DE3512841C2 - - Google Patents

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6159774A (ja) * 1984-08-30 1986-03-27 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4672414A (en) * 1985-06-28 1987-06-09 Texas Instruments Incorporated Planar heterojunction bipolar device and method
JPH0713968B2 (ja) * 1986-01-07 1995-02-15 富士通株式会社 化合物半導体装置の製造方法
JP2590842B2 (ja) * 1986-10-29 1997-03-12 ソニー株式会社 ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ
DE3715232A1 (de) * 1987-05-07 1988-11-17 Siemens Ag Verfahren zur substratkontaktierung bei der herstellung von durch isolationsgraeben getrennten bipolartransistorschaltungen
JP2615646B2 (ja) * 1987-08-11 1997-06-04 ソニー株式会社 バイポーラトランジスタの製造方法
JP2585662B2 (ja) * 1987-12-23 1997-02-26 株式会社日立製作所 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
JPH0210734A (ja) * 1988-06-29 1990-01-16 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
DE58909577D1 (de) * 1989-09-08 1996-02-29 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Heterobipolartransistors mit Separation des Kollektoranschlusses
EP0460285B1 (de) * 1990-06-07 1996-08-28 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung von Bipolartransistoren mit extrem reduzierter Basis-Kollektor-Kapazität

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6024592B2 (ja) * 1975-01-27 1985-06-13 株式会社日立製作所 ワイドギヤツプエミツタトランジスタの製造方法
GB1534896A (en) * 1975-05-19 1978-12-06 Itt Direct metal contact to buried layer
US4044452A (en) * 1976-10-06 1977-08-30 International Business Machines Corporation Process for making field effect and bipolar transistors on the same semiconductor chip
JPS5658258A (en) * 1979-10-16 1981-05-21 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor integrated circuit
JPS6048909B2 (ja) * 1981-05-29 1985-10-30 富士通株式会社 能動的半導体装置及び製造方法
JPS59208873A (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 Agency Of Ind Science & Technol 半導体装置
JPS60177671A (ja) * 1984-02-24 1985-09-11 Fujitsu Ltd ヘテロ接合バイポ−ラ半導体装置の製造方法

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Publication number Publication date
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