DE3741436A1 - Waermebehandlungsofen - Google Patents

Waermebehandlungsofen

Info

Publication number
DE3741436A1
DE3741436A1 DE19873741436 DE3741436A DE3741436A1 DE 3741436 A1 DE3741436 A1 DE 3741436A1 DE 19873741436 DE19873741436 DE 19873741436 DE 3741436 A DE3741436 A DE 3741436A DE 3741436 A1 DE3741436 A1 DE 3741436A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
heat treatment
thermocouple
connections
movable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19873741436
Other languages
English (en)
Other versions
DE3741436C2 (de
Inventor
Kenichi Terauchi
Takeo Okamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Publication of DE3741436A1 publication Critical patent/DE3741436A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3741436C2 publication Critical patent/DE3741436C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016Chamber type furnaces
    • F27B17/0025Especially adapted for treating semiconductor wafers

Description

Die Erfindung betrifft einen Wärmebehandlungsofen zum Durchführen einer Wärmebehandlung verschiedener Substra­ te wie einem Halbleiter-Wafer, einem Ferrit-Substrat zur magnetischen Aufzeichnung oder dergleichen durch Wärme­ mittel, insbesondere eine Wärmebehandlungsvorrichtung, die die Temperatur eines Substrats während der Erwärmung mißt auf der Grundlage von Ausgangssignalen von auf dem Substrat befestigten Thermoelementen.
Bei der bekannten Vorrichtung zur Wärmebehandlung eines Sub­ strats wie einem Halbleiter-Wafer durch wärmeerzeugende Mittel werden Steuerdaten zum Betreiben der wärmeerzeu­ genden Mittel, sogenannte Profildaten, zuvor in einem Speicher gespeichert. Zur Wärmebehandlung des Substrats in einer solchen Vorrichtung werden die wärmeerzeugenden Mittel durch einen Computer auf der Grundlage der Pro­ fildaten gesteuert, so daß die Wärmebehandlung durchge­ führt wird nach einem gewünschten Temperaturprogramm für das jeweilige Substrat. Um die Profildaten in der Wärme­ behandlungsvorrichtung zu erzeugen, wird ein Tempera­ turmeßsubstrat unabhängig hergestellt, das aus demselben Material wie das zu behandelnde Substrat besteht. Ein Thermoelement wird auf dem Temperaturmeßsubstrat mon­ tiert, das wiederum von einem Wärmeofen aufgenommen und ausreichend erwärmt wird, um die Oberflächentemperaturen des Substrats stündlich auf der Grundlage von Ausgangs­ signalen des Thermoelementes zu messen, wodurch die zur Erzeugung des Profildaten erforderlichen Werte gewonnen werden.
In einer solchen Vorrichtung zur Wärmeerzeugung wird die Wärmebehandlung des Substrats im allgemeinen ausgeführt durch Schließen der Tür des Wärmeofens, um den Ofen von der Umgebung luftdicht abzuschließen, wobei der Ofen un­ ter ein Vakuum gebracht wird oder aber die erforderliche Gasatmosphäre erzeugt wird. Um Profildaten hoher Genau­ igkeit zu erzeugen, ist es also notwendig, bei der Tem­ peraturmessung des Temperaturmeßsubstrats in dem Ofen diesen von der Umgebung luftdicht abzuschließen, wodurch der Ofen in demselben Zustand bleibt wie bei der Wärme­ behandlung des eigentliche Substrats. Wenn die Tempera­ turmessung des Temperaturmeßsubstrats durchgeführt wird durch ein Thermoelement, das auf dem Substrat montiert ist, wie dies unten beschrieben werden wird, ist es er­ forderlich, zwei Arten von Metalldrähten, die das Ther­ moelement bilden, aus dem Ofen herauszuführen, um Signa­ le von dem Thermoelement zu gewinnen. Diese Metalldrähte wurden bisher im allgemeinen durch einen Spalt heraus­ geführt, der durch ein leichtes Öffnen der Tür des Wär­ meofens gebildet wird, wodurch die Luftabgeschlossenheit des Ofens beeinträchtigt wird, so daß genaue Daten nicht gewonnen werden können.
Als Verfahren zum Herausziehen von zwei Arten von Me­ talldrähten, die ein Thermoelement bilden, aus dem Ofen unter Gewährleistung der Luftdichtheit des Ofens, kann ein Drahtdurchgang geschaffen werden in einer Ofenwand, um die Metalldrähte durch dieses Loch zu führen. Bei diesem Verfahren ist es jedoch erforderlich, die Enden der beiden Metalltypen herauszuführen, die zuvor durch die Durchgänge in den Ofen hereingeführt worden sind, durch einen Einlaß des Wärmeofens zur Verbindung dieser mit dem Temperaturmeßsubstrat und sodann Wiedereinbrin­ gen der Metalldrähte in den Ofen mit dem Temperaturmeß­ substrat. Die Metalldrähte des Thermoelementes können sich lockern, wenn das Temperaturmeßsubstrat in den Ofen eingeführt wird, so daß sie sich miteinander verschlin­ gen. Eine derartige Verschlingung der Metalldrähte kann auch stattfinden, wenn das Temperaturmeßsubstrat aus dem Ofen herausgeholt wird. Die Wahrscheinlichkeit einer derartigen Verschlingung der Metalldrähte wird stark er­ höht insbesondere dann, wenn eine Vielzahl von Thermo­ elementen auf dem Temperaturmeßsubstrat angeordnet sind, um die Temperaturverteilung auf dem Temperaturmeßsub­ strat zu erfassen.
Aufgabe der Erfindung ist es, dies Problem zu überwin­ den.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst durch einen Wärmeofen mit einem Einlaß/Auslaß für das Substrat, eine Wärmequelle zum Aufheizen des Wärmeofens, eine Tür, die an dem Einlaß/Auslaß des Wärmeofens befestigt ist, ein Thermoelement bestehend aus zwei Arten von Drähten, die einen gemeinsamen Kontaktpunkt haben, der gebildet wird durch Verbindung der Enden der Metalldrähte, die auf dem Substrat befestigt sind, eine Anschlußbefestigung, die mit festen Anschlüssen versehen ist entsprechend den Me­ talldrähten des Thermoelements, wobei die anderen Enden der Metalldrähte des Thermoelementes jeweils mit den fe­ sten Anschlüssen verbunden sind, Trägermittel zum Ein­ führen des Substrats, des Thermoelementes und der An­ schlußbefestigung, die miteinander verbunden sind, in eine vorgegebene Position in den Wärmeofen durch den Einlaß/Auslaß und zum Entnehmen des Substrats, wobei das Thermoelement und die Anschlußbefestigung miteinan­ der verbunden sind aus der vorgegebenen Position in den Wärmeofen, und eine Anschlußantriebseinrichtung, die mit be­ weglichen Anschlüssen versehen ist entsprechend den fe­ sten Anschlüssen und auf einem Deckenabschnitt des Wär­ meofens befestigt sind, wobei die Anschlußantriebsein­ richtung die beweglichen Anschlüsse gegen die Oberflä­ che beweglich hält, so daß diese frei beweglich sind zwischen einer Position in Berührung mit bzw. im Abstand gelöst zu den festen Anschlüssen, die in der vorgegebe­ nen Position der Ofenfläche gehalten werden, wodurch Ausgangssignale des Thermoelementes von den beweglichen Anschlüssen herausgeführt werden.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung zur Wär­ mebehandlung zu schaffen, die die Temperatur eines Sub­ strats in den Wärmeofen mittels eines Thermoelementes exakt erfaßt, das auf dem Substrat befestigt ist, wäh­ rend der Ofen luftdicht abgeschlossen ist.
Dabei soll die Wärmebehandlungsvorrichtung so ausgebil­ det sein, daß die das Thermoelement bildenden Drähte da­ vor geschützt sind, sich miteinander zu verschlingen bei dem Einführen bzw. Herausholen des Substrats in bzw. aus dem Wärmeofen.
Nach der Erfindung werden bewegliche Anschlüsse mittels einer Anschlußantriebseinrichtung in Positionen entfernt von den festen Anschlüssen geführt, so daß ein Substrat, ein Thermoelement und eine Anschlußbefestigung, die mit­ einander verbunden sind, in den Ofen eingeführt werden können und aus dem Ofen mittels eines Trägers wieder herausgeholt werden können. Bei der Temperaturmessung werden die beweglichen Anschlüsse mit den festen An­ schlüssen in Verbindung gebracht durch die Anschlußan­ triebseinrichtung, um Signale von dem Thermoelement nach außen zu führen. Die Temperatur des Substrats in dem Wärmeofen kann genau gemessen werden durch die Thermo­ elemente, wobei der Luftabschluß des Ofenraumes gewähr­ leistet ist. Die Metalldrähte, die das Thermoelement bilden, sind vor einer Verschlingung bei dem Einführen bzw. Herausholen des Substrats in bzw. aus dem Ofen geschützt.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen und der Beschreibung, in der ein Aus­ führungsbeispiel der Erfindung anhand einer Zeichnung erläutert wird. Dabei zeigt
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht ei­ ner Vorrichtung zur Wärmebehandlung nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht einer Anschlußbefestigung, mit der die Thermoelemente verbunden sind, sowie eine Anschlußantriebseinrichtung, und
Fig. 3 eine Teilschnittansicht der An­ schlußantriebseinrichtung.
Die Vorrichtung zur Wärmebehandlung weist einen Wärme­ ofen 3 auf, der aus einer Kammer 1 aus einem Quarz be­ steht und eine Wärmebehandlungskammer bildet, einer wei­ teren Kammer 2, die eine Vorderkammer bildet, und dem in einem Gehäusekasten 4 befestigten Wärmeofen 3. Eine Tür 5 ist an einem Einlaß/Auslaß-Port für ein Substrat be­ festigt. Dieser bildet einen Eingang für den Wärmeofen 3. Bei geschlossener Tür 5 ist das Innere 3 a des Wärme­ ofens 3 luftdicht gegen die Umgebung abgeschlossen. Der Wärmeofen 3 ist an seiner rückwärtigen Ofenwand mit ei­ nem Luftansaugweg 6 versehen, der mit einer Vakuumpumpe zum Entspannen des Inneren des Ofens 3 a kommuniziert und einer Gaszuleitung 7 zum Einbringen des erforderlichen Gases in das Innere 3 a des Ofens versehen. Wärmende Lichtquellen 8, beispielsweise Hallogenlampen, sind an­ einander gegenüber oberhalb und unterhalb der Kammer 1 angeordnet. Reflexionsplatten 9 sind an der Rückseite der wärmenden Lichtquellen 8 angeordnet. Ein Paar von Stützen 11 sind vorgesehen auf dem Boden des Ofens in der Kammer 1 zum Tragen eines Substrats, etwa eines Halbleiter-Wafers 10, während ein Paar von Stützen 13, die jeweils mit einer Aufnahmeöffnung 13 a in ihrer Ober­ fläche versehen sind, auf der Bodenfläche der Kammer 2 vorgesehen sind, um eine Anschlußbefestigung 12 aufzu­ nehmen. Ein solches Paar von Stützen 11 ist in regelmä­ ßigen Abständen rechtwinklig zu der Ebene von Fig. 1 angeordnet, wodurch ein Abstand gebildet wird, der das Einsetzen eines Trägerarms 14 zwischen den Stützen 11, 11 ermöglicht. Entsprechend ist ein Paar von Stützen 13 vorgesehen in regelmäßigen Abständen senkrecht zu der Ebene von Fig. 1, wodurch ein Raum gebildet wird, der das Einsetzen eines Trägerarms 14 zwischen die Stützen 13, 13 ermöglicht.
Der Wafer 10 zum Temperaturmessen ist gebildet durch dasselbe Material mit ein zu behandelnder Wafer, Thermo­ elemente 15 sind an dem behandelten Wafer vorgesehen. Fig. 2 zeigt, daß jede der Thermokopplungen 15 durch zwei Arten von Metalldrähten 16, 17 gebildet sind, etwa als Chromdraht oder Aluminiumdraht. Gemeinsame Kontakt­ punkte 18, die durch Verbindung der Seitenenden der Me­ talldrähte 16 und 17 gebildet sind, sind an den ge­ wünschten Temperaturmeßpunkten auf der Wafer-Oberfläche befestigt. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind drei der­ artige Thermoelemente 15 vorgesehen, um die Verteilung der Oberflächentemperatur des Wafers 10 zu messen. Die jeweiligen gemeinsamen Kontaktpunkte 18 sind an ver­ schiedenen Positionen auf der Wafer-Oberfläche fixiert. Die Anzahl der Thermoelemente 15 ist jedoch nicht be­ schränkt, wenigstens ist jedoch ein Thermoelement 15 vorgesehen.
Die Metalldrähte 16 und 17 der Thermoelemente 15 sind vor einer versehentlichen Berührung geschützt. Sie sind an den äußeren Kanten des Wafers 10 in einer geeigneten Zwischenstellung der Metalldrähte 16 und 17 befestigt, während die anderen Enden mit den festen Anschlüssen 15 mit der Anschlußbefestigung 12 verbunden sind. Die fe­ sten Anschlüsse 19 sind vorgesehen entsprechend der An­ zahl der Metalldrähte 16 und 17 der Thermoelemente 15 und sind über einen gekerbten Abschnitt der Anschlußbe­ festigung 12 entlang der Längsrichtung der Anschlußbefe­ stigung 12 angeordnet. Die festen Anschlüsse 19 bestehen vorzugsweise aus demselben Material wie die Metalldrähte 16 und 17, die mit den festen Anschlüssen 19 verbunden sind.
Oberhalb der Stützen 13 (Fig. 1) zum Stützen der An­ schlußbefestigung 12 ist eine Anschlußantriebseinrich­ tung zur Hin- und Herbewegung der Anschlüsse 20 in Rich­ tung auf das Innere 3 a des Wärmeofens 3 auf der Decken­ wand der Kammer 2 angeordnet. Fig. 2 zeigt, daß die An­ schlußantriebseinrichtung 21 eine Befestigungsplatte 22 aufweist, die an der Deckenwand der Kammer 2 befestigt ist. Eine Zylinderbefestigung 24 ist oberhalb der Befe­ stigungsplatte 20 vorgesehen über ein Paar von Trägern 23. Ein Zylinder 25 ist auf einem Mittelabschnitt der Zylinderbefestigung 24 befestigt, während eine Kolben­ stange 25 a des Zylinders 25 mit einer höhenverstellbaren Platte verbunden ist, die von den Trägern 23 für eine Auf- und Abbewegung geführt ist, wodurch die Platte 26 von dem Zylinder auf- und abwärts bewegt wird. Sechs Bohrungen 27 zur Aufnahme von Stangen sind in der Befe­ stigungsplatte 22 entsprechend den festen Anschlüssen 19 vorgesehen. Die oberen Enden von Metallbalgen 28 sind mit dem unteren Ende der Befestigungsplatte 22 verbun­ den, um die Bohrungen 27 abzuschließen, wie dies in Fig. 3 gezeigt wird. Als Rohre ausgebildete Stangen 29 sind vorgesehen, die durch die Bohrungen 27 hindurchgeführt sind, so daß Flanschabschnitte 29 a an den unteren Enden der Stangen 29 luftdicht mit den oberen Enden der Me­ tallbalge 28 verbunden sind, während die oberen Enden der Stangen 29 an der höhenverstellbaren Platte 26 befe­ stigt sind und sich durch diese erstrecken, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist. Unterhalb der Flanschabschnitte 29 a der Stangen 29 sind untere Endblockplatten 28 a über Me­ tallbälge 30 befestigt, so daß die jeweiligen Anschlüs­ se 20 an den unteren Endblockplatten 28 a befestigt sind. Die Metallbalge 30 wirken als Kompressionsfedern zur Aufbringung eines Kontaktdrucks zwischen den beweglichen Anschlüssen 20 und den festen Anschlüssen 19. Die beweg­ lichen Anschlüsse 20 sind mit Metalldrähten 31 verbun­ den, die sich durch die Zylinderräume 29 b in den Stangen 29 erstrecken, um über obere Öffnungen in den Stangen 29 herausgeführt zu werden, wodurch sie zu einer außerhalb des Gehäusekasten 4 angeordneten Temperaturelement-Tem­ peraturmeßeinrichtung geleitet werden. Der Zylinder 25 der Anschlußantriebseinrichtung 21 ist hin- und herbe­ wegbar, so daß die höhenverstellbaren Stangen 29 auf- und abwärts bewegt werden durch die Platte 26. Die Me­ tallbalge 28 werden kontrahiert bzw. extrahiert bei Aufwärts- bzw. Abwärtsbewegung der beweglichen Anschlüs­ se 20. Die Anschlußantriebseinrichtung 21 ist durch Bil­ den einer Öffnung 2 a in der Deckenfläche der Kammer 2 befestigt, wie dies in Fig. 1 gezeigt ist. Die Metall­ balge 28 werden von den Öffnungen 2 a aufgenommen, wobei die Außenkante der Befestigungsplatte 22 an der oberen Öffnungskante der Kammer 2 fixiert ist. In diesem Fall ist die Anschlußantriebseinrichtung 21 so angeordnet, daß die beweglichen Anschlüsse 20 in Kontakt mit den entsprechenden Anschlüssen 19 gebracht werden kann, wenn die beweglichen Anschlüsse 20 von dem Zylinder 25 ange­ trieben nach unten bewegt werden. Die beweglichen Anschlüsse 20 und die mit diesen verbundenen Metalldrähte 31 bestehen vorzugsweise aus demselben Material wie die festen Anschlüsse 19.
Andererseits hat der Trägerarm 14, der als Träger zum Einführen bzw. Entnehmen der Temperaturmeß-Wafer 10 und den Anschlußpunkt 12 in und aus dem Wärmeofen 3 dient, Stützen 14 a, 14 b, die den Temperatur-Wafer 10 und den Anschlußpunkt 12 tragen. Die Entfernung zwischen den Stützen 14 a und den Stützen 14 b entspricht der Entfer­ nung zwischen den Stützen 11 und den Stützen 13.
Um Profildaten zu erzeugen, wird die Temperaturmeßein­ richtung des Temperaturmeß-Wafers 10 durch die eben be­ schriebene Vorrichtung zur Wärmebehandlung wie folgt durchgeführt. Zunächst werden der Temperaturmeß-Wafer 10 und der mit diesem über die Thermoelemente 15 verbunde­ nen Anschlußbefestigungen 12 auf den Stützen 14 a und 14 b des Trägerarms 14 in dem Inneren des Ofens 3 aufge­ bracht, wie dies durch die gestrichelten Linien in Fig. 1 dargestellt ist. Sodann werden der Temperaturmeß-Wafer 10 und der Anschlußpunkt 12 in den Wärmeofen 3 über den Trägerarm 14 eingeführt, um auf den Stützen 11 und 13 aufgebracht zu werden. Sodann wird der Zylinder 15 der Anschlußantriebseinrichtung 21 angetrieben, um die be­ weglichen Anschlüsse 20 nach unten zu bewegen. Auf diese Weise werden die beweglichen Anschlüsse 20 in Kontakt mit den entsprechenden festen Anschlüssen 19 gebracht. Die auf dem Temperaturmeß-Wafer 10 befestigten Thermo­ elementen 15 sind so mit der Thermoelement-Temperatur­ meßeinrichtung über die festen Anschlüsse 19, die beweg­ lichen Anschlüsse 20 und die Metalldrähte 31 verbunden, um eine Temperaturmessung des Wafers 10 zu ermöglichen. Sodann wird die Tür 5 geschlossen, um das Innere 3 a des Ofens 3 luftdicht abzuschließen. Die Lichtquellen 8 wer­ den eingeschaltet, um den Wafer 10 zu erwärmen, während das Innere 3 a des Ofens evakuiert wird oder - bei Erfor­ dernis - ein Gas in das Innere des Ofens eingebracht wird, wodurch die Temperaturmessungen des Wafers 10 über die Thermoelement-Temperaturmeßeinrichtung stündlich durchgeführt wird unter Erfassen der Ausgangssignale der Thermoelemente 15. Nachdem die Temperaturmessung abge­ schlossen ist, werden der Wafer 10 und die Anschlußbefe­ stigung 12 umgekehrt dem eben beschriebenen Vorgehen entnommen. Die beweglichen Anschlüsse 20 werden nach oben bewegt durch den Zylinder 25 der Anschlußantriebs­ einrichtung 21, um von den festen Anschlüssen 19 ge­ trennt zu werden. Die Tür 5 wird geöffnet, um den Wafer 10 und die Anschlußbefestigung 12 aus dem Ofen 3 über den Trägerarm 14 zu entnehmen.
Die Metalldrähte 16 und 17 der auf dem Wafer 10 befe­ stigten Thermoelemente 15 sind mit den festen Anschlüs­ sen 19 der Anschlußbefestigung 12 verbunden, während die beweglichen Anschlüsse 20 der Anschlußantriebseinrich­ tung 21 in Kontakt gebracht werden mit den festen An­ schlüssen 19, um die Ausgangssignale der Thermoelemente 15 nach außen zu bringen, wodurch die Temperaturen des Wafers 10 über die Thermoelemente 15 gemessen werden kann, während die Tür 5 geschlossen ist, um eine ausrei­ chende Luftdichtheit des Inneren 3 a des Ofens 3 zu ge­ währleisten. Da der mit den Thermoelementen 15 versehene Wafer 10 weiter mit der Anschlußbefestigung 12 in den Ofen eingeführt bzw. aus diesem entnommen wird unter Verwendung eines Trägerarms 14, werden die Metalldrähte 16 und 17 der Thermoelemente 15 nicht miteinander in Be­ rührung kommen bei dem Einführen bzw. Entnehmen.
Obwohl in dem eben dargestellten Ausführungsbeispiel die Anschlußantriebseinrichtung 21 auf dem Dachabschnitt der Kammer 2 befestigt ist, kann dieser auch an den Boden der Kammer 2 befestigt sein. In diesem Fall können die Anschlußbefestigungen 12 auf den Trägern 13 plaziert werden, so daß die festen Anschlüsse 19 nach unten ge­ richtet sind, um den beweglichen Anschlüssen 20 zuge­ wandt zu sein. Weiter können die Thermoelemente 15 zur Temperaturmessung anderer Substrate als eines Wafers verwendet werden. Weiter können statt der dargestellten Lichtquellen 8 andere Lichtquellen verwendet werden.
Die in der vorstehenden Beschreibung, der Zeichnung so­ wie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebigen Kombinatio­ nen in ihren verschiedenen Ausführungsformen für die Er­ findung wesentlich sein.
  • Bezugszeichenliste  1  Kammer
     2  Kammer
     2 a  Öffnung
     3  Wärmeofen
     3 a  Innenraum (von 3)
     4  Gehäusekasten
     5  Tür
     6  Luftpassage
     7  Gaszuleitung
     8  Lichtquelle
     9  Reflexionsplatte
    10  Wafer
    11  Stütze
    12  Anschlußbefestigung
    13  Stütze
    13 a  Ausnehmung
    14  Trägerarm
    14 a  Stütze
    14 b  Stütze
    15  Thermoelement
    16  Draht
    17  Draht
    18  Kontaktpunkt
    20  Anschluß
    21  Anschlußantriebselement
    22  Befestigungspunkte
    23  Träger
    24  Zylinderbefestigung
    25  Zylinder
    25 a  Kolbenstange
    26  Platte
    27  Bohrung
    28  Balg
    28 a  Endblockplatte
    29  Stange
    29 a  Flanschabschnitt
    29 b  Hohlraum
    30  Balg

Claims (6)

1. Wärmebehandlungsvorrichtung zur Durchführung einer Wärmebehandlung eines Substrats, gekennzeichnet durch
  • - einen Wärmeofen (3) mit einem Einlaß/Auslaß für das Substrat,
  • - eine Wärmequelle zum Aufheizen des Wärmeofens (3),
  • - eine Tür (5), die an dem Einlaß/Auslaß des Wärme­ ofens (3) befestigt ist,
  • - ein Thermoelement (15) bestehend aus zwei Arten von Drähten (16, 17), die einen gemeinsamen Kontaktpunkt (13) haben, der gebildet wird durch Verbindung der Enden der Metalldrähte (16, 17), die auf dem Substrat befe­ stigt sind,
  • - eine Anschlußbefestigung (12), die mit festen An­ schlüssen versehen ist entsprechend den Metalldrähten (16, 17) des Thermoelement (15), wobei die anderen Enden der Metalldrähte (16, 17) des Thermoelementes (15) je­ weils mit den festen Anschlüssen verbunden sind,
  • - Trägermittel (14) zum Einführen des Substrats, des Thermoelementes (15) und der Anschlußbefestigung (12), die miteinander verbunden sind, in eine vorgegebene Po­ sition in den Wärmeofen (3) durch den Einlaß/Auslaß und zum Entnehmen des Substrats, wobei das Thermoelement (15) und die Anschlußbefestigung (12) miteinander ver­ bunden sind aus der vorgegebenen Position in den Wärme­ ofen (3), und
  • - eine Anschlußantriebseinrichtung (21), die mit den festen Anschlüssen entsprechenden beweglichen Anschlüs­ sen (20) versehen ist und auf einem Deckenabschnitt des Wärmeofens (3) befestigt ist,
wobei die Anschlußantriebseinrichtung (21) die bewegli­ chen Anschlüsse gegen die Ofenfläche beweglich hält, so daß diese frei beweglich sind zwischen einer Position in Berührung mit bzw. mit Abstand zu den festen Anschlüs­ sen, die in der vorgegebenen Position der Ofenfläche ge­ halten werden, wodurch Ausgangssignale des Thermoelemen­ tes von den beweglichen Anschlüssen herausgeführt wer­ den.
2. Wärmebehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die beweglichen Anschlüsse (20) mittels eines Zylinders (25) hin- und herbewegt werden.
3. Wärmebehandlungsvorrichtung nach einem der voran­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Thermoelementen (15) auf dem Substrat befe­ stigt sind und eine Vielzahl von Paaren von festen An­ schlüssen (19) und beweglichen Anschlüssen (20) entspre­ chend der Vielzahl von Thermoelementen (15) vorgesehen sind.
4. Wärmebehandlungsvorrichtung nach einem der voran­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die An­ schlußantriebseinrichtung (20) auf dem Dach des Wärme­ ofens (3) angeordnet ist.
5. Wärmebehandlungsvorrichtung nach einem der Ansprü­ che 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußan­ triebseinrichtung (21) auf dem Boden des Wärmeofens (3) angeordnet ist.
DE19873741436 1986-12-11 1987-12-08 Waermebehandlungsofen Granted DE3741436A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61296131A JPH0693438B2 (ja) 1986-12-11 1986-12-11 基板温度測定装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3741436A1 true DE3741436A1 (de) 1988-06-23
DE3741436C2 DE3741436C2 (de) 1989-12-21

Family

ID=17829543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19873741436 Granted DE3741436A1 (de) 1986-12-11 1987-12-08 Waermebehandlungsofen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4820907A (de)
JP (1) JPH0693438B2 (de)
KR (1) KR920000677B1 (de)
DE (1) DE3741436A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0710727A3 (de) * 1994-09-06 1996-11-06 Ald Aichelin Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Wärmebehandeln metallischer Werkstücke
DE19547601A1 (de) * 1995-12-20 1997-06-26 Sel Alcatel Ag Vorrichtung zum Sintern von porösen Schichten

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01185437A (ja) * 1988-01-20 1989-07-25 Horiba Ltd 真空チャンバの試料加熱装置
JPH0623935B2 (ja) * 1988-02-09 1994-03-30 大日本スクリーン製造株式会社 再現性を高めた熱処理制御方法
DE4007123A1 (de) * 1990-03-07 1991-09-12 Siegfried Dipl Ing Dr Straemke Plasma-behandlungsvorrichtung
JP2704309B2 (ja) * 1990-06-12 1998-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板の熱処理方法
JP2780866B2 (ja) * 1990-10-11 1998-07-30 大日本スクリーン製造 株式会社 光照射加熱基板の温度測定装置
JPH09506629A (ja) * 1993-12-17 1997-06-30 キュビッチョッティ,ロジャー・エス ヌクレオチドに支配された生体分子および多分子薬物の集合並びに装置
US5471033A (en) * 1994-04-15 1995-11-28 International Business Machines Corporation Process and apparatus for contamination-free processing of semiconductor parts
US5881208A (en) * 1995-12-20 1999-03-09 Sematech, Inc. Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core
US5820266A (en) * 1996-12-10 1998-10-13 Fedak; Tibor J. Travelling thermocouple method & apparatus
JP5137573B2 (ja) * 2004-07-10 2013-02-06 ケーエルエー−テンカー コーポレイション パラメータ測定の歪みを小さくする方法および装置
JP2006352145A (ja) * 2006-07-06 2006-12-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 熱処理装置およびその装置に用いられる温度検出ユニット、半導体装置の製造方法
JP2008139067A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 温度測定用基板および温度測定システム
PL235229B1 (pl) * 2017-09-29 2020-06-15 Amp Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia Przyłącze termoparowe do pieca próżniowego

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2969471A (en) * 1959-10-30 1961-01-24 Wilhelm A Schneider Crystal temperature control device
US3883715A (en) * 1973-12-03 1975-05-13 Sybron Corp Controlled environment module
JPS5925142B2 (ja) * 1977-01-19 1984-06-14 株式会社日立製作所 熱処理装置
US4586006A (en) * 1984-06-25 1986-04-29 Frequency And Time Systems, Inc. Crystal oscillator assembly
US4593258A (en) * 1985-02-13 1986-06-03 Gerald Block Energy conserving apparatus for regulating temperature of monitored device
JPH0741151Y2 (ja) * 1985-02-19 1995-09-20 東芝機械株式会社 マスクガラス等の温度測定機構
US4684783A (en) * 1985-11-06 1987-08-04 Sawtek, Inc. Environmental control apparatus for electrical circuit elements
JP3090787B2 (ja) * 1992-07-16 2000-09-25 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JPH06267813A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Hitachi Ltd 露光パターン形成装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RUGE, I.: Halbleiter-Technologie, Springer-Verlag,Heidelberg 1975, S. 79, Abb. 3.24 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0710727A3 (de) * 1994-09-06 1996-11-06 Ald Aichelin Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Wärmebehandeln metallischer Werkstücke
DE19547601A1 (de) * 1995-12-20 1997-06-26 Sel Alcatel Ag Vorrichtung zum Sintern von porösen Schichten

Also Published As

Publication number Publication date
KR880008425A (ko) 1988-08-31
US4820907A (en) 1989-04-11
KR920000677B1 (ko) 1992-01-20
DE3741436C2 (de) 1989-12-21
JPS63148623A (ja) 1988-06-21
JPH0693438B2 (ja) 1994-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3741436A1 (de) Waermebehandlungsofen
DE69838423T2 (de) Substratprozessvorrichtung mit substrattransport mit front-enderweiterung und einem internen substratpuffer
DE3213239C2 (de)
DE69629297T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur thermischen konditionierung von substraten mit passivem gas
DE4342976C2 (de) Vertikale Vorrichtung zur Wärmebehandlung von Halbleiterplättchen und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung
EP0318641B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung thermischer Energie auf bzw. von einem plattenförmigen Substrat
DE19805718A1 (de) Halbleiterbauelement-Testgerät
DE10296988T5 (de) Bearbeitungsvorrichtung und -verfahren
DE102006019641B4 (de) Gefriertrocknungsanlage
DE10004193A1 (de) Trägerhandhabungsvorrichtung für ein IC-Modulhandhabungsgerät sowie Verfahren dafür
DE4338445A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Temperieren und Prüfen von elektronischen, elektromechanischen und mechanischen Baugruppen
DE19957614A1 (de) Verfahren zum Handhaben eines IC-Bausteins
CH708881A1 (de) Durchlaufofen für Substrate, die mit Bauteilen bestückt werden, und Die Bonder.
DE2350725A1 (de) Halbleitereinrichtungen
DE10159170B4 (de) Polarisierungsvorrichtung und -verfahren
DE69837117T2 (de) Verfahren zur Fertigung einer Blitzentladungsröhre
DE102010028958B4 (de) Substratbehandlungsanlage
EP1060504B1 (de) Vorrichtung für eine thermische behandlung von substraten
DE3522064A1 (de) Verfahren zur leistungssteuerung und -kontrolle von heizfeldern sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE3625803C2 (de)
WO2018149840A2 (de) Vorrichtung und verfahren zur thermischen behandlung eines substrates mit einer gekühlten schirmplatte
DE4031793A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum voraltern von halbleiterbaugruppen (bestueckten leiterplatten), insbesondere speicherprogrammierbaren steuerungskomponenten
DE102004041102A1 (de) Anordnung und Verfahren zum Testen von Substraten unter Belastung
DE19917039C1 (de) Anlage und Verfahren zur Wärmebehandlung von Teilen
DE19747164B4 (de) Anordnung zur Bearbeitung einer Substratscheibe

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee