DE3532563C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur fluoreszenzoptischen
Messung der Konzentration von Komponenten
einer Probe mit einer Lichtquelle zur Erzeugung einer Anregungsstrahlung,
einem sich in einem Umgebungsmedium
befindlichen, mindestens die Anregungsstrahlung oder die
Fluoreszenzstrahlung unter Totalreflexion leitenden, für
die Anregungsstrahlung und die Fluoreszenzstrahlung
transparenten Trägerelement mit mindestens zwei zueinander
parallelen Flächen und mit einem Brechungsindex
n₁, der größer ist als der Brechungsindex n₃ des Umgebungsmediums,
wobei sich die zu messende Probe mit mindestens
einem Bereich auf einer der zueinander parallelen
Flächen in Kontakt befindet, sowie mit einem Detektor
für die Fluoreszenzstrahlung.
Eine Anordnung der eingangs genannten Art ist aus
der US-PS 36 04 927 bekannt. Bei dieser bekannten Anordnung
erfolgt die Anregung der Probe mittels evaneszenten
Wellen, welche bei Totalreflexion der Anregungsstrahlung
an der Grenzschicht zwischen optisch dichterem und optisch
dünnerem Medium in letzteren entstehen und rasch
exponentiell abklingen. Die Probe muß somit einen kleineren
Brechungsindex aufweisen als das totalreflektierende
Trägerelement. Aufgrund der speziellen Winkelanforderungen
für den gerichteten, kollimierten Anregungsstrahl
müssen die Flächen für den Ein- und Austritt des
Anregungslichtes aus dem Trägerelement speziell behandelt
sein. Daraus ergibt sich ein sehr aufwendiges Meßsystem
mit hohen Ansprüchen an eine exakte Positionierung, wobei
aufgrund der geringen Eindringtiefe der evaneszenten
Wellen in das fluoreszierende Probenmedium nur geringe
Signalintensitäten zu erwarten sind. Weiter ist anzumerken,
daß die optischen Eigenschaften der Probe im Bereich
der evaneszenten Wellen, beispielsweise die Lichtabsorption
durch nicht fluoreszierende Stoffe, Einflußgrößen
auf die Meßsignale darstellen.
Anordnungen zur Messung physikalischer oder chemischer
Parameter und insbesonders von interessierenden
Stoffkonzentrationen mit Hilfe von lumineszierenden Indikatoren
sind z. B. aus der DE-OS 25 08 637, US-PS
36 12 866, GB-PS 11 90 583, EP-0 109 959-A2 oder der
EP-0 109 958-A2 bekannt.
Die letztgenannten Anordnungen basieren auf Sensorelementen,
welche mit lumineszierenden Schichten ausgestattet
sind, welche ihrerseits mit der Probe in Kontakt
gebracht werden und nach Lichtanregung Licht in spektraler
Abhängigkeit und/oder Intensitätsabhängigkeit von
der zu messenden Größe abgeben. Ein Teil dieses vom Sensorelement
emittierten Lichtes wird mit Detektoren gemessen,
so daß entsprechend physikalischer bzw. chemischer
Gesetze der Wechselwirkung zwischen Probenmedium
und Lumineszenzschicht bzw. Indikatormaterial auf die
Größe der interessierenden Probenparameter geschlossen
werden kann.
Aus der US-PS 43 99 099 ist weiter ein Sensorelement
bekannt, bei welchem der Kern eines Lichtleiters
von einer Schicht welche den Fluoreszenzindikator aufnimmt
ummantelt ist, wobei diese von einer äußeren
Hülle abgedeckt ist. Die Reflexion des Anregungslichtes
erfolgt hier nicht an einer Grenzfläche des Kerns
als Trägerelement sondern an der äußeren Hülle, welche
reflektierend ist. Zum Weitertransport des Anregungslichtes
und zur prinzipiellen Funktionstüchtigkeit dieser
Anordnung ist somit zwingend eine zusätzliche, reflektierende
Schicht notwendig. Der Transport des Emissionslichtes
erfolgt ebenfalls nicht durch Totalreflexion
an einer Grenzfläche des Trägerelementes, da sämtliche
Strahlen, welche aus der Indikatorschicht in den
Kern eintreten, letzteren unter identischen, durch das Brechungsgesetz
bestimmte Winkel, wieder verlassen können.
All diese Anordnungen haben den Nachteil, daß die
Ausbeute an der zu bestimmenden Größe zuordenbarem
Emissionslicht relativ klein ist, wodurch das Auflösungsvermögen
entsprechend den gegebenen Möglichkeiten
der verwendeten Detektoren (Photodetektoren) limitiert
ist. Diesem Umstand kann auch nicht durch eine Erhöhung der
Intensität des Anregungslichtes entgegengewirkt werden, da
die in diesem Zusammenhang bekannten bzw. verwendeten lumineszierenden
Indikatormaterialien mehr oder weniger starken
Photozersetzungsprozessen unterliegen, deren Umsatzrate
proportional zur absorbierten Lichtmenge ist. Eine Erhöhung
der Intensität des Anregungslichtes würde also unmittelbar
zu Alterungsprozessen im Indikatormaterial und damit wiederum
zu einer Erhöhung der Messungenauigkeit führen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Anordnung
der eingangs genannten Art so zu verbessern, daß
die Ausbeute an zum Detektor gelangenden Emissionslicht bei
gegebenem Indikatormaterial erhöht wird, ohne daß die mit
einer Erhöhung der Intensität des Anregungslichts einhergehenden
Nachteile in Kauf genommen werden müssen.
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe erfolgt dadurch,
daß sich zwischen der zu untersuchenden Probe und dem Trägerelement
eine Indikatorschicht befindet, deren Fluoreszensverhalten
durch die Konzentration der zu bestimmenden Komponenten
der Probe beeinflußbar ist, wobei die Indikatorschicht
einen Brechungsindex n₂ aufweist, der in einem Bereich
liegt, der durch n₂ = n₁ ±0,1 gegeben ist. Das mit
dem Indikatormaterial beschichtete Trägerelement weist also
zumindest teilweise reflektierende Flächen auf, deren Form
und Lage auf das Anregungs- und/oder Detektionssystem in
einer Weise abgestimmt sind, daß es zu einer Trennung der
Lichtwege der Anregungs- bzw. der Emissionsstrahlung und
zwar gerichtet zur Indikatorschicht bzw. zum Detektor im
Trägerelement kommt. Dabei ist die Totalreflexion in dem mit
der Probe über die Indikatorschicht in Kontakt stehenden Bereich
aufgehoben.
Als Trägerelement wird in diesem Zusammenhang allgemein
ein transparenter Körper verstanden, der zumindest
an einem Teil seiner Oberfläche mit der lumineszierenden
Indikatorschicht in Kontakt steht und in diesem Bereich
zugleich die Indikatorschicht begrenzt, wobei der
Ort der Indikatorschicht relativ zum Trägerelement fixiert
ist. Die nach Anregung fluoreszierende Indikatorschicht
kann dabei durch chemische oder physikalische
Wechselwirkungen mit dem Trägerelement an dieses gebunden
sein. Beispiele für derartige Bindungen sind:
Adhäsion von Flüssigkeitsfilmen, Adhäsion oder chemische
Bindung (z. B. konvalente Bindung) von Polymerschichten
- jeweils mit eingelagerten lumineszierenden Farbstoffen,
Adsorption oder chemische Bindung von lumineszierenden
Farbstoffen direkt an das Trägerelement.
Reflexion im Trägerelement kann entweder durch
Verspiegelung der entsprechenden Flächen nach bekannten
Methoden oder durch Einhalten der Bedingungen für die
Totalreflexion erzielt werden. Totalreflexion tritt dann
ein, wenn Licht aus einem optisch dichteren Medium auf
die Grenzfläche eines optisch dünneren fällt und der
Einfallswinkel größer ist, als der Grenzwinkel für die
Totalreflexion.
Allgemein ist dieser Grenzwinkel durch die Brechungsindexunterschiede
der beiden aneinandergrenzenden
Medien nach Gleichung 1 bestimmt.
Der zuletzt beschriebene Fall der Totalreflexion
an Grenzflächen von Medien unterschiedlicher optischer
Dichte ist bevorzugt gegenüber der ebenfalls gegebenen
Möglichkeit der Reflexion an verspiegelten Flächen anzuwenden.
Die Vorteile liegen dabei nicht nur im geringen
Aufwand der Herstellung von Sensorelementen mit
total reflektierenden Flächen, sondern vor allem in der
Möglichkeit die Lichtwege von Anregung und Emission zu
trennen, und damit das Anregungslicht vom Emissions(=Lumineszenz)licht
zu unterscheiden. Diese Unterscheidungsmöglichkeit
wird im folgenden für die einzelnen bevorzugten
Ausgestaltungen der Erfindung gesondert aufgezeigt
und beruht im wesentlichen auf der Winkelabhängigkeit
der Totalreflexion (Lichtstrahlen mit Einfallswinkel
< werden totalreflektiert - verbleiben also im
Medium des Trägerelements; Lichtstrahlen mit Einfallswinkeln
< werden vom Lot weg gebrochen, verlassen also
das Trägerelement).
Wie erwähnt ist dafür zu sorgen, daß die Umgebung
der für Totalreflexion vorgesehenen Flächen aus Medien
mit kleinerem Brechungsindex besteht als das Medium
des Trägerelements.
Beispiele für Träger- und Umgebungsmaterialien sind
folgende:
Zur Umgebung:
Polymermaterialien (Silicon, PVC) können dabei als Beschichtung der Trägerelemente oder als Einbettmassen für diese Anwendung finden und zugleich als Haltevorrichtung dienen oder mit einer solchen in Verbindung stehen.
Polymermaterialien (Silicon, PVC) können dabei als Beschichtung der Trägerelemente oder als Einbettmassen für diese Anwendung finden und zugleich als Haltevorrichtung dienen oder mit einer solchen in Verbindung stehen.
Bei einem Trägerelement in Form einer Platte mit
planparallelen Deckflächen ist die Indikatorschicht an
einer der Deckflächen angeordnet, wobei die Totalreflexion
an den planparallelen Deckflächen für den Transport von
Anregungslicht zum Indikator und/oder von Emissionslicht
vom Indikator zum Detektor ausgenutzt wird. Die Lichteintritts-
bzw. Lichtaustrittsflächen für totalreflektierte
Strahlen im Trägerelement sind Kantenflächen der planparallelen
Platte, die im wesentlichen senkrecht zu den planparallelen,
totalreflektierenden Deckflächen liegen.
Durch die Ausnützung der Totalreflexion für die
Trennung der Strahlengänge von Anregungs- und Emissionslicht,
können übliche Maßnahmen zur Unterscheidung von
Anregungs- und Lumineszenzlicht (Monochromatoren, optische
Filter) zumindest teilweise durch die Formgebung des
Trägerelementes ersetzt werden. Es können demnach Photodetektoren
bei räumlicher Entfernung von der Lichtquelle
in unmittelbarer Umgebung der Lichtaustrittsfläche für
Emissionslicht am Trägerelement positioniert werden. Durch
den Entfall der Monochromatoren bzw. Filter sowie die Möglichkeit,
die Detektoren näher an den Entstehungsort des
Emissionslichts heranzurücken, bzw. durch die Ausnützung
der Tatsache, daß die Lichtleitung mittels Totalreflexion
praktisch verlustlos erfolgt, wird die Lichtausbeute und
damit die Meßgenauigkeit erhöht, ohne daß die Intensität
des Anregungslichts angehoben werden müßte.
In diesem Zusammenhang ist nach einer besonders vorteilhaften
Ausführung der Erfindung vorgesehen, daß die
zur Anregung dienende Lichtquelle normal zur Indikatorschicht
angeordnet ist und daß der Detektor an mindestens
einer im wesentlichen senkrecht zur Indikatorschicht liegenden
seitlichen Begrenzungsfläche des Trägerelements angeordnet
ist. Damit wird im Inneren des Trägerelementes
total reflektiertes Emissionslicht an zumindest einer
seitlichen Kante des Trägerelementes detektiert, wobei
die Lichtanregung ohne Totalreflexion im Trägerelement
erfolgt. Dabei ist die Lichtquelle so angeordnet, daß die
Achse des Anregungsstrahlenganges im wesentlichen senkrecht
zur Indikatorschicht und damit zur planparallelen
Trägerplatte steht. Da für das dabei in das Trägerelement
eintretende Anregungslicht auf alle Fälle die Winkelbedingungen
für Totalreflexion im Trägerelement nicht
erfüllt sind, ist gewährleistet, daß kein Anregungslicht
im Inneren des planparallelen Trägerelementes durch Totalreflexion
zum Detektor bzw. zu den Detektoren gelangt.
In diesem Zusammenhang ist es von Vorteil, wenn erfindungsgemäß
die Indikatorschicht eine der Deckflächen
des Trägerelementes vollständig bedeckt und der Brechungsindex
n₂ der Indikatorschicht größer als der Brechungsindex
n₃ des Umgebungsmediums ist.
Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn gemäß einer
anderen Weiterbildung der Erfindung zwischen Lichtquelle
und Trägerelement eine Blendenanordnung vorgesehen ist,
welche den Einfallswinkel des Anregungslichtes begrenzt.
Dies dient zur Verminderung von partiellen Reflexionen
des Anregungslichtes im planparallelen Trägerelement. Dazu
könnten auch andere Maßnahmen zur Lichtbündelung (wie
z. B. opt. Linsen) vorgesehen werden, welche Winkelabweichungen
des Anregungslichtes von der optischen Achse der
Anregungsstrahlung reduzieren. Die lumineszierende Indikatorschicht
kann dabei eine der beiden planparallelen
Deckflächen entweder ganz oder nur teilweise bedecken,
z. B. nur in jenem Bereich, der mit der Probe in Kontakt
steht.
Besonders vorteilhaft ist es dabei, wenn die Blendenanordnung
zwischen Lichtquelle und Trägerelement nur
Anregungslicht mit Winkeln < 90° relativ zum Lichtweg
zwischen Indikatorschicht und Detektor durchläßt, da damit
die Gefahr, daß ein Teil des Anregungslichtes
trotzdem durch teilweise Reflexion innerhalb der planparallelen
Deckflächen des Trägerelementes zum Detektor
bzw. zu den Detektoren gelangt, weiter verringert
wird.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen,
daß zwischen der detektorseitigen Begrenzungsfläche
und dem Detektor eine Kopplungsschicht angeordnet ist,
die einen Brechungsindex n₄ aufweist, der größer ist
als der Brechungsindex n₃ der Umgebung des Trägerelementes.
Besonders vorteilhaft ist es dabei, wenn der
Brechungsindex n₄ der Kopplungsschicht größer oder gleich
dem Brechungsindex n₁ des Trägerelementes selbst ist, wobei
die Kopplungsschicht nach einer besonders bevorzugten
Ausgestaltung der Erfindung aus einem vorzugsweise auf
dem Detektor aufgebrachten, Polymermaterial bestehen
kann. Durch diese Ausgestaltungen kann die Lichtübertragung
von der jeweiligen Begrenzungs- bzw. Kantenfläche
zum Detektor durch indexangepaßte Medien zwischen Kantenfläche
und Detektor verbessert werden (z. B. Immersionsöl,
Polymerbeschichtung).
Der wesentliche Vorteil dieser Ausgestaltungen
besteht darin, daß an den seitlichen Begrenzungsflächen
ein deutlich größerer Anteil von Emissionslicht
abgestrahlt wird als an den beiden planparallelen
Deckflächen, deren eine die Indikatorschicht
trägt. Tab. 1 vergleicht die Emissionslichtanteile,
welche von den planparallelen Deckflächen
und von den seitlichen Begrenzungsflächen abgestrahlt
werden. Die Brechungsindizes der an der Totalreflexion
beteiligten Medien (Trägerelement, Umgebung und
lumineszierende Indikatorschicht), werden in drei
gebräuchlichen Kombinationen angegeben.
Die Tab. 1 zeigt, daß Brechungsindexunterschiede zwischen
Trägerelement und Indikatorschicht in gewissen
Grenzen erlaubt sind. Als unkritisch für die Lichtausbeute
an der seitlichen Begrenzungsfläche kann der
Fall n₂<n₁ angesehen werden. Für den Fall n₂<n₁ treten
durch Totalreflexion zwischen Indikatorschicht und Trägerelement
Verluste an der Lichtausbeute an der seitlichen
Begrenzungsfläche ein. Dieser entlang der Indikatorschicht
totalreflektierte Lichtanteil, der in der
Tab. 1 nicht berücksichtigt ist, kann allerdings zumindest
teilweise mitdetektiert werden, wenn die Indikatorschicht
die gesamte Deckfläche bedeckt und an der
seitlichen Begrenzungsfläche des Trägerelements ebenfalls
an die photoempfindliche Schicht des Detektors
angrenzt.
Tab. 1 zeigt weiter, daß für realistische Kombinationen
von Trägerelement, Indikatorschicht und Umgebung
der seitlich abgestrahlte Lichtanteil an emittiertem
Lumineszenzlicht zwei- bis zweieinhalb mal so groß
ist, als der von den beiden planparallelen Deckflächen
abgestrahlte Anteil.
Ein weiterer Vorteil ergibt sich auch durch den bereits
erwähnten Umstand, daß der (die) Detektor(en) direkt
an der (den) seitlichen Kante(n) positioniert werden
kann (können), während zur Messung des von der planparallelen
Deckfläche abgestrahlten Lichtes Vorrichtungen
zur Unterscheidung, z. B. Filter, von Anregungs- und
Lumineszenzlicht zwischen abstrahlender Fläche und Detektor
vorgesehen werden müßte.
Der Detektor kann im wesentlichen normal zur Indikatorschicht
angeordnet sein, wobei die zur Anregung
dienende Lichtquelle an einer im wesentlichen senkrecht
zur Indikatorschicht liegenden Begrenzungsfläche des
Trägerelementes angeordnet ist. Diese Begrenzungsfläche
weist dabei einen Abstand zur vom Anregungslicht ausgeleuchteten
Indikatorschicht auf, der zumindest eine einmalige
Totalreflexion des Anregungslichtes im Trägerelement
ermöglicht. Zwischen der Begrenzungsfläche und
der Indikatorschicht kann dabei auch eine lichtundurchlässige
Abdeckung um das Trägerelement angebracht sein,
die vorzugsweise von der Begrenzungsfläche einen Abstand
aufweist. Damit erfolgt also der Lichttransport für das
Anregungslicht hauptsächlich mittels Totalreflexion
innerhalb des planparallelen Trägerelements und das
Emissionslicht (Lumineszenzlicht) wird an zumindest einer
der planparallelen Deckflächen des Trägerelements detektiert.
Um teilweise Absorption des Anregungslichtes
durch die Indikatorschicht zu vermeiden, ist es dabei
vorteilhaft, nur jenen Teil der planparallelen Deckflächen
mit der lumineszierenden Indikatorschicht zu bedecken,
der tatsächlich in Kontakt mit der Probe bringbar
ist. Als Bedingungen für diese Art von Anordnung
gelten, daß die Brechungsindizes von sowohl Trägerelement
als auch lumineszierender Indikatorschicht größer sind
als der Brechungsindex der Umgebung.
Das Anregungslicht wird im Inneren des planparallele
Deckflächen aufweisenden Trägerelements solange totalreflektiert,
bis ein gegenüber der Umgebung erhöhter
Brechungsindex der angrenzenden Indikatorschicht einen
Durchtritt durch die Grenzfläche ermöglicht und somit
die Anregung der lumineszierenden Moleküle gewährleistet
ist.
Da der Großteil des Anregungslichtes (Streulicht
ausgenommen) weder die lumineszierende Indikatorschicht
noch die gegenüberliegende Deckfläche der planparallelen
Platte des Trägerelementes in Richtung Umgebung verlassen
kann - an diesen Grenzflächen wird es total reflektiert
- können Photodetektoren entweder an der der Indikatorschicht
gegenüberliegenden Deckfläche der planparallelen
Platte oder an eine Meßgutkammer anschließend (z. B. für
die Messung transparenter Gase) oder an beiden Stellen
im wesentlichen auf Deckung mit der lumineszierenden Indikatorschicht
angeordnet sein.
Der Vorteil dieser Art von Anordnungen besteht wieder
darin, daß der (die) Detektor(en) näher den abstrahlenden
planparallelen Flächen positioniert werden
kann (können), da optische Filter entweder weggelassen
werden können oder lediglich zur Absorption von gestreutem Anregungslicht
vergleichsweise dünn ausgeführt
sein können. Außerdem bietet sich der Vorteil, das an
den planparallelen Grenzflächen abgestrahlte Lumineszenzlicht
von beiden Seiten der planparallelen Platte
zu detektieren, da kein Lichtweg für die Anregungsstrahlung
in diesem Bereich freigehalten werden muß.
Vorteilhafterweise kann der Brechungsindex der
lumineszierenden Indikatorschicht klein gewählt werden,
ohne aber die grundlegende Bedingung n₂<n₃ zu verletzen.
Dadurch können die durch die planparallelen Deckflächen
abgestrahlten Lumineszenzlichtanteile vergrößert werden
(vgl. Tab. 1). Für eine effektive Beleuchtung sollte
andererseits der Brechungsindex des Trägerelements nicht
wesentlich größer sein als jener der lumineszierenden
Indikatorschicht, da für n₁<n₂ ein Teil des Anregungslichtes
an der Grenzfläche Trägerelement/Indikatorschicht
ebenfalls total reflektiert wird.
Nach einer anderen Ausgestaltung der Erfindung
können die Begrenzungsflächen zur Einleitung des Anregungslichtes
und zur Detektierung des Emissionslichtes
sowie die Indikatorschicht jeweils senkrecht zueinander
angeordnet sein. Dies stellt im wesentlichen eine Kombination
der oben beschriebenen beiden bevorzugten Ausführungsvarianten
dar.
Durch entsprechende Wahl der Grundfläche des planparallelen
Trägerelementes ist es also möglich, sowohl
Anregung als auch Detektion an Kantenflächen bzw. seitlichen
Begrenzungsflächen des Trägerelements durchzuführen.
Zusätzlich zur Detektion an den seitlichen Begrenzungsflächen
ist es dabei auch möglich, Lumineszenzlicht,
welches von den planparallelen Deckflächen abgestrahlt
wird zu detektieren.
Es ist schließlich erfindungsgemäß auch möglich,
daß die Deckflächen des Trägerelements trapezförmig ausgebildet
sind, wobei die Begrenzungsflächen zur Einleitung
des Anregungslichtes und zur Detektierung des Emissionslichtes
einen Winkel größer 90° einschließen, was
den Vorteil hat, daß auch Materialkombinationen (Umgebung,
Trägerelemente) möglich sind, für die der Grenzwinkel
der Totalreflexion < 45° ist.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der in der
Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Die
Fig. 1 und 2 zeigen jeweils unterschiedliche Ausführungsformen
von Vorrichtungen in teilweise
geschnittener, schematischer Darstellung,
Fig. 3 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel in
Schrägansicht und
Fig. 4 zeigt ein Detail eines anderen Ausführungsbeispieles
in schematischer Darstellung.
Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung zur optischen
Messung von Stoffkonzentrationen in einer Probe weist ein
Sensorelement 1 mit einem an einem Bereich seiner Oberfläche
mit einer Indikatorschicht 2 versehenen Trägerelement
3 auf. An der mit der Indikatorschicht 2 versehenen
Seite des Trägerelementes 3, welches in Form
einer Platte 4 mit planparallelen Deckflächen 5 ausgeführt
ist, ist eine Meßgußkammer 6 vorgesehen, welche
über Einlaß 7 und Auslaß 8 von der zu messenden Probe
durchspült sein kann.
An der der Indikatorschicht 2 abgewandten Seite ist
im Inneren der Meßgutkammer 6 ein Detektor 9 angeordnet,
der als Photodetektor ausgeführt ist und
über Anschlüsse 10, 11 der nachgewiesenen Strahlung entsprechende
elektrische Signale an eine hier nicht weiter
dargestellte Auswerteeinheit abgeben kann. An der der
Indikatorschicht 2 gegenüberliegenden Seite der Platte
4 ist an der planparallelen Deckfläche 5 ein weiterer
Detektor 9 angeordnet, der im wesentlichen gleich wie
der im Inneren der Meßgutkammer 6 liegende ausgeführt
sein kann.
An einer im wesentlichen senkrecht zur Indikatorschicht
2 liegenden seitlichen Begrenzungsfläche 12 der
Platte 4 bzw. des Trägerelementes 3 ist eine Lichtquelle
13 angeordnet, die über die Begrenzungsfläche 12 Anregungslicht
ins Innere der für die verwendete Strahlung transparenten
Platte 4 schickt. Im Bereich der Begrenzungsfläche
12 ist zur Vermeidung einer direkten Beleuchtung
der Detektoren 9 durch die Lichtquelle 13 eine Abdeckung
14 angeordnet.
Das Trägerelement 3 bzw. die planparallele Platte 4
weist einen Brechungsindex für die Strahlung der Lichtquelle
13 auf, der größer ist als der des an der indikatorfreien
Oberfläche der Platte 4 vorliegenden Umgebungsmediums,
womit - wie dargestellt - das Anregungslicht
von der Lichtquelle 13 im Inneren der planparallelen
Platte 4 unter Totalreflexion weitergeleitet wird.
Erst im Bereich der Indikatorschicht 2, wo ein gegenüber
der Umgebung erhöhter Brechungsindex eine Aufhebung der
Totalreflexion und einen Durchtritt durch die Grenzfläche
der Platte 4 ermöglicht, kann Anregungslicht aus
der Platte 4 aus- und in die Indikatorschicht 2 eintreten.
Zufolge der Eigenschaften des verwendeten Indikatormaterials,
welches entsprechend physikalischer bzw.
chemischer Gesetze mit dem nachzuweisenden Stoff aus
der in der Meßgutkammer 6 befindlichen Probe in Wechselwirkung
tritt, wird durch das Anregungslicht (in Fig. 1
mit durchgezogenen Linien angedeutet) in der Indikatorschicht
2 Lumineszenz angeregt - das auf diese Weise
emittierte Licht ist in Fig. 1 strichliert angedeutet.
Aufgrund spektraler Abhängigkeit und/oder Intensitätsabhängigkeit
des Emissionslichtes von der zu messenden
Größe kann aus dem Signal der Detektoren 9 auf diese
bzw. auf Änderung derselben geschlossen werden.
Da zufolge der Totalreflexion des Anregungslichtes
im Trägerelement 3 ausgenommen von Streulichtanteilen
kein Anregungslicht zu den Detektoren 9 gelangen kann
und andererseits zufolge der dargestellten geometrischen
Verhältnisse für das von der Indikatorschicht 2 ausgehende
Emissionslicht die geometrischen Bedingungen für
die Totalreflexion an den planparallelen Deckflächen 5
nicht erfüllt sind, sind vor den Detektoren 9 keine Filter
erforderlich um Anregungs- und Emissionslicht in
spektraler Hinsicht unterscheiden zu können. Da weiter
damit auch die Detektoren 9 sehr nahe an die Indikatorschicht
2 herangerückt werden können, ist eine hohe
Ausbeute an Emissionslicht möglich ohne die Intensität
des Anregungslichtes zu steigern, was eine Erhöhung der
Meßgenauigkeit erlaubt.
Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel
ist im Unterschied zu Fig. 1 die Lichtquelle 13 nun im
wesentlichen normal zu der hier die gesamte Oberfläche
der planparallelen Deckfläche 5 bedeckenden Indikatorschicht
2 angeordnet. Mittels einer Blendenanordnung 15
wird der Einfallswinkel α des Anregungslichtes auf geringe
Werte begrenzt womit partielle Reflexion des Anregungslichtes
verringert wird. Dieses kann damit zwar
durch die planparallele Platte 4 hindurch zur Indikatorschicht
2 nicht aber zu dem an der seitlichen Begrenzungsfläche
12 angeordneten Detektor 9 gelangen. Die
Meßgutkammer ist wiederum mit 6, der Einlaß mit 7 und
der Auslaß mit 8 bezeichnet.
Das von der Indikatorschicht 2 im Bereich der Meßgutkammer
6 nach Anregung durch die Lichtquelle 13 ausgesandte
Emissionslicht ist wiederum strichliert eingezeichnet
- ab einem gewissen Abstand von der Meßgutkammer
6 in Richtung zum Detektor 9 werden wieder die
Bedingungen für die Totalreflexion im Inneren des Trägerelements
3 erfüllt. Es ist also auch mit dieser Anordnung
ohne zusätzliche Filter möglich sicherzustellen,
daß zum Detektor 9 nur Emissionslicht gelangt.
Bei dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel
ist im wesentlichen eine Kombination der Vorrichtungen
nach den Fig. 1 und 2 gegeben. Die Lichtquelle 13 ist wie
in Fig. 1 an einer seitlichen Begrenzungsfläche des Trägerelementes
3 bzw. der dieses bildenden planparallelen
Platte 4 angeordnet und mit einer Abdeckung 14 versehen.
An zwei zu der die Lichtquelle aufweisenden Begrenzungsfläche
senkrecht stehenden seitlichen Begrenzungsflächen
sind Detektoren 9 angeordnet; die Indikatorschicht 2 ist
an einer sowohl zu der den Detektoren 9 als auch zu der
der Lichtquelle 13 zugewandten seitlichen Begrenzungsfläche
senkrecht stehenden Deckfläche 5 aufgebracht; die
Meßgutkammer ist hier nicht eigens dargestellt.
Zufolge der dargestellten geometrischen Bedingungen
ist sichergestellt, daß für in das Trägerelement 3 eintretendes
Anregungslicht - im Hinblick auf die senkrecht
zur Eintrittskante liegenden Detektoren 9 - an den Austrittskanten
zu den Detektoren die Bedingungen für Totalreflexion
erfüllt sind. Damit ist auch mit dieser Anordnung
sichergestellt, daß die Lichtleitung von der Anregungslichtquelle
13 zu Indikatorschicht 2 sowie von der
Indikatorschicht 2 zu den Detektoren 9 unter Ausnutzung
der Totalreflexion im Trägerelement 3 erfolgen kann und
daß von den Detektoren 9 abgesehen von Streulichtanteilen
im wesentlichen nur Emissionslicht registriert wird.
Unter Umständen kann sich bei einer derartigen Anordnung
aber die Anordnung von Anregungslichtfiltern für
das Streulicht günstig erweisen, die allerdings nur
sehr dünn ausgeführt werden müssen.
In Fig. 4 ist die Anordnung einer Kopplungsschicht
15′ zwischen der seitlichen Begrenzungsfläche 12 des
Trägerelementes 3 und dem Detektor 9 dargestellt, welche
auch beispielsweise aus einem direkt auf dem Detektor
9 aufgebrachten Polymermaterial bestehen kann. Der
Brechungsindex dieser Kopplungsschicht 15′ ist größer
als der Brechungsindex der Umgebung des Trägermaterials
und vorzugsweise größer oder gleich dem Brechungsindex
des Trägerelementes selbst. Auf diese Weise kann die
Lichtübertragung zum Detektor 9 durch die lichtsammelnde
Wirkung der Kopplungsschicht 15′ verbessert werden.
Claims (9)
1. Vorrichtung zur fluoreszenzoptischen Messung der
Konzentration von Komponenten einer Probe mit
einer Lichtquelle zur Erzeugung einer Anregungsstrahlung,
einem sich in einem Umgebungsmedium befindlichen,
mindestens die Anregungsstrahlung oder
die Fluoreszenzstrahlung unter Totalreflexion leitenden,
für die Anregungsstrahlung und die Fluoreszenzstrahlung
transparenten Trägerelement mit mindestens
zwei zueinander parallelen Flächen und mit
einem Brechungsindex n₁, der größer ist als der Brechungsindex
n₃ des Umgebungsmediums, wobei sich die
zu messende Probe mit mindestens einem Bereich auf
einer der zueinander parallelen Flächen in Kontakt
befindet, sowie mit einem Detektor für die Fluoreszenzstrahlung,
dadurch gekennzeichnet,
daß
sich zwischen der zu untersuchenden Probe und dem
Trägerelement (3) eine Indikatorschicht (2) befindet,
deren Fluoreszenzverhalten durch die Konzentration
der zu bestimmenden Komponenten der
Probe beeinflußbar ist, wobei
die Indikatorschicht (2) einen Brechungsindex n₂
aufweist, der in einem Bereich liegt, der durch
n₂ = n₁ ±0,1 gegeben ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die zur Anregung dienende Lichtquelle (13) normal
zur Indikatorschicht (2) angeordnet ist und daß der
Detektor (9) an mindestens einer senkrecht
zur Indikatorschicht (2) liegenden seitlichen
Begrenzungsfläche (12) des Trägerelements (3) angeordnet
ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Indikatorschicht (2) eine der Deckflächen
(5) des Trägerelements (3) vollständig bedeckt und
der Brechnungsindex n₂ der Indiktorschicht (2) größer
als der Brechnungsindex n₃ des Umgebungsmediums
ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen Lichtquelle (13) und Trägerelement
(3) eine Blendenanordnung (15) vorgesehen
ist, welche den Einfallswinkel des Anregungslichtes
begrenzt.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen der detektorseitigen
Begrenzungsfläche (12) und dem Detektor (9) eine
Kopplungsschicht (15′) angeordnet ist, die einen
Brechungsindex n₄ aufweist, der größer ist als der
Brechungsindex n₃ der Umgebung des Trägerelements
(3).
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß der Brechnungsindex n₄ der Kopplungsschicht (15′)
größer oder gleich dem Brechnungsindex n₁ des Trägerelements
(3) ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kopplungsschicht (15′) aus einem
vorzugsweise direkt auf den Detektor (9) aufgebrachten
Polymermaterial besteht.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Begrenzungsflächen zur Einleitung des Anregungslichtes
und zur Detektierung des Emissionslichtes
sowie die Indiktorschicht (2) jeweils senkrecht
zueinander angeordnet sind.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Deckflächen (5) des Trägerelements (3) trapezförmig
ausgebildet sind, wobei die Begrenzungsflächen
zur Einleitung des Anregungslichtes und zur
Detektierung des Emissionslichtes einen Winkel größer
90° einschließen.
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---|---|---|---|
AT0295584A AT383684B (de) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | Anordnung zur fluoreszenzoptischen messung von stoffkonzentrationen in einer probe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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DE3532563C2 true DE3532563C2 (de) | 1988-06-23 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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JP (1) | JPH0678982B2 (de) |
AT (1) | AT383684B (de) |
DE (1) | DE3532563A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT397458B (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-25 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Sensoranordnung |
DE19651935A1 (de) * | 1996-12-14 | 1998-06-18 | Ruckstuhl Thomas | Detektionssystem für den optischen Nachweis von Molekülen |
DE19735144A1 (de) * | 1997-08-13 | 1999-02-25 | Wolfram Dr Bohnenkamp | Reflexionsfluorimeter |
DE19947616A1 (de) * | 1999-10-01 | 2001-05-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung von Substanzen, wie z. B. DNA-Sequenzen, in einer Probe |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0244394B1 (de) * | 1986-04-23 | 1992-06-17 | AVL Medical Instruments AG | Sensorelement zur Bestimmung von Stoffkonzentrationen |
GB8629283D0 (en) * | 1986-12-08 | 1987-01-14 | Gen Electric Co Plc | Radiation meters |
JPH0799353B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1995-10-25 | 株式会社島津製作所 | 塩基配列決定装置 |
GB8714503D0 (en) * | 1987-06-20 | 1987-07-22 | Pa Consulting Services | Detector |
DK163194C (da) * | 1988-12-22 | 1992-06-22 | Radiometer As | Fremgangsmaade ved fotometrisk in vitro bestemmelse af en blodgasparameter i en blodproeve |
US5564419A (en) * | 1987-11-25 | 1996-10-15 | Radiometer A/S | Method of photometric in vitro determination of the content of oxygen in a blood sample |
AU619120B2 (en) * | 1989-06-22 | 1992-01-16 | Applied Research Systems Ars Holding N.V. | Method of optical analysis |
DE3931350A1 (de) * | 1989-09-20 | 1991-03-28 | Kaltenbach Martin | Fuehrungshuelse zum einfuehren von kathetern |
US5619586A (en) * | 1990-12-20 | 1997-04-08 | Thorn Emi Plc | Method and apparatus for producing a directly viewable image of a fingerprint |
US5192510A (en) * | 1991-01-30 | 1993-03-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Apparatus for performing fluorescent assays which separates bulk and evanescent fluorescence |
US5156976A (en) * | 1991-06-07 | 1992-10-20 | Ciba Corning Diagnostics Corp. | Evanescent wave sensor shell and apparatus |
US5340715A (en) * | 1991-06-07 | 1994-08-23 | Ciba Corning Diagnostics Corp. | Multiple surface evanescent wave sensor with a reference |
DE4128846C2 (de) * | 1991-08-30 | 1994-07-14 | Rainer Dr Klein | Integriert optischer Stoffsensor |
JPH07318481A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Daikin Ind Ltd | 光学的測定方法およびその装置 |
AT403745B (de) * | 1996-02-29 | 1998-05-25 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Messanordnung mit einem für anregungs- und messstrahlung transparentem trägerelement |
AU5371098A (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-22 | Optical Analytic Inc. | Perimeter light detection apparatus for enhanced collection of radiation |
DE19702557C2 (de) * | 1997-01-24 | 1999-06-17 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Erfassung von diffus emittiertem Licht |
GB9903283D0 (en) * | 1998-06-01 | 1999-04-07 | Farfield Sensors Ltd | Device |
US6701032B1 (en) | 1999-05-27 | 2004-03-02 | Farfield Sensors Limited | Device for housing a planar optical component |
AT410600B (de) | 1999-12-02 | 2003-06-25 | Hoffmann La Roche | Messkammer mit lumineszenzoptischen sensorelementen |
DE10101576B4 (de) * | 2001-01-15 | 2016-02-18 | Presens Precision Sensing Gmbh | Optischer Sensor und Sensorfeld |
DE10245432A1 (de) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Micronas Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Detektieren mindestens eines Lumineszenz-Stoffs |
US7285789B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-10-23 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Optical device for surface-generated fluorescence |
JP4558448B2 (ja) | 2004-11-01 | 2010-10-06 | テルモ株式会社 | 光導波路およびこの光導波路を用いた蛍光センサ |
DE102006041756A1 (de) * | 2006-09-04 | 2008-03-06 | Robert Bosch Gmbh | Werkzeugmaschinenüberwachungsvorrichtung |
EP1944599A3 (de) | 2007-01-11 | 2008-11-12 | Fujifilm Corporation | Fluoreszenzanalysegerät |
JP2013019819A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Tokai Kogaku Kk | 蛍光分析装置 |
GB2495703A (en) * | 2011-10-12 | 2013-04-24 | Crowcon Detection Instr Ltd | Optical sensor without wavelength filter |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US360927A (en) * | 1887-04-12 | Dredger | ||
GB1190583A (en) * | 1966-10-19 | 1970-05-06 | Mini Of Power | Improvements in or relating to Gas Detectors |
US3604927A (en) * | 1966-11-16 | 1971-09-14 | Block Engineering | Total reflection fluorescence spectroscopy |
US3612866A (en) * | 1969-07-08 | 1971-10-12 | Brian Stevens | Instrument for determining oxygen quantities by measuring oxygen quenching of fluorescent radiation |
US3669545A (en) * | 1971-05-06 | 1972-06-13 | Wilks Scientific Corp | Apparatus and method for analysis by attenuated total reflection |
US4031399A (en) * | 1975-02-24 | 1977-06-21 | Beckman Instruments, Inc. | Fluorometer |
DE2508637C3 (de) * | 1975-02-28 | 1979-11-22 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen | Anordnung zur optischen Messung von Blutgasen |
US4050895A (en) * | 1975-09-26 | 1977-09-27 | Monsanto Research Corporation | Optical analytical device, waveguide and method |
US4399099A (en) * | 1979-09-20 | 1983-08-16 | Buckles Richard G | Optical fiber apparatus for quantitative analysis |
US4564598A (en) * | 1982-07-12 | 1986-01-14 | Syntex (U.S.A.) Inc. | Limited volume method for particle counting |
US4532425A (en) * | 1982-08-04 | 1985-07-30 | Elscint Inc. | Gamma camera with light guide having greater index of refraction |
US4447546A (en) * | 1982-08-23 | 1984-05-08 | Myron J. Block | Fluorescent immunoassay employing optical fiber in capillary tube |
AT379688B (de) * | 1982-11-22 | 1986-02-10 | List Hans | Sensorelement zur bestimmung des o2-gehaltes einer probe |
AT377095B (de) * | 1982-11-23 | 1985-02-11 | List Hans | Sensorelement zur bestimmung des o2-gehaltes einer probe sowie verfahren zur herstellung desselben |
-
1984
- 1984-09-17 AT AT0295584A patent/AT383684B/de active
-
1985
- 1985-09-12 DE DE19853532563 patent/DE3532563A1/de active Granted
- 1985-09-16 US US06/776,586 patent/US4703182A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-17 JP JP60206191A patent/JPH0678982B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT397458B (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-25 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Sensoranordnung |
DE19651935A1 (de) * | 1996-12-14 | 1998-06-18 | Ruckstuhl Thomas | Detektionssystem für den optischen Nachweis von Molekülen |
DE19735144A1 (de) * | 1997-08-13 | 1999-02-25 | Wolfram Dr Bohnenkamp | Reflexionsfluorimeter |
DE19735144C2 (de) * | 1997-08-13 | 2000-02-24 | Wolfram Bohnenkamp | Reflexionsfluorimeter |
US6252657B1 (en) | 1997-08-13 | 2001-06-26 | Wolfram Bohnenkamp | Reflection fluorometer |
DE19947616A1 (de) * | 1999-10-01 | 2001-05-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung von Substanzen, wie z. B. DNA-Sequenzen, in einer Probe |
DE19947616C2 (de) * | 1999-10-01 | 2003-05-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Bestimmung von Substanzen, wie z.B. DNA-Sequenzen, in einer Probe und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4703182A (en) | 1987-10-27 |
JPH0678982B2 (ja) | 1994-10-05 |
DE3532563A1 (de) | 1986-03-27 |
ATA295584A (de) | 1986-12-15 |
AT383684B (de) | 1987-08-10 |
JPS6177745A (ja) | 1986-04-21 |
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