindungen in der
erforderlichen Reinheit und Menge stieß bisher auf er
hebliche Schwierigkeiten.
Zwar lassen sich bekanntermaßen Galliumhalogenverbin
dungen durch Grignard-Reagenzien alkylieren, doch liegt
der bedeutende Nachteil darin, daß die als Lösungs
mittel ausschließlich verwendbaren Ether mit dem ent
stehenden Galliumtrialkyl stabile Addukte bilden. Die
Auftrennung der Addukte bereitet erhebliche Schwierig
keiten und wird zumeist von partieller thermischer Zer
setzung und entsprechender Verunreinigung der gewünsch
ten Galliumalkyle begleitet. Das gleiche Problem ergibt
sich bei einer Variante der Grignard-Reaktion, nämlich
der Umsetzung einer (evtl.metalldotierten) Magnesium-
Gallium-Legierung mit Alkylhalogeniden. Auch die Alky
lierung mit Alkyllithium- bzw. Alkylnatrium-Verbindun
gen kann bei kleinen Alkylresten nur in Gegenwart die
ser nachteiligen, da koordinierenden Lösungsmittel
durchgeführt werden.
Der Einsatz flüssiger Metallalkyle umgeht zwar die
Schwierigkeiten der späteren Entfernung von Lösungsmit
teln, doch lassen sich bei der Reaktion von Gallium
halogeniden mit Trialkylaluminium hohe Ausbeuten nur
durch weit überstöchiometrischen Einsatz dieses
Alkylierungsmittels unter Ausnutzung von nur einer der
drei Alkylgruppen erzielen. Die Reaktion von Dialkyl
quecksilber zur Alkylgruppenübertragung auf Gallium
erfolgt selbst unter HgCL2-Katalyse außerordentlich
langsam, doch verbietet die extreme Giftigkeit von
Dialkylquecksilberverbindungen eine breitere Anwendung.
Schließlich sind die ebenfalls zur Alkylierung von
Galliumhalogenverbindungen verwendbaren Dialkylzinkver
bindungen nur schwer als Ausgangssubstanz zugänglich.
Die bekannte Wurtz-Synthese der gleichzeitigen Umsetzung
von Alkylhalogeniden und Metallhalogeniden in Gegenwart
von Natrium ist zur Darstellung von Galliumalkylver
bindungen besonders ungeeignet, da nicht nur je zwei
Alkylgruppen zu höheren Kohlenwasserstoffen reagieren
und zu Verunreinigungen Anlaß geben, sondern da vor
allem die eingesetzen Galliumhalogenide zum Gallium
metall reduziert werden. Gleiches gilt auch für wurtz
analoge Reaktionen mit anderen Halogenakzeptormetallen
als Natrium, wie z.B. Metallen der I-III. Hauptgrup
pe des Periodensystems, welche bereits in organischen
Lösungsmitteln und Salzschmelzen als Lösungsmittel un
tersucht wurden. Letztere sind überdies wegen Nebenre
aktionen höherer Alkylhalogenide nur auf Methylierungen
weniger elektropositiver Elemente beschränkt geblieben.
Zum entsprechenden Stand der Technik wird auf die
DE-PS 12 39 687, die DD-PS 2 31 568 und die
GB-OS 21 23 423 verwiesen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die für die
moderne Halbleiterherstellung wichtigen Galliumalkyl
verbindungen, insbesondere die wegen ihrer leichteren
Verdampfbarkeit für CVD-Verfahren bevorzugten kurzket
tigen Galliumalkylverbindungen, aus billigen, leicht
verfügbaren Vorprodukten auf einfache Weise hochrein
und in größerer Menge herzustellen.
Ausgehend von dem im Oberbegriff des Anspruches 1 be
rücksichtigten Stand der Technik ist diese Aufgabe er
findungsgemäß gelöst mit den im kennzeichnenden Teil
des Anspruches 1 angegebenen Merkmalen.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen angegeben.
Wie bereits erwähnt, reagieren die - überdies nur schwer
zugänglichen - Aluminiumtrialkyle mit Galliumhalogeniden
unter Übertragung von nur einer der drei Alkylgruppen.
Das als Nebenprodukt anfallende Dialkylaluminiumhaloge
nid zeigte demnach keine weitere alkylierende Wirkung
auf Gallium-Halogen-Bindungen, was dann für
Alkylaluminiumdihalogenide noch weit weniger zu erwar
ten war. Überraschenderweise zeigte sich nun, daß
Alkylaluminiumdihalogenid sehr wohl die Alkylgruppe
quantitativ im Austausch gegen Halogenatome auf das
Gallium zu übertragen vermag, wenn die genannten Hilfs
basen, wie z.B. Alkali- und Erdalkalimetallhalogenide,
zugesetzt werden. Darüber hinaus können sogar auch
Dialkylaluminiumhalogenide und Aluminiumtrialkyle sowie
deren Gemische mit Alkylaluminiumdichloriden (z.B.
die technisch verfügbaren sogenannten Alkylaluminium
sesquihalogenide, R3Al2Cl3) unter gleichen Reaktionsbe
dingungen zum Einsatz gebracht werden, gegebenenfalls
unter Zusatz von Aluminiumhalogeniden zum Zwecke der
Kommutierung und damit verbundenen Dampfdruckerniedri
gung dieser Verbindungen. Man arbeitet vorzugsweise bei
Temperaturen, bei denen das Gemisch der Komponenten sich
in flüssigem Zustand befindet.
Neben ihrer technischen Verfügbarkeit hat die Verwendung
von z.B. Alkylaluminiumsesquichloriden den besonderen
Vorteil, daß die Vertreter mit kleinen Alkylgruppen,
ohne allzu weit von Normalbedingungen abweichen zu müs
sen, flüssig sind und damit ihre Handhabung, Dosierung,
Agitation etc. beim erfindungsgemäßen Verfahren sehr
einfach ist, was wegen der Selbstentzündlichkeit der
Reaktionsteilnehmer bedeutsam ist. Da auch unter den
Hilfsbasen die Chloride durch ihre großtechnische Ver
fügbarkeit die billigsten sind, was auch für das Kom
mutierungsreagenz Aluminiumchlorid gilt, arbeitet man
beim erfindungsgemäßen Verfahren vorzugsweise mit Chlo
riden oder deren Gemischen. Schon der Zusatz der Hilfs
base Natriumchlorid zu den Komponenten Dialkylaluminium
chlorid bzw. Alkylaluminiumdichlorid oder deren Gemisch
und Galliumtrichlorid bewirkt eine hohe Ausbeute an
Trialkylgallium bzw. Dialkylgalliumchlorid.
Eine weitere Steigerung erbringt die zusätzliche Beigabe
von Kaliumchlorid als Hilfsbase, sofern man bei gegebe
ner Reaktionstemperatur weiterhin im Flüssigkeitsbereich
der Reaktionsmischung bleibt.
Weitere besondere Vorteile des erfindungsgemäßen Ver
fahrens gegenüber bisher bekannten sind die folgenden:
Man arbeitet völlig lösungsmittelfrei, so daß sich we der Trennprobleme noch Verunreinigungen daraus ergeben. Dadurch ergibt sich auch eine außerordentliche hohe Raum-Zeit-Ausbeute, bezogen auf das Volumen aller Reaktionsteilnehmer. Während die Syntheseprodukte unter gleichzeitiger Vortrennung dampfförmig abgezogen werden (können), kann man das Gemisch der Nebenprodukte flüssig aus dem Reaktor ablassen und aus ihnen im Recycling- Verfahren gemäß Stand der Technik gegebenenfalls wieder Aluminium zur Herstellung von Alkylaluminiumhalogeniden gewinnen. Besonders vorteilhaft ist es auch, daß das zur Herstellung des einzusetzenden Galliumtrichlorids verwendete Gallium von nur geringer Reinheit sein muß (Hauptverunreinigung vom Herstellungsprozeß ist Alu minium), da alle unerwünschten Begleitmetalle sich bei richtiger Dosierung der Hilfsbasen bei den Reaktions nebenprodukten befinden, also eine weitere erwünschte Reinigung nebenbei erfolgt. Ferner läßt sich das Wert produkt Gallium, sollten wegen nicht ganz quantitativer Umsetzung noch Galliumverbindungen nach der Reaktion im Nebenproduktgemisch enthalten sein, durch einfache Zu gabe von Aluminiummetall (Pulver, Späne, Stäbe, Granalien) leicht präzipitieren und wiedergewinnen. Schließlich kann man im Falle apparativer Defekte das Reaktionsgemisch flüssig abziehen, durch Abkühlen auf Raumtemperatur in den festen Aggregatzustand überführen und dadurch ungefährlicher zur Entsorgung handhaben, als dies bei der Synthese in organischen Lösungsmitteln möglich ist.
Man arbeitet völlig lösungsmittelfrei, so daß sich we der Trennprobleme noch Verunreinigungen daraus ergeben. Dadurch ergibt sich auch eine außerordentliche hohe Raum-Zeit-Ausbeute, bezogen auf das Volumen aller Reaktionsteilnehmer. Während die Syntheseprodukte unter gleichzeitiger Vortrennung dampfförmig abgezogen werden (können), kann man das Gemisch der Nebenprodukte flüssig aus dem Reaktor ablassen und aus ihnen im Recycling- Verfahren gemäß Stand der Technik gegebenenfalls wieder Aluminium zur Herstellung von Alkylaluminiumhalogeniden gewinnen. Besonders vorteilhaft ist es auch, daß das zur Herstellung des einzusetzenden Galliumtrichlorids verwendete Gallium von nur geringer Reinheit sein muß (Hauptverunreinigung vom Herstellungsprozeß ist Alu minium), da alle unerwünschten Begleitmetalle sich bei richtiger Dosierung der Hilfsbasen bei den Reaktions nebenprodukten befinden, also eine weitere erwünschte Reinigung nebenbei erfolgt. Ferner läßt sich das Wert produkt Gallium, sollten wegen nicht ganz quantitativer Umsetzung noch Galliumverbindungen nach der Reaktion im Nebenproduktgemisch enthalten sein, durch einfache Zu gabe von Aluminiummetall (Pulver, Späne, Stäbe, Granalien) leicht präzipitieren und wiedergewinnen. Schließlich kann man im Falle apparativer Defekte das Reaktionsgemisch flüssig abziehen, durch Abkühlen auf Raumtemperatur in den festen Aggregatzustand überführen und dadurch ungefährlicher zur Entsorgung handhaben, als dies bei der Synthese in organischen Lösungsmitteln möglich ist.
Einzige wesentliche Verunreinigungen des Endproduktes
können beim erfindungsgemäßen Verfahren (Alkyl)-
Aluminium-Halogen-Verbindungen sein, die sich jedoch
bekanntermaßen mittels Zusatz von Natriumfluorid bei
der ohnehin notwendigen Endreinigung der für die
Halbleiterherstellung wichtigen Galliumtrialkyle durch
Retifikation problemlos entfernen lassen.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird durch die folgenden
Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Ein Gemisch aus 250 g Me3AL2Cl3, 134 g AlCl3, 128 g NaCl
und 67 g KCl wird unter Inertgas langsam bis zur voll
ständigen Verflüssigung unter Vermeidung von Tempera
tursprüngen und Überhitzungen erwärmt. Man gibt bei
110-120°C 176 g GaCl3 zu und erwärmt innerhalb 0,5-2 Std.
unter Rühren bis 350°C. Dabei destillieren 49 g Me3Ga
(42,7%) und 75 g Me2GaCl (55,5%) ab. Der Galliumum
satz beträgt 98,2%.
Ein Gemisch aus 205 g Me3Al2Cl3, 134 g AlCl3, 128 g NaCl
und 67 g KCl wird bis zur vollständigen Verflüssigung
erwärmt. Man gibt bei 110-120°C 406 g Me2GaCl zu und
erwärmt unter Rühren weiter bis auf 350°C. Dabei erhält
man 166 g Me3Ga (48,2%) und 200 g Me2GaCl (49,3%) bei
einem Galliumumsatz von 97,5%.
Ein Gemisch aus 205 g Me3Al2Cl3, 134 g AlCl3, 128 g NaCl
und 67 g KCl wird bis zur vollständigen Verflüssigung
erwärmt. Man gibt bei 110-120°C 202 g Me2GaCl zu und
erwärmt auf 200°C. Dabei geht bereits ein Teil der Pro
dukte über. Bei dieser Temperatur gibt man 176 g GaCl3
zu und heizt schließlich weiter bis 350°C auf. Insgesamt
erhält man 114 g Me3Ga und 201 g Me2GaCl bei quantita
tivem Galliumumsatz.
Zu einem Gemisch aus 240 g GaCl3 und 280 g Me3Al2Cl3
gibt man 114 g NaCl und 62 g KCl und heizt die Mischung
bis 350°C auf. Dabei erhält man 40 g Me3Ga und 130 g
Me2GaCl (70,5%) bei einem Galliumumsatz von 96,1%.
Ein Gemisch aus 247 g Et3Al2Cl3, 134 g AlCl3 und 224 g
KCl wird bis zur vollständigen Verflüssigung erwärmt.
Man gibt bei 185-195°C 176 g GaCl3 zu und heizt bis
350°C auf. Dabei erhält man 15,8 g Et3Ga (10,1%) und
113 g Et2GaCl (69,1%) bei einem Galliumumsatz von 79,2%.
Ein Gemisch aus 121 g Et3Al2Cl3, 65 g AlCl3 und 109 g
KCl wird bis zur vollständigen Verflüssigung erwärmt.
Man gibt bei 185-195°C 239 g Et2GaCl zu und heizt bis
350°C auf. Dabei erhält man 110 g Et3Ga (47,9%) und
118 g Et2GaCl (49,4%) bei einem Galliumumsatz von 97,3%.
Zu einem Gemisch aus 114 g Et3Al, 133 g AlCl3 und
176 g GaCl3 gibt man 149 g KCl und heizt die Mischung
bis 350°C auf. Dabei erhält man 33 g Et3Ga (21%) und
118 g Et2GaCl (72%) bei einem Galliumumsatz von 93%.
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung von Galliumalkylverbin
dungen,
dadurch gekennzeichnet,
daß Galliumhalogenverbindungen mit
Alkylaluminiumhalogeniden in Gegenwart von
Metallhalogeniden als Hilfsbasen umgesetzt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Galliumhalogenverbindungen Galliumtrihaloge
nide, Alkylgalliumdihalogenide oder Dialkylgallium
halogenide eingesetzt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die entsprechenden Galliumchloride eingesetzt
werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Alkylaluminiumhalogenide Dialkylaluminium
halogenide, Alkylaluminiumdihalogenide oder Gemische
aus Alkylaluminiumhalogeniden mit
Dialkylaluminiumhalogeniden oder sogenannter
Sesquihalogenide (R3Al2X3) eingesetzt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die entsprechenden Chloride eingesetzt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß Trialkylaluminium unter Zusatz von Aluminium
halogenid statt der Alkylaluminiumhalogenide einge
setzt werden.
7. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Hilfsbasen die Halogenide der Metalle der
Gruppen I-III des Periodensystems verwendet werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die entsprechenden Chloride verwendet werden.
9. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Hilfsbasen Natriumchlorid und/oder Kalium
chlorid verwendet werden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-9,
dadurch gekennzeichnet,
daß man die Reaktion bei Temperaturen zwischen
70 und 450°C durchführt.
11. Verfahren nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß man die Reaktion im Liquidusbereich des Eduktge
misches bis zu der Temperatur durchführt, bei der
merkliche thermische Zersetzung von Edukten und/oder
Produkten eintritt.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904005726 DE4005726A1 (de) | 1989-04-28 | 1990-02-23 | Verfahren zur herstellung von galliumalkylverbindungen |
JP10549990A JPH02295991A (ja) | 1989-04-28 | 1990-04-23 | ガリウムアルキル化合物の製法 |
US07/516,099 US5043462A (en) | 1989-04-28 | 1990-04-27 | Process for the production of gallium-alkyl compounds |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3914045 | 1989-04-28 | ||
DE19904005726 DE4005726A1 (de) | 1989-04-28 | 1990-02-23 | Verfahren zur herstellung von galliumalkylverbindungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4005726A1 true DE4005726A1 (de) | 1990-10-31 |
Family
ID=25880387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904005726 Withdrawn DE4005726A1 (de) | 1989-04-28 | 1990-02-23 | Verfahren zur herstellung von galliumalkylverbindungen |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02295991A (de) |
DE (1) | DE4005726A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0658560A1 (de) * | 1993-12-14 | 1995-06-21 | Sumitomo Chemical Company Limited | Verfahren zur Entfernung von Verunreinigungen aus Organometalverbindungen |
WO2013083450A1 (en) | 2011-11-28 | 2013-06-13 | Umicore Ag & Co. Kg | Process for preparing trialkylgallium compounds |
DE102012013941A1 (de) | 2012-07-16 | 2014-01-16 | Umicore Ag & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von Galliumtrialkylverbindungen |
US11401282B2 (en) | 2017-10-31 | 2022-08-02 | Nouryon Chemicals International B.V. | Method for storing and/or transporting gallium chloride |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5423039B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2014-02-19 | 宇部興産株式会社 | 高純度トリアルキルガリウム及びその製造方法 |
US8513447B1 (en) * | 2012-02-01 | 2013-08-20 | Chemtura Corporation | Preparation of tri-alkyl gallium or tri-alkyl indium compounds |
EP3613748B1 (de) * | 2014-03-14 | 2021-11-10 | Umicore Ag & Co. Kg | Verfahren zur herstellung von trialkylgallium-verbindungen |
-
1990
- 1990-02-23 DE DE19904005726 patent/DE4005726A1/de not_active Withdrawn
- 1990-04-23 JP JP10549990A patent/JPH02295991A/ja active Pending
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WO2013083450A1 (en) | 2011-11-28 | 2013-06-13 | Umicore Ag & Co. Kg | Process for preparing trialkylgallium compounds |
WO2013083449A1 (en) | 2011-11-28 | 2013-06-13 | Umicore Ag & Co. Kg | Process for preparing trialkyl compounds of metals of group iiia |
CN103958529A (zh) * | 2011-11-28 | 2014-07-30 | 优美科股份公司及两合公司 | 制备三烷基镓化合物的方法 |
US9108985B2 (en) | 2011-11-28 | 2015-08-18 | Umicore Ag & Co, Kg | Process for preparing trialkylgallium compounds |
US9695201B2 (en) | 2011-11-28 | 2017-07-04 | Umicore Ag & Co. Kg | Process for preparing trialkyl compounds of metals of group IIIA |
CN109456345A (zh) * | 2011-11-28 | 2019-03-12 | 优美科股份公司及两合公司 | 制备三烷基镓化合物的方法 |
DE102012013941A1 (de) | 2012-07-16 | 2014-01-16 | Umicore Ag & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von Galliumtrialkylverbindungen |
US11401282B2 (en) | 2017-10-31 | 2022-08-02 | Nouryon Chemicals International B.V. | Method for storing and/or transporting gallium chloride |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02295991A (ja) | 1990-12-06 |
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