DE3634850C2 - - Google Patents

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DE3634850C2
DE3634850C2 DE19863634850 DE3634850A DE3634850C2 DE 3634850 C2 DE3634850 C2 DE 3634850C2 DE 19863634850 DE19863634850 DE 19863634850 DE 3634850 A DE3634850 A DE 3634850A DE 3634850 C2 DE3634850 C2 DE 3634850C2
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metal silicide
polycrystalline silicon
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silicide layer
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Hisayasu Sato
Takashi Nishimura
Norio Higashisaka
Shuichi Itami Hyogo Jp Kato
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/20—Resistors

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DE19863634850 1985-10-15 1986-10-13 Verfahren zur herstellung einer groesstintegrierten halbleiter-schaltungseinrichtung vom standardscheibentyp Granted DE3634850A1 (de)

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