KR880008425A - 열처리장치 - Google Patents

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KR880008425A
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겡이찌 데라우찌
다께오 오까모도
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이시다 도꾸지로
다이닛뽕 스크린세이조오 가부시기 가이샤
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers

Abstract

내용 없음.

Description

열처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예인 열처리장치의 개략단면도.
제2도는 열전기쌍(thermocouple)의 접속된 단자 부착대와 단자구동기구의 사시도.
제3도는 단자 구동기구의 주요부분 단면도.

Claims (5)

  1. 기판의 열처리를 하는 열처리장치로서 기판의 반입, 반출구를 지닌 가열로(3)와 가열로내(3a)를 가열하는 가열원과 가열로(3)의 반입, 반출구에 부착된 도어와 2종류의 금속선으로 되었으며 그것들 금속선(16),(17)의 일단을 접합하여 형성되는 공통접점(18)측의 단부가 기판에 고정된 열전기쌍(15)과 열전기쌍의 금속선(16),(17)에 대응시켜서 고정단자(19)가 설치되어 열전기쌍(15)의 금속선의 타단이 고정단자(19)에 각기 접속된 단자부착대(12)와 기판 열전기쌍(15) 및 단자부착대(12)를 연결상태의 그대로 반입, 반출구를 통하여 가열로내(3a)의 일정한 위치에 반입하고 또 일정위치로 부터 반출하는 반입, 반출수단과 고정단자(19)에 대응하여 가동단자(20)가 설치되어 가열로(3)의 노벽부에 부착된 단자구동기구(21)등을 구비하여 단자구동기구(21)는 가열로내(3a)의 일정위치에 수용된 고정단자(19)에 접속분리가 자유롭게 되도록 가동단자(20)를 가열로내(3a)에 향하여 진퇴가 자유롭도록 지지하고 가동단자(20)로부터 열전기쌍(15)의 출력신호를 유도해 내도록 하고 있음을 특징으로 하는 열처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 가동단자(20)의 진퇴구동이 실린더(25)에 의하여 실행됨을 특징으로 하는 열처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 열전기쌍(15)이 기판에 여러개 부착됨과 동시에 고정단자(19) 및 가동단자(20)가 여러개의 열전기쌍(15)에 대응하여 여러조를 설치하게 됨을 특징으로 하는 열처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 단자구동기구(21)가 가열로(3)의 천장면쪽의 노벽부에 설치하게 됨을 특징으로 하는 열처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 단자구동기구(21)가 가열로(3)의 바닥면쪽의 노벽부에 설치됨을 특징으로 하는 열처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870013714A 1986-12-11 1987-12-02 열처리 장치 KR920000677B1 (ko)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01185437A (ja) * 1988-01-20 1989-07-25 Horiba Ltd 真空チャンバの試料加熱装置
JPH0623935B2 (ja) * 1988-02-09 1994-03-30 大日本スクリーン製造株式会社 再現性を高めた熱処理制御方法
DE4007123A1 (de) * 1990-03-07 1991-09-12 Siegfried Dipl Ing Dr Straemke Plasma-behandlungsvorrichtung
JP2704309B2 (ja) * 1990-06-12 1998-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板の熱処理方法
JP2780866B2 (ja) * 1990-10-11 1998-07-30 大日本スクリーン製造 株式会社 光照射加熱基板の温度測定装置
AU692212B2 (en) * 1993-12-17 1998-06-04 Roger S. Cubicciotti Nucleotide-directed assembly of bimolecular and multimolecular drugs and devices
US5471033A (en) * 1994-04-15 1995-11-28 International Business Machines Corporation Process and apparatus for contamination-free processing of semiconductor parts
DE4431608C5 (de) * 1994-09-06 2004-02-05 Aichelin Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Wärmebehandeln metallischer Werkstücke
US5881208A (en) * 1995-12-20 1999-03-09 Sematech, Inc. Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core
DE19547601A1 (de) * 1995-12-20 1997-06-26 Sel Alcatel Ag Vorrichtung zum Sintern von porösen Schichten
US5820266A (en) * 1996-12-10 1998-10-13 Fedak; Tibor J. Travelling thermocouple method & apparatus
TWI279530B (en) * 2004-07-10 2007-04-21 Onwafer Technologies Inc Methods and apparatus for low distortion parameter measurements
JP2006352145A (ja) * 2006-07-06 2006-12-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 熱処理装置およびその装置に用いられる温度検出ユニット、半導体装置の製造方法
JP2008139067A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 温度測定用基板および温度測定システム
PL235229B1 (pl) * 2017-09-29 2020-06-15 Amp Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia Przyłącze termoparowe do pieca próżniowego

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2969471A (en) * 1959-10-30 1961-01-24 Wilhelm A Schneider Crystal temperature control device
US3883715A (en) * 1973-12-03 1975-05-13 Sybron Corp Controlled environment module
JPS5925142B2 (ja) * 1977-01-19 1984-06-14 株式会社日立製作所 熱処理装置
US4586006A (en) * 1984-06-25 1986-04-29 Frequency And Time Systems, Inc. Crystal oscillator assembly
US4593258A (en) * 1985-02-13 1986-06-03 Gerald Block Energy conserving apparatus for regulating temperature of monitored device
JPH0741151Y2 (ja) * 1985-02-19 1995-09-20 東芝機械株式会社 マスクガラス等の温度測定機構
US4684783A (en) * 1985-11-06 1987-08-04 Sawtek, Inc. Environmental control apparatus for electrical circuit elements
JP3090787B2 (ja) * 1992-07-16 2000-09-25 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JPH06267813A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Hitachi Ltd 露光パターン形成装置

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Publication number Publication date
KR920000677B1 (ko) 1992-01-20
US4820907A (en) 1989-04-11
JPH0693438B2 (ja) 1994-11-16
DE3741436C2 (ko) 1989-12-21
JPS63148623A (ja) 1988-06-21
DE3741436A1 (de) 1988-06-23

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