DE2615754C2 - - Google Patents

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DE2615754C2
DE2615754C2 DE2615754A DE2615754A DE2615754C2 DE 2615754 C2 DE2615754 C2 DE 2615754C2 DE 2615754 A DE2615754 A DE 2615754A DE 2615754 A DE2615754 A DE 2615754A DE 2615754 C2 DE2615754 C2 DE 2615754C2
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silicon nitride
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Ingrid Emese Magdo
Steven Hopewell Junction N.Y. Us Magdo
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International Business Machines Corp
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5246784A (en) * 1975-10-11 1977-04-13 Hitachi Ltd Process for production of semiconductor device
JPS5253679A (en) * 1975-10-29 1977-04-30 Hitachi Ltd Productin of semiconductor device
JPS5275989A (en) 1975-12-22 1977-06-25 Hitachi Ltd Production of semiconductor device
IT1089299B (it) * 1977-01-26 1985-06-18 Mostek Corp Procedimento per fabbricare un dispositivo semiconduttore
US4118250A (en) * 1977-12-30 1978-10-03 International Business Machines Corporation Process for producing integrated circuit devices by ion implantation
DE2917654A1 (de) * 1979-05-02 1980-11-13 Ibm Deutschland Anordnung und verfahren zum selektiven, elektrochemischen aetzen
US4462846A (en) * 1979-10-10 1984-07-31 Varshney Ramesh C Semiconductor structure for recessed isolation oxide
US4272308A (en) * 1979-10-10 1981-06-09 Varshney Ramesh C Method of forming recessed isolation oxide layers
US4271583A (en) * 1980-03-10 1981-06-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of semiconductor devices having planar recessed oxide isolation region
JPS56140643A (en) * 1980-04-01 1981-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of semiconductor device
US4381956A (en) * 1981-04-06 1983-05-03 Motorola, Inc. Self-aligned buried channel fabrication process
US4506435A (en) * 1981-07-27 1985-03-26 International Business Machines Corporation Method for forming recessed isolated regions
US4454647A (en) * 1981-08-27 1984-06-19 International Business Machines Corporation Isolation for high density integrated circuits
US4454646A (en) * 1981-08-27 1984-06-19 International Business Machines Corporation Isolation for high density integrated circuits
US4563227A (en) * 1981-12-08 1986-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US4444605A (en) * 1982-08-27 1984-04-24 Texas Instruments Incorporated Planar field oxide for semiconductor devices
JPS5955052A (ja) * 1982-09-24 1984-03-29 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US4612701A (en) * 1984-03-12 1986-09-23 Harris Corporation Method to reduce the height of the bird's head in oxide isolated processes
US4691222A (en) * 1984-03-12 1987-09-01 Harris Corporation Method to reduce the height of the bird's head in oxide isolated processes
JPS6281727A (ja) * 1985-10-05 1987-04-15 Fujitsu Ltd 埋込型素子分離溝の形成方法
US6696726B1 (en) * 2000-08-16 2004-02-24 Fairchild Semiconductor Corporation Vertical MOSFET with ultra-low resistance and low gate charge

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1205320A (en) * 1967-10-28 1970-09-16 Nippon Telegraph & Telephone Improvements in or relating to the production of semiconductor devices
GB1255995A (en) * 1968-03-04 1971-12-08 Hitachi Ltd Semiconductor device and method of making same
FR2024124A1 (enExample) * 1968-11-25 1970-08-28 Ibm
US3664896A (en) * 1969-07-28 1972-05-23 David M Duncan Deposited silicon diffusion sources
NL173110C (nl) * 1971-03-17 1983-12-01 Philips Nv Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een uit ten minste twee deellagen van verschillend materiaal samengestelde maskeringslaag wordt aangebracht.
US3771218A (en) * 1972-07-13 1973-11-13 Ibm Process for fabricating passivated transistors
US3966501A (en) * 1973-03-23 1976-06-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of producing semiconductor devices

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Publication number Publication date
IT1058402B (it) 1982-04-10
DE2615754A1 (de) 1976-10-28
JPS5836499B2 (ja) 1983-08-09
GB1517242A (en) 1978-07-12
US4002511A (en) 1977-01-11
JPS51124381A (en) 1976-10-29
FR2308201A1 (fr) 1976-11-12
FR2308201B1 (enExample) 1980-05-30

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