DE3635415C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3635415C2
DE3635415C2 DE3635415A DE3635415A DE3635415C2 DE 3635415 C2 DE3635415 C2 DE 3635415C2 DE 3635415 A DE3635415 A DE 3635415A DE 3635415 A DE3635415 A DE 3635415A DE 3635415 C2 DE3635415 C2 DE 3635415C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
value
dielectric
oxide
ceramic
temperature coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3635415A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3635415A1 (de
Inventor
Takehiro Ichikawa Chiba Jp Hyuga
Kazutoshi Matsudo Chiba Jp Matsumoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP61106155A external-priority patent/JPH0673246B2/ja
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Publication of DE3635415A1 publication Critical patent/DE3635415A1/de
Priority to US07/107,387 priority Critical patent/US4768445A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE3635415C2 publication Critical patent/DE3635415C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type
    • H01P7/10Dielectric resonators
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine neue Art dielektrischer Keramik.
Dielektrische Hochfrequenzkeramik, die als Resonator oder ähnliches verwendet wird, muß generell eine hohe spezifische Dielektrizitätskonstante, einen hohen Nullast-Q-Wert und einen niedrigen Absolutwert des Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz aufweisen. In den letzten Jahren haben komplexe Oxide mit Perovskittyp- Kristallstruktur und der Zusammensetzung A(B′1/3B′′2/3)O₃, wobei A und B′ ein divalentes Kation und B′′ ein pentavalentes Kation darstellen, als dielektrische Hochfrequenzkeramik die Aufmerksamkeit auf sich gezogen, und Ba(Zn1/3Ta2/3)O₃ (Japanische Offenlegungsschrift Nr. 35 454/53) und Ba(Mg1/3Ta2/3)O₃) (Japanische Offenlegungsschrift Offenlegungsschrift Nr. 60 544/53) sind beispielsweise bekannt.
Dielektrische Hochfrequenzkeramik wird auch für Resonatoren in Oszillatoren für Hochfrequenzen wie Mikrowellen und Millimeterwellen verwendet. Wird solch ein Oszillator z. B. für Satellitenübertragungen verwendet, ist es wünschenswert, seine Temperaturstabilität durch Minimierung des Absolutwerts des Temperaturkoeffizienten der Oszillationsfrequenz, d. h. auf einen Wert innerhalb ± 1,8 ppm/°C (die Oszillationsfrequenz 10 678 GHz ± 1,5 MHz, -30 bis +50°C) zu erhöhen. Der Temperaturkoeffizient der Oszillationsfrequenz wird nicht nur durch den Temperaturkoeffizient (τf) der Resonanzfrequenz der dielektrischen Keramik, sondern auch durch verschiedene Faktoren wie den Temperaturkoeffizienten von FET (Feldeffekt- Transistor), den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Substrats oder den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Metallgehäuses bestimmt.
Es ist jedoch keine Technik etabliert, durch die ein Oszillator konstruiert wird, bei dem alle diese Faktoren bedacht sind und der Temperaturkoeffizient der Oszillationsfrequenz genau kontrolliert wird. Die beste, gegenwärtig benutzte Methode ist das Auswählen von dielektrischer Keramik mit einem geeigneten Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz und deren Einbau in einen Oszillator, wobei die Temperaturkoeffizienten, etc., anderer Bestandteile kompensiert und folglich der Temperaturkoeffizient der Oszillationsfrequenz des Oszillators kontrolliert wird. Es ist wünschenswert, deshalb nicht nur den Absolutwert des Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz einer dielektrischen Hochfrequenzkeramik herabzusetzen, sondern auch bei der Herstellung der dielektrischen Keramik den Temperaturkoeffizienten frei auf einen gewünschten positiven oder negativen Wert zu bringen.
Die erwähnte konventionelle dielektrische Hochfrequenzkeramik hat jedoch den Nachteil, daß besonders im Bereich von Mikrowellen und Millimeterwellen der Temperaturkoeffizient der Resonanzfrequenz nur einen fast konstanten Wert für ein gegebenes Material, aus dem die dielektrische Keramik hergestellt ist, annehmen kann und sein Wert bei der Produktion der Keramik nicht frei auf einen gewünschten positiven oder negativen Wert gebracht werden kann.
Aufgabe der Erfindung ist es, dielektrische Keramik zur Verfügung zu stellen, bei der der Temperaturkoeffizient der Resonanzfrequenz unter freier Kontrolle auf einen positiven oder negativen gewünschten Wert einschließlich 0 bei ihrer Herstellung gebracht werden kann.
Gelöst wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung durch dielektrische Keramik, umfassend ein komplexes Oxid mit Perovskittyp-Kristallstruktur, wobei besagtes komplexes Oxid im wesentlichen eine Zusammensetzung nach der folgenden allgemeinen Formel (I)
(Ba(1-x) Sr x ) {(Mg(1-y) Zn y )1/3 (Ta(1-z) Nb z )2/3} O₃ (I)
besitzt, wobei x, y und z Zahlen sind, die durch die Ausdrücke 0<x <1, 0<y<1 und 0<z<1 respektive dargestellt werden, und das Atomverhältnis von (Ba, Sr) : (Mg, Zn) : (Ta, Nb) im wesentlichen 3 : 1 : 2 ist.
Bei der erfindungsgemäßen dielektrischen Keramik ist es möglich, den Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz frei auf einen positiven oder negativen Wert einzustellen und sie ist daher zur Verwendung beim Bau von Hochfrequenzoszillatoren besonders gut geeignet.
Fig. 1 zeigt eine graphische Darstellung der Veränderungen im Temperaturkoeffizienten ( τ f ) der Resonanzfrequenz im Hinblick auf x, das das Verhältnis von Barium und Strontium in der erfindungsgemäßen dielektrischen Keramik darstellt, und
Fig. 2 zeigt ein Röntgenbeugungsdiagramm einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen dielektrischen Keramik.
In der vorliegenden Beschreibung und den zugehörigen Patentansprüchen bezeichnet das "komplexe Oxid mit Perovskittyp-Kristallstruktur" (auch einfach als "komplexes Perovskittyp-Oxid" bezeichnet) ein komplexes Oxid, das durch die allgemeine Formel A(B′1/3B′′2/3)O₃ dargestellt wird, wobei A und B′ für ein divalentes Kation, und B′′ für ein pentavalentes Kation steht; im folgenden werden B′ und B′′ generell als B-Stelle-Ionen bezeichnet.
Bei der dielektrischen Keramik, die durch die allgemeine Formel (I) dieser Erfindung dargestellt wird, sind das A-Stelle-Ion aus Barium (Ba) und Strontium (Sr), und die B-Stelle-Ionen aus Magnesium (Mg), Zink (Zn), Tantal (Ta) und Niob (Nb) zusammengesetzt.
Der Temperaturkoeffizient ( τ f ) der Resonanzfrequenz der erfindungsgemäßen dielektrischen Keramik wird hauptsächlich durch den x-Wert festgelegt, der den Anteil von A-Stelle-Ionen darstellt, und variiert leicht abhängig vom y- und z-Wert, die den Anteil der B-Stelle- Ionen zeigen. Wenn x ungefähr 0,6 ist, wird der Temperaturkoeffizient 0. Bei Einstellung eines x-Wertes unter 0,6 zeigt der Temperaturkoeffizient einen positiven Wert und wenn x 0,6 übersteigt, zeigt er einen negativen Wert. Da sich der Temperaturkoeffizient mit steigendem x kontinuierlich von einem positiven zu einem negativen Wert verändert, kann der Temperaturkoeffizient durch Einstellung des x-Wertes frei auf einen gewünschten positiven oder negativen Wert festgelegt werden. Der x-Wert hat geringfügige Auswirkungen auf das Nullast Q (Q₀) der dielektrischen Keramik, berührt jedoch kaum ihre spezifische Dielektrizitätskonstante ( ε r ).
Der y-Wert, der den Anteil von Mg und Zn darstellt, und der z-Wert, welcher den Anteil von Ta und Nb angibt, wirken sich auf die spezifische Dielektrizitätskonstante ε r und auf Q₀ der dielektrischen Keramik aus, beeinflussen jedoch den Temperaturkoeffizienten nicht wesentlich.
Die dielektrischen Eigenschaften der erfindungsgemäßen dielektrischen Keramik können durch die Anpassung der x-, y- und z-Werte, welche die Anteile von A-Stelle- Ionen und B-Stelle-Ionen darstellen, kontrolliert werden. Mit anderen Worten, der Temperaturkoeffizient kann, wenn gewünscht, durch Veränderung des x-Wertes auf 0 oder einen positiven oder negativen Wert eingestellt werden. Die spezifische Dielektrizitätskonstante der Keramik kann durch Verändern der y- und z-Werte, und der Nullast Q-Wert (Q₀) der Keramik durch Veränderung der x-, y- und z-Werte reguliert werden.
Die spezifische Dielektrizitätskonstante von erfindungsgemäßer dielektrischer Keramik beträgt im allgemeinen mindestens etwa 25. Durch steigendes y und z können höhere spezifische Dielektrizitätskonstanten erhalten werden, es ist sogar möglich, eine spezifische Dielektrizitätskonstante von ungefähr 40 zu erreichen. Q₀ ist gewöhnlich groß, z. B. durch Auswahl der Zusammensetzung der Keramik gemäß den Daten der folgenden Beispiele, der Nullast-Q-Wert kann angepaßt werden. Es ist sogar möglich, dielektrische Keramik mit einem Q₀-Wert von mindestens 18 000 zu erhalten.
Entscheidend ist, daß erfindungsgemäße dielektrische Keramik ein Atomverhältnis von (Ba, Sr) : (Mg, Zn) : (Ta, Nb) von im wesentlichen 3 : 1 : 2 haben, und seine Kristallstruktur im wesentlichen vom Perovskittyp sein soll. Durch Röntgenstrukturanalyse wird die Feststellung ermöglicht, daß die erfindungsgemäße dielektrische Keramik im wesentlichen Perovskittyp-Kristallstruktur besitzt. Bei der Herstellung der Keramik kann, aufgrund von beispielsweise Fehlern beim Wiegen, Verdampfung der Bestandteile während des Brennens etc., das obengenannte Atomverhältnis, wenn es genau festgestellt wird, manchmal leicht vom Verhältnis 3 : 1 : 2 abweichen. Solange die Kristallstruktur der Keramik im wesentlichen vom Perovskittyp bleibt, wird Keramik mit einer solchen leichten Abweichung vom Atomverhältnis als im wesentlichen dem Atomverhältnis von 3 : 1 : 2 entsprechend angesehen.
Der Ausdruck "im wesentlichen von Perovskittyp" bedeutet, daß bei der Röntgenbeugung der Keramik eine Phase mit Perovskittyp-Kristallstruktur beobachtet wird, aber eine andere Phase gar nicht, oder kaum beachtet wird.
Erfindungsgemäße dielektrische Keramik kann in der üblichen Art und Weise hergestellt werden. Zum Beispiel werden Bariumcarbonat, Strontiumcarbonat, Magnesiumoxid, Zinkoxid, Tantaloxid und Nioboxid in Pulverform als Material für Ba, Sr, Mg, Zn, Ta und Nb-Bestandteile in den Verhältnissen, durch die die gewünschte Keramikzusammensetzung erreicht wird, abgewogen und sorgfältig vermischt. Um alle Komponenten in die Oxide zu überführen, wird die Mischung geglüht und durch Pressen geformt. Der geformte Gegenstand wird dann bei einer Temperatur von ungefähr 1500 bis 1650°C gebrannt.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung.
Beispiel 1
Pulverförmiges Bariumcarbonat, Strontiumcarbonat, Magnesiumoxid, Zinkoxid, Tantaloxid und Nioboxid, mit einer Reinheit von 99,9 Gew.-%, wurden als Rohmaterialien benutzt. Diese Rohmaterialpulver wurden in jedem Durchgang derart eingewogen, daß sich Keramik mit der Zusammensetzung, wie sie durch x, y und z der allgemeinen Formel (I) in Tabelle 1 gezeigt wird, ergibt, und mit reinem Wasser in einem Polyethylentopf zusammengegeben. Unter Benutzung von Kugeln mit harzüberzogener Oberfläche wurden sie 16 Stunden naß gemischt. Die entstandene Mischung wurde aus dem Topf genommen, bei 150°C 5 Stunden getrocknet und dann 2 Stunden bei 1000°C in Luft geglüht. Nach dem Glühen wurde die Mischung in einem Aluminiummörser pulverisiert und durch ein Sieb mit einer lichten Maschenweite von 0,351 mm gesiebt, um eine einheitliche Teilchengröße zu erhalten. Das entstandene Pulver wurde zuerst unter einem Druck von 490,5 bar zu einer Scheibe mit einem Durchmesser 10 mm und einer Dicke von ungefähr 5 mm geformt und dann durch Anlegen eines hydrostatischen Drucks von 1962 bar komprimiert. Um erfindungsgemäße Keramik zu ergeben, wurde der geformte Gegenstand im Sauerstoffstrom 4 Stunden bei 1650°C gebrannt.
Q₀, e r und τ f der sich ergebenden Keramik wurden durch eine Dielektrozylinder-Resonator-Methode bei einer Frequenz von ungefähr 10 GHz gemessen. Die Resultate der Messungen sind in Tabelle I gezeigt.
Aus Tabelle I ist ersichtlich, daß τ f, das den Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz darstellt, 0 wird, wenn der x-Wert, der den Anteil von Ba und Sr darstellt, ungefähr 0,6 ist, und mit steigendem x negativ und mit abnehmendem x positiv wird. Ist der x-Wert konstant, bleibt auch der t f -Wert fast konstant, sogar dann, wenn der y-Wert, der den Anteil von Mg und Zn darstellt, und der z-Wert, der den Anteil von Ta und Nb darstellt, willkürlich verändert werden. Dadurch wird angezeigt, daß τ f nur vom x-Wert abhängt.
Fig. 1 ist eine graphische Darstellung, die Veränderungen von t f hinsichtlich des x-Werts zeigt, wobei x=1-y=1-z ist. Fig. 1 zeigt, daß mit steigendem x t f sich kontinuierlich von einem positiven zu einem negativen Wert verändert. Es kann anhand der Fig. 1 leicht festgestellt werden, auf welchen Wert x festgesetzt werden sollte, um einen gewünschten τ f -Wert zu erhalten.
Fig. 2 ist ein Röntgenbeugungsdiagramm eines Pulvers, das durch Pulverisierung der Keramik von Probe Nr. 17 erhalten wurde. Die gekennzeichneten Beugungslinien im Diagramm sind der hexagonal regelmäßigen Perovskittyp- Struktur zugeordnet, Beugungslinien anderer Kristallstrukturen werden kaum beobachtet.
Tabelle 1
-
Beispiel 2
In jedem Durchgang wurde Keramik nach demselben Verfahren wie in Beispiel 1 erhalten, mit der Ausnahme, daß die Anteile der Rohmaterialien, die durch die x-, y- und z-Werte der allgemeinen Formel (I) in Tabelle 2 gezeigt werden, verändert wurden und ein scheibenartiger geformter Gegenstand mit einem Durchmesser von 20 mm und einer Dicke von ungefähr 10 mm durch anfängliches Formen erhalten wurde. Durch Messung mit einer dielektrozylindrischen Resonatormethode wurden ε r , Q₀ und τ f bei einer Frequenz von 5 GHz festgestellt. Die Ergebnisse werden in Tabelle 2 gezeigt.
Die Proben Nr. 22 und 31, welche durch Sternchen markiert wurden, sind Vergleiche mit x-, y- und z-Werten, die außerhalb des erfindungsgemäß spezifizierten Bereichs liegen. Die Proben Nr. 23 bis 30 sind Beispiele der Erfindung. Aus Tabelle 2 ist ersichtlich, daß die Vergleichsbeispiele mit x-, y- und z-Werten, die außerhalb des erfindungsgemäßen Bereichs liegen, eine niedrigere spezifische Dielektrizitätskonstante oder Nullast-Q haben, als die Proben innerhalb des Bereichs der Erfindung.
Die Vergleichsbeispiele Nr. 22 und 31 haben eine Zusammensetzung, die durch die Formel Ba (Mg1/3Ta2/3)O₃ und Sr (Zn1/3Nb2/3)O₃ respektive dargestellt werden und haben von Natur aus einen jeweiligen Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz von +4 ppm und -20 ppm pro °C. Diese Temperaturkoeffizienten können nicht frei zu einem anderen gewünschten Wert verändert werden.
Tabelle 2
Wie durch die Ergebnisse der Beispiele gezeigt wird, kann bei der Herstellung von erfindungsgemäßer dielektrischer Keramik der Temperaturkoeffizient ( τ f ) der Resonanzfrequenzen frei zu einem gewünschten positiven oder negativen Wert im Bereich der Hochfrequenzen, wie Mikrowellen und Millimeterwellen, verändert und dadurch Keramik mit passenden spezifischen Dielektrizitätskonstanten-Werten ausgesucht werden. Wird die erfindungsgemäße Keramik als Resonator zum Bau eines Oszillators benutzt, können die Temperaturkoeffizienten etc. von anderen Bestandteilen leicht kompensiert werden, und es ist leicht, die Temperaturstabilität der Oszillationsfrequenz des erhaltenen Oszillators stark zu erhöhen.
Zusätzlich kann, da erfindungsgemäße dielektrische Keramik eine hohe spezifische Dielektrizitätskonstante und einen hohen Nullast-Q-Wert besitzt, diese vorteilhaft in der Hochfrequenzdielektrik eingesetzt werden.

Claims (4)

1. Dielektrische Keramik, umfassend ein komplexes Oxid mit Perovskittyp-Kristallstruktur, wobei das komplexe Oxid im wesentlichen eine Zusammensetzung nach der folgenden allgemeinen Formel (I) (Ba(1-x) Sr x ) {(Mg(1-y) Zn y )1/3 (Ta(1-z) Nb z )2/3}O₃ (I)hat, worin x, y und z Zahlen sind, die durch die Ausdrücke 0<x<1, 0<y<1 und 0<z<1 respektive dargestellt werden, und das Atomverhältnis von (Ba, Sr): (Mg, Zn): (Ta, Nb) im wesentlichen 3 : 1 : 2 ist.
2. Keramik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Rohmaterialien für das komplexe Oxid aus pulverförmigem Bariumcarbonat, Strontiumcarbonat, Magnesiumoxid, Zinkoxid, Tantaloxid und Nioboxid bestehen.
3. Keramik nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie durch Mischen der Pulver der Rohmaterialien, Glühen der Mischung und Formen der geglühten Mischung durch Pressen und Brennen des Formkörpers erhalten wird.
4. Keramik nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Brenntemperatur zwishen 1500 und 1650°C liegt.
DE19863635415 1985-10-18 1986-10-17 Dielektrische keramik Granted DE3635415A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/107,387 US4768445A (en) 1986-10-17 1987-10-09 Waste incinerator construction

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23259485 1985-10-18
JP61106155A JPH0673246B2 (ja) 1985-10-18 1986-05-09 誘電体磁器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3635415A1 DE3635415A1 (de) 1987-05-07
DE3635415C2 true DE3635415C2 (de) 1989-03-30

Family

ID=26446319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19863635415 Granted DE3635415A1 (de) 1985-10-18 1986-10-17 Dielektrische keramik

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4752594A (de)
DE (1) DE3635415A1 (de)
FR (1) FR2588857B1 (de)
GB (1) GB2184432B (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02285616A (ja) * 1989-04-26 1990-11-22 Sumitomo Special Metals Co Ltd 電子デバイス用誘電体磁器組成物
JPH0732323B2 (ja) * 1989-05-30 1995-04-10 住友金属鉱山株式会社 共振周波数の温度係数を調整可能な共振器
JP3843176B2 (ja) * 1997-12-25 2006-11-08 株式会社Neomax 電子デバイス用誘電体磁器組成物
DE10226295A1 (de) * 2002-06-13 2004-01-08 Forschungszentrum Jülich GmbH Wärmedämmschicht aus einem komplexen Perowskit
DE112006000790B4 (de) * 2005-04-19 2010-06-02 Murata Manufacturing Co. Ltd. Durchscheinende Keramik, Verfahren zum Herstellen derselben sowie deren Verwendung für ein optisches Bauelement und ein optisches Gerät
JP5051130B2 (ja) * 2006-05-31 2012-10-17 株式会社村田製作所 透光性セラミック及び電気光学部品

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2805165A (en) * 1955-04-25 1957-09-03 Gen Electric Ceramic composition
US2961327A (en) * 1958-10-30 1960-11-22 Gen Electric Dielectric compositions
JPS5948484B2 (ja) * 1976-09-14 1984-11-27 松下電器産業株式会社 誘電体共振器
JPS5923048B2 (ja) * 1976-11-11 1984-05-30 松下電器産業株式会社 誘電体共振器
JPS5923044B2 (ja) * 1976-11-11 1984-05-30 松下電器産業株式会社 誘電体共振器
DE2750203A1 (de) * 1977-11-10 1979-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verlustarme keramische zusammensetzung sowie verfahren zu ihrer herstellung
US4121941A (en) * 1977-11-10 1978-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Low microwave loss ceramics and method of manufacturing the same
JPS5532723A (en) * 1978-08-23 1980-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dielectric article ceramic material
CA1108842A (en) * 1978-10-30 1981-09-15 Kiyoshi Furukawa High dielectric constant type ceramic composition
JPS5951088B2 (ja) * 1978-11-16 1984-12-12 松下電器産業株式会社 誘電体磁器材料
JPS5825068B2 (ja) * 1980-12-10 1983-05-25 松下電器産業株式会社 誘電体材料
JPS58206003A (ja) * 1982-05-26 1983-12-01 日本放送協会 低損失マイクロ波誘電材料
US4485180A (en) * 1982-09-06 1984-11-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency dielectric ceramic compositions
JPS60200855A (ja) * 1984-03-27 1985-10-11 宇部興産株式会社 誘電体磁器組成物
JPS6178007A (ja) * 1984-09-26 1986-04-21 株式会社村田製作所 高周波用誘電体磁器組成物
JPS61142602A (ja) * 1984-12-15 1986-06-30 株式会社村田製作所 高周波用誘電体磁器組成物
US4637989A (en) * 1985-03-29 1987-01-20 At&T Technologies, Inc. Method of preparing a ceramic composition

Also Published As

Publication number Publication date
GB2184432B (en) 1989-10-18
GB2184432A (en) 1987-06-24
FR2588857B1 (fr) 1989-08-18
GB8624682D0 (en) 1986-11-19
FR2588857A1 (fr) 1987-04-24
DE3635415A1 (de) 1987-05-07
US4752594A (en) 1988-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60019665T2 (de) Piezoelektrisches Material aus Alkalimetall-Niobat und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE2047229A1 (de) Mikrowellenbauelement
DE4334454A1 (de) Substituierter Barium-Neodyn-Titan-Perowskit Dielektrische, keramische Zusammensetzung, Kondensator und Mikrowellenkomponente
DE3331610C2 (de)
DE69923635T2 (de) Piezoelektrische Keramiken
DE3635415C2 (de)
DE3135041C2 (de)
DE60220973T2 (de) Material mit keiner Wärmeausdehnung und praktische Bauteile, die dieses Material verwenden
DE68912724T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Keramik.
DE19922955C2 (de) Piezoelektrische Keramikzusammensetzung
DE10221866A1 (de) Aluminiumoxidkeramik und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3444340C2 (de)
DE19526065C2 (de) Dielektrischer keramischer Stoff für Hochfrequenzanwendungen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4343029B4 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzung für die Hochfrequenz
DE3625463C2 (de)
DE69103872T2 (de) Pollucitpulver mit niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten sowie Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE69010776T2 (de) Dielektrische Keramik und Verfahren zu deren Herstellung.
DE10042360C1 (de) Mikrowellen-Bauelement
DE10042350C1 (de) Keramikmaterial
DE68905668T2 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzung.
DE2917602C2 (de)
DE69012198T2 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzung für elektronische Vorrichtungen.
DE3606451C2 (de)
DE69024190T2 (de) Supraleitendes material und seine herstellung
DE69210264T2 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzung für Mikrowellen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee